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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11094件



例文

When a negative electric charge is loaded on the upper electrode 114, the piezoelectric layer 110 is polarized in the direction toward the upper electrode 114 from the lower electrode 108, and is polarized in the direction toward the upper electrode 114 from the central electrode 116.例文帳に追加

上部電極114に負の電荷が印加されると、圧電層110は、下部電極108から上部電極114に向かう方向に分極するとともに、中央電極116から上部電極114に向かう方向に分極する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inhibiting the generation of crystal defects and at the same time putting a quantum well layer into disorder even in a semiconductor device that has an arbitrary layer structure and at the same time an upper-cladding-layer thickness of 500 nm or less.例文帳に追加

任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが500nm以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate occurrence of voids caused by an electromigration at a via contact for improved reliability in wiring, by forming a plug which connects a lower-layer wiring to an upper-layer wiring so as to directly connect to a wiring without going through barrier layer.例文帳に追加

下層配線と上層配線とを接続するプラグを、バリア層を介さず配線に直接に接続するように形成することで、ビアコンタクトでのエレクトロマイグレーションによるボイドの発生を無くし、配線の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

An LD and an EA comprising an n-type lower side clad layer 12, a core layer 13, and a p-type upper side clad layer 14 are formed to an LD region and an EA region on an insulation board 11 with an isolation region inbetween.例文帳に追加

絶縁性の基板11上に分離領域を挟んでLD領域とEA領域に、それぞれn型の下側クラッド層12、コア層13及びp型の上側クラッド層14によるLDとEAを形成する。 - 特許庁

例文

To provide a coating application type magnetic recording medium provided with a lower layer coating film B and an upper layer coating film A on one surface on a nonmagnetic support C and provided with a back layer D on the other surface in such a manner that excellent preservation characteristics can be obtained.例文帳に追加

非磁性支持体C上の一方の面に下層塗膜B、上層塗膜Aが設けられ、且つ他方の面にバック層Dが設けられた塗布型磁気記録媒体において、優れた保存特性が得られるようにする。 - 特許庁


例文

The capacitor 4 has a lower conductive layer 10 arranged on the flattened film 3, a dielectric film 20 arranged on the lower conductive layer 10, and an upper conductive layer 30 arranged on the dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ4は、平坦化膜3の上に配置された下部導体層10と、この下部導体層10の上に配置された誘電体膜20と、この誘電体膜20の上に配置された上部導体層30とを有している。 - 特許庁

This interior finishing face plate 1 is so constituted that a finishing face exposed to the inside of a room is formed on the surface 1A, a conductive superheated layer is formed on the rear 1B, and a thermoplastic adhesion layer is formed on the upper surface of the conductive superheated layer.例文帳に追加

室内に露出する仕上げ面が表面1Aに形成され、裏面1Bに導電性過熱層が形成され、導電性過熱層の上面に熱可塑性接着層が形成された内装仕上げ面材1とする。 - 特許庁

A protective film 36a is formed, in at least a part of the inner side of the track width direction on the lower terminal layer, and the upper terminal layer (35) is formed from the protective layer 36a to the lower terminal layers (32, 33, 34).例文帳に追加

下層の端子層上であって少なくともトラック幅方向の内側の一部に保護層36aが形成され、保護層36a上から下層の端子層(32、33、34)にかけて上層の端子層(35)が形成されている。 - 特許庁

In a manufacturing method, a circuit pattern 56 is formed on both side or single side copper-clad laminate plates at both faces of at a single face, a build-up layer 57 is laminated thereon, and then a solder resist layer 58 is formed on the upper face of the build-up layer 57.例文帳に追加

本発明の製造方法は、両面または片面の銅張積層板に回路パターン(56)を形成し、その上部にビルドアップ層(57)を積層した後、ビルドアップ層(57)の上面にソルダレジスト層(58)を形成する。 - 特許庁

