「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the upper surface of the substrate 10 is coated with a protective layer 40 except at the portions, where the plated-nickel layers 24 and plated-solder layers 26 are formed.例文帳に追加

さらに、絶縁基板１０の上端には、ニッケルメッキ層やハンダメッキ層２６の部分を除いて保護層４０で被覆される。 - 特許庁

A bias voltage, etc., is inputted by penetrating into the cover 11 by a bias line 34 and a via hole 36 from a bias circuit 14 of an upper layer.例文帳に追加

バイアス電圧等は、上位層のバイアス回路１４からバイアス線３４、バイアホール３６によりカバー１１を貫通して入力する。 - 特許庁

The circuit cells 10 are connected to the reference voltage main line VSS via power switches M1, M2 and the VSS upper-layer branch lines 72.例文帳に追加

回路セル１０が、電源スイッチＭ１,Ｍ２とＶＳＳ上層分岐線７２を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。 - 特許庁

Therefore, the recess portion 13b is covered with the upper layer portion 13c, a void portion 13b1 is formed at the end of each through-dislocation D1.例文帳に追加

従って、上層部１３ｃが凹部１３ｂの上を覆い、個々の貫通転位Ｄ_1 の終端に空間部１３ｂ_1 が形成される。 - 特許庁

This constitution can constantly introduce the bathwater in the upper layer part in the device and, after filtering and clarifying the bathwater, discharge it to the bathtub again.例文帳に追加

これにより，絶えず上層部の浴湯を装置内に取り入れ，浴湯を濾過・浄化した後に再び浴槽内に吐き出すことができる。 - 特許庁

A covering layer 20 made of a dielectric material is provided so as to entirely or partially cover the outer surface of the upper member 11a.例文帳に追加

上側部材１１ａの外面の全部又は一部を覆うように、誘電体材料からなる被覆層２０が設けられている。 - 特許庁

A liquid crystal device as an example of the electrooptical device comprises a pair of an upper substrate and a lower substrate sandwiching a liquid crystal layer.例文帳に追加

電気光学装置の一例としての液晶装置は液晶層を挟持する一対の上側基板及び下側基板を備える。 - 特許庁

Since the area where the conductive layer 43 is formed is wider than the sample, the circumferential edge of the sample is exposed in the upper side when the sample is placed.例文帳に追加

この導電層４３の形成される面積は、試料よりも広いため、試料の載置時には周縁部が上方に露出する。 - 特許庁

An adhesive layer is provided at seal strip 3 that is bonded to a back-side strip 2 when it is folded at the upper edge 8 of a front-side strip 1.例文帳に追加

表面片１の上端縁８で折り返されて裏面片２に粘着される封緘片３に、粘着剤層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having metal wires formed on an upper layer wire by RIE using tungsten as a contact burying material in which tungsten can be prevented from being etched by chemical due to the misalignment of a pattern at the time of patterning the upper layer interconnect, no inclusion margin is required at the time of patterning the upper layer interconnect, and the reduction of a pattern size is facilitated.例文帳に追加

コンタクト埋め込み材としてタングステンを用い、その上層配線にRIEを用いて加工するメタル配線をもつ半導体装置の製造に際して、上層配線のパターニングの際にパターンの合わせずれに起因してタングステンが薬液でエッチングされてしまうことを防止でき、上層配線のパターニングの際に包含余裕をとる必要がなくなり、パターンサイズの縮小が容易になる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.例文帳に追加

絶縁膜２２とｎ型拡散領域２３の上面は同一の高さとなっており、段差のないほぼ平坦な面となっている。 - 特許庁

In a CMOS circuit, a number of N-well regions 12 and P-well regions 14 are formed along the upper surface of a layer 10.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路では層１０の上表面に沿って、多数のＮウエル領域１２およびＰウエル領域１４が形成される。 - 特許庁

Conductor patterns 2 and 3 are formed so that the through- holes 8 and 8 in different rows are connected on the upper and lower surfaces of the first layer 1.例文帳に追加

