「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacture of a semiconductor device capable of preventing increase in parasitic capacitance and reduction of an operation speed even when an upper layer gate electrode and a lower layer gate electrode have an extension part from an SOI layer to an element isolation region in a back gate MOSFET of an SOI-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩ型半導体層のバックゲートＭＯＳＦＥＴにおいて上層及び下層ゲート電極がそれぞれＳＯＩ層から素子分離領域まで延伸部を有しても寄生容量の増加と動作速度の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A non-magnetic layer 15, a free layer 16, and a cap layer 17 are arranged at the upper part of the fixed layer 19.例文帳に追加

スピンバルブ膜８は反強磁性層１１の上部に４層の強磁性層１２，１４１，１４２，１４３がそれぞれの間に反強磁性結合層１３１，１３２，１３３を介して積層された固定層１９を有し、固定層１９の上部に非磁性層１５、自由層１６、キャップ層１７を有する。 - 特許庁

A transfer device 31 to transfer the housed article 1 from the lower layer housing spaces S1-S6 to the upper layer housing space S2-S7 in order is provided in order to house the housed article 1 tightly from the uppermost layer housing space S7 to the lower layer housing spaces S6-S1 in order.例文帳に追加

被格納物１を最上段の格納空間Ｓ７から順次下位段の格納空間Ｓ６〜Ｓ１へと密に格納すべく、被格納物１を下位段の格納空間Ｓ１〜Ｓ６から上位段の格納空間Ｓ２〜Ｓ７へ順次移送させる移送手段３１を設けた。 - 特許庁

The optical waveguide includes a lower clad layer, an optical waveguide core and an upper clad layer which are each made of organic materials and successively formed on the inorganic substrate except a silicon substrate, and a buffer layer made of silicon oxide or spin-on glass between the inorganic substrate and the lower clad layer.例文帳に追加

光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層が順次形成されており、無機基板と下部クラッド層との間に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層が設けられている。 - 特許庁

This ground structure is composed of a water permeable base layer 3 molded by depositing an infinite number of roadbed materials, a plurality of concrete blocks 2 positioned in a horizontal plane in the base layer 3, and respectively separately juxtaposed at a regular interval, and a water permeable surface layer 4 laid on an upper surface of the base layer 3.例文帳に追加

無数の路盤材を堆積して成形される透水性の基盤層３と、前記基盤層３中に水平面内に位置しかつそれぞれ一定の間隔離して並置される複数のコンクリートブロック２と、前記基盤層３の上面に敷設される透水性の表面層４とからなる。 - 特許庁

In this case, the third insulating layer 128 for gap-fill is formed on the upper part of the semiconductor substrate 100 including the second insulating layer 126, and preferably the third insulating layer 128 is formed by an HDP (high density plasma) oxide layer with high gap-fill characteristic by using an HDP procedure.例文帳に追加

その場合に、第２絶縁膜１２６を含む半導体基板１００の上部には、ギャップフィルのための第３絶縁膜１２８が形成され、好ましくは第３絶縁膜１２８は高密度プラズマ方式(ＨＤＰ)を用いて埋め込み特性のよいＨＤＰ酸化膜で形成する。 - 特許庁

In this cell plate, an air pole layer 1, a solid electrolyte layer 2, and a porous base body 4 are made in a rectangular plate shape, and a cell element layer fitted with the air pole 1 and the fuel pole 3 on the upper side and bottom side of the solid electrolyte layer 2 respectively is laminated on the porous base body 4.例文帳に追加

このセル板では、空気極層１、固体電解質層２、燃料極層３及び多孔質基体４が矩形板状で、固体電解質層２の上面、下面にそれぞれ空気極１及び燃料極３を被着した電池要素層が多孔質基体４上に積層される。 - 特許庁

