「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

b. Each lamp unit shall emit an anode light in white or variable white from its upper layer and another in red from its lower layer toward the direction of approaching aircraft at an angle indicated in Figure 2. 例文帳に追加

ｂ　各灯器は、上層が航空白又は航空可変白、下層が航空赤の光柱を航空機の進入してくる方向に対し第三図に示す角度で出すものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

b. Each lamp unit shall emit an anode light in white or variable white from its upper layer and another in red from its lower layer toward the direction of approaching aircraft at an angle indicated in Figure 6. 例文帳に追加

ｂ　各灯器は、上層が航空白又は航空可変白、下層が航空赤の光柱を航空機の進入してくる方向に対し第六図に示す角度で出すものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To obtain a further natural image display by dissolving the unnaturalness at a boundary part at the time of superposing an image of an upper layer and an image of a lower layer and displaying them as one image.例文帳に追加

上層の画像と下層の画像を重ね合わせて１つの画像として表示する際に、境界部分の不自然さを解消して、より自然な画像表示を可能とする。 - 特許庁

The upper body used is formed by sewing outer layer parts at least halved into a front and a back and sewing an inner sole to the lower end edge of the connected outer layer parts.例文帳に追加

前記アッパー体には、少なくとも前後に２分割された外皮パーツの縫合によって形成し当該結合した外皮パーツの下端縁に中底を縫着したものを使用する。 - 特許庁

On the other hand, in the state an electric field lower than the threshold value is applied to the liquid crystal layer 18, it is scattered by the liquid crystal layer 18 and is made to exit to the outside via the upper substrate 12.例文帳に追加

一方、液晶層１８にしきい値未満の電界が印加された状態では、液晶層１８により散乱され、上基板１２を介して外部に出射される。 - 特許庁

An end part of feeding ream Lf divided by an index sheet and positioned in an upper most part of a ream crest L is lifted, and a lower layer of ream Lr is pressed by a pressing nozzle part 25b of a lower layer of ream pressing device 25 of an auxiliary feeding device 20.例文帳に追加

主給送装置30の保持アーム34を後退させると共に、揺動させて、先端部に設けられた吊り下げノズル部38を給紙リームＬf に下側に位置させる。 - 特許庁

A lower dummy pattern A composed of the first metal layer and an upper dummy pattern B composed of the second metal layer are stacked one over the other on the periphery of input terminal pads 26 in a non-pixel region.例文帳に追加

非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。 - 特許庁

In this case, a glass layer 30 is provided on an upper surface periphery of the substrate 21, and a metal layer 31 comprising aluminum or the like is provided on a lower surface periphery of the substrate 28.例文帳に追加

この場合、シリコン基板２１の上面周辺部にはガラス層３０が設けられ、第２ガラス基板２８の下面周辺部にはＡｌなどからなる金属層３１が設けられている。 - 特許庁

To provide a communication terminal capable of properly respectively using a plurality of security functions (secure communication means) such as a security function in an upper class layer, and a security function in a lower class layer.例文帳に追加

上位レイヤでのセキュリティ機能や下位レイヤでのセキュリティ機能と言った複数のセキュリティ機能（セキュア通信手段）を適切に使い分けることが可能な通信端末を提供する。 - 特許庁

On the recording gap layer 12, the gap part 60 and the step part 58, an upper magnetic pole part 13 magnetically connected to a lower magnetic pole layer 8 to constitute a closed magnetic path is formed.例文帳に追加

記録ギャップ層１２、空隙部６０、及び段差部５８上には、下部磁極層８と磁気的に接続されて閉磁路を構成する上部磁極層１３が形成されている。 - 特許庁

In the stacking state of the respective scattering layers 51, it is preferable that they be stacked, such that the tilt angles will increase sequentially, as they approach the upper layer side from the side close to the light-emitting layer.例文帳に追加

各散乱層５１の積層状態は、発光層に近い側から上層側になるに従って傾斜角度が順に大きくなるよう積層されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which has not such a risk that the lower layer wiring of an insulating film is brought into contact with the upper layer light reflection film of the insulation film even when the over development occurs on the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜がオーバー現像されても絶縁膜の下層の配線と絶縁膜の上層の光反射膜とが接触する心配のない液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Then, a titanium silicide layer 21c of the upper surface 13a of the gate electrode 13 can be prevented from being connected with the sidewalls 41a and 41b in the titanium silicide layer 21c formation step.例文帳に追加

このため、チタンシリサイド層２１ｃ形成工程において、ゲート電極１３の上面１３ａのチタンシリサイド層２１ｃが、サイドウォール４１ａ、４１ｂとつながることを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a wafer for semiconductor devices wherein the life of a heterobipolar transistor can be improved by blocking defects appearing in a collector contact layer fromn propagating to upper layers than this layer.例文帳に追加

コレクタコンタクト層中で発生した欠陥をそれより上の層へ伝搬しないようにすることにより、ヘテロバイポーラトランジスタの寿命を改善できる半導体装置用ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a novel FeRAM capacitor cell capable of suppressing the concentration of an electric field in the boundary part of a ferroelectric layer and an upper electrode layer effectively, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

