「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

A thickness H_2 from the lower surface of the upper cladding layer 108 to the lower surface of a buried layer 115 in the second stripe side area 152 is smaller than a thickness H_1 in the first stripe side area 151.例文帳に追加

第２ストライプサイド領域１５２における上クラッド層１０８下面から埋め込み層１１５下面までの厚さＨ_２は、第１ストライプサイド領域１５１における厚さＨ_１よりも小さい。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor devices wherein its sufficient characteristics can be secured for selectively etching an etched film, the upper-layer film thereof, and the lower-layer film thereof which are present on its semiconductor substrate and are object of dry etchings.例文帳に追加

ドライエッチングの対象となる半導体基板上の被エッチング膜とその上層の膜や下層の膜との選択的なエッチング特性を十分に確保し得る半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

At this time, the through hole 10 is formed so as to pass through the interlayer insulating film 8 and a titanium nitride layer 106 to reach the upper surface of an aluminium layer 105, and the recess 11 is formed deeper than the through hole 10.例文帳に追加

このとき、スルーホール１０は、層間絶縁膜８及び窒化チタン層１０６を貫通し、アルミニウム層１０５の上面に達するように形成され、凹部１１はスルーホール１０よりも深く形成される。 - 特許庁

To provide a processing liquid stirring device which is capable of making sufficient stirring by sufficiently generating convection between the upper layer near a liquid surface even in a tank of any shape and a lower layer near the base surface of the tank.例文帳に追加

いかなる形状のタンクにおいても液面近くの上層とタンク底面近くの下層間での対流を十分に発生することで、十分な攪拌ができる処理液攪拌装置の提供。 - 特許庁

The conductive paste 3 in each layer is partially contacted to a conductive paste 3 in its upper or lower layer as well as the ceramic green sheet 1A (1B), and the six ceramic green sheets 1A and 1B are laminated/press-bonded.例文帳に追加

各層の導電ペースト３をその上層または下層の導電ペースト３およびセラミックグリーンシート１Ａ（１Ｂ）にそれぞれ部分接触させて６枚のセラミックグリーンシート１Ａ、１Ｂを積層・圧着する。 - 特許庁

The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.例文帳に追加

多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁

In a gas diffusion layer manufacturing apparatus 100, a paste application device 10 applies paste containing a carbon particle, a thermoplastic resin particle and surfactant to an upper surface of a gas diffusion layer substrate 200.例文帳に追加

ガス拡散層製造装置１００において、ペースト塗工装置１０は、ガス拡散層基材２００の上面に、カーボン粒子と熱可塑性の樹脂粒子と界面活性剤とを含むペーストを塗工する。 - 特許庁

On the upper multilayer film reflecting mirror, a protecting film of a high resistance semiconductor layer whose resistivity is not lower than 10^5 Ωcm^2 is mounted directly or via the other compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、抵抗率が１０⁵Ω・ｃｍ²以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

In this case, the upper layer 12U and the lower layer 12L are made of a polyether imide and are formed to have a substantially same thickness, so that the edge 12B becomes superior in terms of durability and resistance to the environment.例文帳に追加

その際、上層１２Ｕおよび下層１２Ｌを、いずれもポリエーテルイミドで互いに略同じ厚さで形成することにより、エッジ部１２Ｂを耐久性および耐環境性に優れたものとする。 - 特許庁

The upper organic semiconductor layer 3B is provided in the location so as to be mutually separated from the regions R1, R2 and has solubility and conductivity that are higher than those of the lower organic semiconductor layer 3A.例文帳に追加

上部有機半導体層３Ｂは、領域Ｒ１，Ｒ２に互いに離間されるように配置されており、下部有機半導体層３Ａよりも高い溶解性および導電性を有している。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 using the insulation film 13 as a polishing stopper, the remaining insulation film 13 is used as a mask to perform etching to recede the upper end face of the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、残った絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、ｐ型半導体層１４の上端面を後退させる。 - 特許庁

The unit cell 2 includes a conductive base material 3, an organic thin film electromotive force layer 4 laminated on the conductive base material 3, and an upper electrode 5 laminated on the organic thin film electromotive force layer 4.例文帳に追加