The plasma display panel has a front substrate 110 and a back substrate 112, and a pair of sustaining electrodes 114, 116, an upper dielectric layer 118, and a protection layer 120 are successively formed on the front base panel, and an address electrode 122, a lower dielectric layer 124, barrier ribs 126, and a phosphor layer 128 are formed on the back substrate 112.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルは、前面基板110と背面基板112を有し、この前面基板上に順次、維持電極対１114,116、上部誘電体層118、及び保護層120が形成され、また、背面基板112上に順次に、アドレス電極122、下部誘電体層124、隔壁126、及び蛍光体層128が形成される。 - 特許庁

The optical recording medium is provided with a recording cell section having a structure where a lower protective layer, a phase change recording layer using a reversible phase change between an amorphous phase and a crystal phase, and an upper protective layer are laminated in this order on a substrate, and an isolation layer for isolating each cell.例文帳に追加

基板上に下部保護層、非晶質相と結晶相の間の可逆的相変化を利用した相変化記録層、上部保護層の順に積層された構造を有する記録セル部と各セルを隔離するための隔離層で構成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

To provide a multilayer type composition which comes to a multilayer structure in which the boundary between an aqueous layer and its upper layer of a powder dispersion layer is clearly layer-separated on standing, excels in the redispersibility of the powder on shaking, and has a good effect of adsorption on sebum and a good touch on application.例文帳に追加

静置した時には、水性層とその上層の粉末分散層との境界が明確に層分離した多層構造となり、振盪した時には粉末の再分散性に優れ、塗布時には皮脂吸着効果や使用感触のよい多層型組成物を提供する。 - 特許庁

In the magnetic disk, a track for tracking consisting of magnetic patterns is formed in a single helical shape or in a concentric circle shape on the lower layer 30 of the recording layer 3a of this magnetic disk and a plurality of recording tracks 33 are formed corresponding to one track 31 for tracking on the upper layer 32 of the recording layer 3a.例文帳に追加

この磁気ディスク３の記録層３ａの下層３０には、磁気パターンからなるトラッキング用トラック３１が単一螺旋状あるいは同心円状に形成され、記録層３ａの上層３２には、一つのトラッキング用トラック３１に対応して複数の記録トラック３３が形成される。 - 特許庁

To form the optical wave guide 9, the upper face of the element 1 is covered with a clad layer 91, a core layer 93 is formed on the clad layer, a core part 94 having a desired shape such that the core part 94 laps the light emitting part 101 of the element 1 in a planar view is patterned, and clad layer 97 is lapped on the core part 94.例文帳に追加

光導波路９の形成は、素子１の上面をクラッド層９１で覆い、その上にコア層９３を形成し、平面視で素子１の発光部１０１と重なるような所望形状のコア部９４をパターニングし、その上にクラッド層９７を重ねる。 - 特許庁

The metallic layer covering the insulation layer is ground to be removed, and with the metallic layer left in the trench, a metallic pixel 44 is formed, and with the metallic layer left in the via opening part, a mutual connection body 42 is formed between the metallic pixel and the inner semiconductor device, and the upper surface of the base material is flattened.例文帳に追加

絶縁層に被せた金属層を研磨して除去し、金属層をトレンチ内に残して金属ピクセル４４を形成し、バイア開口部内に残して金属ピクセルと下側の半導体装置との間に相互連結体４２を形成し、基材の上面を平坦化する。 - 特許庁

The pattern length of a gate line GL formed in the upper layer of a diffusion layer RS of a wafer SI is grasped, and sub-field division is carried out by arranging connecting parts DP1 and DP3 in an NRS outside the region of the diffusion layer RS so that the number of sub-field connecting parts DP2 on the diffusion layer RS can be minimized.例文帳に追加

ウエーハＳＩの拡散層ＲＳの上層に形成されるゲートラインＧＬのパターン長さを把握し、例えば拡散層の領域外ＮＲＳに接続部ＤＰ１，ＤＰ３を配置し、拡散層ＲＳ上での接続数ＤＰ２を最小となるように配置したサブフィールド分割とする。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁

By a method of manufacturing transistor elements, the gate electrode 320 made of metal is formed on a transparent glass substrate 310, a transparent gate insulating layer 330 is formed on the gate electrode, further a conductive layer comprising an ITO, namely the origin of the source and drain electrodes 350, 360, is formed, and the upper surface of the conductive layer is covered with a negative resist layer.例文帳に追加

