「threshold method」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic light emitting display device which has superior electric characteristics of mobility, variance in threshold, etc., and a method of manufacturing the device by using a more reliable method of measuring a degree of the crystallinity of a polycrystalline silicon substrate and a measurement system.例文帳に追加

多結晶シリコン基板の結晶化度測定方法及び測定システムを利用して移動度及びしきい電圧のばらつきなどの電気的特性が優れている有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an erasing method for a flash memory cell to converge threshold valtage for the cell with constant voltage by changing a method to discharge the flash memory after it is erased in order to perform a recovery process also at the same time when erased.例文帳に追加

フラッシュメモリを消去した後ディスチャージさせる方法を変形し、消去時にリカバリー過程まで同時に行うことにより、セルのしきい値電圧を一定の電圧に収斂させるフラッシュメモリセルの消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

In addition, as another interference detection method, the interference detection part 80 determines that the interference occurs when the average value of the received power corresponding to a remote distance is a threshold value or larger.例文帳に追加

また、他の干渉検出手法として、干渉検出部８０は遠方の距離に対応する受信電力の平均値が閾値以上のときに干渉が発生したと判断する。 - 特許庁

To provide a threshold processing circuit and a on method capable of raising the resolution without substantially increasing the hardware amount the cost and the processing time by existing low resolution.例文帳に追加

既存の低解像度でのハード量やコスト、処理時間を大幅に増加させることなしに高解像度化を可能にする２値化処理回路および２値化処理方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor laser device that has current restricting layers having a sufficient thickness to reduce a light absorption loss and threshold currents and working currents as well.例文帳に追加

電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a determination method not generating a sense of incongruity in a determination result, even when determining by a threshold, in determination of an abnormal noise from inside operation sounds from a member.例文帳に追加

部材の動作音の中から異音を判定するとき閾値によって判定する場合であっても、その判定結果に違和感を生じさせることがない判定方法を提供することである。 - 特許庁

To realize load processing for a threshold value of a dither matrix in a dither method, in reduced steps, and realize processing upto data loading after conversion, in further reduced steps.例文帳に追加

ディザ法のディザマトリクスのしきい値のロード処理を少ないステップで実現し、更に変換後データのロードまでの処理もより少ないステップで実現する、ＳＩＭＤ型マイクロプロセッサを提供する。 - 特許庁

To realize a display device and a driving method therefor, permitting to shorten a selected period length per one pixel while compensating variations in threshold voltage of a driving transistor.例文帳に追加

駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきを補償しながら、１画素当たりの選択期間の長さを短くすることのできる表示装置およびその駆動方法を実現することにある。 - 特許庁

The high speed PWM logic control method and step-up maximum power point tracking device can trigger a switching signal when the secondary voltage of the coil rises to a set threshold voltage providing the maximum power point.例文帳に追加

及び、コイル二次電圧が最大電力点となる設定閾値電圧に上昇時にスイッチング信号とする高速PWMロジック制御法及び昇圧型最大電力点追従装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor device fabrication method which enables a reduction in internal stress yielded when forming element isolation while suppressing such a disadvantage as variation in a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧がばらつくなどの不都合を抑制しながら、素子分離形成時に発生した内部応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device which is prevented from increasing its threshold voltage protected against a punch-through phenomenon, and capable of reducing a channel resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

しきい値電圧の増大ならびにパンチスルーを防止し、かつチャネル抵抗の低下を達成し得る炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of easily determining a threshold of the quality of a down-link control channel for determining a synchronization state of a down-link radio channel in a W-CDMA system.例文帳に追加

Ｗ−ＣＤＭＡシステムにおけるダウンリンク無線チャンネルの同期状態を判断するためのダウンリンク制御チャンネル品質の臨界値を容易に決定する方法を提供しようとする。 - 特許庁

According to this erasing method, the spread of a threshold-voltage distribution profile after erasing, which results from deviations of erase coupling ratios between memory cells, can be reduced.例文帳に追加

このような消去方法によると、セルの消去カップリング比（Ｅｒａｓｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒａｔｉｏ）の偏差に起因して発生する消去後の閾値電圧分布の拡散を抑制できる。 - 特許庁

To provide a magneto-optical recording and reproducing method which enables the further higher density recording and reproducing than the diffraction threshold of light and a magneto-optical recording and reproducing device.例文帳に追加

