「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor element such that when the semiconductor element having a semiconductor layer containing a donor element is formed, diffusion of the donor element into an upper layer is suppressed.例文帳に追加

ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

A specific region of an upper layer film formed with an invisible opaque material can be selectively removed, and a region adjacent to the specific region remains coupled with the base material layer.例文帳に追加

不可視な不透明材料が形成された上層フィルムの特定の領域は選択的に除去可能であり、その特定領域に隣接する領域は基材層に結合されたまま残る。 - 特許庁

The upper semiconductor laminate has a carbon doped layer 115, made of a III-V semiconductor containing carbon whose concentration is of ≥1×10^19 cm^-3 as a dopant, nearby the active layer 105.例文帳に追加

上部半導体積層は、１×１０^19cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。 - 特許庁

The thickness of the barrier film 20 held between a via plug 11 of upper-layer wiring and lower-layer wiring 5 is set to film thickness where Cu atoms can be mutually diffused up and down.例文帳に追加

また、上下配線界面のバリア膜を除去した構造においても、ビアホール側面のバリア膜とビアホールに埋め込まれたＣｕの界面の密着性が劣化して、ＥＭ寿命が劣化する。 - 特許庁

To provide a bank protection which looks natural to a maximum extent, which is easily constructed while taking the scenery of a river into account, and the lower layer of which is suitable for fish nests and the upper layer of which is suitable for vegetation.例文帳に追加

可能な限り自然に近く、河川の景観に配慮しつつ、容易に施工可能であって下層が魚巣に適して上層が植生に適した護岸を提供する。 - 特許庁

If the mesh holes are set smaller than 75 μm in diameter, the upper mesh holes are hard to be superposed on the lower mesh holes, and if the mesh holes are set larger than 300 μm in diameter, the plane layers hardly function as a power supply layer or a grounding layer.例文帳に追加

これは、７５μｍ未満であると、上下のメッシュ穴を重ねることが難しくなり、３００μｍを越えると、電源層あるいはグランド層として機能しないからである。 - 特許庁

A reflective layer 3 is formed on an upper part of a structure which generates near-field light, and multiple interference of the light is generated between the reflective layer 3 and the surface of a medium 8.例文帳に追加

近接場光発生を発生する構造体上部に反射層３を形成し、この反射層と媒体８の表面間において、光の多重干渉を生じさせる。 - 特許庁

This magnetic recording disk has the antiferromagnetically coupled (AFC) structure 120 having an upper ferromagnetic layer (UL) 140 and a lower layer structure 121 formed of two ferromagnetically coupled lower ferromagnetic layers (LL1 and LL2) 122 and 126.例文帳に追加

磁気記録ディスクが、上部強磁性層 (UL) 140 及び二つの強磁性結合された下部強磁性層 (LL1, LL2) 122,126で形成された下層構造121を有する反強磁性結合 (AFC) 構造120を持っている。 - 特許庁

An n-GaAs current block layer is formed in the areas on the side face of a ridge and the upper surface of the ridge above a window area on the first clad layer of p-AlGaInP.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層上、リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が形成される。 - 特許庁

This mounting structure is equipped with a composite panel body 1 wherein a scaffolding board 5 as an upper layer and the radio wave absorbing panel 6 as a lower layer are integrally coupled together at a prescribed vertical interval A by a coupling intermediate member.例文帳に追加

上層の足場板５と下層の電波吸収パネル６とが上下所定間隔Ａをもって連結中間部材にて一体状に連結された複合パネル体１を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the optical information recording medium of one layer formed by layering an information layer and a cover layer on a substrate, the cover layer is formed in an applying step for ejecting and applying a liquid material by a spray system from an ejection port provided at an upper part of the substrate.例文帳に追加

基板上に情報層とカバー層とが積層された１層の光情報記録媒体の製造方法であって、前記カバー層は、前記基板の上方に設けられた吐出口からスプレー方式により液状材料を吐出して塗布する塗布工程により形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The first plug electrode 35 includes a plug conductive layer 351 formed from the surface of the substrate 10, and a plug barrier layer 352 formed from above the plug conductive layer 351 up to an upper surface of the first insulating layer 33, and having a higher etching selection ratio than the lower electrode 15.例文帳に追加

