| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film.例文帳に追加
かかる光集積素子100は、III−V族化合物半導体多層膜を成長させる際に、EA型変調器2を構成する上部クラッド層16の厚さを、DFB半導体レーザ1を構成する上部クラッド層46よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁
Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown.例文帳に追加
かかる光集積素子100は、III−V族化合物半導体多層膜を成長させる際に、EA型変調器2を構成する上部クラッド層16の厚さを、DFB半導体レーザ1を構成する上部クラッド層46よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁
The magneto-resistance effect element 16 is completely entirely shielded by the upper shield layer 18 and the lower shield layer 13, and track corresponding parts are so formed that they may be along slopes inclined at a prescribed angle θ1 to upper and lower shield layers 18 and 13.例文帳に追加
また、磁気抵抗効果素子16は、その全体が上部シールド層18と下部シールド層13とで完全にシールドされるように設けられ、さらに、上部シールド層18および下部シールド層13に対して所定の角度θ_1 傾斜した傾斜面に沿うようにそのトラック対応部が形成されている。 - 特許庁
The nitride-based semiconductor device has pluralities of mask layers 2 that are brought into contact with the upper surface of the foundation 1 and at the same time are formed at specific intervals so that one portion of the foundation 1 is exposed, and the nitride-based semiconductor layer 3 that is formed on the upper surface of the foundation 1 and the mask layer 2.例文帳に追加
下地1の上面に接触するとともに、下地1の一部を露出するように、所定の間隔を隔てて形成された複数のマスク層2と、下地1の上面上およびマスク層2の上に形成された窒化物系半導体層3とを備えている。 - 特許庁
Consequently, because of the absence of an epoxy resin layer of the upper layer, otherwise to be formed on the upper surface of the metallic material, the fastening force applied concentrically to the fiber-reinforced composite material 1 is directly received by the bias thread 7, and large stress is not generated in an epoxy resin 4 which is present in the fiber-reinforced composite material 1.例文帳に追加
従って、上面のエポキシ樹脂層がないため、繊維強化複合材1に集中的に加わる締結力はバイアス糸7によって直接受け止められ、繊維強化複合材1の内部に存在するエポキシ樹脂4に大きな応力が生じない。 - 特許庁
A second mold mask having projection-like projecting parts is used, parts other than parts corresponding to via holes are hardened by being irradiated with UV light, thereafter the via holes are formed in a developing/baking process S23, and the photosensitive silver paste in an upper layer is connected to the conductor pattern through the via holes in an upper-layer application process S24.例文帳に追加
突起状の凸部を有する第2のモールドマスクを用い、UV光を照射してビアホールに対応する部分以外を硬化させた後、現像焼成過程S23でビアホールを形成し、上層塗布過程S24で上層の感光性銀ペーストをビアホールを介して導体パターンに接続する。 - 特許庁
Since the one of a composition indicated in the table (4) is used as the porcelain for the upper layer, calcination is possible at a low temperature equal to or below a temperature higher than the softening point of press porcelain for a zirconia frame only by 100(°C), and the thermal expansion coefficient of the generated upper layer is almost the same as the thermal expansion coefficient of the base material.例文帳に追加
上層用陶材として表に示す組成のものが用いられることから、ジルコニアフレーム用プレス陶材の軟化点より100(℃)だけ高い温度以下の低温で焼成可能で、生成された上層の熱膨張係数は基材の熱膨張係数と略同一である。 - 特許庁
At least one side edge 16E of each flat face 16S of the intermediate web is offset inside or outside from the respective side edges of the upper layer panel 12 and the lower layer panel 4 to form a recessed part 60 or a projecting part 62.例文帳に追加
中間ウエブの各平坦面の少なくとも一方の側方端縁が上層パネル及び下層パネルの各側方端縁よりも内側又は外側にオフセットして凹部又は凸部を提供している。 - 特許庁
