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「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11093



例文

In the electronic device, the InN crystal layer 2 is formed on a ZnO substrate 1 by epitaxial growth and an MISFET 3 (semiconductor element) is formed on the upper part of the InN crystal layer 2.例文帳に追加

本発明の電子デバイスでは、ZnO基板1の上にInN結晶層2がエピタキシャル成長され、InN結晶層2の上部に、MISFET3(半導体素子)が設けられている。 - 特許庁

The especially excellent anticorrosive of a processed part is obtained by the composite action of a specific surface treatment film being a lower layer film and the upper layer film containing the specific organic resin and the organometal compound.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、特定の有機樹脂および有機金属化合物を含有する上層皮膜との複合作用により、特に優れた加工部耐食性が得られる。 - 特許庁

The panel 30 is arranged so that a transparent electrode layer 3 of an upper transparent electrode board 10 and a transparent electrode layer 5 of a lower transparent electrode board 20 are opposed to each other through a prescribed interval.例文帳に追加

タッチパネル30は上部透明電極板10の透明電極層3と下部透明電極板20の透明電極層5とが所定の間隔で互いに対面するように配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device capable of measuring an amount of shift between device patterns formed on a lower layer and an upper layer with higher precision than the conventional method.例文帳に追加

下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。 - 特許庁

例文

An effective electrode area is controlled by trimming the upper electrode layer 25 of only a part where the piezoelectric/electrostrictive layer 24 covers the diaphragm 22, so that an ink jet amount is adjusted to an appropriate value.例文帳に追加

圧電/電歪層24が振動板22を被覆している部分のみ、上部電極層25をトリミングすることにより、有効電極面積を制御し、インク噴射量を適宜な値に調節する。 - 特許庁


例文

Each of the multiple metal bumps 30 is formed so as to be covered by the sealing resin layer 20 and be partially exposed from an upper surface of the sealing resin layer 20.例文帳に追加

そして、複数の金属バンプ30の各々は、上記した封止樹脂層20によって覆われている一方、その一部が封止樹脂層20の上面から露出するように 構成されている。 - 特許庁

Thus, since the upper wiring layer is formed by a plurality of laminated metallic films, the wiring layer can be made large in thickness without limitation of process and the wiring resistance be reduced.例文帳に追加

このように、上層配線層を積層された複数の金属膜で構成することで、製造プロセス上の制約を受けることなく配線層の膜厚を厚くすることができ、配線抵抗が減少する。 - 特許庁

The navigation apparatus specifies a node and a link for performing route search and route guidance by using the sub key for specifying the coordinates value when the version of the upper-layer data differs from that of the lower-layer data.例文帳に追加

ナビゲーション装置は、上位層データと下位層データのバージョンが異なる場合に、副キーを用いて座標値を特定することによって、ノードおよびリンクを特定し、経路探索および経路誘導を行う。 - 特許庁

A ridge Ri comprised of the p-type clad layer 104, the p-type contact layer 105 and p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of a blue purple semiconductor laser element 100.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子100の上面側では、p型クラッド層104、p型コンタクト層105およびp型オーミック電極106からなるリッジ部Riが形成されている。 - 特許庁

例文

An adhesive layer 9 is formed on the surface of an electrolyte membrane 8, and the electrolyte membrane 8 is bonded to the lower surface of an upper electrode plate 1 so that the adhesive layer 9 faces a lower electrode plate 2.例文帳に追加

電解質膜8の表面上に接着剤層9を形成し、この接着剤層9が下部電極板2に対向するように電解質膜8を上部電極板1の下面に貼付する。 - 特許庁

例文

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Cu配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for designing a semiconductor device, by which timing analysis of interior of a macro region as a lower layer can be carried out independently of an upper layer, by providing a wiring path passed through the macro region.例文帳に追加

マクロ領域を通過する配線経路を設け、下位レイヤであるマクロ領域の内部のタイミング解析を上位レイヤと独立して行うことができる半導体装置設計方法を提供する。 - 特許庁

The hydrophilic member precursor is obtained by laminating a hydrophobic polymer layer developing polymerization initiation capability by the application of energy and an upper layer containing a hydrophilic polymer containing a polymerizable group at least at the terminal thereof.例文帳に追加

