「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, because of the absence of an epoxy resin layer of the upper layer, otherwise to be formed on the upper surface of the metallic material, the fastening force applied concentrically to the fiber-reinforced composite material 1 is directly received by the bias thread 7, and large stress is not generated in an epoxy resin 4 which is present in the fiber-reinforced composite material 1.例文帳に追加

従って、上面のエポキシ樹脂層がないため、繊維強化複合材１に集中的に加わる締結力はバイアス糸７によって直接受け止められ、繊維強化複合材１の内部に存在するエポキシ樹脂４に大きな応力が生じない。 - 特許庁

A second mold mask having projection-like projecting parts is used, parts other than parts corresponding to via holes are hardened by being irradiated with UV light, thereafter the via holes are formed in a developing/baking process S23, and the photosensitive silver paste in an upper layer is connected to the conductor pattern through the via holes in an upper-layer application process S24.例文帳に追加

突起状の凸部を有する第２のモールドマスクを用い、ＵＶ光を照射してビアホールに対応する部分以外を硬化させた後、現像焼成過程Ｓ２３でビアホールを形成し、上層塗布過程Ｓ２４で上層の感光性銀ペーストをビアホールを介して導体パターンに接続する。 - 特許庁

Since the one of a composition indicated in the table (4) is used as the porcelain for the upper layer, calcination is possible at a low temperature equal to or below a temperature higher than the softening point of press porcelain for a zirconia frame only by 100(°C), and the thermal expansion coefficient of the generated upper layer is almost the same as the thermal expansion coefficient of the base material.例文帳に追加

上層用陶材として表に示す組成のものが用いられることから、ジルコニアフレーム用プレス陶材の軟化点より100(℃)だけ高い温度以下の低温で焼成可能で、生成された上層の熱膨張係数は基材の熱膨張係数と略同一である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can suppress generation of any faulty contact even in the case of a high- aspect-ratio connection hole for connecting each other its upper-layer and lower- layer wirings.例文帳に追加

上層配線と下層配線を接続する接続孔が高アスペクト比となるものであってもコンタクト不良の発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the sidewall oxide film comprising the oxide films 40 and 50, the minimum value of the thickness of the first layer along the lateral side of the gate structure is smaller than the thickness of the second layer along the upper surface of the substrate 10.例文帳に追加

酸化膜４０，５０からなるサイドウォール酸化膜において、ゲート構造の側面に沿った第１の層の厚みの最小値は、基板１０の上面に沿った第２の層の厚みより小さい。 - 特許庁

In the edge, its cross-sectional surface is made into a taper shape so that the film thickness of the phase transformation layer may change in the upper portion of the contact area of the lower electrode and the phase transformation layer, and the edge is embedded into an oxide film 20.例文帳に追加

エッジ部は、下部電極と相変化層とのコンタクトエリアの上方で相変化層の膜厚が変化するようにその断面がテーパー形状とされ、酸化膜２０により埋め込まれている。 - 特許庁

A transparent resin having a different refractive index from that of the upper transparent resin substrate 21 is applied to fill the wavy surface of the substrate to form a flattening layer 6a having a flat surface in the liquid crystal layer side.例文帳に追加

上側透明樹脂基板２１の凹凸面に対してこの基板と屈折率が異なる透明樹脂を充填し、液晶層側の面を平面状に形成した平坦化層６ａを設ける。 - 特許庁

A part of the upper surface of contact layer which is not covered with the incident side electrode P1 is provided with a recessed part 4, so that the light L which is received is preferably made incident to the optical detection layer 1.例文帳に追加

ここで、コンタクト層の上面のうち、入射側電極Ｐ１に覆われていない部分に凹部４を設け、受光対象光Ｌを光検出層１に好ましく到達させる構造とする。 - 特許庁

Consequently, the deterioration of the lower-layer insulating film 3 can be suppressed and the insulating film constituted by stacking the upper-layer highly dielectric film 4 upon the insulating film 3 can be formed by suppressing the fall of the insulating property of the insulating film.例文帳に追加

これにより、下層絶縁膜３の劣化が抑えられ、下層絶縁膜３の上層に高誘電率膜４を積層した絶縁膜を、絶縁性の低下を抑えて形成することができる。 - 特許庁

The volume resistivity of the dielectric layer 4 is 10^14 Ω cm or lower at the temperature of heating, and the surface roughness Ra of the upper surface of the dielectric layer 4, which is the chucking plane of the work, is 2 μm or lower.例文帳に追加

