「threshold method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for adjusting a photoelectric sensor, capable of highly precisely adjusting a determination threshold value for a light reception amount without being influenced by noise generated in a light-receiving section.例文帳に追加

受光部で発生するノイズの影響を受けることなく受光量に対する判定閾値を高精度に調整することのできる光電センサの調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for extracting a statistical model parameter for quickly and precisely extracting the model parameter of a BSIM 3 from the measured data of the saturation currents and threshold of an MOS.例文帳に追加

ＭＯＳの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくＢＳＩＭ３のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a determination method not generating a sense of incongruity in a determination result, even when determining by a threshold, in determination of an abnormal noise from inside operation sounds from a member.例文帳に追加

部材の動作音の中から異音を判定するとき閾値によって判定する場合であっても、その判定結果に違和感を生じさせることがない判定方法を提供することである。 - 特許庁

To realize load processing for a threshold value of a dither matrix in a dither method, in reduced steps, and realize processing upto data loading after conversion, in further reduced steps.例文帳に追加

ディザ法のディザマトリクスのしきい値のロード処理を少ないステップで実現し、更に変換後データのロードまでの処理もより少ないステップで実現する、ＳＩＭＤ型マイクロプロセッサを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its erasing method in which the dispersion of the threshold values of memory cells after erasing can be reduced and the increment of erasing time and the like can be suppressed.例文帳に追加

消去後のメモリセルのしきい値のばらつきの低減、消去時間の増加の抑制等が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage nonlinear resistor element with excellent thermal stability whose threshold voltage in voltage-current characteristics is hard to vary by heat, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電圧−電流特性における立ち上がり電圧が熱によって変動しにくい熱安定性に優れた電圧非直線性抵抗素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light emitting display device that can reduce influence of the threshold voltage of a transistor and deviation in mobility to sufficiently charge data lines, a driving method therefor, and its display panel.例文帳に追加

トランジスタのしきい電圧や移動度の偏差からの影響を軽減でき，データ線を充分に充電できる発光表示装置，その駆動方法，およびその表示パネルを提供する。 - 特許庁

To immediately perform state detection even under calculation resource restriction, to obtain a more accurate result than a threshold value method, and to clearly show grounds of abnormality detection.例文帳に追加

計算資源制約下においても即座に状態検知を行うことができ、閾値法よりも正確な結果を得ることができ、さらに異常検知の根拠を明確に示すことのできるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and a method for manufacturing it by reducing oscillation threshold currents, and realizing a high output operation, and further stabilizing lateral mode oscillation compared with the conventional manner.例文帳に追加

発振しきい値電流が低く、高出力動作が可能であり、従来に比べて横モード発振がより一層安定する半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that can satisfy reliability standard without change in drain current and threshold voltage accompanying with elapsed time, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

時間とともにドレイン電流およびしきい値電圧が変化することはなく、信頼性基準を十分に満たす半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method that can control resistance increase of a control gate, and can control unclear threshold voltage Vth of a memory cell.例文帳に追加

コントロールゲートの抵抗上昇を抑制でき、かつメモリセルのしきい値電圧Ｖｔｈボケを抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily controlling the threshold of the semiconductor device having the metal gate structure which adopts materials, such as metal, for a gate electrode material.例文帳に追加

ゲート電極材料に金属等の材料を採用したメタルゲート構造を有する半導体装置の閾値を容易に制御可能な半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a nonvolatile storage circuit capable of reducing the dispersion of a threshold voltage of a memory cell and preventing malfunctions, and to provide its operation method.例文帳に追加

メモリセルのしきい値電圧のばらつきを減少することができ、誤動作を防止することができる不揮発性記憶回路を備えた半導体装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording and reproducing medium and an optical recording and reproducing method wherein a threshold of a laser output needed when recording is performed is made low and practical three-dimensional recording (multilayer recording) is made possible.例文帳に追加

記録時に要するレーザ出力の低しきい値化を図り、実用的な３次元記録（多層記録）が可能な光記録再生媒体及び光記録再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for changing threshold voltage of a non-volatile memory cells at high speed and the circuit configuration that optimizes the uses of a charge pump and the device reliability.例文帳に追加

