| 例文 |
structure elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9525件
A polarizing film comprising a stretched and oriented polyvinyl alcohol film containing a dichroic substance or a stretched and oriented polarizing film having a polyene structure and a polarizing element comprising a fluidized and oriented dichroic substance are laminated.例文帳に追加
二色性物質含有ポリビニルアルコールフィルムを延伸配向してなる偏光フィルム又は延伸配向されたポリエン構造を有する偏光フィルムと、二色性物質を流動配向により配向させた偏光素子を積層する。 - 特許庁
This dehumidifying element is obtained by holding a structure, which is obtained by holding a solid polymer electrolyte membrane between cation exchangers each having a shock absorbing property, between an air-permeable anode and an air-permeable cathode.例文帳に追加
本発明に係る除湿素子は、固体高分子電解質膜が緩衝性を有するカチオン交換体によって挟持されている構造体が、更に通気性の陽極及び陰極によって挟持されていることを特徴とする。 - 特許庁
To meet the demand not only of a piezoelectric element structure exhibiting excellent durability and piezoelectric characteristics, but also of manufacturing a high definition inkjet recording head arranged with nozzles at high density inexpensively with high yield in which machining of liqud chamber is simplified.例文帳に追加
耐久性や圧電特性にも優れた圧電素子構造体が得られるが、更に、液室の加工が簡便で、安価に歩留まり良く精細度が高く、高密度にノズルが配置されたインクジェット記録ヘッドを作製することが望まれている。 - 特許庁
Such a near-field optical element 100 can emit the near-field light at the fine opening part 4 having a diameter d of about 1/2 or less of the emitted light wavelength of the laminated structure 2 of the group 3 nitride compound semiconductor.例文帳に追加
このような近接場光素子100は、3族窒化物系化合物半導体の積層構造2の発光波長の1/2程度以下の直径dを有する微小開口部4において近接場光を発することができる。 - 特許庁
To allow comparison of each definition block of new analysis data with a corresponding block of basic analysis data ensured in accuracy by verification with actual measurement, in a numerical analysis method for performing analysis of a structure using finite element method.例文帳に追加
有限要素法を用いて構造物の解析を行う数値解析方法に関し、新規解析データの定義ブロックごとに、実測との検証によって精度の得られた基本解析データの該当するブロックとの比較を可能とする。 - 特許庁
To provide an optical delay element having a line defect waveguide structure made of photonic crystal wherein a group refractive index is high and a region where wavelength dispersion is fixed or small of the group refractive index is kept as a band of practical level.例文帳に追加
群屈折率が大きく、かつ、群屈折率の波長分散が一定若しくは小さい領域が実用レベルの帯域で保たれたフォトニック結晶による線欠陥導波路構造を有する光遅延素子を提供する。 - 特許庁
Since the semiconductor laser diode 13 has the structure that the laser output can be taken out of both sides of an element, the laser output from one side is received by a photodiode 25, and the laser receiving voltage is amplified by an amplifier 26 so as to generate the monitor voltage.例文帳に追加
また、半導体レーザダイオード13は素子の両側からレーザ出力を取り出せる構造なので、一方のレーザ出力をフォトダイオード25で受光し、その受光電圧を増幅器26で増幅してモニタ電圧を生成する。 - 特許庁
To provide a structure for semiconductor element mounting, capable of mounting at a high density, without short-circuiting connecting metal bumps in mounting semiconductor elements by a flip-chip type facedown mounting system.例文帳に追加
フリップチップ方式のフェイスダウン実装により半導体素子が実装される半導体素子実装構造において、接続用金属突起間がショートすることがなく高密度実装が可能な半導体素子実装構造を提供する。 - 特許庁
To provide an optical element with fine surface structure which has a practical aspect ratio and is capable of realizing desired optical characters even when being made at a low cost by using molding technology etc. jointly.例文帳に追加
たとえモールディング技術等を併用して低コスト化を図る場合であれ、実用に供し得るアスペクト比を有して、所望とされる光学特性を実現することのできる表面微細構造光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the two semiconductor elements 61 are mounted directly on the upper and lower lid members 2, 3, the structure of the electronic element package 1 is suitable for the highly dense arrangement of minute electronic elements.例文帳に追加