透明ガラス基板３１０上に金属からなるゲート電極３２０を形成し、その上に、透明なゲート絶縁層３３０を形成し、更に、ソース・ドレイン電極３５０・３６０の元になるＩＴＯからなる導電層を形成し、その上面をネガ型レジスト層で覆う。 - 特許庁

The amount of the water to infiltrate into a waste layer 3 is controlled by arranging a water-permeable infiltration controlling layer 5 having a recessed part 51 for storing rainwater temporarily on the upper surface on a final soil covering layer for covering the waste layer 3 reclaimed at the disposal site.例文帳に追加

埋立地に埋め立てられた廃棄物層３を覆う最終覆土層に、雨水を一時的に貯留可能な凹部５１を上面に形成し、かつ水を浸透可能とする浸透制御層５を設けることで、廃棄物層３に浸透する水分量をコントロールできるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate with a reduced step to eliminate a defect of an upper layer caused by the step of an edge of an insulation layer when the insulation layer such as an dielectric layer on the substrate and various layers are formed thereon; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に誘電体層等の絶縁層を設け、その上に種々の層を形成する際に、絶縁層のエッジの段差に起因して生じる上層の欠陥の解消を図り、段差を少なくした基板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The electrooptical device includes: a scanning line (11) and a data line (6) on a substrate (10); a transistor (30) including a semiconductor layer (30a) arranged on a non-opening region and a gate electrode (30b) connected to the scanning line; and a first conductive layer (9) arranged on an upper layer side rather than the semiconductor layer.例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）及びデータ線（６）と、非開口領域に配置された半導体層（３０ａ）及び走査線に接続されたゲート電極（３０ｂ）を含むトランジスタ（３０）と、半導体層より上層側に配置された第１導電層（９）とを備える。 - 特許庁

The substrate 110 has an upper surface 111 and a lower surface 112, has a wiring layer 113 and a solder mask layer 114 formed on the lower surface 112 and further has a non-wiring region 115, and the solder mask layer 114 almost covers the wiring layer 113 and the non-wiring region 115.例文帳に追加

基板１１０は上表面１１１と下表面１１２とを有し、下表面１１２には配線層１１３と半田マスク層１１４とを形成してさらに非配線領域１１５を有し、半田マスク層１１４は配線層１１３と非配線領域１１５とを略被覆している。 - 特許庁

By forming the above structure; holes are implanted through two paths of a first path which is directly implanted from the upper face of the InGaAsP active layer 3, and a second path which is implanted from the side face of the InGaAsP active layer 3 through the InGaAsP intermediate layer 7 from the first p-InP clad layer 4.例文帳に追加

上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層３の上面から直接注入される第１経路と、第１ｐ−InPクラッド層４からInGaAsP中間層７を介してInGaAsP活性層３の側面から注入される第２経路との２つの経路を経由して注入される。 - 特許庁

The ring laser of a ridge shape waveguide comprises a multilayer film having an active layer 3, and a semiconductor layer 6 containing Al in an upper part and/or a lower part of the active layer so that the layer 6 of the film is selectively oxidized from its side face to become a current constriction structure.例文帳に追加

多層膜からなるリッジ形状導波路のリングレーザであって、該多層膜は活性層３、及び該活性層の上部及び／又は下部にAlを含む半導体層６を含み、該多層膜の内該半導体層６が選択的に側面から酸化されており、電流狭窄構造となっている。 - 特許庁

An upper surface layer comprising a resin film, an intermediate layer comprising a pattern sheet and a lower layer comprising an inorganic fiber layer impregnated with a thickened resin are laminated and integrally molded to obtain a mirror finish fiber reinforced resin laminated sheet having a three-layered structure.例文帳に追加

上表面層に樹脂フィルム、中間層に模様シート、下層に増粘した樹脂を含浸した無機質繊維層の構成で積層して、一体成型してなる三層構造の鏡面仕上げ繊維強化樹脂積層板及びその製造方法により解決の手段とする。 - 特許庁

