「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the formation of the balls 41 is prevented, and further the balls 41 which float to the upper surface of the rice malt substrate layer 24 are finely crushed.例文帳に追加

これで、玉の発生を抑制し、または麹基質層２４の上表面に浮上する玉４１は細かく破砕することができる。 - 特許庁

The middle layer floating fish bank 1 characterized by comprising floats 3 disposed on the upper portion side and weights 4 disposed on the lower portion side and vertically floating the fish bank in a standing state in stationary sea water.例文帳に追加

上部側に浮体３、下部側に重錘４を設け、静止海水に対して直立浮揚されるようにうする。 - 特許庁

A conductive interlayer insulating film 8a is formed on the upper surface of each first conductive layer 3 and isolated by the element isolation insulating film 7.例文帳に追加

導電層間絶縁膜８ａが第一導電層３の頂部上に配置され、素子分離絶縁膜７により分離されている。 - 特許庁

The upper/lower side fiber layer abuts on the first/second parts, to be separated from each other in the central part.例文帳に追加

上側繊維層と下側繊維層は、第１の部分及び第２の部分で境界を接し、中央部分で互いに分離されている。 - 特許庁

In the solder application step, cream solder 40 is applied onto plating parts 30 to project from the upper surface 24 of the second insulating layer 22.例文帳に追加

はんだ塗布工程では、めっき部３０上に第２絶縁層２２の上面２４から突出するようにクリームはんだ４０を塗布する。 - 特許庁

Accordingly, it is not necessary to form a recessed part on the semiconductor substrate 2 or the wiring layer 7 in order to allow the upper thin film 11 to be vibrated.例文帳に追加

したがって、上薄膜１１を振動可能とするために、半導体基板２や配線層７に凹部を形成する必要がない。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-2, 6-1 curve toward the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower Al film and an upper SiN film.例文帳に追加

個別変位部４−２，６−１は、基板１側に湾曲し、下側のＡｌ膜と上側のＳｉＮ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

A central ILD layer overlies the intermediate conductor for electrically insulating and separating the intermediate conductor lines from the upper conductor lines.例文帳に追加

中央ＩＬＤ層を中間導体の下に形成して、下部導体ラインから中間導体ラインを電気的に絶縁し分離する。 - 特許庁

To reduce an influence of an upper layer metal wiring pitch for pile driving to a pitch of gate wiring of a selection transistor included in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる選択トランジスタのゲート配線のピッチに対する上層の杭打用金属配線ピッチの影響を低減する。 - 特許庁

Also, a second sheet body 16 expandable and contractible at least in one direction is arranged on the whole upper face of the water-containing gel layer 13.例文帳に追加

一方、含水ゲル層１３の上面全面には少なくとも一方方向に伸縮自在の第２シート体１６が配置されている。 - 特許庁

The transmission weight is input to transmission weight multiplication units 17 and 23, and the interference coefficient is input to an upper layer 10 and an interference generation unit 15.例文帳に追加

送信ウェイトは送信ウェイト乗算部１７，２３に、干渉係数は上位層１０と干渉生成部１５に入力される。 - 特許庁

Then a (111)B plane is formed on the side face of the ridge and at an upper-end part of a part buried in the semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記リッジの側面であって前記半導体層に埋め込まれた部分の上端部分には（１１１）Ｂ面が形成される。 - 特許庁

An upper part of a gate electrode 106 and first and second source/drain regions 119A, 119B is an amorphous silicon layer 110.例文帳に追加

ゲート電極１０６及び第１，第２のソース／ドレイン領域１１９Ａ，１１９Ｂの上部が非晶質化シリコン層１１０となっている。 - 特許庁

Consequently, a clearance including an air layer is formed between a lower surface of the semiconductor wafer W and an upper surface of the susceptor 72.例文帳に追加

その結果、半導体ウェハーＷの下面とサセプタ７２の上面と間に気体層を挟み込んだ隙間が形成されることとなる。 - 特許庁

The, the positioning of the upper sub-magnetic pole 31 with respect to the lower sub-magnetic pole end layer 32 is easily realized.例文帳に追加

