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threshold methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1579件
To provide a semiconductor device with a nonvolatile storage circuit capable of reducing the dispersion of a threshold voltage of a memory cell and preventing malfunctions, and to provide its operation method.例文帳に追加
メモリセルのしきい値電圧のばらつきを減少することができ、誤動作を防止することができる不揮発性記憶回路を備えた半導体装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
A method for controlling the operation of a magnetic resonance imaging device, wherein means of shifting to high resolution imaging is operated by the device when the signal strength within the desired domain drastically changes from the threshold value. 例文帳に追加
磁気共鳴撮影装置の作動方法において、設定された領域の信号強度が閾値より大きく変化したら、磁気共鳴撮影装置が、撮影する解像度を上げる方法。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of suppressing substrate floating effects, without threshold voltage variations in each position in the gate width direction, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
ゲート幅方向の各位置における閾値電圧をばらつかせることなく、基板浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
When the closed caption drawing quantity exceeds a certain threshold, control is performed so as not to lower the speed of display, by degrading the quality of closed caption display by such a method as automatic reduction in character size.例文帳に追加
そして、字幕描画量が、ある閾値を超えた場合には、文字サイズを自動的に小さくする等の方法で字幕表示の質を下げ、表示のスピードが落ちないように制御する。 - 特許庁
To provide a method for adjusting a photoelectric sensor, capable of highly precisely adjusting a determination threshold value for a light reception amount without being influenced by noise generated in a light-receiving section.例文帳に追加
受光部で発生するノイズの影響を受けることなく受光量に対する判定閾値を高精度に調整することのできる光電センサの調整方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for extracting a statistical model parameter for quickly and precisely extracting the model parameter of a BSIM 3 from the measured data of the saturation currents and threshold of an MOS.例文帳に追加
MOSの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくBSIM3のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory and its erasing method in which the dispersion of the threshold values of memory cells after erasing can be reduced and the increment of erasing time and the like can be suppressed.例文帳に追加
消去後のメモリセルのしきい値のばらつきの低減、消去時間の増加の抑制等が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法を提供する。 - 特許庁
To provide a voltage nonlinear resistor element with excellent thermal stability whose threshold voltage in voltage-current characteristics is hard to vary by heat, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
電圧−電流特性における立ち上がり電圧が熱によって変動しにくい熱安定性に優れた電圧非直線性抵抗素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a light emitting display device that can reduce influence of the threshold voltage of a transistor and deviation in mobility to sufficiently charge data lines, a driving method therefor, and its display panel.例文帳に追加
トランジスタのしきい電圧や移動度の偏差からの影響を軽減でき,データ線を充分に充電できる発光表示装置,その駆動方法,およびその表示パネルを提供する。 - 特許庁
To provide a word detecting device, a word detecting method, a word detecting program and a reception device, which can set the threshold of a reception electric power level in order to allow or disallow unique word detecting operation into the optimum level.例文帳に追加
ユニークワード検出動作可否のために受信電力レベルの閾値を最適なものに設定することができるワード検出装置、方法及びプログラム、並びに、受信装置を提供する。 - 特許庁
To provide an element isolation film manufacturing method of a semiconductor device which prevents HEIP phenomenon and improves element characteristics such as a drive current, a threshold voltage, a refresh property or the like of a transistor.例文帳に追加
HEIP現象を防止してトランジスタの駆動電流、しきい電圧及びリフレッシュ特性等の素子特性を向上させる半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁
The image processing method and device calculates the edge strength G (x, y) for each position on an input image, and a threshold E (x, y) of the upsilon filter 12 is controlled on the basis of the edge strength G (x, y).例文帳に追加
入力画像上の各位置ごとにエッジ強度G(x,y)を算出し、そのエッジ強度G(x,y)に基づいて、イプシロンフィルタ12のしきい値E(x,y)を制御する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal additive capable of driving a liquid crystal by a sufficiently low threshold voltage, and to provide a method for using the liquid crystal additive and a liquid crystal display device including the liquid crystal additive.例文帳に追加
十分に低い閾値電圧で液晶を駆動することができる液晶添加剤及びその使用方法ならびにその液晶添加剤を含む液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁
To set a method and a threshold for judging whether inter-system handover control is carried out or not adaptively depending on the moving speed or the ambient conditions of a wireless communication device.例文帳に追加
システム間ハンドオーバ制御を実施するか否かを判定するための判定方法と閾値を、無線通信装置の移動速度や周囲状況に応じて適応的に設定する。 - 特許庁
To provide a memory device capable of reducing a threshold voltage distribution of a selection transistor having a charge storage layer, especially a NAND flash memory device and its programming method, and a memory system using the same.例文帳に追加
電荷格納層を有する選択トランジスタのしきい電圧分布を減らすメモリ装置、特にNANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法とこれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a surface-emitting laser that can be reduced in element resistance and threshold current and can be properly integrated with another device by removing its substrate, and to provide a method of manufacturing the laser.例文帳に追加