例文

A substrate 13 harder than the lower layer elastic body 12 is bonded to the under surface of the lower layer elastic body 12 by fitting between projections 121, 122 on the under surface of the lower layer elastic body 12 and recessed parts 131, 132 on the upper surface of the substrate 13.例文帳に追加

下層弾性体12の下面に、下層弾性体12より硬質の基板13が、下層弾性体12の下面の凸部121,122と基板13の上面の凹部131,132との嵌合によって接合されている。 - 特許庁

例文

An inexpensive metal material is used as a substrate and, after the oxidized film layer on the surface of the substrate is removed, an intermediate layer having conductivity is provided on the surface of the substrate and a π-conjugated polymer film is formed on the upper surface of the intermediate layer.例文帳に追加

安価な金属材料を基体として、基体表層にある酸化皮膜層を取り除いた後に、導電性を有する中間層を設け、その表面の上層にπ共役導電性高分子膜を形成する。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer 13, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and a thin film coil which is arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層12を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層13と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル10とを有している。 - 特許庁

Waste is charged in the furnace body 2 to be heated and melted and the upper layer melt is discharged from the slag discharge port 22 while the lower layer melt discharge port 101 is heated continuously or intermittently to guide the lower layer melt to discharge the same.例文帳に追加

廃棄物を炉体2に投入して加熱溶融し、出滓口22から上層の溶湯を排出する一方、下層の溶湯排出口101を連続的又は間欠的に加熱することにより下層の溶湯を誘導して排出する。 - 特許庁

The dot marks 21 of the upper layer are formed in a self-alignment manner with the dot marks 11 of the lower layer by a rear surface exposure technique with the dot marks 11 of the lower layer as a mask at the time of formation of a channel protective film 22 of TFTs(thin-film transistors) 45.例文帳に追加

上層のドットマーク21は、TFT45のチャネル保護膜22を作成する際、下層のドットマーク11をマスクとした裏面露光技術により、下層のドットマーク11に対して自己整合(セルフアライメント)的に作成される。 - 特許庁

The cold air fed from the cold air outlet 4 passes through the upper layer, the middle layer, and the lower layer of the freezer vessel 1 in a balanced state and flows out of the cold air return port 2 and the auxiliary cold air return port 3 to outside the freezer vessel 1.例文帳に追加

冷気吹き出し口4から供給される冷気は、フリーザー容器1の上層、中層及び下層を平均的に通過し、前記冷気戻り口2及び補助冷気戻り口3からフリーザー容器1外に流出する。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク5を含む試料層4およびガラス基板1の上面側をアルゴンイオンエッチングにより2μm程度除去し、ガラス層3、試料層4およびマスク5からなる試料部形成用凸部2を形成する。 - 特許庁

The part corresponding to the top part of the ridge 58a opens in the buried layer 68 and the protective layer 69, and an upper electrode 57 comes into contact with a compound semiconductor layer 64 at the top end of the ridge 58a via the opening part.例文帳に追加

埋め込み層68と保護層69とでリッジ58aの頂上部に対応する部分は開口されており、この部分を通じ上部電極57がリッジ58a上端の化合物半導体層64と接触される。 - 特許庁

An SiO_2 film 108 is formed by thermally oxidizing the upper layer part of the Si epitaxial layer 106 so that the Si epitaxial layer 106 remains by 100nm or less, preferably by 1 to 5nm at 1,000 to 1,250°C in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

酸素雰囲気中において、1000〜1250℃で、Siエピタキシャル層106を100nm以下、好ましくは、1〜5nm残すように、Siエピタキシャル層106の上層部を熱酸化して、SiO_2膜108を形成する。 - 特許庁

The emitting portion 10 and the dummy portion 20 include a lower semiconductor multilayer reflecting film 102 of n-type, an active layer 104, a p-type current constriction layer 106, a p-type upper semiconductor multilayer reflecting film 108, and a contact layer 110.例文帳に追加

発光部10およびダミー部20は、n型の下部半導体多層反射膜102、活性層104、p型の電流狭窄層106、p型の上部半導体多層反射膜108及びコンタクト層110を含んでいる。 - 特許庁

