「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

The puzzle includes: a storage box 2 in which the base of a pattern is formed on the entire surface of a bottom portion 2b ; a lower layer piece group 4 which is overlaid on a bottom portion 2b of the storage box 2; and an upper layer piece group 5 which is overlaid on the lower layer piece group 4.例文帳に追加

底部２ｂの全面に絵柄の素地が形成された収納箱２と、この収納箱２の底部２ｂ上に重ねられる下層ピース群４と、この下層ピース群４に重ねられる上層ピース群５とによって構成されている。 - 特許庁

Further, the intermediate layer 12M is made of an acrylic adhesive and is made thicker than the upper layer 12U and the lower layer 12L, so that the loss tangent of the edge 12B is increased to prevent the occurrence of overamplitude at the lowest resonant frequency.例文帳に追加

また、中間層１２Ｍを、アクリル系粘着剤で、上層１２Ｕおよび下層１２Ｌの各々よりも厚く形成することにより、エッジ部１２Ｂの損失正接を大きくして、最低共振周波数における過振幅の発生を未然に防止する。 - 特許庁

Thereby, when lead frames after a plated layer 2e is formed therein are transferred or stored in pile, a defect that the upper lead 2b contacts with the plated layer 2e of the lower lead 2b to form a scratch in the plated layer 2e can be reduced or prevented.例文帳に追加

これにより、メッキ層２ｅ形成後のリードフレームを重ねて搬送または保管した場合に、上側のリード２ｂが、下側のリード２ｂのメッキ層２ｅに接触しそのメッキ層２ｅに擦れ傷を形成してしまう不具合を低減または防止できる。 - 特許庁

A lower electrode 56, a photoelectric conversion layer 57, and an upper electrode 58 are stacked in this order above a semiconductor substrate, and an n+ layer 53 that stores a charge generated in the photoelectric conversion layer 57 is connected to the lower electrode 56.例文帳に追加

半導体基板上に形成された下部電極５６、光電変換層５７、及び上部電極５８が順番に積層され、下部電極５６には光電変換層５７で発生した電荷を蓄積するためのｎ＋層５３が接続される。 - 特許庁

This image forming support includes a base polyester layer and an ink permeable upper polyester layer made of a continuous polyester layer having an absorption speed, which realizes the drying time of below 10 s, and a total absorption capacity of at least 14.0 cc/m2.例文帳に追加

ベースポリエステル層、並びに１０秒未満の乾燥時間となる吸収速度及び少なくとも１４．０ｃｃ／ｍ^2の総吸収容量を有する連続ポリエステル相からなるインク浸透性上部ポリエステル層を含んでなる画像形成支持体。 - 特許庁

To provide a nitride series semiconductor device capable of high-temperature growth of the nitride semiconductor layer by suppressing the formation of a reactive layer in the interface between oxide and nitride to improve a crystal quality of an upper layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸化物と窒化物の界面に反応層が形成されるのを抑制して窒化物半導体層の高温成長を可能にし、上部層の結晶品質を向上させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, on a light emitting layer composed of the positive hole transportation layer 103 and the organic EL layer 104, a silver-magnesium alloy is film-formed by a vapor deposition method so that the film-thickness is 100 nm, and the upper electrode 105 which is a negative electrode is formed.例文帳に追加

その後、正孔輸送層１０３及び有機ＥＬ層１０４からなる発光層の上に、蒸着法により銀−マグネシウム合金を膜厚が１００ｎｍになるように成膜して、負極である上電極１０５を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 15 includes a first part 15b joined to the lower end of the angled portion 14a at the upper surface, and a second part 15a provided between the side surface yoke layer 14 and the side surface of the free ferromagnetic layer 9.例文帳に追加

前記層間絶縁層１５は、上面において前記角部１４ａの下端に接合する第１部分１５ｂと、前記側面ヨーク層１４と前記自由強磁性層９の前記側面との間に介設された第２部分１５ａとを含む。 - 特許庁

A deeper side end surface 28c of the upper shielding layer 28 is protruded to the deeper and rear side of a deeper side end surface 21c of the lower shielding layer 21 and a lower conductive electrode 24 is formed closely to an opposite inner surface 21a of the lower shielding layer 21.例文帳に追加

