| 例文 |
threshold methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1579件
This method measures the load on the server, detects the time when the load exceeds a threshold and activates the additional server application on the server in response to the detection.例文帳に追加
この方法は、サーバ上の負荷を測定し、負荷がしきい値を超過したときを検出し、それに応答してサーバ上で追加サーバ・アプリケーションをアクティブにする。 - 特許庁
To provide a mask ROM in which a memory cell can be reduced without the dispersion of threshold voltage in a transistor, and to provide a manufacturing method of the mask ROM.例文帳に追加
トランジスタのしきい値電圧にばらつきを生じさせることなく、メモリセルの縮小化を実現できるマスクROM及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of sufficiently regulating a work function and controlling a variation of a threshold voltage, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
仕事関数を十分に制御することができ、閾値電圧の変動を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device including an oxide semiconductor that can deal with instability of a threshold characteristic, in which writing is possible by a simple method.例文帳に追加
簡便な方法で書き込みが可能であり、しきい値特性の不安定性に対応した酸化物半導体を用いた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of controlling an appropriate threshold voltage while raising a channel mobility of a MISFET, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
MISFETのチャネル移動度を高めつつ適切な閾値電圧制御を行い得る半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has an N-channel MIS transistor of lower threshold voltage, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、しきい値電圧の低いNチャネルMISトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that controls a threshold voltage in a wide range in a simple process, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
簡便なプロセスで、閾値電圧を広範囲にわたって制御することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a soft program method in a non-volatile memory device for performing a soft program step so as to improve threshold voltage distribution of an erased cell.例文帳に追加
消去されたセルのしきい値電圧分布を改善させるためにソフトプログラム段階を行う不揮発性メモリ装置のソフトプログラム方法を提供する。 - 特許庁
When recording a gradation image by an error diffusion method, it is examined whether an average gradation value of peripheral pixels including an interested pixel is a threshold or smaller.例文帳に追加
誤差拡散法により階調画像を記録する場合、注目画素を含む周辺画素の平均階調値が閾値以下であるかどうかを調べる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element capable of reducing a threshold current and also improving luminous efficiency, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
閾値電流を小さくするとともに、発光効率を向上することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a high-performance semiconductor device that can control a threshold voltage generated by a substrate bias, even in a fine MIS transistor, and its manufacturing method.例文帳に追加
微細なMISトランジスタにおいても基板バイアスによる閾値電圧の制御を可能としうる高性能の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element of low threshold current density, high light-emitting efficiency and high reliability, and a method for manufacturing it.例文帳に追加
しきい値電流密度が低く、発光効率が高くかつ信頼性の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁
A sector management method in a file management system includes a step of making usable only a predetermined threshold number of consecutive sectors or more out of unused sectors.例文帳に追加
未使用セクタのうち、所定の閾値以上の連続セクタのみを使用可能とする手順を含むファイル管理システムにおけるセクタ管理方法等、を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a threshold voltage of a reset MOS transistor can be set lower than that of the other transistor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
リセットMOSトランジスタのしきい値電圧を他のトランジスタよりも低く設定することが可能な、半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁
To increase luminescent intensity superlinearly when applied energy exceeds a predetermined threshold in a luminescent structure, a luminescent method and a lighting object.例文帳に追加
発光構造体,発光方法及び照明体において、付与されたエネルギが所定の閾値を超えると超線形的に発光強度が増加するようにする。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescence display device which can display an image with uniform luminance irrespective of the threshold voltage of a transistor, and a driving method thereof.例文帳に追加
トランジスタの閾値電圧と無関係に均一な輝度の映像を表示できる有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a display device which has high definition and improves a display quality by reducing a threshold reliability shift of a drive transistor, and a driving method of the display device.例文帳に追加
