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structure elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9525件
The method can be applied suitably to the formation of an interlayer insulating film or protective film in a semiconductor element, such as ULSI which demands high integration density and multilayer structure.例文帳に追加
本発明の方法は、高密度、多層化が要求されるULSI等の半導体素子の層間絶縁膜や保護膜の形成に好適である。 - 特許庁
A piezoelectric element 2 constituting a vibrator 3 of an ultrasonic motor is formed into a layered structure, where a piezoelectric material and a conductive body are layered in the thickness direction.例文帳に追加
超音波モータの振動体3を構成する圧電体2を、圧電材料と導電体とを厚さ方向に層状に積層した積層構造とする。 - 特許庁
In various embodiments, the optical element in the post structure increases the brightness of the interferometric modulator by redirecting light into the interferometric cavity.例文帳に追加
種々の実施例において、支柱構造内の光学要素は、光を干渉キャビティにリダイレクトすることによって干渉変調器の明るさを増大させる。 - 特許庁
The liquid crystal display has an overlay or a structure wherein a pixel electrode is layered on a switching element 30 via an insulating layer.例文帳に追加
本発明の液晶表示装置は、スイッチング素子30の上に絶縁層を介して画素電極を積層したオーバーレイや構造の液晶表示装置である。 - 特許庁
To easily adjust the resistance of a multilayer structure film without damage in a magnetic detector using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子を使用した磁気検出装置において、多層構造の膜の抵抗値をダメージを与えることなく、簡単に調整できるようにする。 - 特許庁
To provide an optical functional element which has such a structure that a large number of carbon nanotubes mutually isolated from one another exist over a long distance in the optical axis direction.例文帳に追加
一本一本孤立したカーボンナノチューブが、光軸方向への長い距離に亘って多数存在する構造を有する光機能素子を提供すること。 - 特許庁
The semiconductor device 100 has a structure with a semiconductor element 110 and a wiring board 120 stuck to each other through an insulating adhesive layer 124.例文帳に追加
半導体装置100は、半導体素子110と配線基板120とが絶縁性接着層124を介して接着された構造を有している。 - 特許庁
In the micro-heater 1 having such a structure, the ends 12c of the column parts 12a constitute terminals, and the thin part 12b constitutes a heating element.例文帳に追加
このような構成を有するマイクロヒータ1においては、柱部12aの端部12cが端子を構成し、薄肉部12bが発熱体を構成する。 - 特許庁
To provide a nitride-based semiconductor light emitting element having a structure in which a nonpolar nitride gallium-based semiconductor is used and which is capable of providing large luminous intensity.例文帳に追加
非極性窒化ガリウム系半導体を用いると共に大きな発光強度を提供できる構造の窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To enhance a holding characteristic of a ferroelectric element of a structure of a ferroelectric substance capacitor connection to a gate electrode of a field-effect transistor (MIS-FET).例文帳に追加
電界効果型トランジスタ(MIS−FET)のゲート電極に強誘電体キャパシタ接続した構造の強誘電体素子の保持特性を向上する。 - 特許庁
FORMING METHOD FOR STRUCTURE FLOATING FROM SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR FLOATING GATE ELECTRODE INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR FIELD EMISSION ELEMENT THEREWITH例文帳に追加
基板から浮遊した構造物の形成方法及びこれを含む浮遊ゲート電極の製造方法並びにこれを備えた電界放出素子の製造方法 - 特許庁
The compound for an organic semiconductor element has a structure represented by chemical formula 1 (wherein R_1, R_2, and R_3 are each independently a perfluorophenylene derivative).例文帳に追加
次の式で表示される構造を有する有機半導体素子用化合物: 前記式で、R_1、R_2、及びR_3は、それぞれパーフルオロフェニレン誘導体である。 - 特許庁
CONNECTION STRUCTURE BETWEEN DIELECTRIC WAVEGUIDE LINE AND HIGH FREQUENCY TRANSMISSION LINE, HIGH FREQUENCY CIRCUIT BOARD EMPLOYING THE SAME, AND HIGH FREQUENCY ELEMENT MOUNT PACKAGE例文帳に追加
誘電体導波管線路と高周波伝送線路との接続構造およびそれを用いた高周波回路基板ならびに高周波素子搭載用パッケージ - 特許庁
Disclosed is the structure of the bump electrode 16 which is electrically connected to a wiring layer 14 constituting the element mounting board 10, and projects from the wiring layer 14.例文帳に追加
素子搭載用基板10を構成する配線層14と電気的に接続され、配線層14から突出している突起電極16の構造である。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element structure improved in fitting precision, and a thermal assist magnetic head capable of performing accurate magnetic recording and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
取付精度が向上した半導体レーザ素子構造体、正確な磁気記録が可能な熱アシスト磁気ヘッド、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wavefront aberration correction mirror of a structure which reduces distortion, can realize lower electric power and can enhance the efficiency of a piezoelectric element and an optical pickup.例文帳に追加
ゆがみが少なく、低電力化を実現でき、圧電素子の効率を高められる構造の波面収差補正ミラーおよび光ピックアップを提供する。 - 特許庁