Therefore, the leakage between its lower-layer wiring 3 and its upper-portion wiring comprising a barrier metal 14 and a Cu layer 15 which is generated by so forming the groove 11 of its wiring portion as to be deep excessively can be prevented.例文帳に追加
このため、配線部の溝11が深く形成され過ぎることにより下層配線3とバリアメタル14およびCu層15で構成される上部配線とのリークを防ぐことが可能となる。 - 特許庁
This cooking food is composed of a container with an opened top, capable of holding a shape at water boiling temperature, a gelatin layer held on the bottom of the container, and a cooking food material held on the upper part of the gelatin layer.例文帳に追加
水分の沸騰温度において形状を保持できる上部開口容器と、この容器の底部に収納したゼラチン層と、このゼラチン層の上部に収納した調理用食材からなる。 - 特許庁
This building board 1 is constituted by sequentially providing a lower paint layer 3 and an upper paint layer 4 on a design surface 201 of an original board 2 with the uneven pattern 203 where the many projections 21 and 22 are formed.例文帳に追加
建築板1は,多数の凸部21,22を形成してなる凹凸模様203を有する原板2の意匠表面201に,下側塗料層3,上側塗料層4を順次設けてなるものである。 - 特許庁
When the position of the fine particles 9 is on the side of an upper layer transparent porous film 4a, white display is performed and when the position of the fine particles 9 is on the side of a lower layer black porous film 4b, black display is performed.例文帳に追加
微粒子9の位置が上層透明多孔質膜4a側になると白色表示がなされ、微粒子9の位置が下層黒色多孔質膜4b側になると黒色表示がなされる。 - 特許庁
To provide an overlapping error measuring method for calculating the true value M of a precise overlapping error with a resist pattern for forming a lower layer pattern and an upper layer pattern, even if the optical axis is deviated.例文帳に追加
光軸にズレが生じても下層パターンと上層パターンを形成するためのレジストパターンとの正しい重ね合わせ誤差の真値Mを算定するこのができる重ね合わせ誤差測定方法を提供する。 - 特許庁
Next, a conductive film to be an upper electrode layer of an EL element is deposited from above the EL film to form a region where the conductive film contacts with the connection electrode layer.例文帳に追加
凹凸形状を有する導電性の接続電極層の上方からEL膜を成膜し、当該接続電極層表面を被覆しきれずに接続電極層表面が露出する領域を形成する。 - 特許庁
With the side wall insulating film and etching stopper film as masks, a conductive impurity D2 is introduced by allowing it to transmit the etching stopper film on the upper layer of the substrate, to form a source/drain diffusion layer 12.例文帳に追加
次に、サイドウォール絶縁膜およびエッチングストッパ膜をマスクとして、基板の上層のエッチングストッパ膜を透過させて導電性不純物D2を導入し、ソース・ドレイン拡散層12を形成する。 - 特許庁
The metal vacuum deposition workpiece is composed of a transparent or semi-transparent substrate and a metal deposited film prepared by directly depositing the metal without forming the undercoat layer on the upper layer of the substrate.例文帳に追加
透明又は半透明の基材と、前記基材の上層にアンダーコート層を形成することなく直接金属が蒸着された金属蒸着膜とで構成された金属蒸着加工物。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film magnetic head by which a highly flat upper electrode layer can be formed even when a wide magnetic domain controlling bias layer is provided, and the thin film magnetic head.例文帳に追加
ワイド型磁区制御用バイアス層を設けた場合にも、平坦性の良好な上部電極層を形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
An electrode 3 for attraction is provided on one principal surface of a plate-like body 4, an insulating layer 2 is provided on the electrode 3 for attraction, and the upper surface of the insulating layer 2 is used as a placing surface 2a for placing a wafer W thereon.例文帳に追加
板状体4の一方の主面に吸着用電極3を設け、吸着用電極3の上に絶縁層2を備え、絶縁層2の上面をウェハWを載せる載置面2aとする。 - 特許庁
In this way, the grain pattern by the ink layer 7 and the grain pattern by the printing layer 3 are positioned in the upper and lower layers to intensify the depth so that a pattern having solidity can be expressed.例文帳に追加
