「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

The pads 6 are connected with test pads 8 formed above the I/O areas 17 by an upper wiring layer 7.例文帳に追加

そのバンプ用パッド６は、上層配線層７によりＩ／Ｏ領域１７上に形成された検査用パッド８に接続されている。 - 特許庁

Plasma etching is applied to form a second opening on the dielectric layer with the first opening positioned in an upper part of the second opening.例文帳に追加

プラズマエッチング操作を行い、誘電層に第二の開口部を形成するが、第一の開口部は第二の開口部の上方に位置する。 - 特許庁

Then a reinforced concrete floor slab 5 having an asphalt layer 7 on an upper surface thereof is formed over the U-shaped ribs 2 and the T-shaped ribs 4.例文帳に追加

そして、Ｕ形リブ２とＴ形リブ４上には、上面にアスファルト層７を有する鉄筋コンクリート床版５が形成されている。 - 特許庁

Further, a heat absorbing layer 3 consisting of a tungsten carbide coating film is formed at the upper part higher than the heater 5 of the inner surface of the chamber 2.例文帳に追加

そして、チャンバー２内面のヒータ５より上方の部分には、タングステンカーバイド被膜からなる熱吸収層３が形成されている。 - 特許庁

A thin gate dielectric layer separates the upper corners of the channel region from the gate dielectric to optimize conductivity in the channel corners.例文帳に追加

薄いゲート誘電体層は、ゲート誘電体からチャネル領域の上部コーナを分離して、チャネル・コーナ部における伝導率を最適化する。 - 特許庁

A ground line 14 formed of the upper layer of metal is arranged by overlapping on an n-channel type MOS transistor group 12 in the same way.例文帳に追加

Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１２上にも同様に上層のメタルで形成された接地ライン１４がオーバーラップして配置される。 - 特許庁

A rust prevention surface treatment layer 11 is provided on a raceway surface 2a on which the rolling element 4 rolling on an upper surface of the base plate 2.例文帳に追加

ベースプレート２の上面における転動体４が転動する転走面２ａに防錆用の表面処理層１１を設ける。 - 特許庁

A gate insulating layer 4 is installed on an upper face of a substrate 2 of the thin film organic transistor 1 so that it covers a gate electrode 3.例文帳に追加

薄膜有機トランジスタ１の基板２の上面には、ゲート電極３を覆うようにして、ゲート絶縁層４が設けられている。 - 特許庁

The resist pattern 42 is half-etched, and a wiring groove 48 is formed in the upper part of the insulation layer 12 by the use of the half-etched resist pattern.例文帳に追加

レジストパターン４２をハーフエッチングし、ハーフエッチングしたレジストパターンを用いて絶縁層１２の上部に配線溝４８を形成する。 - 特許庁

After that, a conductive material is embedded in the via hole 6 to form a via, and further on its upper layer, wiring connected to the via is formed.例文帳に追加

その後、ビアホール６に導電材料を埋め込んでビアを形成し、さらにその上層にビアに接続される配線を形成していく。 - 特許庁

To suppress fluctuation of the capacitance value of a capacitance element by coating the upper surface of the element with a polysilicon layer for diffusing emitter.例文帳に追加

容量素子の誘電体薄膜の上部をエミッタ拡散用のポリシリコン層で被覆することにより、容量値のばらつきを抑える。 - 特許庁

At the upper part of the terminal electrode 2, the passivation layer 4 and the protecting film 5 are removed, and a recess 45 is formed on the terminal electrode 2.例文帳に追加

端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。 - 特許庁

Then, the laminated resist pattern 110 is used for patterning the film to be patterned before the plane area of the upper-layer resist pattern 112 is increased.例文帳に追加

次に、積層レジストパターン１１０を用いて被パターニング膜をパターニングした後、上層レジストパターン１１２の平面積を増大させる。 - 特許庁

To surely prevent a tin whisker from forming on an upper layer which is made of tin or a lead-free tin alloy and is formed on a plated underlayer of nickel.例文帳に追加

ニッケルの下地メッキ法において、上層のスズ又は鉛フリーのスズ合金皮膜でのスズホイスカーの発生を一層確実化する。 - 特許庁

Subsequently the polarizing plate 5A and an adhesive layer 6A arranged on its upper surface are heated by heating the hot plate 21 to about 50-60°C.例文帳に追加