電子素子パッケージ1では、2つの半導体素子61が上蓋部材2および下蓋部材3にそれぞれ直接実装されるため、パッケージの構造を微小な電子素子の高密度な配置に適したものとすることができる。 - 特許庁
The element 101 has a columnar stack structure of a magnetization-direction fixed layer 11 whose magnetization direction is fixed, a separation layer 12 made of a nonmagnetic material, and a magnetization-direction changeable layer 13 whose magnetization direction is inverted by voltage application.例文帳に追加
素子101は、磁化方向が固定の磁化方向固定層11と、非磁性材料で構成される分離層12と、電圧の印加により磁化方向が反転する磁化方向可変層13との柱状積層構造を有する。 - 特許庁
A nitride semiconductor laser element is formed on a substrate 101 and includes a laminated structure 120 containing an active layer 105, and a p-type electron barrier layer 106, an n-type current block layer 108 and p-type light guide layers 107, 111.例文帳に追加
窒化物半導体レーザ素子は、基板101上に形成され、活性層105、p型電子障壁層106、n型電流ブロック層108及びp型光ガイド層107、111を含む積層構造体120を有している。 - 特許庁
When an STI element isolation structure 5 is formed, the upper part of it is formed so as to protrude more from the surface of the substrate 1 than the usual STI method, and a dummy electrode pattern 7 is formed at the formative part of a gate electrode.例文帳に追加
STI素子分離構造5を形成する際に、これをその上部が基板1面から通常のSTI法の場合よりも突出するように形成し、ゲート電極の形成部位にダミー電極パターン7を形成する。 - 特許庁
The piezoelectric element 11 to be used here does not need to undergo bend deformation but can adopt a strong structure and, by regulating elasticity coefficients of accompanying elastic body 12, the frequency can be lowered.例文帳に追加
ここに使用する圧電素子11は屈曲変形をする必要がなく強固な構造を採用できるとともに、付随する弾性体12の弾性係数を調整することで周波数の低域化をはかることが可能になる。 - 特許庁
An image sensor element has a die 100 formed by an array of a light detection site 120 and a structure 130 made of an optical material having the infrared absorption properties.例文帳に追加
光検出サイト120のアレイと、その光検出サイト120の上に形成された赤外線吸収特性を有する光学材料の構造体130、230とで形成されたダイ100、200を有するイメージセンサ素子を開示する。 - 特許庁
In a magnetic memory structure 36, an MTJ element 37 has a cap layer 51, which is formed by laminating an internal diffusion barrier layer 511, an oxygen adsorption layer 512, and an upper metal layer 513, sequentially from a free layer 50 side.例文帳に追加
磁気メモリ構造36におけるMTJ素子37は、フリー層50の側から順に内部拡散バリア層511と酸素吸着層512と上部金属層513とが積層されてなるキャップ層51を有している。 - 特許庁
To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device 10 has a configuration that a semiconductor device 12 formed of a photoelectric conversion element is mounted on a substrate 11, and a sealing structure 21 used for sealing the semiconductor device 12 is installed on the substrate 11.例文帳に追加
半導体装置10は、基板11上に、光電変換素子よりなる半導体素子12が実装され、当該半導体素子12を封止する封止構造体21が、当該基板11上に設置された構造となっている。 - 特許庁
As the body 4 having a structure not needing secondary processing for connecting the power element 3 can be manufactured by integral molding of the resin, the manufacturing efficiency of the body 4 can be improved, and the manufacturing costs of the expansion valve can be reduced.例文帳に追加
パワーエレメント3を結合させるための二次加工が不要な構造のボディ4を樹脂の一体成形で作ることができるので、ボディ4の製造効率が向上し、膨張弁の製造コストを低減することができる。 - 特許庁
To provide an ultrasonic sonde with a simple structure in which a piezoelectric element capable of covering up to a high-frequency band is mounted on a small-diameter rod capable of enhancing a spatial resolution to enable the measurement of an ultrasonic sound field.例文帳に追加
簡単な構造を有し、しかも空間分解能の向上可能な細径のロッドに高い周波数帯まで対応可能な圧電素子を装着した強力な超音波音場の測定可能な超音波ゾンデを提供する。 - 特許庁
To provide: a photoelectric conversion element connection body with structure whose cross-sectional area is increased without thickening the thickness of a conductive material foil; a photoelectric conversion module; and a method for manufacturing the photoelectric conversion module.例文帳に追加
