「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate 13 harder than the lower layer elastic body 12 is bonded to the under surface of the lower layer elastic body 12 by fitting between projections 121, 122 on the under surface of the lower layer elastic body 12 and recessed parts 131, 132 on the upper surface of the substrate 13.例文帳に追加

下層弾性体１２の下面に、下層弾性体１２より硬質の基板１３が、下層弾性体１２の下面の凸部１２１，１２２と基板１３の上面の凹部１３１，１３２との嵌合によって接合されている。 - 特許庁

An inexpensive metal material is used as a substrate and, after the oxidized film layer on the surface of the substrate is removed, an intermediate layer having conductivity is provided on the surface of the substrate and a π-conjugated polymer film is formed on the upper surface of the intermediate layer.例文帳に追加

安価な金属材料を基体として、基体表層にある酸化皮膜層を取り除いた後に、導電性を有する中間層を設け、その表面の上層にπ共役導電性高分子膜を形成する。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer 13, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and a thin film coil which is arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層１３と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。 - 特許庁

Waste is charged in the furnace body 2 to be heated and melted and the upper layer melt is discharged from the slag discharge port 22 while the lower layer melt discharge port 101 is heated continuously or intermittently to guide the lower layer melt to discharge the same.例文帳に追加

廃棄物を炉体２に投入して加熱溶融し、出滓口２２から上層の溶湯を排出する一方、下層の溶湯排出口１０１を連続的又は間欠的に加熱することにより下層の溶湯を誘導して排出する。 - 特許庁

Thus, a conductor circuit 72 for connecting the via-hole 50 of the lower layer to the via-hole of the upper layer can be placed, at a position directly above the via-hole 50 which has been a dead space in a prior art, resulting in a high-density multi-layer printed wiring board.例文帳に追加

このため、従来技術ではデッドスペースになっていた、該下層バイアホール５０の直上位置に上層バイアホールへの接続用の導体回路７２を配置できるため、多層プリント配線板の高密度化が可能となる。 - 特許庁

A first conductor layer 20 is formed in such a way that a magnetic substance layer 40 is interposed on the upper surface of a dielectric substrate 10, and a second conductor layer 30 in a uniform pattern is formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.例文帳に追加

誘電体基板１０の上面に磁性体層４０を介在させるようにして第１導電体層２０を形成し、誘電体基板１０の下面には一様パターンの第２導電体層３０を形成する。 - 特許庁

(3) The gate electrode 33 is constituted of a silicide layer 44a which is at the upper part of the groove and is disposed in the area between the side walls and a phosphorus doped polysilicon layer 44b installed between the groove wall of the groove and the silicide layer 44a.例文帳に追加

（３）ゲート電極が、溝部分の上部であって、サイドウォール間の領域に設けられたシリサイド層４４ａと、溝部分の溝壁とシリサイド層４４ａとの間に設けられたリンドープトポリシリコン層４４ｂとで構成されている。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極ＴＥとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線２０と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線ＢＬとにより第１の配線層が構成されている。 - 特許庁

In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is ≥10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is ≥35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is ≥10 and ≤30 nm.例文帳に追加

ここで、下部Ｔｉ層３の厚さＡは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、中間金属層４の厚さＢは、３５ｎｍ以上、６５ｎｍ以下であり、上部Ｔｉ層５の厚さＣは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。 - 特許庁

This can achieve a structure in which no void occurs in a second conductive layer 8 when a second gate insulation film 7 or the second conductive layer 8 is formed on the upper part 6b of the gate of the first conductive layer 6.例文帳に追加

このため、第１の導電層６のゲート上部６ｂの上に第２のゲート絶縁膜７や第２の導電層８が形成されたときに第２の導電層８内にボイドを発生させることなく構成することができる。 - 特許庁

This optical waveguide chip 10 has a core 8, a clad layer comprising a lower clad layer 7 and an upper clad layer 9, and an optical fiber guide 6 to position the single mode optical fiber 11 to be connected with the core 8.例文帳に追加

光導波路チップ１０は、コア部８と、下部クラッド層７と上部クラッド層９とからなるクラッド層と、コア部８に接続されるシングルモード用光ファイバ１１を位置決めするための光ファイバ用ガイド部６とを有する。 - 特許庁