次に、ホットプレート２１を５０〜６０℃程度に加熱し、偏光板５Ａおよびその上面に設けられた接着剤層６Ａを加熱する。 - 特許庁

The matte pattern 4 or the upper topcoat layer 31 is desirably constituted of a curable resin compounded with a reactive release agent.例文帳に追加

また、艶消模様４や上塗トップコート層３１は、反応型離型剤を配合した硬化型樹脂から構成することが望ましい。 - 特許庁

The conductors 4 have plane bottoms 4a, and are connected electrically through a wiring layer 5 formed on an upper side substrate surface 2b.例文帳に追加

凹型導体４は平面状底部４ａを有し、かつ上側基板面２ｂに形成された配線層５で電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for high breakdown voltages for preventing element separation breakdown voltages from decreasing when applying a high voltage to upper-layer wiring.例文帳に追加

上層配線に高電圧を印加する際に、素子分離耐圧を低下させない高耐圧用の半導体装置を提供する。 - 特許庁

A second light shield layer 2 for restricting the light entering the noise removing circuit 11 is further provided on the upper part of the noise removing circuit 11.例文帳に追加

ノイズ除去回路１１の上部に、ノイズ除去回路１１への光の入射を制限する第２の遮光層２を更に設ける。 - 特許庁

To provide a laser-trimmable capacitor which can be structured to improve the adhesion strength between an organic resin-made dielectric layer and an upper electrode.例文帳に追加

有機樹脂からなる誘電体層と上側電極との付着強度を向上することができるレーザートリマブルコンデンサを提供する。 - 特許庁

A gate is formed proximately to an upper surface of the semiconductor layer and at least partially between the source and drain regions.例文帳に追加

半導体層の上部表面の近傍に、かつ少なくとも部分的にソース領域とドレイン領域の間にゲートが形成される。 - 特許庁

In addition, cavities 71 and 72 are formed in the portions of the upper-layer materials overlaying the via holes 61 and 62 and their vicinities.例文帳に追加

また，上層材は，貫通ビア６１，６２の上に配置される部分およびその周辺部分にキャビティ７１，７２が形成されている。 - 特許庁

The alloy layers W2b and W2c for reinforcement are formed in order so as to cover an upper surface and a side surface of the conductor layer W2a.例文帳に追加

導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｗ２ａ，Ｗ２ｂが順に形成されている。 - 特許庁

When the upper surface of the ZnO substrate 1 is a Zn surface (0001), a flatter InN crystal layer 2 can be obtained.例文帳に追加

また、ＺｎＯ基板１の上面がＺｎ面（０００１）である場合には、より平坦なＩｎＮ結晶層２を得ることができる。 - 特許庁

To properly perform cutting work by a laser by forming an insulating film on the upper layer of a fuse wiring for element separation with correct thickness.例文帳に追加

素子分離用ヒューズ配線の上層における絶縁膜を正確な膜厚に形成でき、レーザによる切断作業を適正に行う。 - 特許庁

The upper cap 25 is formed by press working, and a plating layer is formed on the outer side face 253 contacting a boundary face of the lubricating oil.例文帳に追加

上キャップ２５はプレス加工により形成されており、潤滑油の界面が接する外側面２５３にはメッキ層が形成されている。 - 特許庁

Under etching condition of high selectivity to a silicon nitride film, an upper layer of a silicon oxide film 14 is etched with sufficient overetching amount.例文帳に追加

そして、対シリコン窒化膜高選択性のエッチング条件で、シリコン酸化膜１４上層を充分なオーバーエッチ量によりエッチングする。 - 特許庁

An upper layer film having a secondary electron generation efficiency higher than that of a deposited resist is formed on the resist and then irradiated with an electron beam.例文帳に追加

成膜されたレジストの上に、レジストより２次電子発生効率の高い上層膜を成膜し、その後、電子線を照射する。 - 特許庁

In one embodiment, the word line 222 may be formed of a polycrystalline silicon in upper portion of a dielectric layer formed on the transistor.例文帳に追加

一実施例において、トランジスタ上に形成した誘電体層の上部にある多結晶シリコンで、ワード線222を形成してもよい。 - 特許庁

A liquid crystal device as an example of the electrooptical device comprises a pair of an upper substrate and a lower substrate sandwiching a liquid crystal layer.例文帳に追加

電気光学装置の一例としての液晶装置は液晶層を挟持する一対の上側基板及び下側基板を備える。 - 特許庁

Since the area where the conductive layer 43 is formed is wider than the sample, the circumferential edge of the sample is exposed in the upper side when the sample is placed.例文帳に追加

