「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目)

半導体デバイスウエハ１０の上面に形成された再配線１９と、再配線１９のランドに形成された柱状電極２１と、再配線１９を被覆する第１の熱可塑性樹脂層４１と、第１の熱可塑性樹脂層を被覆すると共に、柱状電極２１の上部側面を被覆し且つ柱状電極２１の上面を露出させるフィラー含有熱硬化性樹脂層４２と、を備える。 - 特許庁

An insulation film I3 has a multilayer structure which is such that insulation films 14-17 are formed in this order on the upper surface of a second interconnection layer L2.例文帳に追加

絶縁膜Ｉ３は、絶縁膜１４〜１７がこの順に第２配線層Ｌ２の上面上に積層された構造を有している。 - 特許庁

例文

The device discriminates whether the protective layer is set facing the upper side of a holding table 21, before the image is formed on the CD-R.例文帳に追加

このＣＤ−Ｒに画像を形成する前に保護層が保持テーブル２１の上側に向くようにセットされているかを判別する。 - 特許庁

例文

To prevent a needle from coming out of the skin even if a high back pressure is generated in the upper layer part of the skin, and to prevent a medicine from leaking out of the skin.例文帳に追加

皮膚上層部で高い背圧が発生しても、針が皮膚から抜けることがなく、薬剤が皮膚から漏れることを防ぐ。 - 特許庁

To reduce an influence of an upper layer metal wiring pitch for pile driving to a pitch of gate wiring of a selection transistor included in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる選択トランジスタのゲート配線のピッチに対する上層の杭打用金属配線ピッチの影響を低減する。 - 特許庁

Also, a second sheet body 16 expandable and contractible at least in one direction is arranged on the whole upper face of the water-containing gel layer 13.例文帳に追加

一方、含水ゲル層１３の上面全面には少なくとも一方方向に伸縮自在の第２シート体１６が配置されている。 - 特許庁

The transmission weight is input to transmission weight multiplication units 17 and 23, and the interference coefficient is input to an upper layer 10 and an interference generation unit 15.例文帳に追加

送信ウェイトは送信ウェイト乗算部１７，２３に、干渉係数は上位層１０と干渉生成部１５に入力される。 - 特許庁

Then a (111)B plane is formed on the side face of the ridge and at an upper-end part of a part buried in the semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記リッジの側面であって前記半導体層に埋め込まれた部分の上端部分には（１１１）Ｂ面が形成される。 - 特許庁

A conductive interlayer insulating film 8a is formed on the upper surface of each first conductive layer 3 and isolated by the element isolation insulating film 7.例文帳に追加

導電層間絶縁膜８ａが第一導電層３の頂部上に配置され、素子分離絶縁膜７により分離されている。 - 特許庁

The upper/lower side fiber layer abuts on the first/second parts, to be separated from each other in the central part.例文帳に追加

上側繊維層と下側繊維層は、第１の部分及び第２の部分で境界を接し、中央部分で互いに分離されている。 - 特許庁

A second conductive part 16 is provided at an upper layer of a first conductive part 14 so that an exposure region F including a missing part β is covered.例文帳に追加

第一導電部１４の上層には、欠落部βを含む露呈領域Ｆを覆うように第二導電部１６が配される。 - 特許庁

To select information having a hierarchical structure with simple operation and reduce the number of times of operation for selecting a different upper layer.例文帳に追加

階層構造を有する情報において、簡単な操作で選択し、異なる上位層を選択するための操作回数を減らす。 - 特許庁

In the solder application step, cream solder 40 is applied onto plating parts 30 to project from the upper surface 24 of the second insulating layer 22.例文帳に追加

はんだ塗布工程では、めっき部３０上に第２絶縁層２２の上面２４から突出するようにクリームはんだ４０を塗布する。 - 特許庁

Accordingly, it is not necessary to form a recessed part on the semiconductor substrate 2 or the wiring layer 7 in order to allow the upper thin film 11 to be vibrated.例文帳に追加

したがって、上薄膜１１を振動可能とするために、半導体基板２や配線層７に凹部を形成する必要がない。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-2, 6-1 curve toward the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower Al film and an upper SiN film.例文帳に追加

個別変位部４−２，６−１は、基板１側に湾曲し、下側のＡｌ膜と上側のＳｉＮ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

A central ILD layer overlies the intermediate conductor for electrically insulating and separating the intermediate conductor lines from the upper conductor lines.例文帳に追加

中央ＩＬＤ層を中間導体の下に形成して、下部導体ラインから中間導体ラインを電気的に絶縁し分離する。 - 特許庁

An upper part of a gate electrode 106 and first and second source/drain regions 119A, 119B is an amorphous silicon layer 110.例文帳に追加

ゲート電極１０６及び第１，第２のソース／ドレイン領域１１９Ａ，１１９Ｂの上部が非晶質化シリコン層１１０となっている。 - 特許庁

Consequently, a clearance including an air layer is formed between a lower surface of the semiconductor wafer W and an upper surface of the susceptor 72.例文帳に追加

その結果、半導体ウェハーＷの下面とサセプタ７２の上面と間に気体層を挟み込んだ隙間が形成されることとなる。 - 特許庁

In addition, the upper surface of the substrate 10 is coated with a protective layer 40 except at the portions, where the plated-nickel layers 24 and plated-solder layers 26 are formed.例文帳に追加