これにより、艶消着色インキ層7による木目柄と印刷層3による木目柄とが上下二層に位置して深みが強調され、立体感のある図柄表現が可能となる。 - 特許庁
The transparent conductive layer 9 is formed so as to extend from an inner portion of the contact hole 10 to an upper surface 15 of the interlayer insulating film 8, and electrically connected to the conductive layer 6b.例文帳に追加
透明性導電層9は、コンタクトホール10の内部から層間絶縁膜8の上部表面15上にまで延在するように形成され、導電層6bと電気的に接続されている。 - 特許庁
A silicon oxide film 10 (upper layer) is thickly laminated on the silicon oxide film 9 as a lower layer, correspondingly to the thinning of the silicon oxide film 9, by an HDP-CVD method in which compressive stress is relatively high.例文帳に追加
シリコン酸化膜9が薄くなった分、圧縮応力の比較的高いHDP−CVD法によるシリコン酸化膜10(上層)が、下層のシリコン酸化膜9の上により厚く積層されている。 - 特許庁
The outer surface of a lower outer layer material 3 is embossed 33 in a panel 4 made of a pair of upper and lower outer layer materials 2 and 3, and a plurality of spacers 5 are intervened in an inner space.例文帳に追加
一対の上・下の外層材2,3からなるパネル体4において、下方の外層材3の外表面にエンボス加工33を施し、内部空間に複数個のスペーサー5,5,…が介在させてある。 - 特許庁
The nonwoven fabric on the upper first layer has slide- proofness, and the nonwoven fabric on the lower first layer is a hydrophobic melt blow nonwoven fabric.例文帳に追加
少なくとも二種の不織布を一体化して成る多層構造体であって、上側第一層の不織布は防滑性を有しており、また下側第一層に配される不織布は疎水性メルトブロー不織布であるもの。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can suppress generation of any faulty contact even in the case of a high- aspect-ratio connection hole for connecting each other its upper-layer and lower- layer wirings.例文帳に追加
上層配線と下層配線を接続する接続孔が高アスペクト比となるものであってもコンタクト不良の発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A part of the upper surface of contact layer which is not covered with the incident side electrode P1 is provided with a recessed part 4, so that the light L which is received is preferably made incident to the optical detection layer 1.例文帳に追加
ここで、コンタクト層の上面のうち、入射側電極P1に覆われていない部分に凹部4を設け、受光対象光Lを光検出層1に好ましく到達させる構造とする。 - 特許庁
To provide porous concrete for vegetation excellent in working efficiency because of light weight, suitable for the vegetation, easy in joining mutual blocks of an upper layer part and a lower layer part and unremovable in the horizontal direction.例文帳に追加
軽量であるため作業効率に優れ、植生に適し、また上層部と下層部のブロック同士の接合が容易であるが、水平方向の取り外しができない植生用ポーラスコンクリートの提供 - 特許庁
In the edge, its cross-sectional surface is made into a taper shape so that the film thickness of the phase transformation layer may change in the upper portion of the contact area of the lower electrode and the phase transformation layer, and the edge is embedded into an oxide film 20.例文帳に追加
エッジ部は、下部電極と相変化層とのコンタクトエリアの上方で相変化層の膜厚が変化するようにその断面がテーパー形状とされ、酸化膜20により埋め込まれている。 - 特許庁
A transparent resin having a different refractive index from that of the upper transparent resin substrate 21 is applied to fill the wavy surface of the substrate to form a flattening layer 6a having a flat surface in the liquid crystal layer side.例文帳に追加
上側透明樹脂基板21の凹凸面に対してこの基板と屈折率が異なる透明樹脂を充填し、液晶層側の面を平面状に形成した平坦化層6aを設ける。 - 特許庁
In other words, when the ceramic package 1 is seen from the cavity 5's side (upper surface side), the insulating layer 25 is formed along the longer inner side of the frame 19 so that the first conductive layer 21 may not be exposed.例文帳に追加