誘電層４の体積抵抗率は、加熱する温度において１０^14Ωcm以下であり、かつ、誘電層４の上表面であるワーク吸着面の表面粗さがＲａ２μm以下である。 - 特許庁

The trenches are extended from the upper surface of the part of the n-type compound semiconductor layer in which mesa etching is carried out, or the lower surface of the substrate; and pass through a part of the depth of the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

上記トレンチは、メサ蝕刻された上記ｎ型化合物半導体層一部の上面または上記基板下面から延長され上記ｎ型化合物半導体層の深さの一部を通過する。 - 特許庁

A plating resist layer 40 is formed on the conductive film 30 to have an opening 42 where the conductive film 30 is exposed partially at the upper portion of the inner surface and bottom surface of the recess 24 in the resin layer 20.例文帳に追加

樹脂層２０の凹部２４の内側面及び底面上方で導電膜３０の一部が露出する開口４２を有するようにメッキレジスト層４０を導電膜３０上に形成する。 - 特許庁

The total film thickness of the silicon nitride film 211 and the silicon oxide film 212 is large so that the upper surface of the polycrystalline silicon layer 207 is not exposed when a silicide layer is subjected to be formed in a following step.例文帳に追加

シリコン窒化膜２１１およびシリコン酸化膜２１２の合計の膜厚は厚いので、後の工程でシリサイド層を形成する際には、多結晶シリコン層２０７の上面は露出しない。 - 特許庁

The timepiece dial 20 includes an electrophoresis dispersion-containing layer 40 and a reflective film 8 with an aperture 82 at the light-entering side of the electrophoresis dispersion-containing layer 40 (upper side in Fig. 1).例文帳に追加

時計用文字板２０は、電気泳動分散液含有層４０と、電気泳動分散液含有層４０の光が入射する側（図１中上側）に、開口部８２を有する反射膜８とを備えている。 - 特許庁

A concave-convex shape is intentionally formed by the crystal growth of the p-type contact layer 7 itself executed under a predetermined crystal growth condition on the upper surface (c surface) of this p-type contact layer 7.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面（ｃ面）には、所定の結晶成長条件下で実施されるｐ型コンタクト層７自身の結晶成長によって、凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein dielectric strength between an upper-layer interconnection and a lower-layer interconnection is kept constant and the thickness of an interlayer insulation film in the other parts can be made small.例文帳に追加

上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、それ以外の部分の層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Next, the polycarbonate resin plate 7 with the coating film layer 8 and the top coat layer 9 formed on the surface is mounted on a lower mold 10 (Fig. c) and heated/compressed by the lower mold 10 and an upper mold 11 (Fig. d).例文帳に追加

次に、前記表面に塗膜層８とトップコート層９が形成されたポリカーボネート樹脂板７を下型１０に乗せ（図３のｃ）、その下型１０と上型１１とで加熱圧縮する（図３のｄ）。 - 特許庁

As a result, when an organic resin film 3 is formed on the surface of the Cu electrode layer 2, the film thickness 3b of the organic resin film 3 can be made large at the upper corner 2g of the Cu electrode layer 2.例文帳に追加

この結果、Ｃｕ電極層２の表面に有機樹脂膜３を形成したとき、有機樹脂膜３のＣｕ電極層２の上面コーナ部２ｇにおける膜厚３ｂを厚くすることができる。 - 特許庁

Heavy metal plate 6 are also arranged among the two lines of outer circumferential detector arrays, and the upper layer plate 4a and the lower layer plate 4b of the attaching frame 4, so as to reduce an influence of scattering.例文帳に追加

また、前記二列の外周検知器アレイと、装着フレーム４の上層板４ａ及び下層板４ｂとの間に、散乱の影響を少なくするための重金属板６が配置される。 - 特許庁

For example, when the pogo pin corresponding parts A to I are constituted by two layers, an upper layer is connected with the power supply wiring or the GND wiring through each switch, and a lower layer is connected with a signal pin.例文帳に追加

例えば、ポゴピン対応部Ａ〜Ｉを２層により構成した場合、上層は各スイッチを介して電源配線またはＧＮＤ配線へと接続され、下層は信号ピンへと接続される。 - 特許庁

At this time, the through hole 10 is formed so as to pass through the interlayer insulating film 8 and a titanium nitride layer 106 to reach the upper surface of an aluminium layer 105, and the recess 11 is formed deeper than the through hole 10.例文帳に追加

