「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(114ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board comprises the processes of mounting the chip type resistor on an inner layer substrate, with a support body on the upper side and a resistor on the land side; stacking an interlayer insulation layer on the inner layer substrate; polishing the laminate; and forming a conductor layer on the polished laminate via an insulation layer.例文帳に追加

支持体を上側、抵抗体をランド側にしてチップ型抵抗体を内層基板に実装する工程と；前記内層基板に層間絶縁層を積層する工程と；前記積層板を研磨する工程と；前記研磨後の積層板に絶縁層を介在せしめて導体層を形成する工程とを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

The first conductive layer is formed as a light shielding layer of the semiconductor switching element formed on the first insulation layer and the second conductive layer is formed as one of electrodes of the capacitive element formed on its upper layer.例文帳に追加

基板上の画素領域に、第１の導電層、第１の絶縁膜、第２の導電層が順次形成され、前記第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成される半導体スイッング素子の遮光膜として形成されているとともに、前記第２の導電層はその上層に形成される容量素子の一の電極として形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the element substrate 100 includes: a process for forming a sacrifice layer having a first pattern on a substrate 10; a process for forming a metal layer at the upper portion of the formation and non-formation regions of the sacrifice layer; and a process for forming a metal layer 34 having a second pattern by removing the sacrifice layer by heating.例文帳に追加

本発明にかかる素子基板１００の製造方法は、基板１０上に第１のパターンの犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の形成領域および非形成領域の上方に金属層を形成する工程と、加熱することにより、前記犠牲層を除去して、第２のパターンの金属層３４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor substrate is manufactured by preparing a substrate having a thin layer Si(111) formed via an oxide film on an upper face of a bulk substrate, partially removing the thin layer Si(111), and then forming a thick film gallium nitride semiconductor layer, for example, a thick film AlGaN layer on the substrate surface where the thin layer Si(111) is formed.例文帳に追加

担体基板の上面上に、酸化膜を介して形成された薄層Ｓｉ（１１１）を基板とし、前記薄層Ｓｉ（１１１）の一部を除去した後、該薄層Ｓｉ（１１１）の存在する基板表面上に厚膜の窒化ガリウム系半導体層、例えば、厚膜ＡｌＧａＮ層を形成することで、窒化ガリウム系半導体基板を作製する。 - 特許庁

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a.例文帳に追加

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

In this liquid crystal display device 10, a liquid crystal layer 40 is inserted between a pair of substrates 20, 30 which are opposed to each other, a reflection layer 22 composed of a hologram reflection layer and cholesteric reflection layer, etc., is formed on the counter substrate 20 and a light scattering layer comprising a forward scattering film 50 is disposed on the upper surface of an element substrate 30.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１０は、互いに対向する一対の基板２０，３０間に液晶層４０が挟持されており、対向基板２０上にホログラム反射層、コレステリック反射層等からなる反射層２２が形成され、素子基板３０の上面には前方散乱フィルム５０からなる光散乱層が設けられている。 - 特許庁

This belt 10 for a tread mill comprises an intermediate canvas 20, a surface resin layer 21 disposed on the upper surface of the intermediate canvas 20, a primer layer 24 disposed on the lower surface of the intermediate canvas 20, an intermediate resin layer 25 disposed on the lower surface of the primer layer 24, and a rear surface canvas 26 disposed on the lower surface of the intermediate resin layer 25.例文帳に追加

トレッドミル用ベルト１０は、中間帆布２０と、中間帆布２０の上面側に配置される表面樹脂層２１と、中間帆布２０の下面側に配置されるプライマー層２４と、プライマー層２４の下面側に配置される中間樹脂層２５と、中間樹脂層２５の下面側にさらに配置される背面帆布２６とを備える。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 - 特許庁

The plasma display panel includes a pair of sustaining electrodes formed on an upper part of a front face substrate, a dielectric layer formed to cover the sustaining electrodes, a protecting sheet containing a color center formed on an upper part of the dielectric layer, and a back face substrate separated from the front face substrate with a fixed interval.例文帳に追加

本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、前面基板の上部に形成された維持電極対と、維持電極対を覆うように形成された誘電体層と、誘電体層の上部に形成された色中心を含む保護膜と、前面基板と一定間隔離隔した後面基板と、を含む。 - 特許庁