この導電層４３の形成される面積は、試料よりも広いため、試料の載置時には周縁部が上方に露出する。 - 特許庁

A bias voltage, etc., is inputted by penetrating into the cover 11 by a bias line 34 and a via hole 36 from a bias circuit 14 of an upper layer.例文帳に追加

バイアス電圧等は、上位層のバイアス回路１４からバイアス線３４、バイアホール３６によりカバー１１を貫通して入力する。 - 特許庁

The circuit cells 10 are connected to the reference voltage main line VSS via power switches M1, M2 and the VSS upper-layer branch lines 72.例文帳に追加

回路セル１０が、電源スイッチＭ１,Ｍ２とＶＳＳ上層分岐線７２を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。 - 特許庁

Therefore, the recess portion 13b is covered with the upper layer portion 13c, a void portion 13b1 is formed at the end of each through-dislocation D1.例文帳に追加

従って、上層部１３ｃが凹部１３ｂの上を覆い、個々の貫通転位Ｄ_1 の終端に空間部１３ｂ_1 が形成される。 - 特許庁

This constitution can constantly introduce the bathwater in the upper layer part in the device and, after filtering and clarifying the bathwater, discharge it to the bathtub again.例文帳に追加

これにより，絶えず上層部の浴湯を装置内に取り入れ，浴湯を濾過・浄化した後に再び浴槽内に吐き出すことができる。 - 特許庁

A covering layer 20 made of a dielectric material is provided so as to entirely or partially cover the outer surface of the upper member 11a.例文帳に追加

上側部材１１ａの外面の全部又は一部を覆うように、誘電体材料からなる被覆層２０が設けられている。 - 特許庁

To prevent development unevenness due to influences of an edge part of a light shielding film or adherence of foreign matters when developing an upper layer film as a top coating film.例文帳に追加

トップコーティング膜としての上層膜の現像時に、遮光膜の縁部の影響による現像ムラや異物の付着を防止する。 - 特許庁

An adhesive layer is provided at seal strip 3 that is bonded to a back-side strip 2 when it is folded at the upper edge 8 of a front-side strip 1.例文帳に追加

表面片１の上端縁８で折り返されて裏面片２に粘着される封緘片３に、粘着剤層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having metal wires formed on an upper layer wire by RIE using tungsten as a contact burying material in which tungsten can be prevented from being etched by chemical due to the misalignment of a pattern at the time of patterning the upper layer interconnect, no inclusion margin is required at the time of patterning the upper layer interconnect, and the reduction of a pattern size is facilitated.例文帳に追加

コンタクト埋め込み材としてタングステンを用い、その上層配線にRIEを用いて加工するメタル配線をもつ半導体装置の製造に際して、上層配線のパターニングの際にパターンの合わせずれに起因してタングステンが薬液でエッチングされてしまうことを防止でき、上層配線のパターニングの際に包含余裕をとる必要がなくなり、パターンサイズの縮小が容易になる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.例文帳に追加

絶縁膜２２とｎ型拡散領域２３の上面は同一の高さとなっており、段差のないほぼ平坦な面となっている。 - 特許庁

Vertical rigidity is imparted to the joint part of an upper horizontal member 18 of a reinforcing layer 14 with the stud members 60, 62.例文帳に追加

この間柱部材６０、６２によって補強層１４の上部水平部材１８の接合部に鉛直剛性が付与されている。 - 特許庁

A cross-sectionally L-shaped gate layer 22 is formed from the other side surface of each wall part 11 to a part of the upper surface of the insulation substrate 10.例文帳に追加

各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。 - 特許庁

This method for forming the cavity structure of the semiconductor device is useful, especially for packaging an image sensor, and a spacer layer is formed at the upper part of a substrate.例文帳に追加

キャビティ構造の形成方法は、特にイメ−ジ・センサーのパッケージングに有用であり、基板上部にスペーサー層が形成される。 - 特許庁

A top wall part 4 and a peripheral wall part 5 are integrally formed by the deep drawing of a paper material 3' having a gas barrier layer 7 on the upper surface thereof.例文帳に追加

上面にガスバリア層７を有する紙質素体３’を深絞り成形して天壁部４と囲壁部５を一体形成している。 - 特許庁

A communication port 25 to feed cooling water to a water jacket on the upper layer side is situated at one end part of the vertical passage 22.例文帳に追加

この縦流れ流路２２の一端部には、冷却水を上層側ウォータジャケットに送るための連絡口２５が設けられている。 - 特許庁