このとき、スルーホール１０は、層間絶縁膜８及び窒化チタン層１０６を貫通し、アルミニウム層１０５の上面に達するように形成され、凹部１１はスルーホール１０よりも深く形成される。 - 特許庁

To provide a processing liquid stirring device which is capable of making sufficient stirring by sufficiently generating convection between the upper layer near a liquid surface even in a tank of any shape and a lower layer near the base surface of the tank.例文帳に追加

いかなる形状のタンクにおいても液面近くの上層とタンク底面近くの下層間での対流を十分に発生することで、十分な攪拌ができる処理液攪拌装置の提供。 - 特許庁

A thickness H_2 from the lower surface of the upper cladding layer 108 to the lower surface of a buried layer 115 in the second stripe side area 152 is smaller than a thickness H_1 in the first stripe side area 151.例文帳に追加

第２ストライプサイド領域１５２における上クラッド層１０８下面から埋め込み層１１５下面までの厚さＨ_２は、第１ストライプサイド領域１５１における厚さＨ_１よりも小さい。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor devices wherein its sufficient characteristics can be secured for selectively etching an etched film, the upper-layer film thereof, and the lower-layer film thereof which are present on its semiconductor substrate and are object of dry etchings.例文帳に追加

ドライエッチングの対象となる半導体基板上の被エッチング膜とその上層の膜や下層の膜との選択的なエッチング特性を十分に確保し得る半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Then, a projecting part 4a is formed on the surface of the semiconductor active layer 4, and a contact impurity area 6 is formed from the upper face of the projecting part 4a to the inside part of the semiconductor active layer 4.例文帳に追加

本発明では、半導体活性層４の表面に凸部４ａを設け、凸部４ａの上面から半導体活性層４内部に向けてコンタクト不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

The conductive paste 3 in each layer is partially contacted to a conductive paste 3 in its upper or lower layer as well as the ceramic green sheet 1A (1B), and the six ceramic green sheets 1A and 1B are laminated/press-bonded.例文帳に追加

各層の導電ペースト３をその上層または下層の導電ペースト３およびセラミックグリーンシート１Ａ（１Ｂ）にそれぞれ部分接触させて６枚のセラミックグリーンシート１Ａ、１Ｂを積層・圧着する。 - 特許庁

The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.例文帳に追加

多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁

On the upper multilayer film reflecting mirror, a protecting film of a high resistance semiconductor layer whose resistivity is not lower than 10^5 Ωcm^2 is mounted directly or via the other compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、抵抗率が１０⁵Ω・ｃｍ²以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

In this case, the upper layer 12U and the lower layer 12L are made of a polyether imide and are formed to have a substantially same thickness, so that the edge 12B becomes superior in terms of durability and resistance to the environment.例文帳に追加

その際、上層１２Ｕおよび下層１２Ｌを、いずれもポリエーテルイミドで互いに略同じ厚さで形成することにより、エッジ部１２Ｂを耐久性および耐環境性に優れたものとする。 - 特許庁

The upper organic semiconductor layer 3B is provided in the location so as to be mutually separated from the regions R1, R2 and has solubility and conductivity that are higher than those of the lower organic semiconductor layer 3A.例文帳に追加

上部有機半導体層３Ｂは、領域Ｒ１，Ｒ２に互いに離間されるように配置されており、下部有機半導体層３Ａよりも高い溶解性および導電性を有している。 - 特許庁

In a gas diffusion layer manufacturing apparatus 100, a paste application device 10 applies paste containing a carbon particle, a thermoplastic resin particle and surfactant to an upper surface of a gas diffusion layer substrate 200.例文帳に追加

ガス拡散層製造装置１００において、ペースト塗工装置１０は、ガス拡散層基材２００の上面に、カーボン粒子と熱可塑性の樹脂粒子と界面活性剤とを含むペーストを塗工する。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 using the insulation film 13 as a polishing stopper, the remaining insulation film 13 is used as a mask to perform etching to recede the upper end face of the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、残った絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、ｐ型半導体層１４の上端面を後退させる。 - 特許庁

The unit cell 2 includes a conductive base material 3, an organic thin film electromotive force layer 4 laminated on the conductive base material 3, and an upper electrode 5 laminated on the organic thin film electromotive force layer 4.例文帳に追加

単位セル２は、導電性基材３と、該導電性基材３上に積層された有機薄膜起電力層４と、該有機薄膜起電力層４上に積層された上部電極５とを備えている。 - 特許庁

When the position of the fine particles 9 is on the side of an upper layer transparent porous film 4a, white display is performed and when the position of the fine particles 9 is on the side of a lower layer black porous film 4b, black display is performed.例文帳に追加