導電性材料箔の厚みを厚くすることなく断面積を増加することが可能な構成を備える光電変換素子接続体、光電変換モジュール、および、光電変換モジュールの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
This element set for assembling the complex structure is provided with a plurality of first magnetic bar elements having a first length, a plurality of ferromagnetic elements, and a plurality of second magnetic bar elements having a second length.例文帳に追加
本発明は、複合構造体を組み立てるための要素セットに関し、このセットが、第1長さを有する複数の第1磁性バー要素と、複数の強磁性要素と、第2長さを有する複数の第2磁性バー要素とを備える。 - 特許庁
The red laser element 1 has a double hetero structure wherein an InGaP system or AlGaInP system active layer 13 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 12 and a second conductive type cladding layer 14 containing a ridge 14a.例文帳に追加
赤色レーザ素子1は、第1導電型クラッド層12と、リッジ14aを有する第2導電型クラッド層14とによりInGaP系又はAlGaInP系活性層13が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁
The rare earth sintered magnet has a main phase composed of a compound (R: a rare earth element) having a R_2Fe_14B type crystal structure and a grain boundary phase positioned at a grain boundary part of the main phase.例文帳に追加
本発明の希土類焼結磁石は、R_2Fe_14B型結晶構造を有する化合物(Rは希土類元素)からなる主相と、主相の粒界部分に位置する粒界相とを有する希土類焼結磁石である。 - 特許庁
The device has a structure that a contactor 5 including a plurality of elastically-deformable contact pieces 5b is provided between a bottom surface 2a of housing base 2 and a circuit board 3 mounted with electronic components 4 including a heat generating element 4a.例文帳に追加
筐体ベース2の底面部2aと発熱素子4aを含む電子部品4が実装された回路基板3の間に、弾性変形可能な接触片5bが複数個備えられた接触子5を備えた構造とする。 - 特許庁
To provide a lens frame having a structure capable of contributing to further miniaturization, while surely securing normal functions and performance, with respect to the lens frame constituting a part of a lens barrel being collapsible, including an optical element retracting mechanism.例文帳に追加
沈胴式で光学素子退避機構を備えたレンズ鏡筒の一部を構成するレンズ鏡枠において通常の機能や性能を確実に確保しながらさらなる小型化に寄与し得る構造を備えたレンズ鏡枠を提供する。 - 特許庁
To provide a novel polysilsesquioxane having a ladder structure exhibiting superior thermal and mechanical characteristics, unlike the prior arts, and suitable for application to an organic electronic element such as an OLED (Organic Light-Emitting Diode) and an organic solar cell, and to provide a production method of the polysilsesquioxane.例文帳に追加
従来と異なり、優れた熱的及び機械的特性を発揮する、OLEDや有機太陽電池のような有機電子素子への適用に好適な、新規なはしご構造のポリシルセスキオキサン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A nonlinear optical medium of the wavelength conversion element has a polarization reversal structure wherein a sign of a nonlinear optical constant is periodically reversed at intervals of a fundamental period Λ_0 and a phase of reversal continuously changes at intervals of the fundamental period Λ_0.例文帳に追加
波長変換素子の非線形光学媒質は、非線形光学定数の符号が基本周期Λ_0ごとに周期的に反転し、かつ基本周期Λ_0ごとに連続的に反転の位相が変化する分極反転構造を有する。 - 特許庁
Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.例文帳に追加
まず、シリコン基板30の表面に、裏面素子構造として、少なくともp^+コレクタ層1となる第1エピタキシャル層、n^+バッファ層2となる第2エピタキシャル層、およびn^-ドリフト層3となる第3エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁
To perform displacement measurement, which is not affected by inclination accuracy of an optical element, having a simple and downsized structure, and in which an effect is small on the displacement in a planar direction of a diffraction grating, with adjusting of optical resolution being possible.例文帳に追加
光学素子の傾き精度の影響を受けず、構成が簡単かつ小型化が可能であって、回折格子の面方向の位置ずれに対しても影響が小さく、光学分解能の調整が可能な変位計測を行う。 - 特許庁
To improve the structure of a vibration damping control device in order to cope with a malfunction concerning a phenomenon of a waveform peak of a value calculated by a model computing element in the vibration damping control device by wheel torque control or drive/brake force control.例文帳に追加