さらに、絶縁基板１０の上端には、ニッケルメッキ層やハンダメッキ層２６の部分を除いて保護層４０で被覆される。 - 特許庁

A liquid crystal device as an example of the electrooptical device comprises a pair of an upper substrate and a lower substrate sandwiching a liquid crystal layer.例文帳に追加

電気光学装置の一例としての液晶装置は液晶層を挟持する一対の上側基板及び下側基板を備える。 - 特許庁

Since the area where the conductive layer 43 is formed is wider than the sample, the circumferential edge of the sample is exposed in the upper side when the sample is placed.例文帳に追加

この導電層４３の形成される面積は、試料よりも広いため、試料の載置時には周縁部が上方に露出する。 - 特許庁

A bias voltage, etc., is inputted by penetrating into the cover 11 by a bias line 34 and a via hole 36 from a bias circuit 14 of an upper layer.例文帳に追加

バイアス電圧等は、上位層のバイアス回路１４からバイアス線３４、バイアホール３６によりカバー１１を貫通して入力する。 - 特許庁

The circuit cells 10 are connected to the reference voltage main line VSS via power switches M1, M2 and the VSS upper-layer branch lines 72.例文帳に追加

回路セル１０が、電源スイッチＭ１,Ｍ２とＶＳＳ上層分岐線７２を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。 - 特許庁

Therefore, the recess portion 13b is covered with the upper layer portion 13c, a void portion 13b1 is formed at the end of each through-dislocation D1.例文帳に追加

従って、上層部１３ｃが凹部１３ｂの上を覆い、個々の貫通転位Ｄ_1 の終端に空間部１３ｂ_1 が形成される。 - 特許庁

This constitution can constantly introduce the bathwater in the upper layer part in the device and, after filtering and clarifying the bathwater, discharge it to the bathtub again.例文帳に追加

これにより，絶えず上層部の浴湯を装置内に取り入れ，浴湯を濾過・浄化した後に再び浴槽内に吐き出すことができる。 - 特許庁

A covering layer 20 made of a dielectric material is provided so as to entirely or partially cover the outer surface of the upper member 11a.例文帳に追加

上側部材１１ａの外面の全部又は一部を覆うように、誘電体材料からなる被覆層２０が設けられている。 - 特許庁

To prevent development unevenness due to influences of an edge part of a light shielding film or adherence of foreign matters when developing an upper layer film as a top coating film.例文帳に追加

トップコーティング膜としての上層膜の現像時に、遮光膜の縁部の影響による現像ムラや異物の付着を防止する。 - 特許庁

The insulating layer 15 is provided on the upper surface of the adhesive force improving film 14c around the adhesive force improving film 14a.例文帳に追加

密着力向上膜１４ａの周囲における密着力向上膜１４ｃの上面には絶縁層１５が設けられている。 - 特許庁

The total thickness of the lower and upper layer protective films 13 and 14 is 6-15 nm.例文帳に追加

下層カーボン保護膜１３と上層カーボン保護膜１４の厚さとを加えたカーボン保護膜の全厚は６ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。 - 特許庁

The matrix 11 is fabricated by opening a cavity 15 in an insulating layer 14 formed over the upper face of an electroconductive base material 13.例文帳に追加

導電性基材１３の上面に重ねて形成された絶縁層１４にキャビティ１５を開口して母型１１を作製している。 - 特許庁

TREATMENT LIQUID FOR SURFACE CHEMICAL CONVERSION, CHEMICAL CONVERSION-TREATED METALLIC SHEET AND ITS PRODUCTION METHOD, AND THE UPPER LAYER-CLAD METALLIC SHEET AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF例文帳に追加

表面化成処理液、化成処理金属板およびその製造方法、ならびに上層被覆金属板およびその製造方法 - 特許庁

Since a part weak in adhesive strength is formed on the upper surface of the adhesive resin layer through the modification, the thin substrate can be easily removed.例文帳に追加

改質処理により粘着樹脂層上面に粘着力の弱い部分ができるので薄型基板の剥離が容易になる。 - 特許庁

An adhesive layer is provided at seal strip 3 that is bonded to a back-side strip 2 when it is folded at the upper edge 8 of a front-side strip 1.例文帳に追加

表面片１の上端縁８で折り返されて裏面片２に粘着される封緘片３に、粘着剤層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having metal wires formed on an upper layer wire by RIE using tungsten as a contact burying material in which tungsten can be prevented from being etched by chemical due to the misalignment of a pattern at the time of patterning the upper layer interconnect, no inclusion margin is required at the time of patterning the upper layer interconnect, and the reduction of a pattern size is facilitated.例文帳に追加

コンタクト埋め込み材としてタングステンを用い、その上層配線にRIEを用いて加工するメタル配線をもつ半導体装置の製造に際して、上層配線のパターニングの際にパターンの合わせずれに起因してタングステンが薬液でエッチングされてしまうことを防止でき、上層配線のパターニングの際に包含余裕をとる必要がなくなり、パターンサイズの縮小が容易になる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.例文帳に追加