第１の層１の上下面において異なる列のスルーホール８、８間を連絡するように導体パターン２、３を形成する。 - 特許庁

The capacity value of the element Cc is changed by the plane width of an Al film 16 being the wiring film of an upper layer.例文帳に追加

また、付加容量素子Ｃｃの容量値を、上層の配線膜であるＡｌ膜１６の平面的な幅で変更するようにした。 - 特許庁

Vertical rigidity is imparted to the joint part of an upper horizontal member 18 of a reinforcing layer 14 with the stud members 60, 62.例文帳に追加

この間柱部材６０、６２によって補強層１４の上部水平部材１８の接合部に鉛直剛性が付与されている。 - 特許庁

A cross-sectionally L-shaped gate layer 22 is formed from the other side surface of each wall part 11 to a part of the upper surface of the insulation substrate 10.例文帳に追加

各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。 - 特許庁

This method for forming the cavity structure of the semiconductor device is useful, especially for packaging an image sensor, and a spacer layer is formed at the upper part of a substrate.例文帳に追加

キャビティ構造の形成方法は、特にイメ−ジ・センサーのパッケージングに有用であり、基板上部にスペーサー層が形成される。 - 特許庁

A top wall part 4 and a peripheral wall part 5 are integrally formed by the deep drawing of a paper material 3' having a gas barrier layer 7 on the upper surface thereof.例文帳に追加

上面にガスバリア層７を有する紙質素体３’を深絞り成形して天壁部４と囲壁部５を一体形成している。 - 特許庁

A communication port 25 to feed cooling water to a water jacket on the upper layer side is situated at one end part of the vertical passage 22.例文帳に追加

この縦流れ流路２２の一端部には、冷却水を上層側ウォータジャケットに送るための連絡口２５が設けられている。 - 特許庁

The insulating layer 15 is provided on the upper surface of the adhesive force improving film 14c around the adhesive force improving film 14a.例文帳に追加

密着力向上膜１４ａの周囲における密着力向上膜１４ｃの上面には絶縁層１５が設けられている。 - 特許庁

The total thickness of the lower and upper layer protective films 13 and 14 is 6-15 nm.例文帳に追加

下層カーボン保護膜１３と上層カーボン保護膜１４の厚さとを加えたカーボン保護膜の全厚は６ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。 - 特許庁

To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に，基板にオーミック接続する配線又は電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for high breakdown voltages for preventing element separation breakdown voltages from decreasing when applying a high voltage to upper-layer wiring.例文帳に追加

上層配線に高電圧を印加する際に、素子分離耐圧を低下させない高耐圧用の半導体装置を提供する。 - 特許庁

A second light shield layer 2 for restricting the light entering the noise removing circuit 11 is further provided on the upper part of the noise removing circuit 11.例文帳に追加

ノイズ除去回路１１の上部に、ノイズ除去回路１１への光の入射を制限する第２の遮光層２を更に設ける。 - 特許庁

To provide a laser-trimmable capacitor which can be structured to improve the adhesion strength between an organic resin-made dielectric layer and an upper electrode.例文帳に追加

有機樹脂からなる誘電体層と上側電極との付着強度を向上することができるレーザートリマブルコンデンサを提供する。 - 特許庁

A gate is formed proximately to an upper surface of the semiconductor layer and at least partially between the source and drain regions.例文帳に追加

半導体層の上部表面の近傍に、かつ少なくとも部分的にソース領域とドレイン領域の間にゲートが形成される。 - 特許庁

An upper metal wiring 9 is formed inside the contact hole 6 and the trench 8 so as to be electrically connected to the conductive layer 2.例文帳に追加

そして、コンタクトホール６内及びトレンチ８内には、導電層２と電気的に接続する上層金属配線９が形成されている。 - 特許庁

Aerosol containing particles of piezoelectric materials and carrier gas is sprayed onto the upper surface of the diaphragm 30 to form a piezoelectric layer 31.例文帳に追加

そして、振動板３０の上面に、圧電材料の粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルを吹き付けて、圧電層３１を形成する。 - 特許庁

