「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical waveguide device 100 is formed by arranging a plurality of plastic optical fibers which are commercialized on the top surface of a lower clad layer and further forming an upper clad layer on the top surface of the lower clad layer so that the plastic optical fibers are covered.例文帳に追加

下部クラッド層の上面に製品化されている複数のプラスチック光ファイバを配置し、更に当該プラスチック光ファイバを覆うように、下部クラッド層の上面に上部クラッド層を形成することにより、光導波路デバイス１００を形成する。 - 特許庁

A contact layer 7 is formed on the upper reflective layer 6, an annular p-type electrode 8 having a central current injection region is arranged on the contact layer 7, and an n-side electrode 9 is arranged on the lower surface of the substrate 1.例文帳に追加

上部反射層６上にはコンタクト層７が積層され、コンタクト層７上には、中央に電流注入領域を備えた円環形状からなるｐ側電極８が配置され、基板１下面にはｎ側電極９が配置されている。 - 特許庁

This construction plate 1 has an exposed surface 101 on which the lower side paint layer 3 is exposed in a part of the design surface 201 and has a covered surface 102 covering a surface of the lower side paint layer 3 with the upper side paint layer 4 in the other parts.例文帳に追加

建築板１は，意匠表面２０１の一部に，下側塗料層３が露出した露出表面１０１を有しており，その他の部分に，下側塗料層３の表面を上側塗料層４が覆った被覆表面１０２を有している。 - 特許庁

To provide packaged double-layer jelly that can be enjoyed visually, both when viewed from the upper side and when viewed from a side, and to provide a method for producing such a packaged double-layer jelly, that enables stably obtaining of the packaged double-layer jelly, using an easy method.例文帳に追加

上方から見た場合も側面からみた場合も視覚的に楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The first ferromagnetic layer (11) contacts with the first nonmagnetic layer (12) at its upper surface, while the first ferromagnetic layer (11) comprises a first orientation control buffer (22) which acts to raise the crystal orientation of the film formed over it.例文帳に追加

第１強磁性層（１１）は、その上面において第１非磁性層（１２）に接しており、且つ、第１強磁性層（１１）は、その上に形成された膜の結晶配向性を高める作用を有する第１配向制御バッファ（２２）を備えている。 - 特許庁

To solve a problem that emission of light becomes uneven due to uneven thickness of a film when an organic light emitting layer is formed by a wet film forming method on the upper surface of an inorganic hole injecting layer, because a pin-hole or a foreign matter is easily generated on the inorganic hole injecting layer in the process of forming a film.例文帳に追加

無機物の正孔注入層に成膜工程でピンホールや異物が発生し易いため、その上面に有機発光層を湿式法で成膜する際の膜厚ムラに起因する発光ムラが発生する問題を解決する。 - 特許庁

The optical waveguide circuit comprises: a clad layer formed on a substrate; an optical waveguide formed in the clad layer; and a heater for heating the optical waveguide, formed on the upper part of the clad layer and above the optical waveguide.例文帳に追加

本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。 - 特許庁

The lower layer 38 and the upper layer 40 are substantially equal in actual impedance to each other, and a second matching layer 36 meets a 1/4-wavelength matching condition on the whole for the wavelength of an ultrasonic wave.例文帳に追加

下層３８における実際の音響インピーダンスと上層４０における実際の音響インピーダンスとが実質的に同一であり、第２整合層３６それ全体として超音波の波長に対する１／４波長整合条件を満たす。 - 特許庁

The nonvolatile memory device containing an amorphous alloy oxide layer comprises a lower electrode, an oxide layer containing an amorphous alloy oxide and formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に非晶質合金酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極とを備える非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

Thereafter, etching gas such as hydrogen gas is introduced into a chamber while the SiC substrate 11 is heated in the chamber, by which the SiC substrate 11 is subjected to annealing, the upper implanted layer 12b of the implanted layer 12 is removed, and a lower implanted layer 12a is left unremoved.例文帳に追加

その後、チャンバー内でＳｉＣ基板１１を加熱しながら、水素ガスなどのエッチングガスを流すことにより、アニールを行なうと同時に注入層１２のうちの上部注入層１２ｂを除去し、下部注入層１２ａを残す。 - 特許庁