According to such a constitution, when the wire bonding or the like is carried out on the upper electrode layer employing a wire, damage generated on the connection between the wire and the upper electrode layer will not affect whereby the highly reliable nitride semiconductor laser element can be realized without generating the leak path of current.例文帳に追加

このような構成によると、上部電極層上にワイヤを用いてワイヤボンディングなどを実施した場合、ワイヤと上部電極層との接合部発生するにダメージの影響を受けず、電流のリークパスが発生することのない、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を実現できる。 - 特許庁

With a first resist 13a and a second resist 13b as masks, a first inter-layer insulating film 12a and a second inter-layer insulating film 12b are vertically etched, and a first contact hole upper region 15a and a second contact hole upper region 15b are formed.例文帳に追加

第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。 - 特許庁

For insulation resistance of the induction type magnetic transducer element, insulation resistance between the upper part magnetic layer 19 and the coil 20 is measured by using the upper part magnetic layer 19 side as plus and using the coil 20 side as minus and applying DC voltage simultaneously to the plurality of induction type magnetic transducer elements.例文帳に追加

誘導型磁気変換素子の絶縁抵抗は、上部磁極層１９側をプラス、コイル２０側をマイナスとして、複数の誘導型磁気変換素子に対して直流電圧を同時に印加して、上部磁極層１９とコイル２０との間の絶縁抵抗を測定する。 - 特許庁

In the crude argon tower 1 filled with the regular filling material to form the filling layer 2, the filling layer 2 is divided into the upper head 2A and the lower head 2B, and the filling height of the lower head 2B is set to be 24-32% of the total filling height of the upper head 2A and the lower head 2B.例文帳に追加

規則充填物が充填されて充填層２とされた粗アルゴン塔１において、この充填層２が上部ベッド２Ａと下部ベッド２Ｂとの２つのベッドに分割され、下部ベッドの充填高さを上部ベッドと下部ベッドの合計充填高さの２４〜３２％とする。 - 特許庁

The light emitting module 10 has: a metal substrate 12; multilayer interconnections (first and second interconnection layers 14, 18) formed on the upper surface of the metal substrate 12; and a light-emitting device 20 electrically connected to the upper layer, namely the second interconnection layer 18.例文帳に追加

本発明の発光モジュール１０は、金属基板１２と、金属基板１２の上面に形成された多層配線（第１配線層１４および第２配線層１８）と、上層の第２配線層１８に電気的に接続された発光素子２０とを備えた構成となっている。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

A silicon substrate 4, and the lower surface, side, and upper surface of the semiconductor composition 2, which has a columnar electrode 14 and a dissipation columnar electrode 15, are covered with a base plate 1 made up of a resin etc., a dielectric layer 17, an upper layer dielectric film 18, and an overcoat film 25.例文帳に追加

シリコン基板４、柱状電極１４および放熱用柱状電極１５を有する半導体構成体２の下面、側面および上面は、樹脂等からなるベース板１、絶縁層１７、上層絶縁膜１８およぴオーバーコート膜２５によって覆われている。 - 特許庁

In this method for manufacturing an integrated circuit; an upper layer is formed on a substrate having a light-receiving section, and an aperture is formed in the region of the upper layer, corresponding to the light-receiving section.例文帳に追加

受光部を有する基板上に上部層を形成し、上部層の受光部に対応する領域を開口する集積回路製造方法であって、上部層を複数回のエッチング条件でエッチングを行い、少なくとも１つのエッチング条件の終了後に酸素プラズマ処理を行う。 - 特許庁

A structure of the ventilation box is so constituted that the bottom section 2a is closed and an upper part 2b is opened and that a plurality of punching plates 3 perforating a large number of small holes 5 in a box 2 having the ventilation opening 4 in a lower part of one side surface are laminated over an upper layer from a lower layer in parallel.例文帳に追加

底部２ａが閉鎖されかつ上部２ｂが開放され、かつ一側面下部に換気口４を有する箱２の中に、小さな小孔５が多数個穿孔された複数のパンチング板３を下層から上層に亘って並列積層してなる換気ボックスの構造。 - 特許庁

The mattress 1 has a three-dimensionally knitted fiber layer 21 in which resin fibers are three dimensionally knitted, upper and lower comforter layers 22 and 23 provided so as to sandwich the three-dimensionally knitted fiber layer 21, a honeycomb ventilation gusset 24 nearly fully circumferentially connecting the ends of the upper and lower comforter layers 22 and 23.例文帳に追加

