「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The reproducing head is provided with a GMR element 5, a lower shield layer 3 and an upper shield layer 8 for shielding the GMR element 5, the conductive layer 6 connected to the GMR element 5 and shield gap films 4a, 4b, 7a and 7b formed between the shield layers 3 and 8.例文帳に追加

再生ヘッドは、ＧＭＲ素子５と、ＧＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＧＭＲ素子５に接続された導電層６と、シールド層３，８の間に形成されたシールドギャップ膜４ａ，４ｂ，７ａ，７ｂを備えている。 - 特許庁

This method of wipe examination for microorganisms features carrying out cultivation by putting or pasting the fiber layer by which the surface of the subject for examination is wiped on a culture medium containing a water-soluble polymer compound layer as the upper layer to confirm the presence of the microorganisms.例文帳に追加

検査対象物表面を拭き取った繊維層を、水溶性高分子化合物層を上層に持つ培地に載せるか、または張り付けて培養を行い、微生物の存在を確認することを特徴とする微生物の拭き取り検査方法。 - 特許庁

The dielectric buffer layer is adhered on the metal film or the strip metal, the metal film or strip metal and buffer layer are clamped between two layers of dielectric, and the surface of the upper layer of the dielectric is arranged with a hole which is taken as a measuring groove.例文帳に追加

誘電体バッファ層は金属薄膜またはストリップ状金属の上に付着され、金属薄膜またはストリップ状金属とバッファ層は二層の誘電体の間に挟まれ、また、誘電体の上層表面に穴を開けて測定溝とする。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 15 includes a first part 15b joined to the lower end of the angled portion 14a at the upper surface, and a second part 15a provided between the side surface yoke layer 14 and the side surface of the free ferromagnetic layer 9.例文帳に追加

前記層間絶縁層１５は、上面において前記角部１４ａの下端に接合する第１部分１５ｂと、前記側面ヨーク層１４と前記自由強磁性層９の前記側面との間に介設された第２部分１５ａとを含む。 - 特許庁

The wiring 1040 is made up of terminal sections 1041, formed on the upper-face side of the base insulating layer 101, copper-coat layers 104, formed inside through-holes 123 of the base insulating layer 101 and a wiring pattern 1042 on the lower face side of the base insulating layer 101.例文帳に追加

配線１０４０は、ベース絶縁層１０１の上面側の端子部１０４１、ベース絶縁層１０１のスルーホール１２３内の銅めっき層１０４、およびベース絶縁層１０１の下面側の配線パターン１０４２により構成される。 - 特許庁

The lower layer rigid floor structure 51 is supported on a floor structure 7 of the lower layer space 6 through base-isolating supports 60, 70, and the posts penetrate a floor structure 2 of the indoor space 1 in a horizontally displaceable manner to support the upper layer rigid floor structure 52 into the indoor space.例文帳に追加

下層の剛性床組(51)は免震支承(60,70)を介して下層空間(6)の床構造体(7)上に支持され、支柱は、室内空間(1)の床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、上層の剛性床組(52)を室内空間に支持する。 - 特許庁

The backfill material on the back surface of a bank protection retaining wall 1 includes: a lower backfill layer 3 by earth and sand or the like; a laminated structure layer 4 comprising a resin material having gaps through which underground water can infiltrate; and an upper backfill layer 5 by earth and sand or the like.例文帳に追加

護岸擁壁１の背面の裏込め材を、土砂等による下部埋め戻し層３、地下水が浸入できる空隙を有する樹脂材料からなる積層構造体層４、および土砂等による上部埋め戻し層５とで構成する。 - 特許庁

The optical waveguide circuit comprises: a clad layer formed on a substrate; an optical waveguide formed in the clad layer; and a heater for heating the optical waveguide, formed on the upper part of the clad layer and above the optical waveguide.例文帳に追加

本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。 - 特許庁

The lower layer 38 and the upper layer 40 are substantially equal in actual impedance to each other, and a second matching layer 36 meets a 1/4-wavelength matching condition on the whole for the wavelength of an ultrasonic wave.例文帳に追加