In the manufacturing process of the superconductive tape wire rod 11, the protection layer 26 of the repair superconductive tape wire rod 21 is adhered by solder H on the upper side of the stabilizing layer 17 corresponding to a defective part K generated in the superconductive layer 15.例文帳に追加

超電導テープ線材１１の製造過程において超電導層１５に発生した欠陥部Ｋと対応する前記安定化層１７の上面に補修用超電導テープ線材２１の保護層２６をハンダＨにより接着する。 - 特許庁

A precoated steel panel excellent in processing adhesion is constituted by providing a lower org. coating layer I and an upper org. coating layer II on at least the single surface of a steel panel and characterized by that the org. coating layer I contains 2-50 wt.% of a polytetrafluoroethylene resin.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、下層の有機被覆層Ｉと上層の有機被覆層IIを有し、有機被覆層Ｉがポリテトラフルオロエチレン樹脂：２〜５０重量％を含有することを特徴とする加工密着性に優れたプレコート鋼板。 - 特許庁

A second conductive layer 18 is made to extend from upper part of this first conductive layer 13 into the element isolation region 16, and the surface of this second conductive layer 18 has the same plane as the surface of the element isolation region 16.例文帳に追加

この第１の導電層１３上から素子分離領域１６内まで延在して第２の導電層１８が形成されており、この第２の導電層１８の表面は素子分離領域１６の表面と同一平面を有している。 - 特許庁

The soil of a lower layer vegetation base 31 is filled into the spaces of the porous concrete layer 20 and the pot parts 25 and 25A, the soil of a surface layer vegetation base 32 is filled from the upper side of that soil, and the root system of a vegetation 33 is held by these soils.例文帳に追加

ポーラスコンクリート層２０の空隙２２及びポット部２５，２５Ａに下層植生基盤３１の土壌を充填すると共に、表層植生基盤３２の土壌をその上から充填し、それらの土壌に植生３３の根系を保持する。 - 特許庁

The surface of the lower magnetic pole layer 8 on the recording gap layer 9 side has a first surface 8a, and a second surface 8b further spaced from the medium facing surface ABS than the first surface 8a and disposed in the location spaced from the upper magnetic pole layer 12.例文帳に追加

下部磁極層８の記録ギャップ層９側の面は、第１の面８ａと、この第１の面８ａよりも媒体対向面ＡＢＳから離れ、且つ上部磁極層１２から離れた位置に配置された第２の面８ｂとを有している。 - 特許庁

The bathing apparatus A includes: a bathtub 10, the inner surface of which is deformable as a result of being provided with a cushioning layer; and an air bubble supplying device 60 for supplying air bubbles to form a bubble layer Lb on the upper surface of the hot water layer Lh in the bathtub 10.例文帳に追加

入浴装置Ａは、クッション層を備えることで内面が変形可能となっている浴槽１０と、浴槽１０内の湯層Ｌｈの上面に泡層Ｌｂを形成するための気泡を供給する気泡供給装置６０とを備える。 - 特許庁

In the phase change optical disk, a phase change material layer provided with activation energy E2 larger than the activation energy E1 for the crystallization of a phase change recording layer where data are to be recorded is formed in contact at the upper part of the recording layer.例文帳に追加

相変化光ディスクにおいて、データが記録される相変化記録層の上部に該記録層の結晶化に対する活性化エネルギーＥ１よりも大きい活性化エネルギーＥ２を有する相変化材料層を接して形成された相変化光ディスク。 - 特許庁

To provide a continuous casting mold capable of prolonging the lifetime of the mold by solving a problem of separation of a thermal-sprayed layer caused when only a plated layer is provided on an upper portion of a copper plate of the mold and a metallic carbide thermal-sprayed layer is provided on a lower portion thereof.例文帳に追加

鋳型銅板の上部にはメッキ層のみを、下部には金属系炭化物の溶射層を設けた場合に生ずる溶射層の剥離の問題を解決し、鋳型寿命の一層の延長を図り得る連続鋳造鋳型を提供する。 - 特許庁

An insulative protection layer 6 is potted in an area excluding the earth pattern 5 of the substrate 1, the circuit element 3 and semiconductor bare chip 4 are covered with the insulative protection layer 6, and the upper surface of the insulative protection layer 6 is flattened by a press, etc.例文帳に追加

この基板１のアースパターン５を除く領域に絶縁性保護層６をポッティングし、絶縁性保護層６によって回路素子３と半導体ベアチップ４を覆うと共に、絶縁性保護層６の上面をプレス等で平坦化処理する。 - 特許庁