As a result, the outer conductor layer 13 is wound by the wound strip layer 14 from an upper side and the outer conductor 13 is pushed tight by the wound strip layer 14 and the outer conductor layer 13 is bound tight to strengthen adhesion between the outer conductors 14a to improve a shielding property.例文帳に追加

これにより、外部導体層１３の上から、巻回帯層１４を巻回することになり、外部導体層１３が巻回帯層１４によって押え付けられることになるので、外部導体層１４が締め付けられ、外部導体１４a間の密着度が向上してシールド特性が向上する。 - 特許庁

To provide a packaged double-layer jelly having a beautiful gradation structure with an anthocyanin pigment at the interface of an upper layer gel and a lower layer gel, and a method for stably producing the packaged double-layer jelly by a simple procedure.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面にアントシアニン色素によるきれいなグラデーション構造を有する視覚的に楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The reaction is carried out while temporarily storing a refluxed liquid containing generated water, returning a solvent layer at the upper layer separated by gravity to a reactor and suitably extracting water layer separated to the lower layer to outside of the reaction system for sequentially removing the generated water to the outside of the reaction system in the reaction.例文帳に追加

反応中は、生成する水を逐次反応系外へ取り除くために、その水を含んだ還流液を一時貯めて、重力により分離した上層の溶媒層を反応釜にもどし、一方下層に分離した水層を適宜系外に抜き取りながら行う。 - 特許庁

The VCSEL device 10 has a tunnel junction 17 between an n-type lower DBR mirror 12 and an n-type upper DBR mirror 19, and the tunnel junction 17 has a quantum dot layer 32 of 2.5 mono layer thickness between a p^+-GaAs layer 31 and an n^+-InGaAs layer 33.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ素子１０は、ｎ型下部ＤＢＲミラー１２とｎ型上部ＤＢＲミラー１９との間にトンネル接合１７を有し、トンネル接合１７は、ｐ^+−ＧａＡｓ層３１とｎ^+−ＩｎＧａＡｓ層３３との間に２．５モノレーヤ厚みの量子ドット層３２を有する。 - 特許庁

A quantum well active layer 107 where there are alternately overlapped first conduction-type lower clad layers 103 and 104, a barrier layer formed of an InGaAsP material, and a well layer, and a second conduction-type upper clad layer 110 are laminated on a first conduction-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

第一導電型のＧａＡｓ基板１０１上に、第一導電型の下クラッド層１０３，１０４、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層１０７、および第二導電型の上クラッド層１１０を少なくとも積層する。 - 特許庁

The trim cover is comprised of an outer layer part A comprised of a skin 1 and an upper wadding 2 made of a foam and wholly bonded to a back surface of the skin 1 and an inner layer part B comprised of a lower wadding 3, wherein the periphery of the inner layer part B is connected to the outer layer part A by adhesion or sewing.例文帳に追加

皮革１及びこの皮革１の裏面に全面接着した発泡体製上部ワディング２とからなる外層部Ａと、下部ワディング３からなる内層部Ｂとからなり、内層部Ｂの周縁を外層部Ａに接着又は縫着により結合したことを特徴とする。 - 特許庁

The multilayered label 1 comprises, successively from upper layers, a front substrate surface 2, a tacky adhesive 3, a UV curing varnish layer 4 (a layer of a second UV curing resin agent), a UV curing silicone varnish layer 5 (a layer of a first UV curing resin agent), an intermediate substrate 6, a tacky adhesive 3, and release paper 7.例文帳に追加

多層ラベル１は上層より、表面基材２と、粘着剤３と、紫外線硬化型ニス層４（第二の紫外線硬化型樹脂剤の層）と、紫外線硬化型シリコーンニス層５（第一の紫外線硬化型樹脂剤の層）と、中間基材６と、粘着剤３と、剥離紙７とから構成される。 - 特許庁