下層３８における実際の音響インピーダンスと上層４０における実際の音響インピーダンスとが実質的に同一であり、第２整合層３６それ全体として超音波の波長に対する１／４波長整合条件を満たす。 - 特許庁

The nonvolatile memory device containing an amorphous alloy oxide layer comprises a lower electrode, an oxide layer containing an amorphous alloy oxide and formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に非晶質合金酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極とを備える非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the manufacturing process of the superconductive tape wire rod 11, the protection layer 26 of the repair superconductive tape wire rod 21 is adhered by solder H on the upper side of the stabilizing layer 17 corresponding to a defective part K generated in the superconductive layer 15.例文帳に追加

超電導テープ線材１１の製造過程において超電導層１５に発生した欠陥部Ｋと対応する前記安定化層１７の上面に補修用超電導テープ線材２１の保護層２６をハンダＨにより接着する。 - 特許庁

A precoated steel panel excellent in processing adhesion is constituted by providing a lower org. coating layer I and an upper org. coating layer II on at least the single surface of a steel panel and characterized by that the org. coating layer I contains 2-50 wt.% of a polytetrafluoroethylene resin.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、下層の有機被覆層Ｉと上層の有機被覆層IIを有し、有機被覆層Ｉがポリテトラフルオロエチレン樹脂：２〜５０重量％を含有することを特徴とする加工密着性に優れたプレコート鋼板。 - 特許庁

A second conductive layer 18 is made to extend from upper part of this first conductive layer 13 into the element isolation region 16, and the surface of this second conductive layer 18 has the same plane as the surface of the element isolation region 16.例文帳に追加

この第１の導電層１３上から素子分離領域１６内まで延在して第２の導電層１８が形成されており、この第２の導電層１８の表面は素子分離領域１６の表面と同一平面を有している。 - 特許庁

Thereafter, etching gas such as hydrogen gas is introduced into a chamber while the SiC substrate 11 is heated in the chamber, by which the SiC substrate 11 is subjected to annealing, the upper implanted layer 12b of the implanted layer 12 is removed, and a lower implanted layer 12a is left unremoved.例文帳に追加

その後、チャンバー内でＳｉＣ基板１１を加熱しながら、水素ガスなどのエッチングガスを流すことにより、アニールを行なうと同時に注入層１２のうちの上部注入層１２ｂを除去し、下部注入層１２ａを残す。 - 特許庁

The soil of a lower layer vegetation base 31 is filled into the spaces of the porous concrete layer 20 and the pot parts 25 and 25A, the soil of a surface layer vegetation base 32 is filled from the upper side of that soil, and the root system of a vegetation 33 is held by these soils.例文帳に追加

ポーラスコンクリート層２０の空隙２２及びポット部２５，２５Ａに下層植生基盤３１の土壌を充填すると共に、表層植生基盤３２の土壌をその上から充填し、それらの土壌に植生３３の根系を保持する。 - 特許庁

The surface of the lower magnetic pole layer 8 on the recording gap layer 9 side has a first surface 8a, and a second surface 8b further spaced from the medium facing surface ABS than the first surface 8a and disposed in the location spaced from the upper magnetic pole layer 12.例文帳に追加

下部磁極層８の記録ギャップ層９側の面は、第１の面８ａと、この第１の面８ａよりも媒体対向面ＡＢＳから離れ、且つ上部磁極層１２から離れた位置に配置された第２の面８ｂとを有している。 - 特許庁

The bathing apparatus A includes: a bathtub 10, the inner surface of which is deformable as a result of being provided with a cushioning layer; and an air bubble supplying device 60 for supplying air bubbles to form a bubble layer Lb on the upper surface of the hot water layer Lh in the bathtub 10.例文帳に追加

入浴装置Ａは、クッション層を備えることで内面が変形可能となっている浴槽１０と、浴槽１０内の湯層Ｌｈの上面に泡層Ｌｂを形成するための気泡を供給する気泡供給装置６０とを備える。 - 特許庁