Consequently, when the upper clad layer 16 is formed, Be and Se which have specifically high reactivity never come into contact with each other.例文帳に追加

これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 - 特許庁

Then the film 50 is baked and a positive upper-layer photoresist film 52 having high light transmittance is formed on the film 50.例文帳に追加

下層フォトレジスト膜をベーキングし、更に下層フォトレジスト膜上に光透過率の高いポジ型の上層フォトレジスト膜５２を成膜する。 - 特許庁

A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁

A photoresist 10 is used as an etching mask, to perform etching on an interlayer insulating film 9 for exposing the upper surface of a metal silicide layer 8.例文帳に追加

フォトレジスト１０をエッチングマスクとして用いて、金属シリサイド層８の上面が露出するまで層間絶縁膜９をエッチングする。 - 特許庁

The drift layer 14 has, on at least the upper portion thereof, highly-resistive regions 14a whose one part is selectively formed to have a high resistance.例文帳に追加

ドリフト層１４は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域１４ａを有している。 - 特許庁

By this method, prior to formation of a dielectric layer, a thin amorphous region is formed on the upper surface of the silicon base material.例文帳に追加

本発明の方法によれば、誘電体層の形成に先立って、薄いアモルファス領域がシリコン基材の上表面で形成される。 - 特許庁

Electrolytic plating is applied to form wiring 11 inside the base metal layer 9 in the opening 8 of the upper insulation film 7.例文帳に追加

次に、電解メッキにより、上層絶縁膜７の開口部８内における下地金属層９の内部に配線１１を形成する。 - 特許庁

A built-up layer B1 formed by alternately laminating insulating layers 11 and 12, and conductor layers C1 and C2 is formed on the upper surface of the board 3.例文帳に追加

変換基板３の上面に、絶縁層Ｉ1 ，Ｉ2 と導体層Ｃ1 ，Ｃ2 とを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 を形成する。 - 特許庁

An n-type impurity region 6 is formed in an upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4.例文帳に追加

埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内にｎ型の不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

The power supply interconnections 101, 102 for the macro cell and the upper layer power supply interconnections 111-114 are mutually connected at their crossing point.例文帳に追加

マクロセル用電源配線１０１、１０２と上層電源配線１１１〜１１４は、両者が交差する箇所で互いに接続される。 - 特許庁

To suppress advance of siliciding of the other gate electrode at the time of forming a silicide film of an upper layer electrode film in a post-process.例文帳に追加

上層電極膜のシリサイド膜を後工程で形成する際に、他のゲート電極のシリサイド化の進行を抑制できるようにする。 - 特許庁

One surface of the plate 10 is provided with an adhesive layer 12 and is bonded to the upper surfaces of the LSI packages 13.例文帳に追加

このとき、前記プレート１０の一方の面には粘着剤層１２を設け、ＬＳＩパッケージ１３の上面に接合するようにする。 - 特許庁

The rib material extends below a bottom surface from a level not higher than a top surface (10') of the upper layer (4') and not lower than the bottom surface.例文帳に追加

リブ材は、上層（４’）の頂面（１０’）より高くはなくその底面より低くはないレベルから底面の下方へ伸びている。 - 特許庁

An anode electrode 2, the organic EL layer 3, a cathode electrode 4, and an inorganic protection film 5 are formed on the upper surface of a transparent board 1.例文帳に追加

透明基板１の上面にはアノード電極２、有機ＥＬ層３、カソード電極４および無機保護膜５が設けられている。 - 特許庁

In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁

A gate structure 4c of MIS transistors is formed on an upper surface 1a of a semiconductor substrate 1 in a semiconductor layer 80.例文帳に追加

半導体層８０における半導体基板１の上面１ａ上には、ＭＩＳトランジスタのゲート構造４ｃが形成されている。 - 特許庁

To obtain a cellulose acylate film excellent in adhesiveness to the upper layer of the film without using a chlorine-based organic solvent such as methylene cloride.例文帳に追加

メチレンクロリドのような塩素系溶剤系有機溶剤を使用せずに、上層との密着性に優れたセルロースアシレートフイルムを得る。 - 特許庁