第１プラグ電極３５は、基板１０の表面から形成されたプラグ導電層３５１、プラグ導電層３５１上から第１絶縁層３３の上面まで形成され且つ下部電極１５よりもエッチングに対する選択比が高いプラグバリア層３５２を有する。 - 特許庁

After an Al film 8 and an Ni film 9 are sequentially deposited on a gate electrode 4 and a source/drain diffusing layer 7, the heat treatment is conducted to form an Ni silicide layer 10 including Al at the upper part of the n-type silicon layer forming the gate electrode 4 and source/drain diffusing layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４の上及びソース・ドレイン拡散層７の上にＡｌ膜８及びＮｉ膜９を順次堆積した後、熱処理を実施し、ゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層７を構成するＮ型シリコン層の上部にＡｌ含有Ｎｉシリサイド層１０を形成する。 - 特許庁

A capacitor section 102 is formed of a lower electrode 111 provided on a SiO2 layer 119 on a doped layer 117 provided on a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

This device comprises a library reading section 101, a design rule reading section 102, a net list reading section 103, a boundary recognition section 104 recognizing a boundary wire of a block in a lower layer, and a lower layer recognition section 105 recognizing in an upper layer the boundary wire of the simplified lower layer block.例文帳に追加

ライブラリ読み込み部１０１と、デザインルール読み込み部１０２と、ネットリスト読み込み部１０３と、下階層のブロックの境界配線を認識する境界認識部１０４と、簡易化した下階層ブロックの境界配線を上位層において認識する下位層認識部１０５と、を有する。 - 特許庁

A multilayer film constituted of a lower clad layer, an active layer and an upper clad layer is formed on the substrate 1, and a current injection layer which is stretched to the primary surface regions 1b on both sides of the worked region 1a is formed on the multilayer film, in a state of crossing the worked region 1a.例文帳に追加

基板１上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、この多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａの両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層を形成する。 - 特許庁

The solid-state image pickup element further includes a hole section 30 formed in the insulating layer in the upper part of the photoelectric conversion section, a silicon nitride layer 39 covering a bottom surface and a side surface of the hole section 30, and a buried layer 40 formed on the silicon nitride layer 39.例文帳に追加

そして、この固体撮像素子は、光電変換部の上方において絶縁層に形成されている孔部３０と、この孔部３０の底面及び側面を被覆する窒化シリコン層３９と、窒化シリコン層３９上に形成されている埋め込み層４０とを備える。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 12 and an upper magnetic pole layer 13 opposite the lower magnetic pole layer 12 are formed, and a lower submagnetic pole 11 is formed on the lower magnetic pole layer 12, which is constituted of magnetic layers 31, 32 to constitute a plurality of lower submagnetic poles along a medium opposite surface 21.例文帳に追加

下部磁極層１２と、下部磁極層１２と対向する上部磁極層１３とが形成され、この下部磁極層１２上に媒体対向面２１に沿って複数の下部副磁極を構成する磁性層３１、３２からなる下部副磁極１１が形成される。 - 特許庁

In manufacturing the EL color filter that constitutes the EL display unit, an extraction electrode layer pattern 2 that is respectively connected to the upper electrode or the lower electrode and a shading layer pattern (black matrix) 3 that fills between the coloring layer patterns are formed simultaneously by carrying out patterning of the conductive layer 10.例文帳に追加

ＥＬ表示装置を構成するＥＬ用カラーフィルタを製造するにあたり、導電層１０をパターンニングして、下部電極又は上部電極にそれぞれ接続される取出電極層パターン２と、着色層パターン間を埋める遮光層パターン（ブラックマトリクス）３とを同時に形成する。 - 特許庁

By having the germanium concentration of a first SiGe layer 12a, formed on a semiconductor substrate 11, set up lower than the germanium concentration of a second SiGe layer 13a formed in the upper part, the etching rates of the first SiGe layer 12a and the second SiGe layer 13a are made almost the same.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成される第１ＳｉＧｅ層１２ａのＧｅ濃度を、その上方に形成される第２ＳｉＧｅ層１３ａのＧｅ濃度より低く設定することで、第１ＳｉＧｅ層１２ａと第２ＳｉＧｅ層１３ａのエッチングレートをほぼ同じにする。 - 特許庁