単位セル２は、導電性基材３と、該導電性基材３上に積層された有機薄膜起電力層４と、該有機薄膜起電力層４上に積層された上部電極５とを備えている。 - 特許庁

To improve a planar magnetic element wherein a planar coil is so provided on the surface of a lower ferrite magnetic layer as to provide an upper ferrite magnetic layer on the planar coil inclusive of its clearance present between its coil wires.例文帳に追加

下部フェライト磁性層の面上に、平面コイルを有し、該平面コイルのコイル線間の空隙も含めてその上に上部フェライト磁性層を備えてなる平面磁気素子の改良に関する。 - 特許庁

To exactly measure the position deviation values of a lower layer circuit pattern and an upper layer resist pattern caused by the lens aberration of a stepper to be used for exposure in the lithography of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程のリソグラフィー工程において、露光に使用されるステッパーのレンズ収差に起因する下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれ量を正確に計測する。 - 特許庁

As a result, when an organic resin film 3 is formed on the surface of the Cu electrode layer 2, the film thickness 3b of the organic resin film 3 can be made large at the upper corner 2g of the Cu electrode layer 2.例文帳に追加

この結果、Ｃｕ電極層２の表面に有機樹脂膜３を形成したとき、有機樹脂膜３のＣｕ電極層２の上面コーナ部２ｇにおける膜厚３ｂを厚くすることができる。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A.例文帳に追加

そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート２２を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート１６Ａの各拡散層領域１６ｂの上面にエッチングストップ層２２ａを形成する。 - 特許庁

A first insulating film 1205 functioning as a blocking layer is formed on the substrate 1203 side of the TFT 1201, and a second insulating film 1206 is formed as a protective film on the opposite upper layer side.例文帳に追加

ＴＦＴ１２０１の基板１２０３側には、ブロッキング層として機能する第１絶縁膜１２０５が形成され、その反対の上層側には保護膜として第２絶縁膜１２０６が形成される。 - 特許庁

In the PBS 12, when S-polarized light is made incident from the upper surface 32a of the second transparent substrate 32, the reflected light thereof is reflected by the splitter layer 34 and diffracted by the hologram layer 36.例文帳に追加

ＰＢＳ１２は、第２透明基板３２の上面３２ａからＳ偏光光が入射すると、その反射光をスプリッタ層３４で反射させるとともに、ホログラム層３６で回折させる。 - 特許庁

The upper coat layer with high porosity is formed by using a slurry containing a carrier powder and a burnt-off powder and burning off the burnt-off powder by calcining after wash coating on the surface of the under catalyst layer 2.例文帳に追加

担体粉末と焼失性粉末とを含むスラリーを用い、下触媒層２の表面にウォッシュコート後に焼成して焼失性粉末を焼失させ、高気孔率の上コート層を形成する。 - 特許庁

First metal pillars 60 composed of plating metal are formed in first through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a first resist layer formed on the upper surface of a first metal layer 40.例文帳に追加

第１金属層４０上面に形成した第１レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第１貫通孔にめっき金属からなる第１金属柱６０を形成する。 - 特許庁

By using the Ni-Fe alloy film as a lower core layer 5 and/or an upper core layer 10, a thin film magnetic head capable of coping with high packing density can be formed.例文帳に追加

そして、前記Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を、下部コア層５及び／または上部コア層１０として使用することにより、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを形成することができる。 - 特許庁

At the formation of the mass transport part 30a on the side of the upper InP clad layer 26, the inventor newly finds out that an InP-embedded layer 30 can be formed with high precision.例文帳に追加

このような上側ＩｎＰクラッド層２６の側面にマストランスポート部３０ａを形成した場合、ＩｎＰ埋込層３０を高い精度で形成できることを発明者らは新たに見いだした。 - 特許庁

The refractive index of this intermediate refractive index layer 9 is between that of the hole injection electrode 2 and that of a region (nitrogen or air) contacted with the upper face of the intermediate refractive index layer 9.例文帳に追加