The upper DBR miller layer 16 is formed by laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer alternately and has a pair of trenches 25, 25 formed so as to pinch a region opposed to the light emitting region 13A.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー層１６は、低屈折率層および高屈折率層を交互に積層して形成されると共に、発光領域１３Ａとの対向領域を間にして設けられた一対のトレンチ２５，２５を有する。 - 特許庁

The catalyst for exhaust gas cleaning, generating hydrogen by decreasing the concentration of carbon monoxide, is prepared by covering a carbon monoxide shift catalyst layer with an upper layer consisting of a catalyst layer having an oxidation capacity capable of decreasing oxygen concentration.例文帳に追加

酸素濃度の低減可能な酸化性能を有する触媒層を、一酸化炭素シフト触媒層の上層として被覆することにより一酸化炭素濃度を低減して水素を生成する構成を有する排気ガス浄化用触媒。 - 特許庁

A diffusion prevention layer for principally protecting a lower layer out of power wiring metal is composed such that the upper surface and at least a part of the side face is coated with a metal layer for principally supplying power.例文帳に追加

電力配線金属のうち、主として下層を保護するための拡散防止層は、その上面および少なくとも側面の一部が、主として電力を供給するための金属層によって被覆されるように構成する。 - 特許庁

The piezoelectric element 34 is installed on a board 52 having a vibrating plate 52A, and a common electrode 46 as an underlayer electrode layer, the piezoelectric body 48, and a signal electrode 50 as an upper layer electrode layer are stacked in this order.例文帳に追加

圧電体素子３４は、振動板５２Ａを有する基板５２上に設けられており、下層電極層としての共通電極４６、圧電体４８、及び上層電極層としての信号電極５０がこの順で積層されている。 - 特許庁

The common upper layer electrode 36 and common lower layer electrode 37 each are formed of comb-shaped electrodes consisting of base electrodes 42, 44 and a plurality of branch electrodes 43, 45 extending from the base electrodes to each piezoelectric layer 31.例文帳に追加

共通上電極３６及び共通下電極３７をそれぞれ、基電極４２，４４とこれらの基電極から各圧電体層３１に延設された複数の枝電極４３，４５とからなる櫛歯状電極によって構成する。 - 特許庁

A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加

ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.例文帳に追加

下層抵抗体７は上層抵抗体１１に対して自己整合的に１層のノンドープポリシリコン膜５に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体１１により画定されている。 - 特許庁

In the surface structure 10, an intermediate layer 10b is superposed on a lower layer 10a, which is a bundle of continuous filaments, an upper layer 10a is superposed thereon, and the continuous filaments of the respective layers are partially fused by a joining wire to be formed into a sheet.例文帳に追加

表面構造体１０は、連続フィラメントの束である下層１０ａの上に中層１０ｂがその上に上層１０ａが重ねられて、各層の連続フィラメントが接合線で部分的に融着されてシート化されている。 - 特許庁

Subsequently, the solder is embedded to form a solder layer 8 to the aperture 5a where the close contact film 7 is provided under the condition that the solder layer 8 overflows to the upper part of the front surface of the resist mask 5 and the reflow process is conducted to the solder layer 8.例文帳に追加

続いて、密着膜７が設けられた開口部５ａに、レジストマスク５の表面よりも上方にはみ出す状態で、はんだを埋め込んではんだ層８を形成するとともに、はんだ層８のリフロー処理を行う。 - 特許庁

Setting input is performed through the display switch instruction button to switch positions of the upper layer setting screen and the lower layer setting screen which are displayed in the indicator 10 and the whole lower layer setting screen is displayed.例文帳に追加

表示切替指示ボタンを介して設定入力を行うことによって、表示部１０に表示されている上層設定画面と下層設定画面との位置を入れ替えて下層設定画面全体が表示されるようになっている。 - 特許庁

In the floor structure, a heating layer 2 for heating a floor is provided on the upper or lower part of or inside of a layer (a heat storage layer 5) of a heat storage material which has hysteresis property with a melting temperature zone higher than a coagulating temperature zone.例文帳に追加