上部シールド層２８の奥側端面２８ｃが、下部シールド層２１の奥側端面２１ｃよりも奥側後方へ突出して、下部導通電極２４は下部シールド層２１の対向内面２１ａに密着して形成されている。 - 特許庁

To produce a two-layer rubber extrusion body in which the cross-sectional area of an upper side layer is made larger than that of a lower side layer without lowering productivity without requiring work for replacing a rubber extrusion apparatus and work for changing an extrusion head body.例文帳に追加

ゴム押出機の付け替え作業、及び押出ヘッド本体の交換作業を要することなく、下側層の断面積を上側層の断面積に比して大とした２層構造のゴム押出体を、生産性を悪化させることなく生産する。 - 特許庁

The wiring 1040 is made up of terminal sections 1041, formed on the upper-face side of the base insulating layer 101, copper-coat layers 104, formed inside through-holes 123 of the base insulating layer 101 and a wiring pattern 1042 on the lower face side of the base insulating layer 101.例文帳に追加

配線１０４０は、ベース絶縁層１０１の上面側の端子部１０４１、ベース絶縁層１０１のスルーホール１２３内の銅めっき層１０４、およびベース絶縁層１０１の下面側の配線パターン１０４２により構成される。 - 特許庁

The lower layer rigid floor structure 51 is supported on a floor structure 7 of the lower layer space 6 through base-isolating supports 60, 70, and the posts penetrate a floor structure 2 of the indoor space 1 in a horizontally displaceable manner to support the upper layer rigid floor structure 52 into the indoor space.例文帳に追加

下層の剛性床組(51)は免震支承(60,70)を介して下層空間(6)の床構造体(7)上に支持され、支柱は、室内空間(1)の床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、上層の剛性床組(52)を室内空間に支持する。 - 特許庁

The backfill material on the back surface of a bank protection retaining wall 1 includes: a lower backfill layer 3 by earth and sand or the like; a laminated structure layer 4 comprising a resin material having gaps through which underground water can infiltrate; and an upper backfill layer 5 by earth and sand or the like.例文帳に追加

護岸擁壁１の背面の裏込め材を、土砂等による下部埋め戻し層３、地下水が浸入できる空隙を有する樹脂材料からなる積層構造体層４、および土砂等による上部埋め戻し層５とで構成する。 - 特許庁

To provide a composition of an intermediate layer material for a three-layer resist process, which is soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free from problems of a tailing pattern during patterning the upper layer resist, peeling of the pattern and line edge roughness, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、パターン剥れ、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Carrier films which have ceramic green sheets 1 for forming a lower outer layer, an inner layer and an upper outer layer, respectively are conveyed to parallel, and the respective carrier films are pierced in order and laminated by a prescribed number of times in a loading metallic mold 20 on the basis of lamination number of sheets.例文帳に追加

下外層部、内層部、上外層部を形成するセラミックグリーンシート１をそれぞれ備えたキャリアフィルムを平行に搬送し、それぞれのキャリアフィルムを順に打ち抜いて積層枚数に基づいて積み込み金型２０に所定回数積層する。 - 特許庁

Furthermore, since the porous layer 14 arranged between a fuel gas passage and the fuel electrode layer is composed of a porous substance, a flow of the fuel gas toward the upper surface of the fuel electrode layer 12 is hardly interrupted and a permeability of the fuel gas can be maintained.例文帳に追加

また、燃料ガス流路と燃料極層１２との間に介在する多孔質層１４は多孔質からなるから、燃料ガスの燃料極層１２の上側面への流通が阻害され難く、燃料ガスの透過性が確保される。 - 特許庁

A lower insulating layer 2 which is as thick as the drain electrode 7, a gate electrode 4 which is as thick as the source electrode 3, and an upper insulating layer 6 which is as thick as the insulating layer 5 are stacked on one side of the stack across a gap portion.例文帳に追加

この積層体の一方の側方に、間隙部を挟んで、ドレイン電極７と同じ厚さの下部絶縁層２と、ソース電極３と同じ厚さのゲート電極４と、絶縁層５と同じ厚さの上部絶縁層６とを積層する。 - 特許庁

In a liquid crystal device 100, a ruggedness forming layer 13a and an upper layer film 7a each composed of photosensitive resins 13 and 7 are formed on the lower layer side of a light reflecting film 8a in an image display area 10a of a TFT(thin film transistor) array substrate 10.例文帳に追加