駆動トランジスタの閾値信頼性シフトを低減し、高精細で表示品位の向上した表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a PMOS transistor in which decrease of a threshold value and deterioration of cut-off characteristic are prevented by preventing boron punch through in a gate electrode, and a manufacturing method of the transistor.例文帳に追加
ゲート電極でのボロン突き抜けを防止し、しきい値の低下やカットオフ特性の劣化を防止したPMOSトランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method also comprises the step of judging that the reception signal includes a signal for an object if the mean value is larger than a preset threshold value.例文帳に追加
この平均値が予め設定されているしきい値よりも大きければ、受信信号の中に目的とする信号が含まれているものと判断する。 - 特許庁
In a mode of this method, a process for calculating a dynamic reference from the signal for showing the change of the acceleration of the automobile and a changing threshold value is included.例文帳に追加
この方法の一態様においては、自動車の加速度の変化を表わす信号と、変化する閾値から、動的基準を算出する工程を含む。 - 特許庁
Thus, compared to the method of determining the sleep stage by a predetermined threshold, the more accurate sleep stage is determined.例文帳に追加
これにより、予め定められた閾値により睡眠段階を判定する手法に比べて、より正確な睡眠段階の判定を行うことが可能となる。 - 特許庁
To provide a selective method of an exposure threshold whereto the correspondent line-width variation of a formed pattern is made small even when the blooming quantity of the formed pattern is varied during its exposure operation.例文帳に追加
露光動作中にボケの量が変動したとしても形成されるパターンの線幅変動の少ない閾値の選定方法を提供する。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which is almost kept free from noises by a method wherein amplifying transistors which serve as pixels are restrained from varying in threshold value due to a substrate bias effect.例文帳に追加
画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないCMOSイメージセンサを提供する。 - 特許庁
The hand-off method adopting the CDMA system uses a mean value of pilot signal strength of all base stations belonging to an Active Set as a threshold value being a reference of conducting hand-off.例文帳に追加
CDMAシステムのハンドオフ方法において、ハンドオフを行う基準となる閾値として、Active Setに属している全基地局のパイロット信号強度の平均値を用いる。 - 特許庁
To provide a method for properly setting a threshold of illuminance that is a reference for shifting to a power saving-mode or shut-down of power, and more properly controlling power consumption.例文帳に追加
省電力モードへの移行や電源遮断の基準となる照度の閾値を適切に設定し、より適切に消費電力の抑制を行うこと。 - 特許庁
To provide an image processing unit and an image processing method that can attain excellent pseudo medium tone processing without the need for switching a threshold value matrix pattern.例文帳に追加
閾値マトリクスパターンの切り換えを要することなく良好な擬似中間調処理が可能な画像処理装置および画像処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and method for manufacturing it, wherein the threshold voltage of a DMOS transistor is easily controlled while a bi-polar transistor is readily speeded up.例文帳に追加
DMOSトランジスタのしきい値電圧の制御が容易で、かつバイポーラトランジスタの高速化の容易な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a high-reliability field effect transistor small in threshold voltage variation before and after voltage stress; a method of manufacturing the same; and a semiconductor device.例文帳に追加
電圧ストレス前後でのしきい値電圧変動が少ない高信頼性の電界効果トランジスタ、その製造方法、及び半導体装置を提供すること - 特許庁
To provide a device and a method for processing an image, automatically obtaining a threshold value for performing image analysis processing.例文帳に追加
画像解析処理を行うためのしきい値を自動的に求めることができる画像処理装置および画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a low power consumption semiconductor laser element and its manufacturing method capable of low threshold current oscillation, of high efficiency operation, and of inexpensive manufacture.例文帳に追加
低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device, where the parasitic resistance of source and drain regions is reduced and the drop in the threshold is difficult to occur.例文帳に追加
ソース及びドレイン領域の寄生抵抗を低減するとともに、しきい値低下の生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device such that the operating speed of a cell transistor is fast and variation in threshold is small, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加
セルトランジスタの動作速度が速く、しきい値の変動が小さい不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pixel structure of a light emitting diode display which is simpler and capable of completely compensating the threshold voltage of a thin film transistor, and a method for driving the same.例文帳に追加