本発明の床構造は、凝固する温度帯域に比べて融解する温度帯域が高いヒステリシス特性を備えた蓄熱材の層（蓄熱層５）の上、下又は内部に床暖房の発熱層２が設けられている。 - 特許庁

A lowest layer laminating sheet is arranged so that a criteria pin may be inserted in a perforation 24a of the lowest layer laminating sheet 41 and may be contacted and the face for forming a conducting film of a laminating sheet is set to contact the upper face of the lowest layer so as to contact the top face of a lower dummy sheet.例文帳に追加

基準ピンが最下層積層用シート４１の貫通孔２４ａを挿通し且つ最下層積層用シートの導体膜形成面が下部ダミーシートの上面に接するように、最下層積層用シートを配置する。 - 特許庁

In the second step, the solder layer 53 constituted of tape-like solder is piled up on upper/lower surfaces 52b of the collective conductor 52, and heated from the outside of the solder layer 53, and thus, the collective conductor 52 and the solder layer 53 are integrated.例文帳に追加

第２の工程では、テープ状はんだからなるはんだ層５３を、集合導体５２の上下面５２ｂに積層させて、はんだ層５３の外側から加熱することで、集合導体５２とはんだ層５３とを一体化する。 - 特許庁

Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity.例文帳に追加

遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。 - 特許庁

In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.例文帳に追加

さらに、本発明は、ＬＤＤ領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 33 or an upper layer wiring (conducting film) on the lower layer wiring 16a is not eliminated before the flattened film 37 is formed, so that the flattened film 37 on the lower layer wiring 16a is formed relatively thin.例文帳に追加

また、下層配線１６ａ上の層間絶縁膜３３又は上層配線（導電膜）を平坦化膜３７の形成前には除去しないことで下層配線１６ａ上の平坦化膜３７を相対的に薄く形成する。 - 特許庁

One layer absorbing the light is decomposed by being irradiated with the light of the wavelength of λ either absorbed by the lower crystal layer 31 or the upper crystal layer 32 and then the wafer is cut into two portions at the neighbouhood of the boundary surfaces of both layers.例文帳に追加

下部結晶層３１と上部結晶層３２のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを２つの部分に切り離す。 - 特許庁

The second wiring layer is located in an upper layer of the first wiring layer, and is disposed in a second wiring direction different from the first wiring direction with a plurality of power supply feed lines of a second potential being paired adjacent to each other.例文帳に追加

第２の配線層は、第１の配線層の上層に位置し、複数の第２の電位の電源電圧供給線が隣接して組となり第１の配線方向とは異なる第２の配線方向で配置されている。 - 特許庁

Lower part 14D of the soil improvement body is embedded in an impermeable layer 16 which is in the lower layer of the contaminated soil 12, and a head part 14U is formed higher than an upper surface 12U of the contaminated soil 12.例文帳に追加

地盤改良体１４の下部１４Ｄは、汚染土１２の下層にある遮水層１６に根入れされ、頭部１４Ｕは汚染土１２の上面１２Ｕより高く形成されている。 - 特許庁

A gate opening is so provided at the upper portion of the recess 3 as to penetrate a first inter-layer insulating film 4a, a gate electrode film 5 and a second inter-layer insulating film 4b which are laminated.例文帳に追加

凹部３上には、積層された第１の層間絶縁膜４ａ、ゲート電極膜５、及び第２の層間絶縁膜４ｂを貫通するようにゲート開口部が設けられる。 - 特許庁

The content of Bi, Cu, Ag or Zn is set to be 0.1-15 wt.% and the total thickness of the plated layer 2 of the Sn-alloy and the upper plated layer 3 is designed to be 0.5-20 μm.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの濃度は０．１〜１５重量％に設定され、Ｓｎ合金メッキ層２と上層メッキ３の合計厚みは０．５〜２０μｍに設計されている。 - 特許庁

In the side 1e of the device body 1B, the end surface 43E1 of the lower conductor layer 43 and the end surface 73E1 of the upper conductor layer 73 are electrically and physically connected.例文帳に追加