A lower part insulating layer 5 is coated on a metal substrate 2 of a plane heater 1 and a heater circuit that is constructed of a resistance body 9, a conductor 8, and an electrode 7 is formed on the lower part insulating layer 5, and an upper part insulating layer is coated on the lower part insulating layer 5, resistance body 9, and conductor 8.例文帳に追加

平面ヒータ１の金属基板２に下部絶縁層５を被覆し、下部絶縁層５の上に抵抗体９、導体８及び電極７で構成されたヒータ回路を形成し、下部絶縁層５、抵抗体９及び導体８に上部絶縁層を被覆する。 - 特許庁

In the gate insulating layer 12, a lower layer 12a and an upper layer 12b of at least one layer or more laminated on the lower layer 12a are formed on the plastic substrate 10 in this order, and the lower layer 12a is composed of materials including carbon containing silicon oxide, and is formed by the vacuum ultraviolet light CVD method so that carbon density of the lower layer 12a is 15 to 40 atm%.例文帳に追加

ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 has a magnetic layer showing perpendicular magnetic anisotropy as a recording layer 18 and a material of the soft magnetic backing layer (an upper soft magnetic backing layer 13c and a lower soft magnetic backing layer 13a) formed in a lower layer of the recording layer 18 is alloy formed by adding at least one element of Ta and Nb and further adding Cr to FeCoZr alloy.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、垂直磁気異方性を示す磁性層を記録層１８とする磁気記録媒体１０であり、記録層１８の下層に形成する軟磁性裏打層（上側軟磁性裏打層１３ｃ及び下側軟磁性裏打層１３ａ）の材質がＦｅＣｏＺｒ合金にＴａまたはＮｂの少なくとも一つの元素が添加された合金であり、さらにＣｒが添加された合金である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a substrate; a lower layer wiring 12 with a graphene nano-ribbon layer 121 that is provided in an upper substrate and composed of a multiple graphene nano-ribbon sheet 122 laminated; and a via 14 and barrier metal 15 that penetrate at least one of multiple graphene nano-ribbon sheets 122 and connect the lower layer wiring 12 with an upper layer wiring 13.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 - 特許庁

An allowable range of a contraction percentage of the intermediate layer 16, specified by a contraction percentage lower limit and contraction percentage upper limit, are obtained to set a contraction percentage of a solid electrolyte 14, preferably contraction percentages of both of the anode electrode layer 12 and the solid electrolyte 14 (the electrolyte layer) between the contraction percentage lower limit and the contraction percentage upper limit of the intermediate layer 16.例文帳に追加

中間層１６の収縮率の許容範囲、すなわち、収縮率下限値及び収縮率上限値を求め、少なくとも固体電解質１４の収縮率、好ましくはアノード電極層１２及び固体電解質１４（電解質層）の双方の収縮率を、中間層１６の収縮率下限値〜収縮率上限値の間に設定する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photoconductive layer consisting of a nonsingle crystal material essentially comprising silicon atoms, an upper inhibiting layer and a surface layer successively formed on a conductive supporting body, the upper inhibiting layer contains silicon atoms, hydrogen atoms and chlorine atoms with the ratio of chlorine atoms to hydrogen atoms ranging 0.025 to 0.5.例文帳に追加

導電性支持体上に、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成される光導電層、上部阻止層及び表面層を順次積層されてなる電子写真感光体において、この上部阻止層はシリコン原子、水素原子、塩素原子を含有し、且つ、水素原子に対する塩素原子の比が０．０２５〜０．５であることを特徴とする負帯電用電子写真感光体。 - 特許庁

The carbon fiber is separated by adding a resin containing an aromatic ring or a heterocyclic ring and soluble in a solvent into a dispersion comprising the carbon fiber having ≤300 nm average diameter and the solvent to obtain a resin solution, forming an upper layer and a lower layer in the resin solution, and collecting separately an upper layer component and a lower layer component.例文帳に追加

平均直径が３００ｎｍ以下の炭素繊維と溶媒とからなる分散液中に、芳香環あるいは複素環を含有しかつかかる溶媒に溶解可能な樹脂を加えて樹脂溶液を得た後、樹脂溶液の上下層を形成させ、上層成分と下層成分とを分取して炭素繊維の分離を行うことを特徴とする炭素繊維の精製方法。 - 特許庁