この中間屈折率層９の屈折率は、ホール注入電極２の屈折率と、中間屈折率層９の上面に接する領域（窒素または空気）の屈折率との間にある。 - 特許庁

The boundary part between the EGR layer and the air layer is the area having a large temperature gradient, and fuel is injected to this area by a fuel injection valve provided in the central upper part of the combustion chamber 5.例文帳に追加

ＥＧＲ層と空気層との境界部分は温度勾配の大きい領域であり、この領域に、燃焼室５の中央上部に設けた燃料噴射弁により、燃料を噴射する。 - 特許庁

To obtain a wiring board with laminated structure composed of an aluminum-containing lower layer and a high melting point metal upper layer, high in quality, and kept free from short-circuiting between wirings.例文帳に追加

アルミニウムを含む層を下層、高融点金属からなる層を上層とする積層構造を有する配線を用いた配線基板において、配線間の短絡欠陥のない高品質の配線基板を得る。 - 特許庁

The deep sea water lifted to the surface layer is slowly heated by the sun and the temperature becomes higher at the upper layer and, accordingly, the water is retained in the opening until it is discharged by the pump.例文帳に追加

表層に達した深層水は太陽で徐々に暖められ、表層に近付くほど温度が上昇するので、上記ポンプで排出されるまで、上記開口部内に滞留することになる。 - 特許庁

To obtain a multilayer board in which a conductor pattern formed between layers and an upper insulating layer and a lower insulating layer sandwiching the conductor pattern are not deformed even when a lamination treatment, a firing treatment or the like is applied.例文帳に追加

積層、焼成等の処理を加えても、層間に形成された導体パターン及びその導体パターンを挟む上下の絶縁層に変形の生じない多層基板を得ることを目的とする。 - 特許庁

To give an appropriate coating quantity per point of an adhesive being coated in dotted and uniform manner between a lower side layer consisting of flexible porous resin and a upper side layer consisting of rigid porous resin.例文帳に追加

軟質多孔性樹脂からなる下側層と硬質多孔性樹脂からなる上側層との間に点状且つ均一に塗付される接着剤の１点当りの適切な塗付量を与える。 - 特許庁

To provide a multilayer electronic component capable of simply preventing a level difference absorbing layer from getting over the upper surface of an internal electrode or a gap from occurring between the level difference absorbing layer and the internal electrode.例文帳に追加

段差吸収層が内部電極の上面に乗り上げたり、または、段差吸収層と内部電極との間に隙間が生じることを簡便に防止し得る積層電子部品を提供する。 - 特許庁

Therefore, the pixel wirings 18 can freely be laid out between the lower insulating layer 28 and upper insulating layer 30 irrelevantly to the arrangement of the gate lines 12, data lines 14, and pixel electrodes 20.例文帳に追加

したがって、ゲート線１２、データ線１４、および画素電極２０の配置に拘わらず、下側絶縁層２８と上側絶縁層３０との間において画素配線１８を自由に配線できる。 - 特許庁

Its folded part is extended to the upper surface and the lower surface perpendicularly crossing the stacking direction of the laminate, that is, a main surface of the ceramic green sheet 22 for the outer layer of the outermost layer and provided.例文帳に追加

その折り返し部は、積層体の積み重ね方向に対して直交する上面および下面、すなわち、最外層の外層用セラミックグリーンシート２２の主面に延在して設けられている。 - 特許庁

A lamination pattern including a lower layer made of a nitride based group III-V compound semiconductor and an upper layer made of another material is formed in a partial region on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面の一部の領域上に、ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる下層及び他の材料からなる上層を含む積層パターンが形成されている。 - 特許庁

The capacitance part is formed on the first insulation films (16, 21 and 22) and is provided with a lower electrode (6), a dielectric layer formed on the lower electrode (6) and an upper electrode (8) formed on the dielectric layer.例文帳に追加

容量部は、第１絶縁膜（１６、２１、２２）に形成され、下部電極（６）と、下部電極（６）上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された上部電極（８）とを有する。 - 特許庁

A high-voltage insulating layer 21 is formed on the upper side of the semiconductor layer laminate 13 in a region where an electric field generated between the first electrode 15 and the second electrode 16 is concentrated.例文帳に追加