In the phase change optical disk, a phase change material layer provided with activation energy E2 larger than the activation energy E1 for the crystallization of a phase change recording layer where data are to be recorded is formed in contact at the upper part of the recording layer.例文帳に追加

相変化光ディスクにおいて、データが記録される相変化記録層の上部に該記録層の結晶化に対する活性化エネルギーＥ１よりも大きい活性化エネルギーＥ２を有する相変化材料層を接して形成された相変化光ディスク。 - 特許庁

To provide a continuous casting mold capable of prolonging the lifetime of the mold by solving a problem of separation of a thermal-sprayed layer caused when only a plated layer is provided on an upper portion of a copper plate of the mold and a metallic carbide thermal-sprayed layer is provided on a lower portion thereof.例文帳に追加

鋳型銅板の上部にはメッキ層のみを、下部には金属系炭化物の溶射層を設けた場合に生ずる溶射層の剥離の問題を解決し、鋳型寿命の一層の延長を図り得る連続鋳造鋳型を提供する。 - 特許庁

An insulative protection layer 6 is potted in an area excluding the earth pattern 5 of the substrate 1, the circuit element 3 and semiconductor bare chip 4 are covered with the insulative protection layer 6, and the upper surface of the insulative protection layer 6 is flattened by a press, etc.例文帳に追加

この基板１のアースパターン５を除く領域に絶縁性保護層６をポッティングし、絶縁性保護層６によって回路素子３と半導体ベアチップ４を覆うと共に、絶縁性保護層６の上面をプレス等で平坦化処理する。 - 特許庁

The mass ratio shown by ZrO_2/(CeO_2+ZrO_2+Nd_2O_3) in a Ce-Zr-Nd compound oxide contained in the lower catalyst layer is ≤70 mass% and the mass ratio in the upper catalyst layer is made larger than that in the lower catalyst layer.例文帳に追加

上下の各触媒層に含有されているＣｅ・Ｚｒ・Ｎｄ複酸化物のＺｒＯ２／（ＣｅＯ２＋ＺｒＯ２＋Ｎｄ２Ｏ３）で表される質量比について、下層の質量比を７０質量％以下にすると共に、上層の質量比を下層の質量比よりも大きくする。 - 特許庁

An oxide film 102 is formed on a first principal plane 101 on a silicon substrate 100, then, an island-type laminate 108 is formed with a first polysilicon layer 104a on the oxide film 102, and a cap insulating film 106a on the upper layer of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加

シリコン基板１００上の第１主面１０１上に酸化膜１０２を形成し、この酸化膜１０２上に第１ポリシリコン層１０４ａ、及びその上層にキャップ絶縁膜１０６ａを具えた島状積層体１０８を形成する。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

Of a laminated film having the upper clad layer 7 of p-AlxGa1-xAs, a resistance adjusting layer 8 (x>y>0.2) of p-A1yGa1-yAs, and the cap layer 9 of p-GaAs in this order, the resistance adjusting layer 8 and cap layer 9 are selectively etched to obtain the effect that the edge deterioration is suppressed.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓの上クラッド層７、ｐ-Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８（ｘ＞ｙ＞０．２）、およびｐ−ＧａＡｓのキャップ層９をその順序に有する積層膜の内、ｐ−Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８とｐ−ＧａＡｓのキャップ層９が選択的にエッチングされ、端面劣化が抑制されるという優れた効果がある。 - 特許庁

Concretely, in the reflection preventing film 7, refractive index and film thickness of a lower layer insulating film 3 and an intermediate layer insulating film 4 are optimally controlled for raising reflection prevention effect, and in the sidewall 9, the film thickness of the lower layer insulating film 4, the intermediate layer insulating film 5, and the upper layer insulating film 6, is optimally controlled for forming an LDD region accurately.例文帳に追加