エネルギー付与により重合開始能を発現する疎水性ポリマー層と、少なくとも末端に重合性基を含有する親水性ポリマーを含有する上層とを積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

The diode element is a diode element of a metal-insulation layer-metal type constructed by superposing a lower electrode, an insulation layer, and an upper electrode in this order formed on a flat substrate.例文帳に追加

ダイオード素子は、平坦な基板上に形成された下部電極、絶縁層、および上部電極をこの順で重ねて構成された金属−絶縁層−金属型のダイオード素子を構成する。 - 特許庁

At this time, an upper surface of the lower substrate adjoining to the semiconductor electrode layer, is formed so as to have at least one groove capable of increasing a contact area with the semiconductor electrode layer.例文帳に追加

このとき、半導体電極層に隣接した下部基板の上部表面は、半導体電極層との接触面積を増加させることができる少なくとも一つの溝を有するように形成される。 - 特許庁

The p-type electrode 12 is formed on the upper surface of a p-type GaAs contact layer 10 of the semiconductor laser 17 having a strain quantum well active layer formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

n型GaAs基板1の上に形成された歪み量子井戸活性層を有する半導体レーザ17のp型GaAsコンタクト層10の上面にp型電極12を形成する。 - 特許庁

The capacitor comprises a lower electrode 203, a second dielectric layer 204, and an upper electrode 205 having a part formed on the lower electrode 203 through the second dielectric layer 204.例文帳に追加

キャパシタ250は、下部電極203と、第2の誘電体層204と、下部電極203上に第2の誘電体層204を介在させて形成された部分を有する上部電極205とを含む。 - 特許庁

A lower electrode 18a, a piezoelectric layer 20 and an upper electrode 18b are formed on the dielectric layer 14a as a vibration means in a thickness longitudinal oscillation or thickness shear oscillation n-order mode.例文帳に追加

誘電体層14aの上には、厚み縦振動または厚みすべり振動n次モードの振動手段として、下部電極18a、圧電体層20および上部電極18bが形成される。 - 特許庁

The multilayer wiring board 10 keeps the flatness of the surface of the multilayer printed wiring board even if an upper layer via hole 70 is connected thereto because the surface of a lower layer via hole 50 is flat.例文帳に追加

多層プリント配線板10においては、下層バイアホール50の表面が平坦であるため、上層のバイアホール70が接続されても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。 - 特許庁

The central area of the nano-tube structural film is etched partially while the upper electrode layer is conducted with the lower electrode layer through the magnetic resistance film and the column type metals at the parts of etching.例文帳に追加

ナノチューブ構造膜の中央領域が部分的にエッチングされて、エッチング部分で上部電極層と下部電極層とが、磁気抵抗膜及び円柱状金属を介して導通されている。 - 特許庁

The upper layer power supply interconnections 111-114 are arranged at the position passing through over the macro cell 100 in the interconnection layer more superordinate than the macro cell 100 and the power supply interconnections 101, 102 for the macro cell.例文帳に追加

マクロセル100およびマクロセル用電源配線101、102よりも上位の配線層において、マクロセル100の上部を通過する位置に、上層電源配線111〜114が配置される。 - 特許庁

The upper part electrode 49 comprises a conductive metal layer 48 and conductive metal layer 50.例文帳に追加

この方法は、半導体基板に隣接する誘電体層を形成することと、第一誘電体層において相互接続構造の第一開口部およびコンデンサの第二開口部を同時に形成することとを含む。 - 特許庁

A groove 17 which at least reaches the lower surface of the core layer 13 is provided between the part immediately above the third linear part 13c of the second upper clad layer 16 and the part immediately above the plane part 18.例文帳に追加

第2上部クラッド層16の、第3直線部13cの直上部分と平面部18の直上部分との間に、少なくともコア層13の下面にまで達する溝17が設けられる。 - 特許庁

The filter body 1 comprises an upper surface part 13 and a lower surface part 14, and at least the lower surface part 14 of the filter body 1 comprises an inner layer 3a formed of meshes and an outer layer 3b formed of nonwoven fabric.例文帳に追加

フィルタ体1は上面部13と下面部14とを備えていると共に、フィルタ体1の少なくとも下面部14が、メッシュからなる内層3aと、不織布からなる外層3bとを備えている。 - 特許庁