車輪トルク制御又は制駆動力制御による制振制御装置に於けるモデル演算器の算出値の波形の頭打ちの現象に関わる不具合に対処すべく制振制御装置の構成を改良すること。 - 特許庁
A sound path wall 70 separating a front space C1 between the capacitor structure portion C and the sound hole 60a, and a circumference space C3 surrounding the front space C1 is placed between the upper wall 60A of the cover 60 and the microphone element 20.例文帳に追加
そして、このカバー60の上面壁60Aとマイクロホンエレメント20との間に、コンデンサ構造部Cと音孔60aとの間の前方空間C1とこれを囲む外周空間C3と仕切る音道壁70を配置する。 - 特許庁
To suppress the excess growth of a buried layer and also background roughness on the bottom plane of a wafer in a semiconductor optical element having a laminate structure extended including other direction components such as slopes and curves than a [011] direction component.例文帳に追加
斜めや曲線など、[011]方向成分以外の方向成分を含んで延設された積層構造体を有する半導体光素子において、埋め込み層の被り成長を抑制しつつ、ウェハ底面のバックグラウンド荒れを抑制する。 - 特許庁
To improve the transistor performance easily without using an inorganic material in the semiconductor layer by applying the carrier-induced function, which is used in an HEMT structure element introduced into an inorganic semiconductor, to a field effect organic transistor.例文帳に追加
無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。 - 特許庁
To provide a heat treatment device that uses a heating control sequence of microwaves which protects a semiconductor element from damage, using a simple structure, without having too uses an isolator in a microwave processor for generating microwaves by using the semiconductor device.例文帳に追加
半導体素子を用いてマイクロ波を発生するマイクロ波処理装置においてアイソレータを用いずに簡単な構成で半導体素子を破壊から保護するマイクロ波加熱制御シーケンスを用いた加熱処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a plane type imaging element having a structure which can improve positioning accuracy between a photoelectric conversion part and an electron source array and can further shorten a distance between the photpelectric conversion part and the electron source array.例文帳に追加
光電変換部と電子源アレイとの位置合わせ精度を改善するとともに、光電変換部と電子源アレイとの間の距離をさらに短縮可能な構造を有する平面型撮像素子を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a transmission belt that reduces friction coefficient in a circumferential direction between rings of a laminating ring as well as between the laminating ring and an element and improves efficiency of power transmission, with a simple structure.例文帳に追加
簡単な構成によって、積層リングのリング間および積層リングとエレメントとの間の周方向における摩擦係数を低減することができ、動力伝達効率を向上させることができる伝動ベルトを提供すること。 - 特許庁
The polymer actuator element 1 includes a laminated structure, in which a polymer film displaced by voltage application is inserted between a pair of electrode films, and is made of a thin film of which one end is held by electrodes 21A, 21B (fixing part).例文帳に追加
ポリマーアクチュエータ素子1は、一対の電極膜の間に電圧印加によって変位する高分子膜が挿入された積層構造を有すると共に一端が電極21A,21B(固定部)に把持された薄膜からなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device such as a ridge type InGaAlAs system DFB laser element which can form a high reflection film structure having a multitude of films (a plurality of layers of dielectric multilayer films) without causing film peeling.例文帳に追加
膜剥がれなどを起こすことなく、膜数の多い(誘電体多層膜の層数が多い)高反射膜構造を実現することが可能なリッジ型InGaAlAs系DFBレーザ素子などの半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a thick insulating film is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、厚い絶縁膜を配置した。 - 特許庁
To improve an emission intensity in a semiconductor light emitting element of the structure in which electrodes for applying a bias to an n-type region and a p-type region of a light emitting semiconductor layer are formed at the same surface side of a supporting substrate.例文帳に追加
発光半導体層のn型領域とp型領域にバイアス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面側にて形成した構造の半導体発光素子において、発光強度を向上させる。 - 特許庁