強誘電体層と上部電極層との境界部における電界の集中を効果的に抑制できる新規なＦｅＲＡＭキャパシタセル及びその製造方法等の提供。 - 特許庁

To seal a gap between a pressurized ventilation hood and a material loading layer, in a sintering method wherein gas, containing oxygen, is pressurized and ventilated from the upper part of the material loading layer of a Dwight-Lloyd sintering machine.例文帳に追加

ドワイトロイド式焼結機の原料充填層上部より酸素含有ガスを加圧送風する焼結法において、加圧送風フードと原料充填層との間をシールする。 - 特許庁

A thickness T of the insulating film 104 on the wiring layer 103 is smaller than a distance d between the upper layer wiring 105 and 106, and a width W of the groove is smaller than the distance d.例文帳に追加

配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。 - 特許庁

The oscillator structure including the lower semiconductor DBR103, the active layer 105, the upper semiconductor DBR 107, the contact layer 109 and the like are laminated on the substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、及びコンタクト層１０９などが積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes the characteristic check element whose characteristics are checked by exposing the element to laser light, and an upper wiring layer which is the characteristic check element and have dummy metals arranged on the wiring layer.例文帳に追加

レーザ光が照射されることにより特性が検査される、特性チェック素子と、前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層とを具備する。 - 特許庁

In a transmission type liquid crystal display panel, all of the pixel electrode, the lower layer electrode 11b and the upper layer electrode 16d are formed from a transparent conductive material such as ITO or the like.例文帳に追加

また、透過型液晶表示パネルの場合は、画素電極、下層電極１１ｂ及び上層電極１６ｄをいずれもＩＴＯ等の透明導電体材料により形成する。 - 特許庁

This floor mat for operating rooms is formed by sticking polyethylene foam formed of two layers, wherein the upper layer is smaller than the lower layer, and having an expansion ratio of 6-40 times onto a vinyl chloride sheet.例文帳に追加

塩化ビニルシートの上に上段が下段より小さい２段より成る発泡倍率が６〜４０倍であるポリエチレン系発泡体を貼り合わせてなる手術室用フロアマット。 - 特許庁

A laminate mask for screen printing comprises an upper layer mask made of a mask member having an opening and laminated on a lower layer mask made of other mask member having other opening to form a predetermined opening.例文帳に追加

開口部を有するマスク部材からなる上層マスクが他の開口部を有する他のマスク部材からなる下層マスク上に積層されて所定の開口部を形成してなる。 - 特許庁

To provide a CMP pad of such a structure that, even if a stress is applied thereto from a dresser, etc. reciprocating in a diametrical direction, a central area of an upper layer does not peel off from an intermediate layer.例文帳に追加

直径方向に往復移動するドレッサ等から応力が作用しても上層の中央領域が中間層から剥離しない構造のＣＭＰパッドを提供する。 - 特許庁

A gate line is formed on a substrate, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously deposited on the gate line, and a lower conductive film and an upper conductive film are vapor deposited on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上にゲート線を形成し、ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層し、半導体層上に下部導電膜と上部導電膜を蒸着する。 - 特許庁

The valence band of the AlGaAs is formed in a range lower in energy level than the upper end of the valence band of the GaAs layer and higher than that of the InAlP layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層の価電子帯は、ＧａＡｓ層の価電子帯の上端よりも低く、ＩｎＡｌＰ層の価電子帯の上端よりも高いエネルギ準位の範囲に形成される。 - 特許庁

To provide a multi-layer structure which can be expected to have a sufficient earthquake resistance and improved in earthquake resistance without special reinforcement in the upper layer section.例文帳に追加

下層部分に十分な耐震力が期待できるだけでなく、上層部分に特別の補強を要することなく耐震性を改善することができる複層構造物を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition which can give an upper layer coating film having a similar reflectance-improving effect without being affected by the infrared ray reflectance of a lower layer, and to provide a method for forming a coating film.例文帳に追加

下層の赤外線反射率に影響を受けることなく、同様の反射率向上効果を有する上層の塗料組成物および塗膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

This piezoelectric device comprises a piezoelectric element layer having a dielectric element which has a perovskite crystal structure, and an upper electrode and a lower electrode disposed through the piezoelectric element layer.例文帳に追加

この圧電体素子は、ペロブスカイト結晶構造を持つ強誘電体を備えた圧電体層と当該圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備える。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit which uses a polysilicon layer, corresponding to upper electrodes of two-layer polysilicon capacitor elements as resistance elements to reduce the chip area.例文帳に追加

２層ポリシリコン容量素子において、上部電極に相当するポリシリコンレイヤを抵抗素子として用いることによりチップ面積の縮小を図ることができる半導体集積回路を得る。 - 特許庁

Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.例文帳に追加

これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁

Both the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 4 constituting a capacitor 13 are composed not of a polysilicon based semiconductor requiring ion doping but of a metal not requiring ion doping.例文帳に追加

キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４の双方を、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で構成する。 - 特許庁

The lower clad layer 12 and the upper clad layer 16 are made of oxetane resin, wherein a specific block coloring matter is added and uniformly dispersed so as to be 1.0 wt%.例文帳に追加

下部クラッド層１２及び上部クラッド層１６は、オキセタン樹脂からなり、添加率が１．０重量％になるように特定黒色色素が添加され、一様に分散されている。 - 特許庁

A transparent electrode 3 is formed on the whole upper surface of a transparent substrate 2, and a convoluted blue luminous layer 4 and a red luminous layer 5 are formed on the transparent electrode 3.例文帳に追加

透明基板２の上面全体に透明電極３が形成され、透明電極３の上に渦巻き状に形成された青発光層４と赤発光層５が形成されている。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

A sandwich structure 60, comprising a piezoelectric layer 62 and lower and upper electrodes 61, 63 jointed to both surfaces of the piezoelectric layer, is disposed so as to stride over the pit 52.例文帳に追加

窪み５２をまたぐように、圧電体層６２とその両面に接合された下方電極６１及び上方電極６３とからなる挟み込み構造体６０が配置されている。 - 特許庁

A gate line containing a gate electrode, a gate insulation film, a semiconductor layer, a resistive contact layer, a data line having a source electrode and a drain electrode are formed on the upper part of an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

In the I/O region 11, there is provided an annular wiring 60 having a laminated structure which includes an upper layer 61 corresponding to a first potential and a lower layer 62 corresponding to a second potential.例文帳に追加

ＩＯ領域１１には、第１電位に対応する上部層６１と、第２電位に対応する下部層６２とを含む積層構造を有する環状配線６０が設けられている。 - 特許庁

Then an upper electrode layer 26 is formed on the surface of the dielectric layer 24, so that the capacitor element 10 having MIM structure indicating a high dielectric characteristic even in a high frequency band can be obtained.例文帳に追加

更に、その上に上部電極層２６を形成することにより、高周波帯域でも優れた誘電特性を示すＭＩＭ構造を有するキャパシタ素子１０が得られる。 - 特許庁

To prevent crosstalk caused by capacity coupling between a data line and a pixel electrode while holding a step shape between adjacent data lines in a layer where data lines are located, on the upper layer side.例文帳に追加

データ線の位置する層における隣接するデータ線間の段差形状を上層側に保持しつつ、データ線及び画素電極間の容量結合に起因するクロストークを防止する。 - 特許庁

A metal pattern of chromium oxide is deposited on the upper surface of a glass substrate, and a covering resin layer comprising a cured product of an acrylic resin and a urethane-based resin composition is applied on the coated resin layer.例文帳に追加

ガラス基板の上面に酸化クロムの金属パターンを被着させ、その上にアクリル系樹脂及びウレタン系樹脂組成物の硬化物からなる被覆樹脂層を被覆形成する。 - 特許庁

An insulating resin 13 is laminated on the inner layer conductor circuit 12 on the upper surface of an inner layer resin 11 and coating resin 14 having water repellency is formed and coated on the insulating resin 13.例文帳に追加

内層樹脂１１上面の内層導体回路１２上に絶縁樹脂１３を積層し、絶縁樹脂１３上に撥水性を有するコーティング樹脂１４を被覆形成する。 - 特許庁

An embeded insulation oxide film 120 having a groove on its upper surface is formed on a substrate layer 110 as a mechanical support, and a very thin film SOI layer 130 traverses over the groove.例文帳に追加

機械的な支持のための基板層１１０上に形成されつつ上面に溝を有する埋込み絶縁酸化膜１２０を設け、超薄膜ＳＯＩ層１３０が溝上を横切る。 - 特許庁

A recess part is formed on an upper face of the source semiconductor layer and drain semiconductor layer 105, and a source electrode and drain electrode 108 are embedded in this recess part, respectively.例文帳に追加

ソース半導体層及びドレイン半導体層１０５の上面は凹部が形成されており、この凹部内にはそれぞれソース電極及びドレイ電極１０８が埋め込まれている。 - 特許庁

In manufacturing the piezoelectric actuator, a plurality of surface electrodes 45 are formed between an edge of a piezoelectric layer 42 and a portion opposed to the individual electrode 43 on an upper surface 42A of the piezoelectric layer 42.例文帳に追加

圧電アクチュエータの作製時に、圧電層４２の上面４２Ａにおける、圧電層４２の縁と個別電極４３に対向する部分との間に、複数の表面電極４５を形成する。 - 特許庁

For coating on the implant, targets of the bottom layer and the upper layer are disposed in parallel in a vacuum membrane forming chamber 21 and the targets are irradiated with laser beams successively for effective execution.例文帳に追加

インプラントへのコーティングでは真空成膜チャンバー２１内に下層、上層それぞれのターゲットを並置し、レーザーをターゲットに順次照射して連続的に行い効率的に実施する。 - 特許庁