In the reversible thermal recording medium wherein at least a reversible thermal recording layer is provided on a support, the surface roughness (Rz) on the upper surface side of the thermal recording layer is set to 1.5 μm or more.例文帳に追加

支持体上に少なくとも可逆性感熱記録層を設けた可逆性感熱記録媒体であって、該感熱記録層側表面の表面粗さ(Rz)を1.5μm以上とした。 - 特許庁

After the resin layer 3a formed by potting in the previous process is cured, a resin is potted on the upper part of IC chip 2 to cover the IC chip 2, and a resin layer 3b (c) is formed.例文帳に追加

さらに、前記工程においてポッティングして形成した樹脂層3aを硬化させた後に、ICチップ2の上部に樹脂をポッティングしてICチップ2を覆って樹脂層3bを形成する(図1(c))。 - 特許庁

To provide an ink-jet recording head and an ink-jet recording apparatus wherein a piezoelectric element layer and an upper electrode are extended to a peripheral wall and the destruction of the piezoelectric element layer at the boundary part with the peripheral wall is prevented.例文帳に追加

圧電体層及び上電極を周壁上まで延設し且つ周壁との境界部分での圧電体層の破壊を防止したインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置を提供する。 - 特許庁

The position deviation of a lower layer circuit pattern and an upper layer resist pattern is measured by using positional deviation measurement marks X1, Y1, X2, and Y2 which constitute of fine patterns equivalent to patterns arranged inside an integrated circuit.例文帳に追加

下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれを、集積回路内部に配置されているパターン相当の微細パターンにより構成された位置ずれ計測マークX1,Y1,X2,Y2を用いて計測する。 - 特許庁

The floor heating panel heater comprises a metal panel body 1 internally provided with a planar heating element 2 of an upper layer, a heat insulating material 6 of a lower layer, and the temperature sensor 4 arranged in a bottom face side of the planar heating element.例文帳に追加

上層の面状発熱体2と下層の断熱材6と面状発熱体の下面側に配設される温度センサ4を内装した金属製パネル体1からなる床暖房パネルヒータである。 - 特許庁

This magnetic recording head is provided with an upper shield layer 31, a lower shield layer 32, a magneto-resistive effect film 10 disposed therebetween, and a pair of electrodes 31, 32 electrically joined to the magneto-resistive effect film 10.例文帳に追加

上部シールド層31と,下部シールド層32と,これらの間に配置された磁気抵抗効果膜10と,磁気抵抗効果膜10に電気的に接合された一対の電極31,32とを有する。 - 特許庁

An upper layer conductive part 23 of a charge storage layer 17 of a memory cell has an inner side surface 29 and an outer side surface 31 composed of a pair of rising parts 27 formed at intervals each other.例文帳に追加

メモリセルの電荷蓄積層17の上層導電部23は、互いに間を設けて形成された一対の立上り部27により構成される内側面29及び外側面31を有する。 - 特許庁

The buried member for placing jointed concrete, that is buried in the jointed-concrete portion, inhibits flood on the jointed-concrete portion from flowing to the lower concrete layer, and therefore the flood evaporates from an external surface of an upper layer wall portion near the jointed-concrete portion to the outside.例文帳に追加

また打継部に埋め込まれた該打継埋め込み部材は、部への浸水が階下に流下するのを阻止するから、浸水は打継部近傍の上層階壁部外面から外気中に蒸発する。 - 特許庁

A via and a trench in a dielectric layer 30 is filled with copper 50', having a top surface which is lower than that of the dielectric layer 30 so as to form a damascene structure, having a recessed copper portion 52 in its upper portion.例文帳に追加

誘電体層30のビア部およびトレンチ部に、誘電体層30の上表面よりも低い上表面を有する銅50’を充填し、上部に銅凹部52を有するダマシン構造を形成する。 - 特許庁

To provide a method for atomizing an oily liquid by which the upper-layer oily liquid of a water/oil two liquid layer structure can be atomized without using a diaphragm such as a separation membrane.例文帳に追加

本発明は、分離膜等のダイアフラムを用いることなく、水/油の2液層構造の上層油性液体を霧化することができる油性液体の霧化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In each section at both ends, the wires are preferably wound such that as at least part in the vicinity of the upper layer of the end surface opposing the collar comes closer to the top of the layer, it becomes more distant from the collar.例文帳に追加