Because the structure 3 has strength on behalf of the device 1, it is possible to make narrow intervals of the element antennas facing each other interposing a boundary of sub arrays between them.例文帳に追加
また、装置1としての強度をストラクチャ3に持たせているので、サブアレイの境界を挟んで対向する素子アンテナの間隔を狭くできる。 - 特許庁
To provide an EL element easy to manufacture in a simple structure and free of short-circuit and poor emission at transparent electrodes and its manufacturing method.例文帳に追加
簡単な構成で製造が容易であり、透明電極部での短絡や発光不良が生じないようにしたEL素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an MOSFET structure that can improve the characteristics of a semiconductor element and can suppress variations of the characteristics.例文帳に追加
素子特性を向上させることができ、素子特性のばらつきを抑えることができる新しいMOSFET構造を持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a three-axis semiconductor sensor that solves various problems in mounting a semiconductor sensor element, and has a simple constitution and a mounting structure without increasing the size.例文帳に追加
半導体センサ素子実装時の諸問題を解消し、簡易な構成で、大型化することのない実装構造を有した3軸半導体センサを提供する。 - 特許庁
Thus, the semiconductor device 1 comprises the MIM capacitance element of a structure in which the capacitance film 26 is sandwiched between the lower electrode 25 and the upper electrode 28.例文帳に追加
これにより、半導体装置1は、容量膜26を下部電極25および上部電極28で挟み込んだ構造のMIM容量素子を備えている。 - 特許庁
The laser element has a superlattice structure, which consists of AlxGa1-xN/InyGa1-yN (0<x<1, 0≤y<1).例文帳に追加
また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層はAl_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN(0<x<1、0≦y<1)からなる超格子構造を有することを特徴とする。 - 特許庁
In the packaging structure K1 of the layered capacitor 1, lead terminals 7 and 7 are fixed to terminal electrodes 5 and 5 covering both ends 4a and 4b of an element body 4.例文帳に追加
積層コンデンサ1の実装構造K1では、素体4の両端面4a,4bを覆う端子電極5,5にリード端子7,7が固定されている。 - 特許庁
In the coil structure, a flat coil as an internal circuit element is arranged, and both ends of the flat coil are electrically connected to the terminal electrodes.例文帳に追加
コア構造体内には、内部回路要素としての平面コイルが配されており、当該平面コイルの両端が端子電極と電気的に接続されている。 - 特許庁
To provide a transistor capable of realizing a composition containing a base ballast resistance and a capacity with little chip areas by using a characteristic element structure.例文帳に追加
特徴的な素子構造を用いて、ベースバラスト抵抗及び容量を含んだ構成を少ないチップ面積で実現できるトランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a connection structure of mutual transmission lines which can suppress signal interface to a peripheral semiconductor element, wiring circuit or the like.例文帳に追加
周辺の半導体素子や配線回路などへの信号干渉を抑制することの可能な、伝送線路同士の接続構造を得ることを目的とする。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a piezoelectric vibrator in which electrical and mechanical strengths are improved in the case of bonding a piezoelectric vibrating element to a ceramic package.例文帳に追加
圧電振動素子をセラミックパッケージに接合する際の電気的、機械的強度を強化した圧電振動子の電極構造を提供することを目的とする。 - 特許庁
The optical coupling structure includes a substrate 2, and an optical waveguide 3 and a light emitting element 51 which arranged on the mount surface of the substrate 2 and optically coupled to each other.例文帳に追加
基板2と、この基板2の搭載面上に配置されて互いに光学的に結合される光導波路3と発光素子51とを備える。 - 特許庁
The light emitting element 20 has such a structure that a p-type current injection layer 21 is provided on a light emitting layer 12 containing tin oxide (SnO_2) and erbium (Er).例文帳に追加
発光素子20は、酸化スズ(SnO_2)とエルビウム(Er)を含む発光層12に、p型電流注入層21が設けられた構造を有している。 - 特許庁
A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加
半導体基板11上には、n型半導体部12と、活性層13と、p型半導体部14とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁
An optical waveguide formed in the semiconductor optical element has a bent waveguide structure of forming an angle of ≥7° with the normal to the end face, in the end face.例文帳に追加
半導体光素子内に形成された光導波路は、端面において端面への垂線と7度以上の角度をなす曲がり導波路構造を備える。 - 特許庁
The light-emitting device 11 is provided with an organic EL element 13 at a light-incident face 12a side of a base plate 12 and a micro-cavity structure 14 reinforcing light of resonant wavelengths.例文帳に追加
発光装置11は、基板12の光入射面12a側に、有機EL素子13と、共振波長の光を増強するマイクロキャビティ構造14とを備えている。 - 特許庁
A channel formation region of a TFT with multi-gate structure is formed under wiring that is formed between adjacent pixel electrodes (or electrodes of an element).例文帳に追加
隣接する画素電極(又は素子の電極)の間に設けられた配線との下方にマルチゲート構造のTFTのチャネル形成領域を設ける。 - 特許庁