不揮発性メモリのセルのしきい値電圧を、チャージポンプの使用の最適化と装置の最大の信頼性を維持しながら高速変更する方法及び回路構造を提案することにある - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method by which operation characteristic, especially threshold voltage characteristic or field mobility for the thin film transistor is improved without reducing manufacturing efficiency.例文帳に追加

生産効率を低下させることなく、薄膜トランジスタとしての動作特性、特に、閾値電圧特性や電界移動度を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray CT (Computed Tomography) apparatus and a method for controlling the same, allowing acquisition of a threshold value of an exposure dose according to a body thickness of each position of a patient O.例文帳に追加

被ばく線量の閾値を患者Ｏの位置ごとの体厚に応じて取得することができるＸ線ＣＴ装置およびＸ線ＣＴ装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

A multifunction machine 1 is configured as a setting device for setting threshold values of the respective matrix elements in a dither matrix which is referred when performing pseudo-halftone processing using a dither method.例文帳に追加

複合機１は、ディザ法によって擬似中間調処理を行う際に参照されるディザマトリックスにおける各マトリックス要素の閾値を設定する設定装置として構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of fitting threshold voltages of MISFETs having High-k gate insulating films whose interface layer film thicknesses differ.例文帳に追加

界面層膜厚が異なるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有するＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を合わせこむことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a layout method of a semiconductor device that is capable of improving the reliability of the semiconductor device by reducing a variation in threshold voltage of a transistor, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

トランジスタのしきい電圧の変化を減らすことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置のレイアウト方法及びその半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device capable of improving a cycling threshold voltage shift and of preventing an overhang formed in an upper region of a trench.例文帳に追加

サイクリングしきい電圧シフトを改善し、且つトレンチの上部領域に形成されたオーバーハングを防止することが可能な、半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for reducing the unevenness of the opening part size of a mask for code ion injection and reducing the unevenness of the threshold value of a transistor as the result.例文帳に追加

本発明の目的は、コードイオン注入用マスクの開口部寸法のばらつきを低減し、その結果としてトランジスタの閾値のばらつきを低減させる製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, equipped with an MIS transistor having an appropriate threshold voltage, with variation in manufacture being suppressed.例文帳に追加

製造のばらつきを抑制することができるとともに適切なしきい値電圧を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。 - 特許庁

The method includes steps of: monitoring user selections in response to user receipt of search results; and tracking metadata related to user selections for user selections that exhibit a threshold of satisfaction level.例文帳に追加

この方法は、検索結果のユーザの受信に応答してユーザ選択を監視し、満足度の閾値を示すユーザ選択についてユーザ選択に関連するメタデータを探知するステップを含む。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a driving method for a semiconductor laser element that can make an extinction ratio large while suppressing distortion of a light output waveform small against variation in threshold current value of the semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子の閾値電流値の変動に対し、光出力波形の歪みを抑えつつ、消光比を大きくできる半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which P- and N-channel transistors having low threshold voltages and different kinds of metal gate electrodes can be formed by a simple manufacturing method.例文帳に追加

しきい値電圧が低いもので異なる種類の金属ゲート電極を持つＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタとを、簡単な製造方法によって形成することができるような構成とする。 - 特許庁

To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁

To obtain a method by which a highly efficient semiconductor laser, having a low threshold can be manufactured by reducing the amount of an oxide in and near the interface between active layers and leaving no remaining sulfides.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層界面、近傍の酸化物を低減でき、残留硫化物もないので、低しきい値、高効率の半導体レーザを製造する製造方法を得る。 - 特許庁

When the level of usage is above the threshold level, the method is realized by providing an offer including an incentive to use the system during a future off-peak hours to the current user.例文帳に追加

使用状況が閾値レベルを上回る場合、現ユーザに対し、後のオフピーク時間帯におけるシステムの使用のインセンティブを含む申し入れがなされることによって実現される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured with an excellent yield at a low cost, having the high reliability of a gate insulating film, and having the small dispersion of a threshold voltage; and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

低コストで歩留り良く製造でき、ゲート絶縁膜の信頼性が高く、しきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display apparatus which can compensate uneven luminance caused by the variation of the threshold voltage in a driving transistor without increasing a driving period, and to provide a driving method thereof.例文帳に追加

駆動期間を長くすることなく、駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する輝度のむらを補償することができる表示装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.例文帳に追加