両端部の各セクションにおいて、鍔部に対向する端面の少なくとも上層付近が、上層となるに従い鍔部から離れるように導線を巻回することが好ましい。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第2p型クラッド層19,p型中間層20およびp型キャップ層21は、その上部に、帯状のリッジ部23と、帯状のダミーリッジ部25とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device (HFET) includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a SiC substrate 11 through a buffer layer 12; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 to generate a two-dimensional electronic gas layer on the upper part of the first nitride semiconductor layer 13; and electrodes 16, 17 selectively formed on the second nitride semiconductor layer 14 and having ohmic properties.例文帳に追加

半導体装置(HFET)は、SiC基板11上にバッファ層12を介在させて形成された第1の窒化物半導体層13と、該第1の窒化物半導体層13の上に形成され、該第1の窒化物半導体層13の上部に2次元電子ガス層を生成する第2の窒化物半導体層14と、該第2の窒化物半導体層14の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極16、17とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first wiring layer 10; a second wiring layer 20 provided to include overlapping parts 15, 25 planarly overlapping the first wiring layer 10 in an upper layer than the first wiring layer 10; and the fuse element 30 formed of polysilicon and formed in a shape of a contact hole electrically connecting the first wiring layer 10 and the second wiring layer 20 to the overlapping parts 15, 25.例文帳に追加

第1の配線層10と、 該第1の配線層10よりも上層に、該第1の配線層10と平面的に重なり合う重複部分15、25を含むように設けられた第2の配線層20と、 ポリシリコンで構成され、前記重複部分15、25に、前記第1の配線層10と前記第2の配線層20とを電気的に接続するコンタクトホール状に形成されたヒューズ素子30と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor constitution body 2, referred to CSP, is provided at the center part of the top surface of a base plate 1 and a rectangular frame type insulating layer 14 is provided around it; and an upper-layer insulating film 15 is provided on their top surfaces and upper-layer rewiring 17 is provided on its top surface while connected to a columnar electrode 12 of the semiconductor constitution body 2.例文帳に追加

ベース板1の上面中央部にはCSPと呼ばれる半導体構成体2が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層14が設けられ、それらの上面には上層絶縁膜15が設けられ、その上面には上層再配線17が半導体構成体2の柱状電極12に接続されて設けられている。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ/4の誘電体層111aを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン120a及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン120bを形成・硬化させた後、誘電体層111aをエッチングする。 - 特許庁

The high frequency dielectric resonator is a λ/4 dielectric resonator resonated in a TEM mode and provided with a rectangular dielectric block having an upper face, a lower face and 4 side faces, a 1st metallic layer applied on the upper face, a 2nd metallic layer applied on the lower face, and a 3rd metallic layer applied to one of the 4 side faces.例文帳に追加

TEMモードで共振するλ/4誘電体共振器であって、上平面、下平面及び4つの側面を有する矩形誘電体ブロックと、上平面にコーティングされた第1の金属層と、下平面にコーティングされた第2の金属層と、4つの側面のうちの1つの側面にコーティングされた第3の金属層とを備えている。 - 特許庁

A heat diffusing member having a high heat conductivity characteristic is formed at least on a part of the coil insulating layer in the outside area of the upper core layer, or formed in the outside area of the upper core layer in contact with a part of the coil conductor or in a manner for constituting a part of the coil conductor.例文帳に追加

上部コア層の外側領域におけるコイル絶縁層上の少なくとも一部に熱伝導特性の良好な熱拡散部材が形成されているか、又はコイル導体の一部に接触して若しくはコイル導体の一部を構成するように熱伝導特性の良好な熱拡散部材が上部コア層の外側領域に形成されている。 - 特許庁

When a data linking part 2 holds radio bearer information, that is, when user data is not transmitted from the upper layer after the radio bearer is set, a common flag 23 is off and at that time, a handler part 3 transmits corresponding dummy data (synchronous frame, etc.) stored beforehand in a memory area 33 from the lower layer closer to hardware to the upper layer.例文帳に追加

ハンドラ部3は、データリンク部2が無線ベアラ情報を保持したとき、すなわち無線ベアラ設定後、上位レイヤからユーザデータが送信されていない場合は、共通フラグ23がオフであり、そのときにはよりハードウェアに近い下位レイヤから上位レイヤに対応した、メモリ領域33に予め格納されているダミーデータ(同期フレーム等)の送信を行う。 - 特許庁