光の回折限界よりも更なる高密度記録再生を可能とした磁気光学的記録再生方法および磁気光学的記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor that is superior in device characteristic distribution of a TFT that uses an a-IGZO as a channel layer, and that reduces a threshold voltage shift amount of a prolonged operation.例文帳に追加

ａ−ＩＧＺＯをチャネル層として用いるＴＦＴの素子特性分布に優れ、長時間動作の閾値電圧シフト量を低減した薄膜トランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin film transistor whose change with time in threshold voltage and hot carrier deterioration are as small as possible and whose decrease in on characteristics is as small as possible, and to provide a method of manufacturing the thin film.例文帳に追加

しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film transistor circuit board in which threshold voltage variation or dielectric breakdown short circuit of a thin film transistor due to static electricity can be minimized, and to provide the thin film transistor circuit board.例文帳に追加

静電気による薄膜トランジスタの閾値電圧変動や絶縁破壊短絡を抑制できる薄膜トランジスタ回路基板の製造方法及び薄膜トランジスタ回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device and a method of erasing a memory cell, with which the threshold voltage distribution can be narrowed after the erasure as compared with the conventional art.例文帳に追加

本発明は、従来に比較して消去後の閾値電圧分布を狭くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置及びメモリセル消去方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor in which a source resistance is reduced in the field-effect transistor using a nitride-based semiconductor of shallow threshold voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

浅いしきい値電圧のナイトライド系半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ソース抵抗が低減された電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an evaluation device and a method of a sensor signal for informing the position of an accelerator pedal of an automobile by which a smaller reaction threshold of the accelerator pedal is realized for starting the automobile.例文帳に追加

自動車の発進のためにアクセルペダルのより小さい反応閾値が実現される、自動車のアクセルペダルの位置を知らせるセンサ信号の評価装置および方法を提供する。 - 特許庁

To attain improvement of productivity of a PDP by devising a manufacturing method of a dielectric protecting membrane while maintaining a life, threshold value voltage, a writing speed or the like as the PDP superbly.例文帳に追加

誘電体保護膜の製造方法の工夫により、ＰＤＰとしての寿命、閾値電圧、書き込み速度等を良好に維持しながら、ＰＤＰの生産性の向上を実現する。 - 特許庁

To provide an infrared detection method capable of reducing the possibility of erroneous detection as low as possible even when a background noise of a high level exceeding a threshold value is generated.例文帳に追加

簡単な構成で、閾値を超えるようなレベルの高い背景ノイズが発生した場合にも誤検出の可能性を可及的に低くできる赤外線検出方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a method for manufacturing a flash memory element capable of improving a threshold voltage disturbance (Vtdisturbance) by reducing a stress applied to a cell by minimizing an interference phenomenon between gate lines.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン間の干渉現象を最小化し、セルに加えられるストレスを減らし、しきい値電圧障害(Vtdisturbance)を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を開示する。 - 特許庁

The method for measuring electric characteristics in which the threshold voltage and the dopant concentration of a semiconductor wafer are measured at a high speed starts measuring immediately after a region to be measured is exposed by high luminance light (30).例文帳に追加

半導体ウェハの閾値電圧及びドーパント濃度を測定する電気特性測定方法は、被測定領域に高輝度光を露光させた直後に測定動作を開始する（３０）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a complementary logic gate and a manufacturing method for which power consumption is small, the threshold voltage is easily controlled and the number of manufacturing processes is small.例文帳に追加

低消費電力でしきい値電圧の制御が容易であり、製造工程数の少ない相補型論理ゲートを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method capable of determining a threshold value for detecting abnormal conditions in a machining path in which the cutting condition changes momentarily to thereby determine the abnormal conditions.例文帳に追加

切削条件が時々刻々と変化する加工パスにおいて、異常検知するためのしきい値を決定し、異常判定することを可能とする装置および方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which difference of threshold value voltage between cells of the same word line caused by separation distance to a row selecting circuit is decreased, and also to provide a method for programming the same.例文帳に追加

行選択回路との離隔距離によって生ずる同一のワードラインのセル間のしきい値電圧差を減らすことができるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for averaging the number of terminals to be accommodated in each frequency band and for switching a terminal having the number of slot errors exceeding a threshold to a frequency band of small interference.例文帳に追加

周波数帯域ごとに収容する端末数を平均化し、スロットエラー数が閾値を超えた端末を干渉の小さい周波数帯域に切り替える方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the method and the system adjust a forced interruption threshold value with respect to increase in the forced interruption rate caused by increasing the number of receptible calls, to thereby reduce the forced interruption rate.例文帳に追加