In the organic FET, an insulation layer 4 and a first organic molecular layer 6 are inserted into the upper surfaces of a source electrode 3 and a drain electrode 5, and a second organic molecular layer 7 is inserted into the side surfaces of the source electrode 3 and the drain electrode 5.例文帳に追加

本発明の有機FETでは、ソース電極3およびドレイン電極5の上面に絶縁層4と第一の有機分子層6を、ソース電極3およびドレイン電極5の側面に第二の有機分子層7を挿入する。 - 特許庁

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200.例文帳に追加

多層に積層された量子ドット24のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層200と、光吸収層200を挟むように設けられた下部電極27及び上部電極28を有する。 - 特許庁

The epitaxial lateral overgrowth substrate comprises a mother substrate, an island-like protective layer disposed on the mother substrate, and a GaNP layer disposed in contact with the upper faces and the sidewalls of the mother substrate and of the island-like protective layer.例文帳に追加

母材基板と、前記母材基板に設けられた島状保護層と、前記母材基板と前記島状保護層の上面および側壁とに接して設けられたGaNP層とを備えたエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-dimensional photonic crystal laser without deteriorating performance of a two-dimensional photonic crystal layer as a resonator, in forming an upper layer on the two-dimensional photonic crystal layer by an epitaxial method.例文帳に追加

2次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する方法であって、2次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させない2次元フォトニック結晶レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal device 1 is formed with the first light-shielding layer 51 overlapping between pixels 2a and the second light-shielding layer 52 overlapping over the upper layer side, with respect to a thin-film transistor 1c on an element substrate 10.例文帳に追加

液晶装置1において、素子基板10には、画素電極2aの間に重なる第1の遮光層51と、薄膜トランジスタ1cに対してその上層側で重なる第2の遮光層52とを同層位置に形成する。 - 特許庁

The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing).例文帳に追加

第2上クラッド層106に拡散された上記不純物を、活性層102まで再拡散して、活性層102のうち光出射端面150に沿い、かつリッジ105直下の部分102Bを混晶化する(第2アニール)。 - 特許庁

In the low temperature region where the exhaust gas temperature is 200°C or lower, NO_x is adsorbed by the NO_x adsorption layer, whereas in the high temperature region where the exhaust gas temperature exceeds about 200°C, the NO_x released from the NO_x adsorption layer is occluded and reductively purified by the NO_x storage reduction catalyst on the upper layer.例文帳に追加

排ガス温度が約 200℃以下の低温域ではNO_x はNO_x 吸着層に吸着され、約 200℃を超える高温域でNO_x 吸着層から放出されたNO_x は上層のNO_x 吸蔵還元触媒によって吸蔵され還元浄化される。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust gas includes: a base material 1 forming a gas passage where exhaust gas flows; a lower catalytic layer 2 formed on the surface of the base material 1; and an upper catalytic layer 3 formed on the surface of the lower catalytic layer 2.例文帳に追加

排ガス浄化用触媒は、排ガスが流通するガス流路を形成する基材1と、基材1の表面に形成された下触媒層2と、下触媒層2の表面に形成された上触媒層3と、をもつ。 - 特許庁

The metal hollow ball 4 includes a barrier layer 2 formed of barrier material on a surface of a metal hollow body 1 formed of metal material or metal oxide, and also includes a bonding layer 3 formed of bonding material on an upper surface of the barrier layer.例文帳に追加

金属材料または金属酸化物で形成される金属中空体1の表面にバリア材で形成されるバリア層2を有し、バリア層の上面に接合材で形成される接合層3を有する金属中空ボール4。 - 特許庁

To provide a radiation sensor that can suppress increase in crosstalk even when a distance between an upper surface of a scintillator layer and a light reflective layer is increased in order to form the light reflective layer without a defect.例文帳に追加

本発明は、光反射層を欠陥無く形成するためにシンチレータ層上面と光反射層の距離が離れた場合においてもクロストークの増加を抑制することが可能な放射線センサーを提供することを目的とする。 - 特許庁