This manufacturing process of the full-color OLED display element pixel structure includes processes: (a) a black matrix manufacturing process, (b) a polysilicon island forming process, (c) a gate forming process, (d) an interlayer forming process, (e) a CCM process, and (f) an OLED implant (OLED deposition) process.例文帳に追加
本発明が提供するフルカラーOLEDディスプレイエレメント画素構造の製造プロセスには、手順:(a)ブラックマトリックス製造プロセス、(b)ポリシリコンアイランド形成プロセス、(c)ゲート形成プロセス、(d)中間層(interlayer)形成プロセス、(e)CCMプロセス、及び(f)OLEDのインプラント (OLED deposition)プロセスを含む。 - 特許庁
To provide an imaging lens having a four lens structure which can be more compact (smaller, thinner), reduce costs, and be applied to a high-resolution imaging element of at least megapixel order mounted in a small mobile product such as a portable telephone.例文帳に追加
コンパクト化(小型化、薄型化)、低コスト化を図ることができ、かつ、携帯電話機などの小型のモバイル製品に搭載されるメガピクセル以上の高画素な撮像素子に対応させることのできる4枚構成の撮像レンズを提供する。 - 特許庁
To provide an imaging lens having a two lens structure which can be more compact (smaller, thinner), reduce costs, and be applied to a high-resolution imaging element of at least megapixel order mounted in a small mobile product such as a portable telephone.例文帳に追加
コンパクト化(小型化、薄型化)、低コスト化を図ることができ、かつ、携帯電話機などの小型のモバイル製品に搭載されるメガピクセル以上の高画素な撮像素子に対応させることのできる2枚構成の撮像レンズを提供する。 - 特許庁
In this unit cell structure for a fuel cell, two single cells each composed by installing a cell element on a metal support body having fine pores are jointed to a metal thin plate having through-holes so as to face their electrode layers on the same side to each other.例文帳に追加
細孔を備えた金属支持体に電池要素を配設した2つの単セルを同一の電極層が互いに対向するように、貫通孔を備える金属薄板に接合した燃料電池用単セル構造である。 - 特許庁
Also, in the structure of the detector, by providing small holes 34 allowing the fluid to flow from the upper face of the seal member 30 to the intermediate chamber 15, water can be drained from the small holes 34 even if the fluid flows in between the valve element 20 and the seal member 30.例文帳に追加
またシール部材30の上面から中間室15へ通水可能な小穴34を設けたことで、弁体20とシール部材30との間に流体が流れ込んでも小穴34より水を排出できる構造とした。 - 特許庁
A temperature measuring part of a temperature sensor has a structure that electrodes are arranged on the upper and lower surfaces of a temperature measuring element, thin-film substrates are arranged on the upper and lower surfaces of the electrodes, and laser light shield plates are arranged on the upper and lower surfaces of the thin-film substrates.例文帳に追加
温度センサの温度測定部は、温度測定素子の上下面に電極が配置され、電極の上下面に薄膜基板が配置され、薄膜基板の上下面にはレーザ光遮光板が配置された構造となっている。 - 特許庁
An electrode, provided on a face on the side opposite a face that faces the insulating metal board 20 of the semiconductor element 1, is connected to the conductor 7 of the insulating metal board 20 via the lead terminal 4 of the internal wiring structure 30.例文帳に追加
上記半導体素子1の絶縁金属基板20に面する面と反対の側の面に設けられた電極と絶縁金属基板20の導体部7とを、内部配線構造体30のリード端子4を介して接続する。 - 特許庁
To provide an oscillatory generator having such a structure that a collision member collides against a piezoelectric element to generate power in which the large quantity of power can be generated as a whole by increasing the number of times of collisions efficiently.例文帳に追加
圧電素子に衝突部材が衝突して発電する構造で、効率よく衝突回数を増加させ、全体としてより大きな発電量を得ることのできる振動型発電装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
To realize constitution for making both high reproduction output and high stability, by improving the structure of a magnetic film to improve the electron scattering ability of a thin magnetic film in a magnetic head that uses a magnetoresistance effect element of a spin valve type.例文帳に追加
スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいて、磁性膜の構造を改良し、薄い磁性膜の電子散乱能を高めることにより高い再生出力と高い安定性を両立する構成を実現する。 - 特許庁
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