素子抵抗が小さくでき、低しきい値電流にでき、かつ、基板除去が可能で他のデバイスとの集積化に優れた面発光レーザ装置、およびその製造方法である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that prevents damage to a gate insulating film, easily controls a threshold, and achieves sufficiently low resistance in a gate electrode, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
ゲート絶縁膜へのダメージをなくし、しきい値の制御が容易で、ゲート電極の十分な低抵抗化を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable a semiconductor storage device for stabilizing a threshold voltage to be obtained by avoiding the storage of unnecessary charge in a charge storage film, and to enable a method for manufacturing the same to be implemented.例文帳に追加
電荷蓄積膜に不要な電荷が蓄積されるのを回避して、閾値電圧を安定させる半導体記憶装置及びその製造方法を実現することができるようにする。 - 特許庁
To provide an optical recording and reproducing medium and an optical recording and reproducing method wherein a threshold of a laser output needed when recording is performed is made low and practical three-dimensional recording (multilayer recording) is made possible.例文帳に追加
記録時に要するレーザ出力の低しきい値化を図り、実用的な3次元記録(多層記録)が可能な光記録再生媒体及び光記録再生方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for changing threshold voltage of a non-volatile memory cells at high speed and the circuit configuration that optimizes the uses of a charge pump and the device reliability.例文帳に追加
不揮発性メモリのセルのしきい値電圧を、チャージポンプの使用の最適化と装置の最大の信頼性を維持しながら高速変更する方法及び回路構造を提案することにある - 特許庁
To provide a thin film transistor and its manufacturing method by which operation characteristic, especially threshold voltage characteristic or field mobility for the thin film transistor is improved without reducing manufacturing efficiency.例文帳に追加
生産効率を低下させることなく、薄膜トランジスタとしての動作特性、特に、閾値電圧特性や電界移動度を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an X-ray CT (Computed Tomography) apparatus and a method for controlling the same, allowing acquisition of a threshold value of an exposure dose according to a body thickness of each position of a patient O.例文帳に追加
被ばく線量の閾値を患者Oの位置ごとの体厚に応じて取得することができるX線CT装置およびX線CT装置の制御方法を提供する。 - 特許庁
A multifunction machine 1 is configured as a setting device for setting threshold values of the respective matrix elements in a dither matrix which is referred when performing pseudo-halftone processing using a dither method.例文帳に追加
複合機1は、ディザ法によって擬似中間調処理を行う際に参照されるディザマトリックスにおける各マトリックス要素の閾値を設定する設定装置として構成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of fitting threshold voltages of MISFETs having High-k gate insulating films whose interface layer film thicknesses differ.例文帳に追加
界面層膜厚が異なるHigh−kゲート絶縁膜を有するMISFETのしきい値電圧を合わせこむことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide such a layout method of a semiconductor device that is capable of improving the reliability of the semiconductor device by reducing a variation in threshold voltage of a transistor, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
トランジスタのしきい電圧の変化を減らすことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置のレイアウト方法及びその半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device capable of improving a cycling threshold voltage shift and of preventing an overhang formed in an upper region of a trench.例文帳に追加
サイクリングしきい電圧シフトを改善し、且つトレンチの上部領域に形成されたオーバーハングを防止することが可能な、半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加
ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for reducing the unevenness of the opening part size of a mask for code ion injection and reducing the unevenness of the threshold value of a transistor as the result.例文帳に追加
本発明の目的は、コードイオン注入用マスクの開口部寸法のばらつきを低減し、その結果としてトランジスタの閾値のばらつきを低減させる製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, equipped with an MIS transistor having an appropriate threshold voltage, with variation in manufacture being suppressed.例文帳に追加
製造のばらつきを抑制することができるとともに適切なしきい値電圧を有するMISトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。 - 特許庁
The method includes steps of: monitoring user selections in response to user receipt of search results; and tracking metadata related to user selections for user selections that exhibit a threshold of satisfaction level.例文帳に追加
この方法は、検索結果のユーザの受信に応答してユーザ選択を監視し、満足度の閾値を示すユーザ選択についてユーザ選択に関連するメタデータを探知するステップを含む。 - 特許庁
To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a driving method for a semiconductor laser element that can make an extinction ratio large while suppressing distortion of a light output waveform small against variation in threshold current value of the semiconductor laser element.例文帳に追加
半導体レーザ素子の閾値電流値の変動に対し、光出力波形の歪みを抑えつつ、消光比を大きくできる半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which P- and N-channel transistors having low threshold voltages and different kinds of metal gate electrodes can be formed by a simple manufacturing method.例文帳に追加
しきい値電圧が低いもので異なる種類の金属ゲート電極を持つPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを、簡単な製造方法によって形成することができるような構成とする。 - 特許庁
To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it.例文帳に追加
半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁
To obtain a method by which a highly efficient semiconductor laser, having a low threshold can be manufactured by reducing the amount of an oxide in and near the interface between active layers and leaving no remaining sulfides.例文帳に追加
本発明の目的は、活性層界面、近傍の酸化物を低減でき、残留硫化物もないので、低しきい値、高効率の半導体レーザを製造する製造方法を得る。 - 特許庁
When the level of usage is above the threshold level, the method is realized by providing an offer including an incentive to use the system during a future off-peak hours to the current user.例文帳に追加
使用状況が閾値レベルを上回る場合、現ユーザに対し、後のオフピーク時間帯におけるシステムの使用のインセンティブを含む申し入れがなされることによって実現される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of being manufactured with an excellent yield at a low cost, having the high reliability of a gate insulating film, and having the small dispersion of a threshold voltage; and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加
低コストで歩留り良く製造でき、ゲート絶縁膜の信頼性が高く、しきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a display apparatus which can compensate uneven luminance caused by the variation of the threshold voltage in a driving transistor without increasing a driving period, and to provide a driving method thereof.例文帳に追加
駆動期間を長くすることなく、駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する輝度のむらを補償することができる表示装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁
To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.例文帳に追加
化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、MISFETのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁
To enable a semiconductor device to be improved in characteristics and reliability by a method wherein the surface of the semiconductor substrate is set nearly uniform in impurity concentration after impurities for controlling a threshold voltage are introduced.例文帳に追加
しきい値電圧調整用の不純物の導入後における半導体基板表面の不純物濃度をほぼ均一に保ち、半導体装置の特性と信頼性とを向上させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a coated metallic sheet which is capable of lowering a baking temperature without deteriorating the storage stability of a coating material and without reducing a skim threshold limit.例文帳に追加
塗料の貯蔵安定性を劣化させることがなく、またワキ限界膜厚を小さくせずに焼付け温度を低下することができる塗装金属板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of measuring currents flowing through a plurality of single-end sense amplifiers and easily determining variance on threshold value voltages thereof, and a test method for the same.例文帳に追加
シングルエンド型の複数のセンスアンプ回路を流れる電流を測定し、そのしきい値電圧のばらつきを容易に判別可能な半導体記憶装置とそのテスト方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a semiconductor device by which a threshold value voltage Vth can be lowered by realizing a surface channel CMOS device both in nMOS and pMOS.例文帳に追加
nMOSとpMOSの両方ともにおいて表面チャネルCMOS素子を実現してしきい値電圧V_thを低めることが可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a device and a method for maintaining, to the allowable range, a sub threshold leak current related to a memory cell of a dynamic memory device buried within an integrated circuit chip.例文帳に追加
集積回路チップ内に埋込まれているダイナミックメモリ装置のメモリセルに関連するサブスレッシュホールドリーク電流を許容可能な範囲内に維持する装置及び方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加
マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁
Also, the method for hardening the power supply includes such steps as watching the electric current from at least one power supply driving at least one electrode, and of insulating the source from the electrode if the current is larger than a certain level of threshold by deciding the level at the threshold.例文帳に追加
また、電源を補強する方法は、少なくとも1つの電極を駆動する少なくとも1つの電源からの電流を監視し、この電流が所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電流が所定のスレッショルド値よりも大きい場合、前記電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有する。 - 特許庁
A method of diagnosing cancer comprises the step of (a) analyzing a fluid sample from a patient for a soluble M-CSF receptor level, where a soluble M-CSF receptor level above a threshold is correlated with the presence of cancer and a level below the threshold indicates that the patient is unlikely to have cancer.例文帳に追加
本発明の癌を診断する方法は、(a)患者由来の流体試料を可溶性M−CSF受容体のレベルに関して分析する工程を含み、閾値を上回る可溶性M−CSF受容体のレベルは癌の存在と相関し、前記閾値未満のレベルは患者が癌を有する可能性が低いことを示す。 - 特許庁
To provide a method and a device for automatic triggering of deceleration of a vehicle for preventing a collision, while a variable representing the probability of collision with another vehicle must exceed a predefinable threshold value and the threshold value is variable as a function of the driver's response, the current driving situation, or the ambient situation.例文帳に追加
他の車両との衝突確率を表す変量が予め設定可能なしきい値を越えなければならず,その場合にしきい値は運転者反応,実際の走行状況又は環境状況に従って変更可能であることにより,衝突を阻止するために車両減速の自動作動方法と装置が提案される。 - 特許庁
To provide a method for using a support vector machine and a subset which form the subset of threshold data for discrimination by selecting a threshold suitable for the discrimination from a large amount of multivariable data stored in a memory by scanning that uses many sensors and many wavelengths to discriminate, classify and authenticate a document including paper money.例文帳に追加
紙幣を含む文書を識別・分類しかつ認証するために多くのセンサ及び多くの波長を用いる走査によりメモリ内に保存される大量の多変数データから、識別に適した閾値を選択して識別のための閾値データのサブセットを形成するためのサポート・ベクタ・マシン及びサブセットの使用法に関する。 - 特許庁
To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.例文帳に追加
非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
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