A lower electrode film 12 in the 2-layer structure of Ru/Cr, a piezoelectric film 13 of AlN and an upper electrode film 14 of Ru are formed on a substrate 11, and a first adjustment layer 15 of Ti having a second adjustment layer 16 of SiO_2 thereon is formed in an area facing the lower electrode film 12 on the upper electrode film 14.例文帳に追加

基板11上に、Ru/Crの2層構造の下部電極膜12、AlNの圧電膜13、およびRuの上部電極膜14を備えており、さらに上部電極膜14上の下部電極膜12と対向する領域には、SiO_2の第2の調整層16をその上に有するTiの第1の調整層15が設けられている。 - 特許庁

The white light emitting diode comprises: an ultraviolet light emitting diode; a mixed fluorescent material layer, which is formed on an upper surface of the ultraviolet light emitting diode, including a green fluorescent material and a blue fluorescent material; and a red light emission quantum dot layer, which is formed on an upper surface of the mixed fluorescent material layer, including red light emission quantum dot.例文帳に追加

紫外発光ダイオードと、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードである。 - 特許庁

On the lower ITO transparent film 12, a nickel oxide film 32 constituting an oxidation coloring layer, a tantalum oxide film 16 constituting a solid-state electrolyte layer, a mixture film 34 of tungsten oxide and titanium oxide constituting a reduction coloring layer and an upper ITO transparent electrode film 20 constituting an upper electrode film are deposited and laminated sequentially.例文帳に追加

下部ITO透明電極膜12の上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜32、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜16、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜34、上部電極膜を構成する上部ITO透明電極膜20が順次積層成膜されている。 - 特許庁

Further, Tg of the upper tread rubber layer is lower than that of the lower tread rubber layer, and the tread gage of the upper tread rubber layer is1/3 of the total tread gage and ≥ 0.2 mm.例文帳に追加

2層のトレッドゴム層の双方がゴム成分100重量部に対し90重量部以上のカーボンブラックを含有し、また、上層トレッドゴム層の、50℃におけるtanδが下層トレッドゴム層よりも高く、かつ、Tgが下層トレッドゴム層よりも低く、さらに、上層トレッドゴム層のトレッドゲージが全トレッドゲージの1/3以下であり、かつ0.2mm以上である。 - 特許庁

The optical element is formed as follows; at least a birefringent layer having a structure fixed while liquid crystalline monomers having polymerizable group on the terminals are homeotropically aligned is formed on the upper surface of the substrate having light transparency and an additive layer formed on the upper surface of the birefringent layer is removed.例文帳に追加

本発明は、光透過性を有する基材上面に、末端に重合性基を有する液晶性モノマーをホメオトロピック配向させた状態で固定化してなる構造を有する複屈折率層を少なくとも形成し、さらに上記複屈折率層上面に形成される添加剤層を除去することにより形成される光学素子である。 - 特許庁

In this ink jet recording element having a hydrophilic material- containing base layer, a binder, a mordant and a polymer particle-containing non-porous ink acceptable upper layer in the order named on a support, the diameter of the particle is below 5 μm and the particles occupy 20 to 50 mass % of the ink acceptable upper layer.例文帳に追加

記載した順に、親水性材料を含むベース層、並びにバインダー、媒染剤及びポリマー粒子を含む非多孔性のインク受容性上部層を支持体上に有してなるインクジェット式記録要素であって、前記粒子が、0.5μm未満の粒径を有し、そして前記インク受容性上部層の20〜50質量%の量で存在するインクジェット式記録要素。 - 特許庁

例文

The optical element comprises a columnar part 130 having an upper surface 132 with a light emitted and entered; and an electrode 150 comprising a plurality of layers including at least a first conductive layer 160 and a second conductive layer 170 laminated over the first conductive layer 160, and electrically connected to the upper surface 132 of the columnar part 130.例文帳に追加

光素子は、光が出射又は入射する上面132を有する柱状部130と、少なくとも第1の導電層160及び該第1の導電層160の上方に積層された第2の導電層170を含む複数層からなり、柱状部130の上面132と電気的に接続された電極150と、を含む。 - 特許庁




  
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