The piezoelectric element comprises a piezoelectric layer having a perovskite crystal structure and an upper electrode and a lower electrode arranged so as to sandwich the piezoelectric layer.例文帳に追加
この圧電体素子は、ペロブスカイト結晶構造を持つ圧電体層と当該圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備える。 - 特許庁
A semiconductor cooling structure 1 comprises a semiconductor module 2 which incorporates a semiconductor element 21, and a cooling device 4 for cooling the semiconductor module 2.例文帳に追加
半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却するための冷却器4とからなる半導体冷却構造1。 - 特許庁
The white organic electroluminescence element has a light emission wavelength of ≥580 nm and contains a light emitting dopant having a partial structure represented by general formula (1).例文帳に追加
発光波長580nm以上の一般式(1)で表される部分構造を含む発光ドーパントを含有する白色有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
To miniaturize a package by making a multilayer wiring board area more smaller than a semiconductor element area in a semiconductor package structure.例文帳に追加
半導体パッケージ構造において、半導体素子の面積より多層配線基板の面積を小さくすることを可能にし、パッケージ全体として小型化を図る。 - 特許庁
As an ionizing medium for absorbing a laser beam used in laser desorption ionizing mass analysis, specified ionization element having a dot structure is used.例文帳に追加
レーザー脱離イオン化質量分析に用いるレーザー光を吸収するイオン化媒体として、ドット構造を有する特定のイオン化素子を用いる。 - 特許庁
To improve the piezoelectricity of a piezoelectric ceramic which has a perovskite structure represented by a general formula ABO_3 and contains niobium as a B site element.例文帳に追加
一般式がABO_3によって表されるペロブスカイト型結晶構造を有し、Bサイト元素がニオブを含む圧電セラミックスにおいて、圧電性能を向上させる。 - 特許庁
This organic EL element has an organic layer containing the vinyl polymer of a polymer of a vinyl monomer having a group derived from a pyrene structure expressed by chemical formula (1).例文帳に追加
式(1)で表されるピレン構造から誘導される基をもつビニルモノマーの重合体であるビニルポリマーを含む有機層を有する有機EL素子。 - 特許庁
A semiconductor cooling structure 1 includes a semiconductor module 2 incorporating a semiconductor element 21, and a cooling pipe 3 disposed in close contact with the semiconductor module 2.例文帳に追加
半導体素子21を内蔵する半導体モジュール2と該半導体モジュール2に密着配置された冷却管3とを有する半導体冷却構造1。 - 特許庁
After the mold 45 of a low reflection structure is formed on the surface of a substrate 41, the mold 49 of an optical functional element is formed on the surface of the substrate 41.例文帳に追加
基体41の表面に低反射構造体の型45を形成したのち、この基体41の表面の上に光学機能素子の型49を形成する。 - 特許庁
To lower a crystallization temperature by designing a structure of a ferromagnetic material constituent element in a raw material solution of the ferromagnetic material.例文帳に追加
強誘電体の原料溶液中の強誘電体構成元素の構造を設計することにより結晶化温度を低減することを目的とする。 - 特許庁
To provide a stacked piezoelectric element capable of preventing a stacked body from being displaced, and of restraining an external electrode from being disconnected with a simplified structure.例文帳に追加
積層体の変位の阻害及び外部電極の断線の発生を単純な構成で抑制することができる積層型圧電素子を提供すること。 - 特許庁
To prevent sliding contact of a rocking part and an operating element corresponding hole at the time of operation and improve the contact feeling of the rocking part in a structure adopting a metal panel.例文帳に追加
金属パネルを採用する構造において、操作時の揺動部と操作子対応穴との摺接を防止すると共に、揺動部の触感を向上させる。 - 特許庁
To provide an EL display panel adopting a sealing structure in which damages of an EL display element can be reduced, even if a sealing member receives load and is bent.例文帳に追加
封止部材が荷重を受けて撓んでも、EL表示素子の損傷を低減することができる封止構造を採用したEL表示パネルを提供する。 - 特許庁
When the processing is continued until the spherical particles are washed out, the anti-reflection structure having the substantially weight-shaped grooves can be formed on the optical element.例文帳に追加
この処理を球状粒子消失するまでの間行うと、光学素子上に略錘形状の溝を有する反射防止構造を形成できる。 - 特許庁
To provide a plastic circuit element which can be generated easily with excellent operability by writing directly to a plastic structure, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加
プラスチック構造体に直接書きこみ、容易に且つ優れた作業性で作製することができるプラスチック回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加
界面層は、n型(GaN:Si)層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁
To realize the rapid protection of a main semiconductor element which does not have a shunt structure against a short circuit and an overcurrent, and to safely interrupt the operation of a power converter body.例文帳に追加
分流構造を持たない主半導体素子を短絡や過電流から迅速に保護でき、電力変換装置本体を安全に停止させる。 - 特許庁
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