具体的には、反射防止膜７は、反射防止効果が高くなるように下層絶縁膜３と中間層絶縁膜４の屈折率および膜厚を最適に制御し、かつ、サイドウォール９は、ＬＤＤ領域を精度良く形成できるように下層絶縁膜４、中間層絶縁膜５および上層絶縁膜６の膜厚を最適に制御する。 - 特許庁

The sealing material comprises a sealing layer 3 filling the discontinuous part by causing plastic deformation with a small stress and adhering to the discontinuous part by thermal curing and surface layer 2 laminated on upper face of the sealing layer 3 and the layer has no stickiness and not easily causing plastic deformation, wherein the surface layer 2 has excellent coating film adhesion and thermal cycle resistance.例文帳に追加

不連続部をわずかな応力で塑性変形を起こして充填し、且つ熱硬化で不連続部に接着するシール層３と、シール層３の上面に積層され、粘着性が無く、容易に塑性変形を起こさない表層２と、から形成されており、表層２が、良好な塗膜密着性と冷熱サイクル性を有するものである。 - 特許庁

A channel 10x for constituting an anchor section 20x preventing the separation of the wiring layer 20 is formed inside the wiring arrangement region of a ground insulating layer 10, and then the wiring layer 20, having the anchor section 20x embedded in the groove 10x and projecting from the upper surface of the ground insulating layer 10, is formed in the wiring arranging region of the ground insulating layer 10.例文帳に追加

下地絶縁層１０の配線配置領域の内側に、配線層２０の剥がれを防止するアンカー部２０ｘを構成するための溝１０ｘを形成した後に、下地絶縁層１０の配線配置領域に、溝１０ｘに埋め込まれたアンカー部２０ｘを備えて、下地絶縁層１０の上面から突出する配線層２０を形成する。 - 特許庁

The electrode for external connection includes a pad metal layer 8 whose upper surface is exposed, a first metal layer 2 that is formed between the pad metal layer 8 and the semiconductor substrate 1, and at least two first vias 22 that penetrate the interlayer dielectric 21 and electrically connect the pad metal layer 8 and the first metal layer 2, and are formed in the interlayer dielectric 21.例文帳に追加

外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。 - 特許庁

A drain-side select transistor SDTr has: a drain-side columnar semiconductor layer 57 in contact with an upper surface of the columnar portion 45A and extending in the stacking direction; a charge storage layer 55b surrounding the drain-side columnar semiconductor layer 57; and a drain-side conductive layer 51 to surround the charge storage layer 55b.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、柱状部４５Ａの上面に接して積層方向に延びるドレイン側柱状半導体層５７と、ドレイン側柱状半導体層５７を取り囲むように形成された電荷蓄積層５５ｂと、電荷蓄積層５５ｂを取り囲むように形成されたドレイン側導電層５１とを備える。 - 特許庁

An HFET 1 includes the group III nitride semiconductor layer composed of a lower GaN layer 13 and an upper AlGaN layer 14 having a trench T1 formed to expose a part of the GaN layer 13, a gate insulating film 15 formed on the group III nitride semiconductor layer, and a gate electrode 16 formed on the gate insulating film 15.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１は、下層のＧａＮ層１３およびＧａＮ層１３の一部を露出させるトレンチＴ１が形成された上層のＡｌＧａＮ層１４よりなるＩＩＩ族窒化物半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、を備える。 - 特許庁

The organic EL device 1 includes: a substrate 10; a projection part 11 formed on one surface 10a of the substrate 10; a luminous body 15 formed of a transparent electrode layer (an anode layer) 12, an organic light emitting layer (a light emitting element) 13, and a first reflecting layer (a cathode layer) 14 formed by sequentially superposing on a flat upper surface 11a of the projection part 11.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０の一面１０ａ上に形成された凸部１１と、この凸部１１の平坦な上面１１ａに順に重ねて形成された透明電極層（陽極層）１２、有機発光層（発光素子）１３、第一反射層（陰極層）１４からなる発光体１５とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

The first conductive layer is formed as a light shielding layer of the semiconductor switching element formed on the first insulation layer and the second conductive layer is formed as one of electrodes of the capacitive element formed on its upper layer.例文帳に追加