液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａには、光反射膜８ａの下層側に感光性樹脂１３、７からなる凹凸形成層１３ａおよび上層膜７ａが形成されている。 - 特許庁

Therefore, it is easy to properly form the magnetic pole part 26 in an approximately rectangular shape, and the problem of the curvature of the gap layer due to the preparation of the conventional Gd defining layer or the problem of the decrease in volume of the upper magnetic pole layer and so forth are not generated.例文帳に追加

従って前記磁極部２６を略矩形状で適切に形成しやすく、従来のようにＧｄ決め層が設けられていることによるギャップ層の湾曲化の問題や、上部磁極層の体積低減の問題等は発生しない。 - 特許庁

Magnetic recording and play-back independent of optical recording is performed by providing a magnetic recording layer 3 as an upper layer of an optical recording layer 4 of a recording medium 2 and providing a magnetic head 8 on the side opposed to an optical head 6 to perform recording or playing-back.例文帳に追加

記録媒体２の光記録層４の上層に磁気記録層３を設け、かつ光ヘッド６と対向する側に磁気ヘッド８を設け磁気記録もしくは再生を行うことにより、光記録と独立した磁気記録再生が可能となる。 - 特許庁

The solid-state image sensing device is formed in the structure including a solid-state image sensing element 11, an α-ray shielding layer 13 formed to cover at least an image sensing region of the solid-state image sensing element 11, and a cover glass 14 provided at the upper layer of the α-ray shielding layer 13.例文帳に追加

固体撮像素子１１と、固体撮像素子１１の少なくとも撮像領域を被覆するように形成されたα線遮蔽層１３と、α線遮蔽層１３の上層に設けられたカバーガラス１４とを有する構成とする。 - 特許庁

When forming a cesium layer in an electron emitting means 10 (the cold cathode), first of al, a backing layer 25 composed of gold is formed in an upper part of the electron emitting means 10, and cesium is evaporated from a cesium source 22, and a layer 24 composed of Cs/Au is formed.例文帳に追加

電子放出手段１０（コールドカソード）にセシウム層を形成するには、まず、電子放出手段１０の上部に金からなる下地層２５を形成し、セシウム源２２からセシウムを蒸発させてＣｓ／Ａｕからなる層２４を形成する。 - 特許庁

A conductive holding substrate 11 is joined with the bottom face of the layer 12, and a translucent semiconductor substrate 13 used in growing the nitride semiconductor layer is joined with the upper surface of the layer 12.例文帳に追加

窒化物半導体層１２の底面側には導電性の保持基板１１が接合されており、窒化物半導体層１２の上面側には、窒化物半導体層の成長に用いられた透光性の半導体基板１３が接合されている。 - 特許庁

This stopper layer performs a role of an etching stopper when etching back the unnecessary embedded layer at the upper part of the trench (step S20), and hence a step between the stopper layer and the field oxide film is reduced after the etching to improve the flatness of an element isolation region.例文帳に追加

このストッパ層はトレンチ上部の不要な埋め込み層をエッチングバックする際に（工程Ｓ２０）エッチングストッパの役割を果たすので、エッチング後にストッパ層とフィールド酸化膜との段差が少なくなり素子分離領域の平坦性が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, performing interconnect line using copper interconnect line, which can suppress a spread of copper to interlayer insulating film by removing a barrier metal layer in upper layer interconnect line groove when removing the barrier metal layer of a connection hole.例文帳に追加

銅配線を用いて配線を行う半導体装置において、接続孔のバリアメタル層の除去の際に、上層配線溝におけるバリアメタル層の除去による層間絶縁膜への銅の拡散を抑えることができる半導体装置を得ること。 - 特許庁

A panel body 7 of an upper panel includes a base material 3 made of resin, and the skin material 5 made of resin integrally laminated on a front side of the base material 3 and having a front side solid layer 11 and the foaming layer 15 on a back side of the front side solid layer 11.例文帳に追加

アッパパネルのパネル本体７は、樹脂製基材３と、基材３の表側に一体に積層され、表側ソリッド層１１及び表側ソリッド層１１の裏側に発泡層１５を有する樹脂製表皮材５とを備えている。 - 特許庁

A lead frame has an outermost surface layer, which is formed of either gold, palladium, platinum or an alloy thereof, at least in a portion subjected to wire bonding, in an upper layer of a reflection layer formed of rhodium or an rhodium alloy on a conductive substrate.例文帳に追加