また、本発明は、呼の受付数を増加させることにより起こる強制切断率の増加に対して、強制切断閾値を調整することにより、強制切断率を低減する。 - 特許庁

Moreover, the method uses muted repetitive excitation, a composite filter for expanding and repeating a threshold adaptive band width and a repetitive pitch delay (T(m)) which is made to jitter in order to hide erased frames.例文帳に追加

消去されたフレームの隠蔽のため、ミューティングされた反復励起と、閾値適応の帯域幅拡大反復合成フィルタと、ジッタリングされた反復ピッチ遅延（Ｔ^(m)）とを使用する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor having a high mobility in which aging of the threshold value is improved, its fabricating method, and an active matrix display comprising the thin film transistor.例文帳に追加

高モビリティで、しきい値の経時変化が改善された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および該薄膜トランジスタを含むアクティブ・マトリックス型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device and a manufacturing method of it which attains a smooth resonance plane, a good far-field pattern shape of a laser beam and furthermore the reduction of a threshold.例文帳に追加

共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can reduce the content formed between wirings and which can control a variation in a threshold voltage of a memory cell, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

配線間に形成される容量を低減でき、メモリセルのしきい値電圧の変動を抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびこの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave information detection apparatus and an electromagnetic wave information detection method that suppress a power consumption in an imaging preparation period and also suppress variation in threshold of a thin film transistor.例文帳に追加

撮像準備期間中の消費電力を抑制でき、薄膜トランジスタの閾値変動を抑制できる電磁波情報検出装置および電磁波情報検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for suppressing the decrease of a reading margin due to the increase of the threshold voltage of a cell in which code ion implantation is not operated, and a method for manufacturing the semiconductor memory.例文帳に追加

コードイオン注入を行わないセルの閾値電圧が高くなり読み出しマージンが小さくなることを抑制する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a transistor having different threshold voltages for different uses, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device that prevents the increase of the number of processes.例文帳に追加

用途によって異なるしきい値電圧を有するトランジスタを有する半導体装置、及び工程数の増加を抑えた当該半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A problem as to this method is solved by selecting as the switching threshold value the value area where the level of the sensor output signal changes quickly as the function of the angular position of the object.例文帳に追加

方法に関しては、スイッチング閾値には、センサ出力信号のレベルが対象の角度位置の関数として急速に変化する値領域を選択することにより解決される。 - 特許庁

To provide a method for distinguishing and finding a significant cyclic pattern in event subsequence even when the pattern includes disturbance having a length up to a threshold value of prior definition.例文帳に追加

イベントのサブシーケンス内で有意な周期パターンに、ある事前定義の閾値までの長さを有する外乱が含まれる場合であっても、そのようなパターンを識別し、見つける方法を提供すること。 - 特許庁

A method and apparatus is disclosed for calculating a threshold used to assign a data transmission from a user to one layer in a plurality of layers in a radio communications network.例文帳に追加

無線通信ネットワークの複数の層のうちの１つの層に対してユーザからのデータ伝送を割り当てるために使用される閾値を計算するための方法および装置が開示される。 - 特許庁

To immediately perform state detection even under calculation resource restriction, to obtain a more accurate result than a threshold value method, and to clearly show grounds of abnormality detection.例文帳に追加

計算資源制約下においても即座に状態検知を行うことができ、閾値法よりも正確な結果を得ることができ、さらに異常検知の根拠を明確に示すことのできるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and a method for manufacturing it by reducing oscillation threshold currents, and realizing a high output operation, and further stabilizing lateral mode oscillation compared with the conventional manner.例文帳に追加

発振しきい値電流が低く、高出力動作が可能であり、従来に比べて横モード発振がより一層安定する半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that can satisfy reliability standard without change in drain current and threshold voltage accompanying with elapsed time, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

時間とともにドレイン電流およびしきい値電圧が変化することはなく、信頼性基準を十分に満たす半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method that can control resistance increase of a control gate, and can control unclear threshold voltage Vth of a memory cell.例文帳に追加

コントロールゲートの抵抗上昇を抑制でき、かつメモリセルのしきい値電圧Ｖｔｈボケを抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily controlling the threshold of the semiconductor device having the metal gate structure which adopts materials, such as metal, for a gate electrode material.例文帳に追加

ゲート電極材料に金属等の材料を採用したメタルゲート構造を有する半導体装置の閾値を容易に制御可能な半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