デバイス本体１Ｂの側面１ｅにおいて、下部導体層４３の端面４３Ｅ１と上部導体層７３の端面７３Ｅ１は、電気的且つ物理的に接続されている。 - 特許庁

The resistor layer 12 and the upper surface electrode layer 14 are inspected at a moment in time when they are formed, and if any one of them is recognized visually at the cut 100a, they are rejected.例文帳に追加

そして、抵抗層１２と上面電極層１４を形成した時点で検査を行い、切欠部１００ａにおける少なくともいずれかが視認される場合には、不合格とする。 - 特許庁

Colmnar spacers 18 consisting of a transparent positive resist hardened by ultraviolet rays are formed on an alignment layer 5 of a lower glass substrate 1 and under an alignment layer 16 of an upper glass substrate 11.例文帳に追加

下ガラス基板１の配向膜５上および上ガラス基板１１の配向膜１６下には紫外線硬化型の透明なポジ型レジストからなる柱状のスペーサ１８が形成されている。 - 特許庁

Thus, the step of filling the space T2 set between the upper shield layer 27 and the first metal layer 28 is carried out more easily and properly compared with the conventional case.例文帳に追加

これによって従来に比べて上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内の埋め込み工程を容易に且つ適切に行うことが可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a contact plug has a bottom in anchor structure without reference to the width of upper-layer wiring to reduce the connection resistance with lower-layer wiring, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

While ejecting by an overflow the contaminations 91 gathered at an upper layer portion of the reservoir tub 13, the wash water is attracted from a lower layer portion of the reservoir tub 13 for circulation.例文帳に追加

貯留槽１３の上層部に集まった汚染物９１をオーバーフローによって排出するとともに、貯留槽１３の下層部から洗浄水を吸引して循環させる。 - 特許庁

The source/drain area 9 connected with the bit line 17 includes a second conductive type impurity area 11 in its upper layer and a first conductivity type impurity area 10 in its lower layer.例文帳に追加

ビット線１７と接続するソース・ドレイン領域９は、上層に高濃度の第２導電型不純物領域１１を有し、下層に第１導電型不純物領域１０を有する。 - 特許庁

Accordingly, a reference position of a lower shielding layer 21 side of a gap length (GL) between upper and lower shields can be considered as the base layer 1, and a gap can be made to be smaller than a conventional one.例文帳に追加

よって、上下シールド間のギャップ長（ＧＬ）の下部シールド層２１側の基準位置を、前記下地層１上とみなすことができ、従来に比べて狭ギャップ化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic sensor element, which prevents potential differences between a substrate, a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer in the manufacturing process, and provide a magnetic sensor element.例文帳に追加

製造過程において基板と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

Therefore, the narrowed part serving passage of the current associated with the depletion on the upper part of the contact layer by negative charge attributed to the interface state between the contact layer and the insulating film can be prevented.例文帳に追加

よって、コンタクト層と絶縁膜との界面準位に起因する負電荷によるコンタクト層上部の空乏化に伴う電流の通り道となる部分の狭窄を防ぐことができる。 - 特許庁

The device body 1B includes a lower conductor layer 43 used for consisting a first passive element and an upper conductor layer 73 used for consisting a second passive element.例文帳に追加

デバイス本体１Ｂは、第１の受動素子を構成するために用いられる下部導体層４３と、第２の受動素子を構成するために用いられる上部導体層７３とを含んでいる。 - 特許庁

A metal sheet layer 31 is formed over the entire surface of one side of the ornament member 2 and an upper coat masking the mark portion 30 and an edging portion 301 is applied thereto to form a colored paint layer 32.例文帳に追加

装飾部材２の片側全面に金属薄膜層３１を形成し、マーク部３０と縁取り部３０１をマスキングした上塗装を施し、着色された塗装層３２を形成する。 - 特許庁

After base 2 is cleaned, a base layer agent 1 prepared by mixing an adhesive, water, cement and sand at a predetermined compounding ratio is applied to the upper face of the base 2, and consequently, a base layer a is formed.例文帳に追加

下地２を掃除処理した後、接着剤と水とセメントと砂とを所定の配分比率で混合して成る下地層剤１を、下地２の上面に塗布して下地層ａを形成する。 - 特許庁