The mass ratio shown by ZrO_2/(CeO_2+ZrO_2+Nd_2O_3) in a Ce-Zr-Nd compound oxide contained in the lower catalyst layer is ≤70 mass% and the mass ratio in the upper catalyst layer is made larger than that in the lower catalyst layer.例文帳に追加

上下の各触媒層に含有されているＣｅ・Ｚｒ・Ｎｄ複酸化物のＺｒＯ２／（ＣｅＯ２＋ＺｒＯ２＋Ｎｄ２Ｏ３）で表される質量比について、下層の質量比を７０質量％以下にすると共に、上層の質量比を下層の質量比よりも大きくする。 - 特許庁

An oxide film 102 is formed on a first principal plane 101 on a silicon substrate 100, then, an island-type laminate 108 is formed with a first polysilicon layer 104a on the oxide film 102, and a cap insulating film 106a on the upper layer of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加

シリコン基板１００上の第１主面１０１上に酸化膜１０２を形成し、この酸化膜１０２上に第１ポリシリコン層１０４ａ、及びその上層にキャップ絶縁膜１０６ａを具えた島状積層体１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

The electrode for external connection includes a pad metal layer 8 whose upper surface is exposed, a first metal layer 2 that is formed between the pad metal layer 8 and the semiconductor substrate 1, and at least two first vias 22 that penetrate the interlayer dielectric 21 and electrically connect the pad metal layer 8 and the first metal layer 2, and are formed in the interlayer dielectric 21.例文帳に追加

外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。 - 特許庁

A drain-side select transistor SDTr has: a drain-side columnar semiconductor layer 57 in contact with an upper surface of the columnar portion 45A and extending in the stacking direction; a charge storage layer 55b surrounding the drain-side columnar semiconductor layer 57; and a drain-side conductive layer 51 to surround the charge storage layer 55b.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、柱状部４５Ａの上面に接して積層方向に延びるドレイン側柱状半導体層５７と、ドレイン側柱状半導体層５７を取り囲むように形成された電荷蓄積層５５ｂと、電荷蓄積層５５ｂを取り囲むように形成されたドレイン側導電層５１とを備える。 - 特許庁

An HFET 1 includes the group III nitride semiconductor layer composed of a lower GaN layer 13 and an upper AlGaN layer 14 having a trench T1 formed to expose a part of the GaN layer 13, a gate insulating film 15 formed on the group III nitride semiconductor layer, and a gate electrode 16 formed on the gate insulating film 15.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１は、下層のＧａＮ層１３およびＧａＮ層１３の一部を露出させるトレンチＴ１が形成された上層のＡｌＧａＮ層１４よりなるＩＩＩ族窒化物半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、を備える。 - 特許庁

The organic EL device 1 includes: a substrate 10; a projection part 11 formed on one surface 10a of the substrate 10; a luminous body 15 formed of a transparent electrode layer (an anode layer) 12, an organic light emitting layer (a light emitting element) 13, and a first reflecting layer (a cathode layer) 14 formed by sequentially superposing on a flat upper surface 11a of the projection part 11.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０の一面１０ａ上に形成された凸部１１と、この凸部１１の平坦な上面１１ａに順に重ねて形成された透明電極層（陽極層）１２、有機発光層（発光素子）１３、第一反射層（陰極層）１４からなる発光体１５とを備えている。 - 特許庁

In such a configuration, since the Au surface layer conductor 16 is held between the Ag via conductor 14 and the Ag surface layer conductor 17, Ag atoms are diffused from both the upper and lower surfaces of the Au surface layer conductor 16 into the Au surface layer conductor 16, and the concentration gradient of Ag atoms in the Au surface layer conductor 16 is reduced.例文帳に追加

この構成では、Ａｕ系表層導体１６がＡｇ系ビア導体１４とＡｇ系表層導体１７との間に挟まれるため、Ａｕ系表層導体１６の上下両面からＡｇ原子がＡｕ系表層導体１６中に拡散して、Ａｕ系表層導体１６中のＡｇ原子の濃度勾配が小さくなる。 - 特許庁