より簡単で、薄膜トランジスタのしきい値電圧を完全に補償できる発光ダイオードディスプレイの画素構造およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an integrated photo detector which can improve a manufacturing yield by reducing a variation in a threshold voltage of a MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタのしきい値電圧のバラツキを低減させ、生産歩留まりを向上させた集積化受光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method of charging a lithium-ion secondary battery includes charging the lithium ion secondary battery at constant voltage/constant current using a plurality of threshold voltages corresponding to the temperature of the battery.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池の充電方法は、電池の温度に対応する複数の閾値電圧でリチウムイオン二次電池を定電圧・定電流充電する。 - 特許庁
The invention determines a global energy ratio of a first range of an audio signal and provides a method for comparing the global energy ratio with a first threshold value.例文帳に追加
本発明は、オーディオ信号の第1の範囲のグローバルエネルギー比率を決定し、グローバルエネルギー比率を第1の閾値と比較する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of controlling the deterioration of the threshold voltage Vth of a parasitic MOS transistor, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
寄生MOSトランジスタのしきい値電圧Vthの低下を抑制することが可能となる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser where, a threshold current density for a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor can be reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
半導体レーザ及びその製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁
In the manufacturing method of an MOS-type semiconductor device, a threshold voltage is adjusted by ion implantation which decides the impurity concentration of a channel region 101c.例文帳に追加
しきい値電圧の調整をチャネル領域101cの不純物濃度を決定するイオン注入によって行うMOS型半導体装置の製造方法。 - 特許庁
To obtain the manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device easily controlling a threshold voltage by heat treatment temperature and heat treatment time without decreasing channel mobility.例文帳に追加
チャネル移動度を低下させずに、熱処理温度や熱処理時間によって閾値電圧を容易に制御できる炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE WHICH CAN PREVENT PROGRAM JUDGEMENT ERROR OF FLASH MEMORY CELL, AND CAN HAVE DISTRIBUTION OF UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE, AND ITS PROGRAM VERIFYING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁
To easily realize a semiconductor device, having a full silicide gate electrode with little shift in the threshold voltage, in a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の製造方法に関し、閾値電圧のシフトが少ないフルシリサイドゲート電極をもつ半導体装置を容易に実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a dual gate MOSFET having a metal gate stack, and further a method for setting a threshold voltage in such a MOSFET.例文帳に追加
金属ゲートスタックを有するデュアルゲートMOSFETを提供し、さらに、このようなMOSFETにおけるしきい値電圧を設定する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a compound semiconductor device reducing a leakage current at OFF time and obtaining a high threshold voltage, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
オフ時のリーク電流を低減することができ、好ましくは高い閾値電圧を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a ridge-waveguide semiconductor optical element that has a single wavelength property and can carry out high-speed and low-threshold operation, and a method for manufacturing the semiconductor light element.例文帳に追加
単一波長性を有し、高速動作と、低閾値動作の可能なリッジ導波路型の半導体光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a suitable manufacturing method for semiconductor elements to prevent an INWE phenomenon wherein the threshold voltage of the semiconductor element is decreased owing to the reduction of its gate width.例文帳に追加
ゲート幅が減ることによってしきい値電圧が減少するINWE現象を防止するのに好適な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for simply adjusting the threshold voltage of a thin film transistor using plasma without performing ion implantation process.例文帳に追加
この発明は、イオン注入工程を行わず、プラズマにより簡単に薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method etc. capable of writing and the like to a nonvolatile storage circuit even when power voltage is smaller than a prescribed threshold.例文帳に追加
電源電圧が所定の閾値より小さい場合であっても不揮発性記憶回路への書込みを行うこと等が可能な方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory and the manufacturing method thereof whereby the variation of the threshold voltage of its memory cell is suppressed while microminiaturizing its memory cell.例文帳に追加
微細化をはかりつつ、メモリセルのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|