したがって、下部副磁極端層３２に対する上部副磁極３１の位置決めは比較的に簡単に実現されることができる。 - 特許庁

In addition, the upper surface of the substrate 10 is coated with a protective layer 40 except at the portions, where the plated-nickel layers 24 and plated-solder layers 26 are formed.例文帳に追加

さらに、絶縁基板１０の上端には、ニッケルメッキ層やハンダメッキ層２６の部分を除いて保護層４０で被覆される。 - 特許庁

A frame-like metallization layer 6 surrounding a recess 1a for containing a light emitting element 4 is fixed onto the upper surface of the ceramic basic body 1.例文帳に追加

セラミック基体１の上面に、発光素子４が収容される凹部１ａを取り囲む枠状メタライズ層６が被着されている。 - 特許庁

The distances from the surface of a passivation film to the taps are made nearly equal to that between the surface of the passivation film and upper-layer wiring.例文帳に追加

ここで、パッシベーション膜の表面からタップまでの距離は、パッシベーション膜の表面から上層配線までの距離とほぼ等しくする。 - 特許庁

The insulating layer 15 is provided on an upper surface of the adhesion-improving film 14b in the periphery of the adhesion-improving film 14a.例文帳に追加

密着力向上膜１４ａの周囲における密着力向上膜１４ｂの上面には絶縁層１５が設けられている。 - 特許庁

Temperature sensing is formed in the same layer with a gate line and includes a lower film, formed of aluminum and an upper film formed of molybdenum.例文帳に追加

また、温度感知線はゲート線と同一層に形成されており、アルミニウムからなる下部膜とモリブデンからなる上部膜とを含む。 - 特許庁

By forming a first polycrystalline semiconductor film 3 on a semiconductor substrate 1, an amorphous semiconductor film 4 is formed on its upper layer.例文帳に追加

半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その上層にアモルファス半導体膜４を形成する。 - 特許庁

In order to solve this, a constitution for forming a contact hole exposing the drain electrode at the upper part of the active layer is proposed.例文帳に追加

これを解決するために、本発明はドレイン電極をあらわすコンタクトホールをアクティブ層上部に形成する構成を提案する。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a laser structure capable of reducing the contact resistance between the upper electrode and the semiconductor layer in a semiconductor laser.例文帳に追加

本発明は半導体レーザにおいて上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減可能なレーザ構造を提案する。 - 特許庁

An upper portion of the GaN layer 13 is in a projecting mesa section 13a, and a Schottky electrode 15 is formed on the mesa section 13a.例文帳に追加

ＧａＮ層１３の上部は，突出したメサ部１３ａとなっており、メサ部１３ａ上にショットキー電極１５が形成されている。 - 特許庁

A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁

A photoresist 10 is used as an etching mask, to perform etching on an interlayer insulating film 9 for exposing the upper surface of a metal silicide layer 8.例文帳に追加

フォトレジスト１０をエッチングマスクとして用いて、金属シリサイド層８の上面が露出するまで層間絶縁膜９をエッチングする。 - 特許庁

The drift layer 14 has, on at least the upper portion thereof, highly-resistive regions 14a whose one part is selectively formed to have a high resistance.例文帳に追加

ドリフト層１４は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域１４ａを有している。 - 特許庁

By this method, prior to formation of a dielectric layer, a thin amorphous region is formed on the upper surface of the silicon base material.例文帳に追加

本発明の方法によれば、誘電体層の形成に先立って、薄いアモルファス領域がシリコン基材の上表面で形成される。 - 特許庁

To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に，基板にオーミック接続する配線又は電極を形成する。 - 特許庁

One surface of the plate 10 is provided with an adhesive layer 12 and is bonded to the upper surfaces of the LSI packages 13.例文帳に追加