In addition, the wireless communication terminal 10 also has a lower layer (mainly, a layer 1) which detects that troubles occur in transmission before completion of transmitting all generated PDUs, and an upper layer (mainly, a layer 3) which instructs link re-establishment as a trigger of SDU retransmission to the RLC layer 120 if a trouble occurrence is detected.例文帳に追加

無線通信端末１０は、生成された全てのＰＤＵの送信終了前に送信に障害が発生したことを検知する下位レイヤ（主にレイヤ１）と、障害が発生したことが検知されるとＲＬＣレイヤ１２０にＳＤＵの再送のトリガとなるリンクの再確立を指示する上位レイヤ（主にレイヤ３）と、を更に備える。 - 特許庁

Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.例文帳に追加

孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises a lower electrode 13 used as a positive electrode provided on a substrate 10, an organic layer 14 that has at least a luminous layer 14c and is provided on the lower electrode 13, an electron injection layer 16 provided on the organic layer 14, and an upper electrode 17 made of a transparent conductive film provided on the electron injection layer 16.例文帳に追加

基板１０上に設けられた陽極としての下部電極１３と、少なくとも発光層１４ｃを備えて下部電極１３上に設けられた有機層１４と、有機層１４上に設けられた電子注入層１６と、電子注入層１６上に設けられた透明導電膜からなる上部電極１７とを備えている。 - 特許庁

A drain-side selection transistor SDTr includes: a drain-side columnar semiconductor layer 57a extended upward from upper surfaces of the columnar sections 35a; a drain-side gate insulating layer 56a formed while surrounding the side of the drain-side columnar semiconductor layer 57a; and a drain-side conductive layer 52a formed while surrounding the drain-side gate insulating layer 56a.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、柱状部３５ａの上面から上方に延びるドレイン側柱状半導体層５７ａと、ドレイン側柱状半導体層５７ａの側面を取り囲むように形成されたドレイン側ゲート絶縁層５６ａと、ドレイン側ゲート絶縁層５６ａを取り囲むように形成されたドレイン側導電層５２ａとを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

In a multilayer module structure of a printed circuit board, a Cu film is formed between pads on a lowermost layer, coupled with solder balls of a topmost layer and on corresponding parts of the lowermost layer to a pattern formed on an upper layer of the lowermost layer, thereby removing signal interference and noise, and matching the impedance.例文帳に追加

プリント回路板の多層モジュール構造において、最上層のソルダボール１１３に連結された最下層のパッド１６１とパッド１６１との間、及びこの最下層の上層に形成されたパターン１５２に対応する前記最下層の該当部分に銅膜１６３を形成して信号干渉及び雑音を除去し、インピーダンスを合わせるように構成した。 - 特許庁

The sealing material comprises a sealing layer 3 filling the discontinuous part by causing plastic deformation with a small stress and adhering to the discontinuous part by thermal curing and surface layer 2 laminated on upper face of the sealing layer 3 and the layer has no stickiness and not easily causing plastic deformation, wherein the surface layer 2 has excellent coating film adhesion and thermal cycle resistance.例文帳に追加

不連続部をわずかな応力で塑性変形を起こして充填し、且つ熱硬化で不連続部に接着するシール層３と、シール層３の上面に積層され、粘着性が無く、容易に塑性変形を起こさない表層２と、から形成されており、表層２が、良好な塗膜密着性と冷熱サイクル性を有するものである。 - 特許庁

Concretely, in the reflection preventing film 7, refractive index and film thickness of a lower layer insulating film 3 and an intermediate layer insulating film 4 are optimally controlled for raising reflection prevention effect, and in the sidewall 9, the film thickness of the lower layer insulating film 4, the intermediate layer insulating film 5, and the upper layer insulating film 6, is optimally controlled for forming an LDD region accurately.例文帳に追加

具体的には、反射防止膜７は、反射防止効果が高くなるように下層絶縁膜３と中間層絶縁膜４の屈折率および膜厚を最適に制御し、かつ、サイドウォール９は、ＬＤＤ領域を精度良く形成できるように下層絶縁膜４、中間層絶縁膜５および上層絶縁膜６の膜厚を最適に制御する。 - 特許庁