つまり、セラミックパッケージ1をキャビティ5側(上面側)から見た場合、絶縁層25は、第1導電層21が露出しないように、枠部19の長辺の内側に沿って形成されている。 - 特許庁
To provide a surface treatment composition for forming a surface treatment film superior in corrosion resistance, thermal discoloration resistance, blackening resistance, scratch resistance and adhesiveness with an organic resin layer which is formed on the treatment film as the upper layer, after forming, and to provide a surface-treated steel sheet.例文帳に追加
耐食性、耐熱変色性、耐黒変性、耐キズ付き性、及び上層に形成される有機樹脂層との加工後密着性が優れた表面処理組成物およびを提供する。 - 特許庁
In the operation device, an upper case 3 includes a substrate 41 and a correction layer 42 which are integrally formed by two-color molding or insert molding, and a frame section 8 made by the same resin material as the correction layer 42.例文帳に追加
操作装置の上ケース3は、基板41と矯正層42が2色成形やインサート成形で一体に形成され、矯正層42と同じ樹脂材料で枠部8が形成されている。 - 特許庁
A resin layer 3 is formed on the substrate 1 so as to surround the circumference of the resin block 4, and second conductor planes 6 are formed on the top surface of the resin layer 3 so as to be conducted to the upper end of the interlayer connection conductors 5.例文帳に追加
基板1上に樹脂ブロック4の周囲と取り囲む樹脂層3を形成し、その上面に第2面内導体6を層間接続導体5の上端部と導通するように形成する。 - 特許庁
To provide a mounting structure that is improved in strength of connection between a surface-mounted device as an upper layer and a surface-mounted device as a lower layer without performing post-process reinforcement such as resin reinforcement.例文帳に追加
樹脂補強等の後工程補強を行うことなく、上層の表面実装デバイスと下層の表面実装デバイスとの接続強度を向上させた実装構造体を提供する。 - 特許庁
To provide an inter-layer closing device, preferably closing an inter-layer gap without restrictively connecting a wall panel and a floor material to each other, and surely preventing diffusion of smoke from a lower story to an upper story.例文帳に追加
壁パネルと床材とを拘束的に結合することなく層間隙間を好適に塞ぎ、下層階から上層階への煙の拡散を確実に防止することができる層間塞ぎ装置を提供する。 - 特許庁
The total film thickness of the silicon nitride film 211 and the silicon oxide film 212 is large so that the upper surface of the polycrystalline silicon layer 207 is not exposed when a silicide layer is subjected to be formed in a following step.例文帳に追加
シリコン窒化膜211およびシリコン酸化膜212の合計の膜厚は厚いので、後の工程でシリサイド層を形成する際には、多結晶シリコン層207の上面は露出しない。 - 特許庁
The timepiece dial 20 includes an electrophoresis dispersion-containing layer 40 and a reflective film 8 with an aperture 82 at the light-entering side of the electrophoresis dispersion-containing layer 40 (upper side in Fig. 1).例文帳に追加
時計用文字板20は、電気泳動分散液含有層40と、電気泳動分散液含有層40の光が入射する側(図1中上側)に、開口部82を有する反射膜8とを備えている。 - 特許庁
A concave-convex shape is intentionally formed by the crystal growth of the p-type contact layer 7 itself executed under a predetermined crystal growth condition on the upper surface (c surface) of this p-type contact layer 7.例文帳に追加
このp型コンタクト層7の上面(c面)には、所定の結晶成長条件下で実施されるp型コンタクト層7自身の結晶成長によって、凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁
The trenches are extended from the upper surface of the part of the n-type compound semiconductor layer in which mesa etching is carried out, or the lower surface of the substrate; and pass through a part of the depth of the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加
上記トレンチは、メサ蝕刻された上記n型化合物半導体層一部の上面または上記基板下面から延長され上記n型化合物半導体層の深さの一部を通過する。 - 特許庁