このとき、前記プレート１０の一方の面には粘着剤層１２を設け、ＬＳＩパッケージ１３の上面に接合するようにする。 - 特許庁

The inside of an ink tank 12 serves as an ink chamber for housing the ink 14, and an air layer occupies an upper part of the ink chamber 13.例文帳に追加

インクタンク１２の内部はインク１４を収容するインク室１３となっており、インク室１３の上部は空気層が占めている。 - 特許庁

In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁

Electrolytic plating is applied to form wiring 11 inside the base metal layer 9 in the opening 8 of the upper insulation film 7.例文帳に追加

次に、電解メッキにより、上層絶縁膜７の開口部８内における下地金属層９の内部に配線１１を形成する。 - 特許庁

A built-up layer B1 formed by alternately laminating insulating layers 11 and 12, and conductor layers C1 and C2 is formed on the upper surface of the board 3.例文帳に追加

変換基板３の上面に、絶縁層Ｉ1 ，Ｉ2 と導体層Ｃ1 ，Ｃ2 とを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 を形成する。 - 特許庁

An n-type impurity region 6 is formed in an upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4.例文帳に追加

埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内にｎ型の不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

The power supply interconnections 101, 102 for the macro cell and the upper layer power supply interconnections 111-114 are mutually connected at their crossing point.例文帳に追加

マクロセル用電源配線１０１、１０２と上層電源配線１１１〜１１４は、両者が交差する箇所で互いに接続される。 - 特許庁

To suppress advance of siliciding of the other gate electrode at the time of forming a silicide film of an upper layer electrode film in a post-process.例文帳に追加

上層電極膜のシリサイド膜を後工程で形成する際に、他のゲート電極のシリサイド化の進行を抑制できるようにする。 - 特許庁

The rib material extends below a bottom surface from a level not higher than a top surface (10') of the upper layer (4') and not lower than the bottom surface.例文帳に追加

リブ材は、上層（４’）の頂面（１０’）より高くはなくその底面より低くはないレベルから底面の下方へ伸びている。 - 特許庁

An anode electrode 2, the organic EL layer 3, a cathode electrode 4, and an inorganic protection film 5 are formed on the upper surface of a transparent board 1.例文帳に追加

透明基板１の上面にはアノード電極２、有機ＥＬ層３、カソード電極４および無機保護膜５が設けられている。 - 特許庁

Aerosol containing particles of piezoelectric materials and carrier gas is sprayed onto the upper surface of the diaphragm 30 to form a piezoelectric layer 31.例文帳に追加

そして、振動板３０の上面に、圧電材料の粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルを吹き付けて、圧電層３１を形成する。 - 特許庁

Consequently, when the upper clad layer 16 is formed, Be and Se which have specifically high reactivity never come into contact with each other.例文帳に追加

これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 - 特許庁

Then the film 50 is baked and a positive upper-layer photoresist film 52 having high light transmittance is formed on the film 50.例文帳に追加

下層フォトレジスト膜をベーキングし、更に下層フォトレジスト膜上に光透過率の高いポジ型の上層フォトレジスト膜５２を成膜する。 - 特許庁

An upper metal wiring 9 is formed inside the contact hole 6 and the trench 8 so as to be electrically connected to the conductive layer 2.例文帳に追加

そして、コンタクトホール６内及びトレンチ８内には、導電層２と電気的に接続する上層金属配線９が形成されている。 - 特許庁

A gate structure 4c of MIS transistors is formed on an upper surface 1a of a semiconductor substrate 1 in a semiconductor layer 80.例文帳に追加

半導体層８０における半導体基板１の上面１ａ上には、ＭＩＳトランジスタのゲート構造４ｃが形成されている。 - 特許庁

To obtain a cellulose acylate film excellent in adhesiveness to the upper layer of the film without using a chlorine-based organic solvent such as methylene cloride.例文帳に追加

メチレンクロリドのような塩素系溶剤系有機溶剤を使用せずに、上層との密着性に優れたセルロースアシレートフイルムを得る。 - 特許庁