リードフレームは、導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された最表層を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有している。 - 特許庁

To perform residue processing simply and securely after forming a penetration part in an insulating protective film on a lower layer metal film, and to form an upper layer metal film securely by maintaining the exposed surface of the lower layer metal film in good condition.例文帳に追加

下層金属膜上の絶縁性保護膜に貫通部を形成した後の残渣処理を簡単かつ確実に行い、下層金属膜の露出面を良好な状態に維持することによって上層金属膜の形成を確実に行うこと。 - 特許庁

Then, while joining an insulator layer 3 formed in the upper surface of a semiconductor substrate 4 and the impurity semiconductor layer 2, a cleavage plane is formed along with the high concentration ionized layer L by performing annealing treatment so as to cut a substrate along with the cleavage plane.例文帳に追加

その後、半導体基板４の上面に形成された絶縁体層３と不純物半導体層２を接合させるとともに、アニール処理を施して高濃度イオン層Ｌに沿って劈開面を形成し、当該劈開面に沿って基板を切断する。 - 特許庁

To prevent discontinuity at the time of WET etching and to prevent aluminum constituting a signal line from spreading to the drain electrode of a pixel switching element in an array substrate equipped with the signal line having three layer structure of a lower layer Mo/AlNd / an upper layer Mo.例文帳に追加

下層Ｍｏ／ＡｌＮｄ／上層Ｍｏの３層構造を有する信号線を備えたアレイ基板において、ＷＥＴエッチング時の断線を防ぎ、且つ信号線を構成するＡｌが画素スイッチング素子のドレイン電極へ拡散することを防ぐ。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a sapphire substrate 101; a primary GaN layer 103 formed on the sapphire substrate 101; and a primary oxidation layer 104 formed near to an upper part of a defect which resides in the primary GaN layer 103.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１と、サファイア基板１０１上に形成された第１のＧａＮ層１０３と、第１のＧａＮ層１０３に存在する欠陥の上部近傍に形成された第１の酸化層１０４とを備える。 - 特許庁

The current block layer 18 forming a ridge portion to the upper part of the p-type clad layer 16 and the p-type contact layer 17 is formed of a dielectric material where a part of nitrogen atoms forming the III-V group nitride semiconductor is replaced with oxygen atoms.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６の上部及びｐ型コンタクト層１７にリッジ部を形成する電流ブロック層１８は、III-Ｖ族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。 - 特許庁

At least a bottom substrate among a top substrate, each of intermediate substrates and the bottom substrate is provided with a rigidity enforcement layer at almost the entire face of its upper face, and this rigidity enforcement layer is a conductive layer and its part configures a prescribed connection path.例文帳に追加

頂部基板、各中間基板及び底部基板のうち少なくとも底部基板が、その上面のほぼ全面に剛性補強層を備え、この剛性補強層が導電性層であり、その一部が所定の接続通路を構成している。 - 特許庁

Successively, an insulating layer 60 is formed so as to cover the individual electrodes 42, on the upper surface of the piezoelectric layer 41, by spraying an aerosol similar to an aerosol containing particles and carrier gas used in the piezoelectric layer forming process by the AD (aerosol deposition) method (blowing process).例文帳に追加

続いて、個別電極４２を覆うように圧電層４１の上面に、ＡＤ法により圧電層形成工程で用いた粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルと同様のエアロゾルを噴きつけて絶縁層６０を形成する（噴きつけ工程）。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

A lower base layer 3 formed by printing a primary ink and an upper base layer 4 formed by coating an outer coating material for a beverage can containing optical interference pigments 10 so as to coat the lower base layer 3 are formed on a face 2 to be coated of a can body 1.例文帳に追加

缶体１の被塗装面２に、下地インキが印刷されてなる下地層３と、下地層３を被覆するようにして、光干渉型顔料１０を含有する飲料缶用外面塗料が塗装されてなる上地層４とを形成する。 - 特許庁

Further, a groove 12 is formed on a transparent insulating substrate 1 in advance and the lower-layer wiring line of the structure is buried therein to suppress the disclination defect due to the step of the lower-layer wiring line and the wire breaking defect of the upper-layer wiring line.例文帳に追加

また、予め透明絶縁基板１に溝１２を形成し、その中に上記構造の下層配線を埋設することにより、下層配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層配線の断線不良の発生を抑制する。 - 特許庁