The separate type liquid seasoning is such that oil-in-water emulsified substance as a lower layer and an oil phase as an upper layer are layered, the oil phase composing the emulsified substance at the lower layer contains edible oil and fat containing ≥15 mass% of diacylglycerol, and the oil phase at the upper layer contains aroma components and edible oil and fat consisting mainly of triacylglycerol.例文帳に追加

水中油型乳化物を下層とし、上層として油相を積層した分離型液体調味料であって、下層の乳化物を構成する油相がジアシルグリセロールを１５質量％以上含む食用油脂を含有し、上層の油相がトリアシルグリセロールを主成分とする食用油脂及び香気成分を含有する分離型液体調味料。 - 特許庁

A recording layer consisting of a lower layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble polyurethane resin, and an upper layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble resin and a development inhibitor and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure is disposed on a support, wherein an IR absorbent is comprised in at least one of the lower and upper layers of the recording layer.例文帳に追加

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性のポリウレタン樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び現像抑制剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、からなる記録層を設け、該記録層の下層および上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A recording layer consisting of a lower layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble polyvinyl acetal resin, and an upper layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble resin and a development inhibitor and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure is disposed on a support, wherein an IR absorbent is comprised in at least one of the lower and upper layers of the recording layer.例文帳に追加

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性のポリビニルアセタール樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び現像抑制剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、からなる記録層を設け、該記録層の下層および上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To reduce an overall size, including a circuit board to be mounted, of a semiconductor device where a semiconductor structure referred to a CSP is provided on a base board, an insulation layer is formed on the base board around the semiconductor structure, upper layer wiring is provided on the semiconductor structure and the insulation layer, and a solder ball is provided on the connection pad part of the upper layer wiring.例文帳に追加

ベース板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層配線が設けられ、上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられた半導体装置において、それが搭載される回路基板を含む全体としての小型化を図る。 - 特許庁

To control the shape of a recess, which is generated in the case where parts of an insulating layer which protrude from the level of the upper surface of an Si substrate is subjected to isotropic etching and is located in the upper end part of the insulating layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板の上面水準より絶縁層の突出した部分を等方性エッチングした場合に生じる、絶縁層の上端部における凹みの形状を制御できるトレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the upper-layer contact CV is disposed in such a way that a bottom of the CV pattern thereof is above an upper surface of the select gate SG to make a long-diameter dimension of the CV pattern longer than a long-diameter dimension of a CB pattern of the lower-layer contact CB.例文帳に追加

そして、上層コンタクトＣＶを、そのＣＶパターンの底部が、セレクトゲートＳＧの上面よりも上方に位置するように配置することにより、ＣＶパターンの長径寸法が、下層コンタクトＣＢのＣＢパターンの長径寸法よりも大きくなるように形成する。 - 特許庁

An adhesive layer 21 and an adhesive filling layer 22 are continuously provided around the rivet joined portion 20 of both bottom wall surfaces 12, 13, joined with a rivet 10, among an upper plate embossed portion 4 formed on an upper plate 2 and a lower plate embossed portion 3 formed on a lower plate 1.例文帳に追加

上板２に形成した上板エンボス部４と下板１に形成した下板エンボス部３のうち、その底壁面１２，１３同士をリベット１０にて締結したリベット締結部２０の周囲に接着剤層２１と接着剤充填層２２を連続して設ける。 - 特許庁

The RLC layer 120 has a storage 121 which stores transmission target SDUs received from upper layers, and a regeneration 122 which regenerates PDUs based on the stored SDUs to output them to lower layers if link re-establishment is instructed from an upper layer.例文帳に追加

ＲＬＣレイヤ１２０は、上位のレイヤから受け付けた送信対象のＳＤＵを保持する保持部１２１と、上位レイヤからリンクの再確立を指示されると、保持されたＳＤＵからＰＤＵを再生成して下位のレイヤに出力する再生成部１２２とを有する。 - 特許庁