A polishing stopper layer 42 with high polishing resistance is formed on a substrate 41, and then is subjected to a dry etching process with a dry etching device by using a photoresist layer as a mask so as to form an opening section 46, and a first coloring layer 56 is formed so as to bury the upper side of the polishing stopper layer 42 and the opening section 46.例文帳に追加

支持体４１上に研磨耐性の高い研磨ストッパー層４２を形成した後、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチング装置でドライエッチング処理し、開口部４６を形成し、研磨ストッパー層４２上及び開口部４６を埋め込むように第１の着色層５６を形成する。 - 特許庁

In the organic EL display device, a TFT 6, a lower electrode 22, an insulating member 7, an organic luminous medium 21, an upper electrode 23, a sealing layer 3, a stress relaxation layer 9, a flattening layer 8, and a coloring layer 4 are formed on a support substrate 1, and a transparent substrate 5 is provided on the uppermost surface.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示装置は、支持基板１上に、ＴＦＴ６、下部電極２２、絶縁部材７、有機発光媒体２１、上部電極２３、封止層３、応力緩和層９、平坦化層８及び着色層４が形成され、最上面に透明基板５が設けられている。 - 特許庁

The liquid-liquid separation method is performed by putting a (meth)acrylate having a lower specific gravity and an aqueous sodium hydroxide solution having a higher specific gravity into a neutralization tank 14, stirring them, leaving them at rest, separating them into an upper layer and an under layer, extracting the under layer liquid, and separating the (meth)acrylate from a water layer.例文帳に追加

液・液分離方法は、中和槽１４内に比重の小さい（メタ）アクリレートと、それより比重の大きい水酸化ナトリウム水溶液とを投入して撹拌後静置し、上層と下層とに分けた後、下層液を抜き出し、（メタ）アクリレートを水層と分離することによって行われる。 - 特許庁

In a hetero-junction semiconductor having spacer layers 4 and 6 on upper and lower sides of a channel layer 5, the channel layer 5 is structured to have a pair of InGaAs 51 and 52 and an inserted channel layer inserted between both of the InGaAs layers 51 and 52 and composed of a compound semiconductor layer GaAs or InGaAs.例文帳に追加

チャネル層５の上下にスペーサ層４，６を有するヘテロ接合型の半導体装置において、チャネル層５が一対のＩｎＧａＡｓ５１，５２と、両ＩｎＧａＡｓ層５１、５２に挟まれた化合物半導体層ＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓから挿入チャネル層を有する構造にする。 - 特許庁

The manufacturing process of the encapsuled part 1 includes the steps of depositing layer of polymer material on the upper wall 7 of the first cavity 3, annealing the same to form a projecting sacrifical layer, depositing a thin film on the sacrifical layer, and removing the sacrifical layer to form a projecting second cover 10.例文帳に追加

前記カプセル封じ部品１の製造プロセスは、まず第１の空洞３の上壁７上にポリマー材料の層を堆積しそれをアニールして凸状の犠牲層を作り、その犠牲層上に薄膜を堆積し、犠牲層を除去すると凸状の第２のカバー１０ができる。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element, that can prevent oxygen contained in a mirror reflection layer form diffusing into the upper and lower layers of the mirror reflection layer, and can maintain uniformity at the interface of the mirror reflection layer, in the magnetic detection element having mirror reflection layer made of an insulating oxide.例文帳に追加

絶縁酸化物からなる鏡面反射層を有する磁気検出素子において、鏡面反射層の上下の層に鏡面反射層に含まれる酸素が拡散することを防ぎ、鏡面反射層の界面の均一性を保つことのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

Each of the phase-change memory cells 53 includes the heating layer 45 disposed on a corresponding isolated region of the lower electrode 43, a phase-change material layer 46 disposed to cover the heating layer 45, and an upper electrode 47 disposed on the phase-change material layer 46.例文帳に追加

各々の相変化メモリセル５３は、下部電極４３の対応する分離領域上に形成された発熱層４５と、発熱層４５を覆うように形成された相変化物質層４６と、相変化物質層４６上に形成された上部電極４７とを備える。 - 特許庁