微粒子９の位置が上層透明多孔質膜４ａ側になると白色表示がなされ、微粒子９の位置が下層黒色多孔質膜４ｂ側になると黒色表示がなされる。 - 特許庁

In this way, the grain pattern by the ink layer 7 and the grain pattern by the printing layer 3 are positioned in the upper and lower layers to intensify the depth so that a pattern having solidity can be expressed.例文帳に追加

これにより、艶消着色インキ層７による木目柄と印刷層３による木目柄とが上下二層に位置して深みが強調され、立体感のある図柄表現が可能となる。 - 特許庁

The nonwoven fabric on the upper first layer has slide- proofness, and the nonwoven fabric on the lower first layer is a hydrophobic melt blow nonwoven fabric.例文帳に追加

少なくとも二種の不織布を一体化して成る多層構造体であって、上側第一層の不織布は防滑性を有しており、また下側第一層に配される不織布は疎水性メルトブロー不織布であるもの。 - 特許庁

An electrode 3 for attraction is provided on one principal surface of a plate-like body 4, an insulating layer 2 is provided on the electrode 3 for attraction, and the upper surface of the insulating layer 2 is used as a placing surface 2a for placing a wafer W thereon.例文帳に追加

板状体４の一方の主面に吸着用電極３を設け、吸着用電極３の上に絶縁層２を備え、絶縁層２の上面をウェハＷを載せる載置面２ａとする。 - 特許庁

The transparent conductive layer 9 is formed so as to extend from an inner portion of the contact hole 10 to an upper surface 15 of the interlayer insulating film 8, and electrically connected to the conductive layer 6b.例文帳に追加

透明性導電層９は、コンタクトホール１０の内部から層間絶縁膜８の上部表面１５上にまで延在するように形成され、導電層６ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 (upper layer) is thickly laminated on the silicon oxide film 9 as a lower layer, correspondingly to the thinning of the silicon oxide film 9, by an HDP-CVD method in which compressive stress is relatively high.例文帳に追加

シリコン酸化膜９が薄くなった分、圧縮応力の比較的高いＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜１０（上層）が、下層のシリコン酸化膜９の上により厚く積層されている。 - 特許庁

The outer surface of a lower outer layer material 3 is embossed 33 in a panel 4 made of a pair of upper and lower outer layer materials 2 and 3, and a plurality of spacers 5 are intervened in an inner space.例文帳に追加

一対の上・下の外層材２，３からなるパネル体４において、下方の外層材３の外表面にエンボス加工３３を施し、内部空間に複数個のスペーサー５，５，…が介在させてある。 - 特許庁

To improve a planar magnetic element wherein a planar coil is so provided on the surface of a lower ferrite magnetic layer as to provide an upper ferrite magnetic layer on the planar coil inclusive of its clearance present between its coil wires.例文帳に追加

下部フェライト磁性層の面上に、平面コイルを有し、該平面コイルのコイル線間の空隙も含めてその上に上部フェライト磁性層を備えてなる平面磁気素子の改良に関する。 - 特許庁

To exactly measure the position deviation values of a lower layer circuit pattern and an upper layer resist pattern caused by the lens aberration of a stepper to be used for exposure in the lithography of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程のリソグラフィー工程において、露光に使用されるステッパーのレンズ収差に起因する下層回路パターンと上層レジストパターンとの位置ずれ量を正確に計測する。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A.例文帳に追加

そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート２２を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート１６Ａの各拡散層領域１６ｂの上面にエッチングストップ層２２ａを形成する。 - 特許庁

A first insulating film 1205 functioning as a blocking layer is formed on the substrate 1203 side of the TFT 1201, and a second insulating film 1206 is formed as a protective film on the opposite upper layer side.例文帳に追加

ＴＦＴ１２０１の基板１２０３側には、ブロッキング層として機能する第１絶縁膜１２０５が形成され、その反対の上層側には保護膜として第２絶縁膜１２０６が形成される。 - 特許庁

In the PBS 12, when S-polarized light is made incident from the upper surface 32a of the second transparent substrate 32, the reflected light thereof is reflected by the splitter layer 34 and diffracted by the hologram layer 36.例文帳に追加

ＰＢＳ１２は、第２透明基板３２の上面３２ａからＳ偏光光が入射すると、その反射光をスプリッタ層３４で反射させるとともに、ホログラム層３６で回折させる。 - 特許庁