In manufacturing the piezoelectric actuator, the anti-diffusion layer is formed on an upper face of a diaphragm by an AD method (S102), the anti-diffusion layer is heated at 750°C for 30 minutes (S103), and a residual stress of the anti-diffusion layer is relieved.例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造するには、振動板の上面にAD法により拡散防止層を形成し(S102)、拡散防止層を750℃で30分間加熱して(S103)拡散防止層の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

A slot 12 has a lower layer insertion part 31 of a double-layered lap-wound coil 30 interposed on the back side thereof and also has an upper layer insertion part 32 interposed on an opening end side thereof away from the lower layer insertion part 31.例文帳に追加

スロット12の奥側には、2層巻の重ね巻コイル30の下層挿入部31が挿入配置されるとともに、下層挿入部31よりもスロット12の開口端側には上層挿入部32が挿入配置されている。 - 特許庁

To provide an automatic analysis apparatus capable of preventing contamination without allowing a dispensing probe to penetrate to a necessary degree or above even when the layer other than the upper layer of a sample to be inspected separated into a plurality of layers is set as a sucking target layer.例文帳に追加

複数の層に分離する被検試料の上層以外を吸引の目的層とする場合であっても必要以上に分注プローブを侵入させずにコンタミネーションを防止することができる自動分析装置を提供する。 - 特許庁

Then, a second metal layer 150 bonded to the metal pillars 200 constituted by stacking the first and second metal pillars 60, 90 is formed on an upper surface of an insulating layer 10 constituted by laminating the first and second insulating layer 70, 100.例文帳に追加

その後、第1及び第2絶縁層70、100を積層してなる絶縁層10上面に、第1及び第2金属柱60、90を連ねてなる金属柱200に接合された第2金属層150を形成する。 - 特許庁

A first label 100-1 includes: an adhesive layer 110 mixed with microcapsules 114 where a repellent is enclosed and formed on a pasteboard 102; and a printing layer 116 formed on the upper part of the adhesive layer 110.例文帳に追加

第1ラベル100−1は、台紙102の上部に形成される、忌避剤を封入したマイクロカプセル114を混合した粘着層110と、当該粘着層110の上部に形成される印刷層116からなる。 - 特許庁

In the tinned steel sheet, one side or both sides of a steel sheet is provided with a tinned layer in which pinholes are sealed by iron phosphate as the lower layer, and, a phosphoric acid based film containing magnesium ions is provided as the upper layer thereof.例文帳に追加

鋼板の片面または両面に、下層としてピンホールがリン酸鉄によって封孔された錫めっき層を有し、その上層としてマグネシウムイオンを含有するリン酸系皮膜を有することを特徴とする錫めっき鋼板。 - 特許庁

A carbon content insulating film(third insulating film 106) whose density or carbon density is continuously changing to a thickness direction is used as an inter-layer insulating film between lower layer metallic wiring 104 and upper layer metallic wiring 113.例文帳に追加

下層金属配線104と上層金属配線113との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜(第3の絶縁膜106)を用いる。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク40は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率(low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

To provide a touch panel device which can prevent a metal layer from being melted or corroded to cause a deterioration in adhesion to a transparent conductive film, when the device has a structure which keeps the metal layer overlying the upper layer of the transparent conductive film.例文帳に追加

透明導電膜の上層に金属層が形成されている構造を有する場合に、金属層が溶けたり腐食したりして透明導電膜との接着性が低下することを防止できるタッチパネル装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming the optical waveguide is characterized by the fact that the optical waveguide is composed of a lower clad layer, a core part, and an upper clad layer, and the lower clad layer and at least one of the core parts are formed by using a dry film.例文帳に追加

下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層からなる光導波路であって、下部クラッド層およびコア部分の少なくとも1つをドライフィルムを用いて形成することを特徴とする光導波路の形成方法。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極TEとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線20と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線BLとにより第1の配線層が構成されている。 - 特許庁