A decorative sheet S formed of a polyolefin resin and having a concave-convex pattern 4 formed by embossing comprises the lower layer 1 of an olefinic thermoelastomer and the upper layer 2 of a crystalline polyolefin resin and the surface protective layer 3 of a cured product of an ionizing radiation curable resin stacked on the lower layer 1.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなりエンボス加工による凹凸模様４を有する化粧シートＳを、オレフィン系熱可塑性エラストマーの下層１上に、結晶性ポリオレフィン系樹脂の上層２、及び、電離放射線硬化性樹脂の硬化物の表面保護層３が積層された構成とする。 - 特許庁

When aqueous solution in a half-thawing state, in which an ice lump i1 floats, refreezes, the upper layer of the aqueous solution freezes and the iced layer i2 is integrated to the ice lump i1 and the lower layer of the aqueous solution freezes to form an ice pillar i4 using a protrusion 2C as a nucleus at the center part of an iced layer i3.例文帳に追加

氷塊ｉ１が浮かぶ半解凍状態の水溶液が再凍結する際、水溶液の上層部が凍結してその氷層ｉ２が氷塊ｉ１と一体化し、水溶液の下層部が凍結してその氷層ｉ３の中央部に突起２Ｃを核とする氷柱ｉ４が形成される。 - 特許庁

The catalyst layer transfer sheet 1 for transferring the catalyst layer 3 on an electrolyte film 6 includes: a sheet-like base substrate 2; the catalyst layer 3 formed on the entire upper surface of the substrate 2, and a non-transfer layer 4 formed on an outer peripheral edge part of the catalyst 3.例文帳に追加

電解質膜６に触媒層３を転写するための触媒層転写シート１であって、シート状の基材２と、基材２の上面全体に形成された触媒層３と、触媒層３の外周縁部上に形成された非転写層４と、を備えている。 - 特許庁

The original plate for planographic printing is obtained by disposing a heating layer as a lower layer on a substrate and a hydrophilic photosensitive layer containing fine metal particles which change into hydrophobic particles according as light is converted to heat and a hydrophilic precursor which is made hydrophobic as an upper layer.例文帳に追加

支持体上に発熱層が下層として設けられ、さらに光を熱に変換することに伴って疎水性に変化する金属微粒子と親水性の疎水性化前駆体とを含有する親水性の感光層が上層として設けられている平版印刷用原板。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a substrate 110, a light emitting layer 124 provided on the upper part of the substrate, a window part 150 for parting the light emitting layer 124, and a reflection part 130a provided below the light emitting layer 124 for leading light from the light emitting layer 124 to the window part 150.例文帳に追加

基板１１０と、基板の上方に設けられた発光層１２４と、発光層１２４を分断する窓部１５０と、発光層１２４の下方に設けられ、発光層１２４からの光を窓部１５０に導く反射部１３０ａとを有する半導体発光素子である。 - 特許庁

The image signal wire is formed of a stacked film of two layers, comprising the lower-layer electrode film and an upper-layer electrode film of aluminum, covering the lower-layer electrode film, by overlapping at least a part of the lower-layer electrode film, facing the groove of the first insulation substrate and deposited up to the flat principal surface.例文帳に追加

下層電極膜の少なくとも一部に重畳して当該下層電極膜を覆うと共に、第１絶縁基板の溝を臨む平坦な主面にかけて蒸着されたアルミニウムの上層電極膜との二層の積層膜で画像信号配線が構成される。 - 特許庁

On a lower shield layer 12 and an upper shield layer 19 holding an MR element 15 between them through a 2nd non-magnetic layer 14 and a 3rd non-magnetic layer 17, step parts 12a, 12b, 19a, 19b are arranged respectively at the positions corresponding to both end parts of the MR element 15.例文帳に追加

ＭＲ素子１５を第２の非磁性層１４及び第３の非磁性層１７を介して挟持する下層シールド層１２及び上層シールド層１９に、それぞれ、ＭＲ素子１５の両端部に相当する位置に段差部（１２ａ，１２ｂ、１９ａ，１９ｂ）を設ける。 - 特許庁

The optical device including the lower clad layer (13a), the core pattern (12) formed on the lower clad layer (13a), and the upper clad layer (13b) formed so as to surround the core pattern (12) forms a dummy pattern (111) along the core pattern (12) on the lower clad layer (13a).例文帳に追加