半導体層積層体１３の上側における第１の電極１５と第２の電極１６との間に生じる電界が集中する領域には、高耐圧絶縁層２１が形成されている。 - 特許庁

The upper light reflection/diffusion layer 3 and the lower light reflection/diffusion layer 5 are arranged on vertically opposite sides of the spacer 4 to efficiently and widely guide light 11 from the light emitting device 8.例文帳に追加

スペーサ４の上下方向両側に上部光反射・拡散層３及び下部光反射・拡散層５を配置して発光素子８からの光１１を効率よく且つ広範囲に導光する。 - 特許庁

An insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a pair of electrodes of a capacitor, i.e. a lower layer electrode 3 and an upper layer electrode 5, are formed thereon while sandwiching an interlayer insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上に下層電極３と上層電極５とが層間絶縁膜４を挟んでコンデンサの一対の電極を形成している。 - 特許庁

For connecting the laminated foamed resin blocks 4 to each other, a connecting member 1 is made to pierce the upper layer of the foamed resin block 4 and inserted into the lower layer of the foamed resin block 4.例文帳に追加

連結具１は，積層した発泡樹脂ブロック４同士を連結するために，上側の上記発泡樹脂ブロック４を貫通させると共に下側の上記発泡樹脂ブロック４に差し込んで使用される。 - 特許庁

By this, when the second electrode 14 metal is vapor-deposited to the upper part of the light emitting layer 12, the permeation of the metal for forming the second electrode 14 into the light emitting layer 12 can be prevented effectively .例文帳に追加

これにより，発光層１２上部に第２電極１４金属の蒸着時，第２電極１４形成用金属が発光層１２に浸透することを効果的に防止することができる。 - 特許庁

After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer.例文帳に追加

光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。 - 特許庁

Subsequently, second metal pillars 90 composed of plating metal are formed in second through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a second resist layer formed on the upper surface of the first insulating layer 70.例文帳に追加

次いで、第１絶縁層７０上面に形成した第２レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第２貫通孔にめっき金属からなる第２金属柱９０を形成する。 - 特許庁

A side fringe part in the top face of a mesa is coated with two dielectric layers, and the lower side dielectric layer 111a is covered with the upper side dielectric layer 111b and is not exposed to the surface.例文帳に追加

また、メサの上面における辺縁部は２層の誘電体層で被覆され、下側の誘電体層１１１ａは上側の誘電体層１１１ｂによって覆われており表面に露出していない。 - 特許庁

This is a semiconductor storage device which has such constitution that the amorphous insulating layer 3, a ferroelectric layer 4 having orientation, and an upper electrode 6 are made in order on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１上に、非晶質の絶縁体３層、配向性を有する強誘電体層４、上部電極６が順次形成された構成を有する半導体記憶装置である。 - 特許庁

A gate electrode upper layer of a MOS transistor, a polycrystalline silicon film to be a base electrode of a bipolar transistor are formed on a polycrystalline silicon film to be a gate electrode lower layer of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極下層となる多結晶シリコン膜５１ｂの上に、ＭＯＳトランジスタのゲート電極上層およびバイポーラトランジスタのベース電極となる多結晶シリコン膜５２を形成する。 - 特許庁

Further, a capacitor is constituted of a first pixel electrode 3a formed on the insulating substrate 1, the gate insulating layer 4, and a capacitor upper electrode 6 formed in the same layer as the gate electrode 5.例文帳に追加

さらに、絶縁基板１上に形成された第１の画素電極３ａ、ゲート絶縁層４及びゲート電極５と同一層に形成されたキャパシタ上部電極６によりキャパシタが構成されている。 - 特許庁

A distance between an upper face and a lower face of the powder layer W is detected by a capacitance type displacement gage 11 to measure the thickness T of the powder layer W based on its output signal.例文帳に追加

粉末層Ｗの上面および下面までの距離を静電容量式変位計１１により検出し、その出力信号に基づいて前記粉末層Ｗの厚さＴを測定するものである。 - 特許庁