A plating resist layer 40 is formed on the conductive film 30 to have an opening 42 where the conductive film 30 is exposed partially at the upper portion of the inner surface and bottom surface of the recess 24 in the resin layer 20.例文帳に追加
樹脂層20の凹部24の内側面及び底面上方で導電膜30の一部が露出する開口42を有するようにメッキレジスト層40を導電膜30上に形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein dielectric strength between an upper-layer interconnection and a lower-layer interconnection is kept constant and the thickness of an interlayer insulation film in the other parts can be made small.例文帳に追加
上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、それ以外の部分の層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁
Next, the polycarbonate resin plate 7 with the coating film layer 8 and the top coat layer 9 formed on the surface is mounted on a lower mold 10 (Fig. c) and heated/compressed by the lower mold 10 and an upper mold 11 (Fig. d).例文帳に追加
次に、前記表面に塗膜層8とトップコート層9が形成されたポリカーボネート樹脂板7を下型10に乗せ(図3のc)、その下型10と上型11とで加熱圧縮する(図3のd)。 - 特許庁
Then, a projecting part 4a is formed on the surface of the semiconductor active layer 4, and a contact impurity area 6 is formed from the upper face of the projecting part 4a to the inside part of the semiconductor active layer 4.例文帳に追加
本発明では、半導体活性層4の表面に凸部4aを設け、凸部4aの上面から半導体活性層4内部に向けてコンタクト不純物領域6が形成されている。 - 特許庁
Heavy metal plate 6 are also arranged among the two lines of outer circumferential detector arrays, and the upper layer plate 4a and the lower layer plate 4b of the attaching frame 4, so as to reduce an influence of scattering.例文帳に追加
また、前記二列の外周検知器アレイと、装着フレーム4の上層板4a及び下層板4bとの間に、散乱の影響を少なくするための重金属板6が配置される。 - 特許庁
For example, when the pogo pin corresponding parts A to I are constituted by two layers, an upper layer is connected with the power supply wiring or the GND wiring through each switch, and a lower layer is connected with a signal pin.例文帳に追加
例えば、ポゴピン対応部A〜Iを2層により構成した場合、上層は各スイッチを介して電源配線またはGND配線へと接続され、下層は信号ピンへと接続される。 - 特許庁
It is preferable that the damper 4 installed at the core peripheral part frame of the lower layer part is made of a steel-based brace damper and that the damper 5 installed at the outer peripheral part frame of the upper layer part is made of a viscous stud damper.例文帳に追加
下層部のコア周部架構に設置するダンパー4を鋼材系ブレースダンパーとし、上層部の外周部架構に設置するダンパー5を粘性系間柱ダンパーとすることが好適である。 - 特許庁
A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加
次に、n型コンタクト層13の上に全面にSiO_2 からなる誘電体膜を堆積し、n型コンタクト層13の上面の(1−100)方向に延びるストライプ状のマスクパターン25を形成する。 - 特許庁
In an intersection part 7 of a signal line 6 and a scan line 11 in this matrix array substrate, a signal line lower layer line 51 is set to be sufficiently broad to absorb unevenness in an outline position of a signal line upper layer line 31.例文帳に追加
信号線6と走査線11との交差部7において、信号線下層配線51は、信号線上層配線31の輪郭位置のバラツキを吸収すべく、充分に幅広に設けられる。 - 特許庁
Then, after depositing a photosensitive resin layer 13 on the entire surface of the top face of the glass wafer so as to completely fill the groove part 12, the photosensitive resin layer 13 in the upper region of the light receiving part 2 is removed.例文帳に追加
次に、溝部12を完全に充填するようにガラスウェハ11上面の全面に感光性樹脂層13を堆積した後、受光部2の上方領域の感光性樹脂層13を除去する。 - 特許庁
The insole for the footwear has a lamination structure of which the surface layer being the most upper layer is formed of a transparent resin.例文帳に追加
積層構造を有する履物用中底であって、前記積層構造の最上層となる表面層が透明樹脂により形成されていることを特徴とする履物用中底を提供することにある。 - 特許庁
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