A first conductor layer 20 is formed in such a way that a magnetic substance layer 40 is interposed on the upper surface of a dielectric substrate 10, and a second conductor layer 30 in a uniform pattern is formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.例文帳に追加

誘電体基板10の上面に磁性体層40を介在させるようにして第1導電体層20を形成し、誘電体基板10の下面には一様パターンの第2導電体層30を形成する。 - 特許庁

The recording head has a lower part magnetic pole layer and an upper part magnetic pole layer 13 which include magnetic pole parts and face each other across a recording gap layer 12, and a thin film coil 10 arranged between them in an insulted state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層12を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層13と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル10とを有している。 - 特許庁

The method for forming the layer to prevent the infiltration of rain water comprises forming the layer to prevent the infiltration of rain water by covering the upper surface of the waste 16 in the waste disposal facility with the gas-permeable liner sheet 10 and a resin porous membrane layer 12 for reinforcement.例文帳に追加

雨水浸透防止層の施工方法は、廃棄物処分場の廃棄物16の上面を該通気性遮水シート10と補強用樹脂多孔膜層12とを施工し被覆して雨水浸透防止層を形成する。 - 特許庁

(3) The gate electrode 33 is constituted of a silicide layer 44a which is at the upper part of the groove and is disposed in the area between the side walls and a phosphorus doped polysilicon layer 44b installed between the groove wall of the groove and the silicide layer 44a.例文帳に追加

(3)ゲート電極が、溝部分の上部であって、サイドウォール間の領域に設けられたシリサイド層44aと、溝部分の溝壁とシリサイド層44aとの間に設けられたリンドープトポリシリコン層44bとで構成されている。 - 特許庁

This optical waveguide chip 10 has a core 8, a clad layer comprising a lower clad layer 7 and an upper clad layer 9, and an optical fiber guide 6 to position the single mode optical fiber 11 to be connected with the core 8.例文帳に追加

光導波路チップ10は、コア部8と、下部クラッド層7と上部クラッド層9とからなるクラッド層と、コア部8に接続されるシングルモード用光ファイバ11を位置決めするための光ファイバ用ガイド部6とを有する。 - 特許庁

By using a target ID applied by a command control device in an upper layer also for a command control device in an intermediate layer and a management device in a lower layer, management of target information using target numbers batched among systems is performed.例文帳に追加

上位層の指揮統制装置で付与した目標IDを中位層の指揮統制装置及び下位層の対処装置でも使用することで、システム間で一括した目標番号を使用した目標情報の管理を実施する。 - 特許庁

Edges of the first photoelectric converting layer 3 and the second photoelectric converting layer 5 exposed in the separating grooves H1 to H3 are removed by conducting a plasma etching and the upper surface of the side end part of the intermediate reflecting layer 4 are exposed.例文帳に追加

プラズマエッチングを行うことにより分離溝H1〜H3内に露出した第1の光電変換層3および第2の光電変換層5の角部を除去し、中間反射層4の側端部の上面を露出させる。 - 特許庁

The optical probe head 1 as the light input and output part is composed of a lower clad layer 2, a core layer 3 and an upper clad layer 4 which have a different refractive index respectively, and moreover one end surface of the tip ends is the optical waveguide consisting of a mirror surface 5.例文帳に追加

光の入出力部としての光プローブヘッド1は、それぞれ屈折率の異なる下部クラッド層2,コア層3,上部クラッド層4からなり、かつ、その先端の一端面はミラー面5とする構造の光導波路である。 - 特許庁

例文

Since the layer 7 containing the high resistance material is formed on the upper surface of the high voltage wiring part 5, direction control performance of emitted electrons is more improved than in case the insulating layer is formed instead of the layer 7 containing the high resistance material.例文帳に追加

高電位側配線部5の上面に高抵抗材料を含む層7を形成するため、高抵抗材料を含む層7の代わりに絶縁層を形成した場合に比べて、放出電子の方向制御性が向上する。 - 特許庁




  
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