The thin film capacitor has a laminated structure composed of a lower electrode 14, a Ta or Nb conductor layer 16, an Al_2O_3 or SiO_2 insulating layer 28, a Ta_2O_5 or Nb_2O_5 dielectric layer 18, and an upper electrode 20 which are all laminated on a substrate 12 in this sequence from below.例文帳に追加

基板１２上に、下から順に、下部電極１４、ＴａまたはＮｂの導体層１６、Ａｌ_2Ｏ_3またはＳｉＯ_2の絶縁層２８、Ｔａ_2Ｏ_5またはＮｂ_2Ｏ_5の誘電体層１８、上部電極２０が積層した構造を有する。 - 特許庁

The reproducing head is provided with a GMR element 5, a lower shield layer 3 and an upper shield layer 8 for shielding the GMR element 5, the conductive layer 6 connected to the GMR element 5 and shield gap films 4a, 4b, 7a and 7b formed between the shield layers 3 and 8.例文帳に追加

再生ヘッドは、ＧＭＲ素子５と、ＧＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＧＭＲ素子５に接続された導電層６と、シールド層３，８の間に形成されたシールドギャップ膜４ａ，４ｂ，７ａ，７ｂを備えている。 - 特許庁

This method of wipe examination for microorganisms features carrying out cultivation by putting or pasting the fiber layer by which the surface of the subject for examination is wiped on a culture medium containing a water-soluble polymer compound layer as the upper layer to confirm the presence of the microorganisms.例文帳に追加

検査対象物表面を拭き取った繊維層を、水溶性高分子化合物層を上層に持つ培地に載せるか、または張り付けて培養を行い、微生物の存在を確認することを特徴とする微生物の拭き取り検査方法。 - 特許庁

The dielectric buffer layer is adhered on the metal film or the strip metal, the metal film or strip metal and buffer layer are clamped between two layers of dielectric, and the surface of the upper layer of the dielectric is arranged with a hole which is taken as a measuring groove.例文帳に追加

誘電体バッファ層は金属薄膜またはストリップ状金属の上に付着され、金属薄膜またはストリップ状金属とバッファ層は二層の誘電体の間に挟まれ、また、誘電体の上層表面に穴を開けて測定溝とする。 - 特許庁

The infrared sensor includes an MIM diode 18 which is composed of three layers of a lower metal layer 30, an insulation layer 32 and an upper metal layer 34 and provided between the pair of antenna patterns 14 and 16, for rectifying the electromagnetic wave detected by the antenna patterns 14 and 16.例文帳に追加

下金属層３０、絶縁層３２及び上金属層３４の３層から成り、一対のアンテナパターン１４，１６の間に設けられ、アンテナパターン１４，１６により検出された電磁波を整流するＭＩＭダイオード１８を備える。 - 特許庁

The semiconductor module is constituted so that one or more laminate structures in which a lower-layer chip 11, an intermediate layer chip 12, and an upper-layer chip 13 are laminated, are mounted on a lead frame 2 made of copper, copper alloy, etc., having heat dissipating properties and high thermal conductivity.例文帳に追加

放熱性を有し、高熱伝導率をもつ銅、銅合金等で構成されるリードフレーム２上に、下層チップ１１と中間層チップ１２と上層チップ１３が積層された積層構造が一つまたは、複数搭載されている。 - 特許庁

A warp prevention conductor 26 is arranged in an insulator layer 16 arranged on an upper face S1-side of the laminate 12 rather than an insulator layer 16 where the main line ML is arranged and an insulator layer 16 where the sub line SL is arranged.例文帳に追加

反り防止用導体２６は、主線路ＭＬが設けられている絶縁体層１６及び副線路ＳＬが設けられている絶縁体層１６よりも、積層体１２の上面Ｓ１側に設けられている絶縁体層１６に設けられている。 - 特許庁

In a liquid crystal device 100, a recessed and projecting parts formation layer 13a and an upper layer film 7a made of photosensitive resin 13 and 7 are formed on a lower layer side of a light reflection film 8a in an image display area 10a of a TFT array base plate 10.例文帳に追加

液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａには、光反射膜８ａの下層側に感光性樹脂１３、７からなる凹凸形成層１３ａおよび上層膜７ａが形成されている。 - 特許庁