本発明は、下部クラッド層（１３ａ）と、下部クラッド層（１３ａ）上に形成されたコアパターン（１２）と、コアパターン（１２）を囲むように形成された上部クラッド層（１３ｂ）とを有する光学装置において、下部クラッド層（１３ａ）上に、コアパターン（１２）に沿ってダミーパターン（１１１）を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In the coated article 1 in which a base colored layer 3 containing a pigment such as carbon black 4 is formed on the surface of a base material 2 and a color clear layer 5 containing a dye such as black dye 7 is formed on the upper side of the base colored layer 3, a photo-stabilizer is added to the color clear layer 5.例文帳に追加

基材２の表面に、カーボンブラック４などの顔料を含むベース着色層３が形成され、このベース着色層３の上側に、黒染料７などの染料を含むカラークリヤー層５が形成された塗装品１であって、カラークリヤー層５に光安定剤が添加されている。 - 特許庁

To provide a resist pattern which does not give rise to intermixing at the boundary between an upper layer resist layer and a lower layer resist layer and consequently has a good shape, a method of forming this resist pattern, a patterning method of a thin film by using this resist pattern and a method of manufacturing a thin-film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

This scratch processed metal like decorative sheet 10 is constituted by successively forming a scratch like pattern layer 2 and a metal gloss layer 3 comprising a bright ink layer or the like to the back of a transparent resin sheet 1 and a gloss difference pattern layer 4 for bringing the outermost surface to a scratch like gloss difference pattern on the upper surface of the transparent resin sheet 1.例文帳に追加

スクラッチ加工金属調化粧シート１０は、透明樹脂シート１の裏側に、スクラッチ調絵柄層２、光輝性インキ層等からなる金属光沢層３を順次形成し、表側には最表面をスクラッチ調艶差模様とする艶差絵柄層４を形成した構成とする。 - 特許庁

The switch comprises, in order from the exterior, a surface sheet 2, an upper light refection/diffusion layer 3 as a light reflection/diffusion layer, a spacer 4 as a light guide member, a lower light reflection/diffusion layer 5 as a light reflection/diffusion layer, a circuit 6 mounted with a light emitting device 8, and a casing 7.例文帳に追加

表面シート２と、光反射・拡散層としての上部光反射・拡散層３と、導光部材としてのスペーサ４と、光反射・拡散層としての下部光反射・拡散層５と、発光素子８を実装した回路体６と、筐体７と、を外側から順に備えて構成する。 - 特許庁

A capacitor 102 is formed of a lower electrode 111 provided over the SiO2 layer 119 on an impurity layer 117 provided to a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

Each of the first and second lead frames includes a base material, a silver plated layer formed on at least an upper surface of the base material and having a thickness of at least 2 μm, and a rhodium plated layer formed on the silver plated layer and thinner than the silver plated layer.例文帳に追加

そして、前記第１及び第２のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device includes: a lower electrode; an organic layer including a luminous layer provided on the lower electrode; an upper electrode provided on the organic layer; and an isolation layer that is adjacent to the lower electrode and does not coat a surface of the lower electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、下部電極と、前記下部電極の上に設けられた発光層を含む有機層と、前記有機層の上に設けられた上部電極と、前記下部電極に隣接し、前記下部電極の表面を被覆しない絶縁層と、を備える。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

In the semiconductor layer element 10, a resonator 12 where a quantum well active layer 11 constituted of a barrier layer formed of gallium nitride and a well layer formed of indium gallium nitride is sandwiched by optical guide layers constituted of n-type and p-type aluminium gallium nitride from upper/lower directions is formed.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層１１が少なくともｎ型とｐ型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器１２が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 12 composed of AlN, a channel layer 13 composed of undoped GaN, and a carrier supply layer 14 composed of AlGaN are sequentially formed on a substrate 11, and a cross-sectional V-shaped recessed portion 14b is formed on the upper part of the carrier supply layer 14.例文帳に追加

基板１１の上にＡｌＮからなるバッファ層１２、アンドープのＧａＮからなるチャネル層１３及びＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１４とが順次形成されており、キャリア供給層１４の上部には断面Ｖ字形状の凹部１４ｂが設けられている。 - 特許庁