敷き布団１として、樹脂製ファイバーを立体的に編んだ立体編みファイバー層２１と、この立体編みファイバー層２１を挟むように設けられる上下コンフォータ層２２，２３と、上下コンフォータ層２２，２３の端部を略全周に渡って結ぶハニカム網状の通気マチ２４とを備える。 - 特許庁

A thermoelectric power generation module includes: a metallic heat conductor; a first heat insulation layer covering a part of a lower surface of the heat conductor; a second heat insulation layer covering an upper surface of the heat conductor; a thermoelectric element disposed on the upper surface; and a heat radiation part disposed on the thermoelectric element.例文帳に追加

熱電発電モジュールは、金属性の熱伝導体と、熱伝導体の下面の一部を覆う第１の断熱層と、熱伝導体の上面を覆う第２の断熱層と、上面上に配置された熱電変換素子と、熱電変換素子上に配置された放熱部と、を有する。 - 特許庁

A roof eaves edge is so constituted that a fixing hardware A is screwed by a screw (a) on the upper face of the eaves edge of a roof substrate concrete layer D along its edge, a waterproof sheet S is laid on the upper face of the concrete layer D, and the end of the waterproof sheet S is stuck to the fixing hardware A.例文帳に追加

屋根下地コンクリート層Ｄの軒先上面にその縁に沿って固定金物Ａをビスａ止めし、前記コンクリート層Ｄ上面に防水シートＳを張設するとともに、その防水シートＳの端部を固定金物Ａに貼着した屋根軒先構造に係わる。 - 特許庁

In the insulating film 3 having coating layers 2 each made of a thermosetting resin on upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1, the polymer layer 1 has projections each having a diameter of 0.05-4 μm and a depth of 0.1-9 μm of 1-50 pieces per 100 μm^2 on upper and lower surfaces.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に熱硬化性樹脂から成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、液晶ポリマー層１は、その上下面に直径が０．０５〜４μｍで深さが０．１〜９μｍの凸部を１００μｍ^２当たり１〜５０個有することを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal shutter 10 is cut from an upper side to an upper ITO film layer 12 in the horizontal direction in Figure to form columns, a rear surface side is cut to a lower ITO film layer 14 in the vertical direction in the Figure to form rows and the liquid crystal shutter is sectioned into nine sections S11 to S33.例文帳に追加

液晶シャッター１０の上層側からは図中水平方向に上層ＩＴＯ膜層１２までカットして行を形成し、裏面側は図中垂直方向に下層ＩＴＯ膜層１４までカットして列を形成し、あたかも９個の区画Ｓ１１〜Ｓ３３に区分した状態とする。 - 特許庁

This base for the liquid discharging head includes electrode wiring 105 for electrically connecting with a heating resistor, which forms a heating part 108, and an upper protective layer 107 provided above the heating resistor and the electrode wiring, wherein the upper protective layer is TaSi alloy including ≥22 at.% of Si.例文帳に追加

発熱部１０８を形成する発熱抵抗体に電気的に接続する電極配線１０５と、発熱抵抗体と電極配線との上方に設けられた上部保護層１０７と、を有し、上部保護層は、２２ａｔ．％以上のＳｉを含有するＴａＳｉ合金である。 - 特許庁

A pusher apparatus P is provided on a shaft type thermal decomposition melting furnace 1 wherein dust is thrown in from an upper portion of a furnace, and combustion assist gas is supplied from a bottom of the furnace to melt the thrown dust is melted and taken out from an upper layer drying region A through a thermal decomposition region B in a lower layer melting region C.例文帳に追加

炉上部からゴミを投入し、炉底部から支燃ガスを供給して、投入したゴミを上層の乾燥域Ａから中層の熱分解域Ｂを経て下層の溶融域Ｃで溶融して取り出すようにしたシャフト型熱分解溶融炉１に設けたプッシャ装置Ｐである。 - 特許庁

The upper layer film-forming composition to be used for forming an upper layer film on the surface of a photoresist film contains: a resin component (A) that dissolves in a developing solution for developing the photoresist film; and an amide group-containing compound (B).例文帳に追加

フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 - 特許庁

To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible.例文帳に追加

上部電極形成時のスパッタに与えられる有機ＥＬ発光層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

A secondary winding 4 is wound on a core portion 21 in a plurality of layers and a start wire S2 as a start of winding of the secondary winding 4 on the core portion 21 is covered by the upper layer of the secondary winding 4, and a primary winding 3 is wound outside the upper layer of the secondary winding 4.例文帳に追加

２次巻線４を巻芯部２１に対して複数層に巻回すると共に、この２次巻線４の巻芯部２１への巻き始め部分であるスタートワイヤＳ２を上層の２次巻線４によって覆い、１次巻線３を上層の２次巻線４の外側に巻回する。 - 特許庁

Double gate-type FET is formed where the first semiconductor layer is set to be the active layer, the first semiconductor film to be a lower gate insulating film, the first conductive film to be a lower gate electrode, the second insulating film to be an upper gate insulating film and the second conductive film to be an upper gate electrode.例文帳に追加

第１の半導体層を活性層とし、第１の絶縁膜を下側のゲート絶縁膜とし、第１の導電膜を下側のゲート電極とし、第２の絶縁膜を上側のゲート絶縁膜とし、第２の導電膜を上側のゲート電極とするダブルゲート型ＦＥＴを形成する。 - 特許庁

Since a larger amount of raw pseudo particle materials consisting of a raw ferromagnetic material containing iron and a solid fuel are segregated in the upper part of the layer of the raw material for sintering formed on the pallet, the sintering property of the upper layer of the raw material for sintering is improved, and the yield and the cold strength of the sintered ore are improved.例文帳に追加

パレット上に形成される焼結原料層の上層部に強磁性含鉄原料と固体燃料とからなる疑似粒子原料が多く偏析するので、焼結原料層の上層部の焼結性が改善され、焼結鉱の歩留や冷間強度の向上が達成される。 - 特許庁

A recording head is provided with a lower and upper magnetic pole layers 8, 11 including pole parts oppositely facing each other through a recording gap layer 10 and with a thin film coil 13 which is partially passed through these layers and which is spirally wound around the upper magnetic pole layer 11.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１０を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８および上部磁極層１１と、一部がこれらの間を通過し、上部磁極層１１を中心にして螺旋状に巻回された薄膜コイル１３とを有している。 - 特許庁

The top emission type organic EL display device comprising an organic EL element with a reflecting lower electrode, a functional layer and a light transmitting upper electrode laminated in this order, adopts a structure comprising the auxiliary wiring 5 joined by an indium-based soldered layer 6, on the upper electrode 15.例文帳に追加

反射性の下部電極と機能層と光透過性の上部電極とが順に積層された有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型の有機EL表示装置において、上部電極１５の上に、インジウム系の半田層６により接合された補助配線５を備えた構造を採用する。 - 特許庁

The electronic device is provided with the insulating substrate 101 having a recess 105 for receiving an electronic component on the upper surface 104 thereof, a metallized layer 102 formed on the periphery of the recess 105 on the upper surface 104 of the insulating substrate 101, and a metal frame 103 connected to the metallized layer 102.例文帳に追加

上面１０４に電子部品が収容される凹部１０５を有する絶縁基体１０１と、絶縁基体１０１の上面１０４の凹部１０５の周囲に形成されたメタライズ層１０２と、メタライズ層１０２に接合された金属枠体１０３とを備えている。 - 特許庁

In the cutting method of a film 1 for cutting the film 1 having at least an image forming layer 11 and a protective layer 12 on a supporting body by an upper blade 2 and a lower blade 3 with cutting angle of 80 to 95°, a film holding part 4 is provided on an upper side of the lower blade 3.例文帳に追加

支持体上に少なくとも画像形成層１１と保護層１２を有するフィルム１を刃先角が８０°〜９５°の上刃２と下刃３で切断加工するフィルム１の切断加工方法において、下刃２の上部にフィルム押さえ部４を有することを特徴とする。 - 特許庁

The solder fine contacts of the lower semiconductor package 210 are disposed at a plurality of upper-layer bumps 213 on a top surface 211A of the substrate 211, and the solder fine contacts of the upper semiconductor package 220 are disposed at a plurality of lower-layer bumps 223 on the reverse surface 221B of the substrate 221.例文帳に追加

下方半導体パッケージ２１０の半田微接点は基板２１１の上表面２１１Ａにある複数の上層バンプ２１３に位置し、上方半導体パッケージ２２０の半田微接点は基板２２１の下表面２２１Ｂにある複数の下層バンプ２２３に位置する。 - 特許庁