This thin-film transistor 10 is composed by including: a first stress layer 12 formed on the substrate 11, and adding stress to a layer located on the upper side to generate strain; the semiconductor layer 14 formed on the first stress layer; and a first gate electrode 15 formed through a first insulation film on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１上に形成され、上方に位置する層に対して応力を付加し、歪みを生ぜしめる第１の応力層１２と、前記第１の応力層上に形成された半導体層１４と、前記半導体層上において第１の絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極１５とを具えるようにして薄膜トランジスタ１０を構成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 19 is formed on the upper surface of an N type diffusion layer 12 (outside of the V shaped diffusion layer 12) between a P type diffusion layer 13 and an N type drain diffusion layer 17 on the N type diffusion layer 12, and the outer periphery of the silicon oxide film has tilted angles not smaller than 3 degrees and not larger than 30 degrees.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１２の表面におけるＰ型拡散層１３とＮ型ドレイン拡散層１７との間に形成されるシリコン酸化膜１９を、Ｎ型拡散層１２の表面に対して上側(Ｖ型拡散層１２の外側)に形成し、然も外周部における傾斜面の傾斜角を３°よりも大きく且つ３０°よりも小さく形成している。 - 特許庁

In concretely saying, the transparent resin layer 3 is provided on an upper face of a thermoplastic film 6 via a print coating layer 7, a shape holding layer 5 comprising an adhesive is provided on an under face, to be bonded onto the embossed aluminum foil 2, and the polyethylene terephthalate resin layer 1 is provided on an under face of the aluminum foil 2 via a polypropylene synthetic resin layer 4.例文帳に追加

具体的には、熱可塑性フィルム６の上面に印刷コーティング層７を介して透明樹脂層３を設け、下面に接着剤からなる保形層５を設け、これをエンボス加工されたアルミ箔２の上面に接着し、アルミ箔２の下面にはポリプロピレン系の合成樹脂層４を介して上記のポリエチレンテレフタレート樹脂層１を設ける。 - 特許庁

In the continuous casting mold in which an upper portion of a working surface of the mold is formed of a metal plated layer and a lower portion thereof is formed of a metallic carbide thermal-sprayed layer, the hardness of the metallic carbide thermal-sprayed layer is set to be equal to the hardness of the metal plated layer at a connection part to the metal plated layer, and increased downwardly.例文帳に追加

連続鋳造用鋳型の作動面が上部では金属メッキ層であり、下部では金属系炭化物の溶射層である連続鋳造用鋳型において、前記金属系炭化物の溶射層の硬度を、前記金属メッキ層との連接部では該金属メッキ層の硬度と同等とするとともに、下方に向かって高くなるようにする。 - 特許庁

The nitride based semiconductor diode comprises a first substance layer 101, an active layer 102, and a second substance layer 103 formed sequentially in layers wherein a ridge 104 is formed on the second substance layer 103 and a current interruption layer 113 is formed of AlGaN on at least one upper surface at the opposite ends of the ridge 104 and on the opposite side faces of the ridge.例文帳に追加

第１物質層１０１、活性層１０２、及び第２物質層１０３が順次に積層され、第２物質層１０３には、リッジ１０４が形成され、リッジ１０４の両端部のうち少なくとも一つの上面及びリッジの両側面には、ＡｌＧａＮからなる電流遮断層１１３が形成される窒化物系半導体レーザダイオードである。 - 特許庁

The solar battery comprises a translucent photodiffusion layer 1 having a total light transmittance of 70% or more and a diffusion transmittance of 60% or more and provided on the photodetecting surface 1a of the solar battery cell 1, and a fluorescent substance-containing transparent layer 8 laminated on an upper layer and/or a lower layer of the photodiffusion layer 7.例文帳に追加

全光線透過率が７０％以上、かつ拡散透過率が６０％以上である透光性光拡散層７が太陽電池素子１の受光面１ａに備えられ、さらに上記透光性光拡散層７の上層及び／又は下層に蛍光性物質含有透明層８が積層されてなる透光性光拡散層付き太陽電池。 - 特許庁

In the quantum well active layer 107, two compressive strain quantum well layers of InGaAsP and two barrier layers are arranged alternately such that an n-side barrier layer is present on the lower guide layer 105 side and a p-side barrier layer is present on the upper guide layer 109 side.例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０７は、ＩｎＧａＡｓＰからなる２層の圧縮歪量子井戸層および２層の障壁層が交互に配置され、下ガイド層１０５側にｎ側障壁層を有するようにかつ上ガイド層１０９側にｐ側障壁層を有するように積層されており、ｎ側障壁層の厚さをホールがトンネルしにくい１３０Åとする。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