基板上の画素領域に、第１の導電層、第１の絶縁膜、第２の導電層が順次形成され、前記第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成される半導体スイッング素子の遮光膜として形成されているとともに、前記第２の導電層はその上層に形成される容量素子の一の電極として形成されている。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the brush which forms a sliding surface for contacting with a commutator by the low resistivity layer 3 and the high resistivity layer 2, buries and forms a lead wire 1 in the powder for the low resistivity layer to fix the lead wire 1 and form the low resistivity layer 3, and then, forms the high resistivity layer 2 on its upper surface.例文帳に追加

整流子と接触する摺動面が低抵抗層３及び高抵抗層２で形成されるブラシの製造法において、低抵抗層用粉体中にリード線１を埋設し、成形してリード線１を固定して低抵抗層３を形成した後、その上面に高抵抗層２を形成することを特徴とするブラシの製造法。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board comprises the processes of mounting the chip type resistor on an inner layer substrate, with a support body on the upper side and a resistor on the land side; stacking an interlayer insulation layer on the inner layer substrate; polishing the laminate; and forming a conductor layer on the polished laminate via an insulation layer.例文帳に追加

支持体を上側、抵抗体をランド側にしてチップ型抵抗体を内層基板に実装する工程と；前記内層基板に層間絶縁層を積層する工程と；前記積層板を研磨する工程と；前記研磨後の積層板に絶縁層を介在せしめて導体層を形成する工程とを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

In the planographic printing plate which has at least one layer of silver halide emulsion layer on an aluminum supporting body subjected to roughening treatment and anodic oxidation and which employs the silver complex diffusion transfer process, a layer containing a polymer having a functional group expressed by formula (1) or (2) is formed as an upper layer on the silver halide emulsion layer.例文帳に追加

粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層の上層に、化１あるいは化２で示される官能基を有するポリマーを含有する層を設けることによって達成された。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

In addition, the wireless communication terminal 10 also has a lower layer (mainly, a layer 1) which detects that troubles occur in transmission before completion of transmitting all generated PDUs, and an upper layer (mainly, a layer 3) which instructs link re-establishment as a trigger of SDU retransmission to the RLC layer 120 if a trouble occurrence is detected.例文帳に追加

無線通信端末１０は、生成された全てのＰＤＵの送信終了前に送信に障害が発生したことを検知する下位レイヤ（主にレイヤ１）と、障害が発生したことが検知されるとＲＬＣレイヤ１２０にＳＤＵの再送のトリガとなるリンクの再確立を指示する上位レイヤ（主にレイヤ３）と、を更に備える。 - 特許庁

Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.例文帳に追加

孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises a lower electrode 13 used as a positive electrode provided on a substrate 10, an organic layer 14 that has at least a luminous layer 14c and is provided on the lower electrode 13, an electron injection layer 16 provided on the organic layer 14, and an upper electrode 17 made of a transparent conductive film provided on the electron injection layer 16.例文帳に追加

基板１０上に設けられた陽極としての下部電極１３と、少なくとも発光層１４ｃを備えて下部電極１３上に設けられた有機層１４と、有機層１４上に設けられた電子注入層１６と、電子注入層１６上に設けられた透明導電膜からなる上部電極１７とを備えている。 - 特許庁

A drain-side selection transistor SDTr includes: a drain-side columnar semiconductor layer 57a extended upward from upper surfaces of the columnar sections 35a; a drain-side gate insulating layer 56a formed while surrounding the side of the drain-side columnar semiconductor layer 57a; and a drain-side conductive layer 52a formed while surrounding the drain-side gate insulating layer 56a.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、柱状部３５ａの上面から上方に延びるドレイン側柱状半導体層５７ａと、ドレイン側柱状半導体層５７ａの側面を取り囲むように形成されたドレイン側ゲート絶縁層５６ａと、ドレイン側ゲート絶縁層５６ａを取り囲むように形成されたドレイン側導電層５２ａとを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