To improve the yield of a wiring board by making repair of a short- circuit failure point between upper and lower wirings generated through a pin-hole of an insulation layer easy by a conducting process, when a wiring board of a matrix structure comprising the lower wiring and the upper wiring separated by the insulation layer is used.例文帳に追加

絶縁層によって隔てられた下部配線と上部配線を有するマトリックス構造の配線基板を用いる場合において、絶縁層のピンホールを介して生ずる上下配線間ショート不良箇所を通電処理によって修復（リペア）し易くして、配線基板の歩留向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light-emitting device which is applied even when there are a plurality of upper layers to be grown after an active layer containing In, and the blackening of the active layer is prevented by specifying the conditions such as the growth temperature and the growth time etc. for the upper layers.例文帳に追加

Ｉｎを含んだ活性層よりも後に成長させる上層が複数になっても適用でき、上層の成長温度と成長時間等の条件を規定することで、活性層が黒色化するのを防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulator film 2, a lower electrode film 3, a dielectric film 4 and an upper electrode film 5 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1 to form a laminated layer structure, and a photo resist is coated on the laminated layer structure by a photolithography technique to form a photo resist pattern 6 for processing of an upper electrode.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁体膜２、下部電極膜３、誘電体膜４、上部電極膜５を順に積層させた積層構造の形成後に、フォトリソグラフィ技術を用いて積層構造上にフォトレジストを塗布し、上部電極加工用のフォトレジストパターン６を形成させる。 - 特許庁

This device comprises an upper vibration absorbing plate 2A fixed to an upper layer U of the multilayered body, a lower vibration absorbing plate 3A fixed to a lower layer L, and a connecting pin 10A inseparably connecting both the vibration absorbing plates 2A and 3A in a state where they are vertically disposed.例文帳に追加

多重積層物の上側積層物Ｕに固定される上側振動吸収板２Ａと、下側積層物Ｌに固定される下側振動吸収板３Ａと、両振動吸収板２Ａ，３Ａを上下位置に配置した状態で互いに離間しないように連結する連結ピン10Aとからなる。 - 特許庁

To solve a problem that when an upper layer film is deposited in such a state that a level difference is present between a sensor section and a peripheral circuit section, the thickness of the upper layer film at a part close to the level difference part is different significantly from the thickness at a part separated from the level difference part to cause unevenness in sensitivity at the sensor section.例文帳に追加

センサ部と周辺回路部との間に段差が生じた状態で上層膜を成膜すると、その段差の影響によって上層膜の膜厚が、段差部近傍の部位と段差部から離れた部位とで大きく異なるためセンサ部の感度ムラの原因となる。 - 特許庁

Therefore, as the oil liquid flowing between the oil cooling fins 4 and the oil liquid in the upper layer are separated by the covering board 29, the hot oil liquid in the upper layer is prevented from mixing with the oil liquid cooled while passing through between the cooling fins 4.例文帳に追加

これにより、各油冷却フィン４間を流通する油液と上層部の油液とが蓋板２９によって画成されるから、各油冷却フィン４間を流通して冷却された油液に上層部の熱い油液が混入するのを防止することができる。 - 特許庁

This natural grass vegetating structure 10 has a palm material nonwoven mat 12 which is laid on a foundation ground 11, a permeable water-retaining layer 13 which is formed on the upper surface of the palm material nonwoven mat 12, and the natural grass 14 which is vegetated on the upper surface of the permeable water-retaining layer 13.例文帳に追加

天然芝植生構造１０は、基礎地盤１１上に敷設された椰子材不織マット１２と、椰子材不織マット１２の上面に形成された透水性保水層１３と、透水性保水層１３の上面に植生された天然芝１４と、を備えている。 - 特許庁

In an active matrix type display device 1, each pixel 7 has a thin film light-emitting elements 40 having a pixel electrodes 41, an organic semiconductor film 43 laminated on the upper layer side of the electrode 41 and an opposed-electrode op formed on the upper layer side of the film 43.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置１では、各画素７に、画素電極４１、該画素電極４１の上層側に積層された有機半導体膜４３、および該有機半導体膜４３の上層側に形成された対向電極ｏｐを具備する薄膜発光素子４０を備えている。 - 特許庁