化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

To enable a semiconductor device to be improved in characteristics and reliability by a method wherein the surface of the semiconductor substrate is set nearly uniform in impurity concentration after impurities for controlling a threshold voltage are introduced.例文帳に追加

しきい値電圧調整用の不純物の導入後における半導体基板表面の不純物濃度をほぼ均一に保ち、半導体装置の特性と信頼性とを向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated metallic sheet which is capable of lowering a baking temperature without deteriorating the storage stability of a coating material and without reducing a skim threshold limit.例文帳に追加

塗料の貯蔵安定性を劣化させることがなく、またワキ限界膜厚を小さくせずに焼付け温度を低下することができる塗装金属板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of measuring currents flowing through a plurality of single-end sense amplifiers and easily determining variance on threshold value voltages thereof, and a test method for the same.例文帳に追加

シングルエンド型の複数のセンスアンプ回路を流れる電流を測定し、そのしきい値電圧のばらつきを容易に判別可能な半導体記憶装置とそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device by which a threshold value voltage Vth can be lowered by realizing a surface channel CMOS device both in nMOS and pMOS.例文帳に追加

ｎＭＯＳとｐＭＯＳの両方ともにおいて表面チャネルＣＭＯＳ素子を実現してしきい値電圧Ｖ_thを低めることが可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and a method for maintaining, to the allowable range, a sub threshold leak current related to a memory cell of a dynamic memory device buried within an integrated circuit chip.例文帳に追加

集積回路チップ内に埋込まれているダイナミックメモリ装置のメモリセルに関連するサブスレッシュホールドリーク電流を許容可能な範囲内に維持する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

Also, the method for hardening the power supply includes such steps as watching the electric current from at least one power supply driving at least one electrode, and of insulating the source from the electrode if the current is larger than a certain level of threshold by deciding the level at the threshold.例文帳に追加

また、電源を補強する方法は、少なくとも１つの電極を駆動する少なくとも１つの電源からの電流を監視し、この電流が所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電流が所定のスレッショルド値よりも大きい場合、前記電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有する。 - 特許庁

To provide a display device and a drive method of the display device, which is applied to, for example, an active matrix type display device using an organic EL element, and thereby, to accurately correct variations in the threshold voltage of a drive transistor, even when the variation in the threshold voltage of the drive transistor is corrected, divided into a plurality of times.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、複数回に分けて駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正する場合でも、正しく駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正することができるようにする。 - 特許庁

To attain a selfluminous display device which can suppress variation of the threshold voltage of a transistor for controlling the current of a light emitting element and variation of the light emission threshold voltage of the light emitting element to thereby suppress variation in the luminance of the light emitting element, in the pixel driving circuit of a selfluminous display device using an active matrix method.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式による自発光型表示装置の画素駆動回路において、発光素子の電流を制御するトランジスタの閾値電圧のばらつき、及び発光素子の発光閾値電圧のばらつきを抑制して、発光素子の輝度ばらつきのない自発光型表示装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

This method comprises various steps including: establishing the curve of a consumption value (Cesp) as a function of time, the curve being representative of the difference (dCM=LM-LC) of a measured yaw angle and a setpoint yaw angle versus a measured triggering threshold value (St); and modifying a nominal threshold value (Sv) by a percentage that is proportional to the consumption value (Cesp).例文帳に追加

計測されたヨー角と設定値ヨー角の差（ｄＣＭ＝ＬＭ−ＬＣ）に対する、計測された起動閾値（Ｓｔ）を表す消費値（Ｃｅｓｐ）の曲線を、時間の関数として確立する段階と、基準閾値（Ｓｖ）を、消費値（Ｃｅｓｐ）に比例する割合で修正する段階とを含む、各種段階を備えている。 - 特許庁

The method counts the number of image elements having status information of a predetermined mode within a predefined image area, the count value is compared to a predetermined threshold, if the count value exceeds the threshold, all image elements of the predefined image area are set to the predetermined mode, and incorrect determinations are detected and eliminated.例文帳に追加

所定の画像領域内において所定のモードの状態情報を有する画像要素の数をカウントして所定の閾値と比較し、カウントされた値が閾値よりも大きい場合、所定の画像領域のすべての画像要素が所定のモードに設定され、誤った判定が検出され排除される。 - 特許庁