wを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 25405件
In the substrate treatment device 100 for cleaning a wafer W, the substrate W is successively transported to a plurality of treatment parts 30, 40, 50 for cleaning the wafer W, which wafer W is CMP-treated by a CMP device 200.例文帳に追加
ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウエハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁
An apparatus mounting frame 11 is arranged on a rear side of a wall material W via wall holes Wa formed on the wall material W into a square shape, and a wiring apparatus is provided on the wall material W, and provided on the rear side of the wall material W.例文帳に追加
器具取付枠１１は、壁材Ｗに四角形状に形成された壁孔Ｗａを介して壁材Ｗの裏側に配置されるとともに、配線器具が壁材Ｗに設置されることで、壁材Ｗの裏側に設置される。 - 特許庁
The anti-inflammatory composition and the health cosmetic composition are prepared by using the raw sheaths of sword bean containing ≥20% (w/w).例文帳に追加
前記抗炎症組成物及び抗炎症作用を有する健康美容用組成物がナタマメの生の莢が２０％以上（w/w）水分を含んでいることからなる。 - 特許庁
Consequently, the substrates W can be treated efficiently.例文帳に追加
その結果、基板Ｗを効率良く処理することができる。 - 特許庁
The groove radius ratio f(r/D_w) of the ratio of the groove radius r of an inner ring raceway 24 and an outer ring raceway 26 of the second ball bearing 20 and the diameter D_w of respective balls 23, 23 is set to be 0.58≤f≤0.70.例文帳に追加
上記第二の玉軸受２０の内輪軌道２４及び外輪軌道２６の溝半径ｒと、各玉２３、２３の直径Ｄ_W との比である溝半径比ｆ（ｒ／Ｄ_W ）を、０．５８≦ｆ≦０．７０とする。 - 特許庁
PTC heaters 46a-46c having a heat generation capacity of 400 [W] per one sheet are arranged in an immediate downstream of a heater core 33, and PTC heaters 47a, 47b having a heat generation capacity of 208 [W] are arranged on foot blowing out ports 27a, 27b.例文帳に追加
ヒータコア３３の直下流に、１枚当たり４００[W]の発熱容量を有するＰＴＣヒータ４６ａ〜４６ｃを配設し、フット吹出し口２７ａ，２７ｂに、２０８[W]の発熱容量を有するＰＴＣヒータ４７ａ，４７ｂを配設する。 - 特許庁
A first piston rod 4d can immobilize a work W to a securing fixture 2 by pressing the work W secured by the securing fixture 2, while the work W is printed by pressing a transfer pad 21 to the work W.例文帳に追加
第１ピストンロッド４ｄは、転写パッド２１をワークＷに押し付けて印刷している間に、保持治具２に保持されたワークＷを押圧して保持治具２にワークＷを固定することができる。 - 特許庁
W-TI-C-BASED COMPOSITE BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
Ｗ−Ｔｉ−Ｃ系複合体及びその製造方法 - 特許庁
A rotor stopping angle (a resolver angle) is detected by a resolver by applying positive voltage to a U phase coil coU and negative voltage to a V phase coil and W phase coil and by equally passing a current through the V phase coil coV and W phase coil coW (Step S2).例文帳に追加
U相コイルcoU に＋電圧、V相コイル及びW相コイルに−電圧を印加し、V相コイルcoV、W相コイルcoWには等分に電流が流れるようにし(ステップS2)、ロータ停止角度（レゾルバ角度）をレゾルバで検出する。 - 特許庁
The physical gaze of the viewing participant (W') is tracked to determine a physical direction of the physical gaze within a physical environment including the viewing participant (W').例文帳に追加
閲覧参加者（W'）の物理的な注視が追跡されて、閲覧参加者（W'）を含む物理的な環境内の物理的な注視の物理的な方向が求められる。 - 特許庁
In the substrate treatment device 100 for cleaning a wafer W, the substrate W is successively transported to a plurality of treatment parts 30, 40, 50 for cleaning the wafer W, which wafer W is CMP-processed by a CMP device 200.例文帳に追加
ウェハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウェハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁
W/O NANOEMULSION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
Ｗ／Ｏナノエマルション及びその製造方法 - 特許庁
W/O EMULSION INK FOR MIMEOGRAPH PRINTING例文帳に追加
孔版印刷用Ｗ／Ｏエマルションインキ - 特許庁
A resist film 1 is formed on a silicon wafer W.例文帳に追加
シリコンウエハＷにレジスト膜１が成膜される。 - 特許庁
A lighting unit 41 irradiates a part of the peripheral area of a wafer W with light, and an image pickup device 42 is arranged in a direction different from the direction of irradiation to image and picturize the sectional shape of the peripheral area of the wafer W where dot marks are formed.例文帳に追加
照明装置41の光をウェハW の周面の一部に向けて照射し、その照射方向と異なる方向に配された撮像装置42にてウェハW のドットマーク形成位置周辺部の断面形状を撮像して映像化する。 - 特許庁
Therefore, a wafer W in rotation does not slip.例文帳に追加
よって回転中のウェーハＷがスリップしない。 - 特許庁
The temperature of the sample m is equal to that of the substrate W.例文帳に追加
試料ｍの温度は基板Ｗの温度と同じである。 - 特許庁
When a part of the case W is dropped in a space 10 between the first roller 4 and the second roller 5 by releasing the contact between the stopper body 11 and the case W, the case W is rotated and the tilt angle of the case W is increased.例文帳に追加
ストッパ体11とケースＷとの当接を解除してケースＷの一部を第１ローラ４および第２ローラ５間の間隙10内に落下させると、ケースＷが回動してケースＷの傾斜角度が増大する。 - 特許庁
The cutting device cuts a work W by fixedly pressing the work W set on a horizontal ruler plate 4, on an almost perpendicular table 3 and moving a traveling circular saw 9 fitted to a cutting unit B in a vertical direction.例文帳に追加
水平定規板４上の加工材Wを、ほぼ垂直状のテーブル３に押圧固定し、この加工材Wを切断ユニットＢに備えた丸鋸９の立方向の走行移動によって切断加工する。 - 特許庁
The wear length a (w) in the tool normal direction of the set unit width dw at each surface position w is removed from the stored surface shape of the grinding wheel 10 so as to calculate the uneven-wear shape of the grinding wheel 10.例文帳に追加
記憶されている砥石車１０の表面形状から、各表面位置wでの設定単位幅dwの工具法線方向摩耗長a(w)を除去することにより、砥石車１０の偏摩耗形状を算出する。 - 特許庁
The weight ratio W_V/W_K of the flow rate W_V, kg/h, of steam brought into counterflow contact with the activated charcoal K to the flow rate W_K, kg/h, of the activated charcoal K is preferably set to be 0.05-1.0.例文帳に追加
向流的に接触させる水蒸気の流量Ｗ_Ｖ（ｋｇ／ｈ）と活性炭の流量Ｗ_Ｋ（ｋｇ／ｈ）との重量比（Ｗ_Ｖ／Ｗ_Ｋ）は、０．０５〜１．０に設定することが好ましい。 - 特許庁
Further, the pressure welding of the wire W and the pressure welded terminal fitting 30 comes after twisting of the wire W, so that there is no fear of contact failure of the wire W with the insulation displacement terminal fitting 30 resulting from twisting deformation of the wire W.例文帳に追加
また、電線Ｗと圧接端子金具３０の圧接は電線Ｗをツイストした後で行うので、電線Ｗの捻れ変形に起因して電線Ｗと圧接端子金具３０との接触不良を来す虞はない。 - 特許庁
This H-shape steel 1 satisfies a condition of 0.48≤Hf/Hw≤0.58 and 1.0≤tw/tf≤1.4 on the web height inner size Hw, the flange leg length Hf, the web plate thickness tw and the flange plate thickness tf.例文帳に追加
このＨ形鋼１は、ウェブ高さ内法Ｈ_w 、フランジ脚長Ｈ_f 、ウェブ板厚ｔ_w 、フランジ板厚ｔ_f について、０．４８≦Ｈ_f ／Ｈ_w ≦０．５８、かつ１．０＜ｔ_w ／ｔ_f ≦１．４の条件を満たすものとする。 - 特許庁
A target turning angle is reduction-corrected so as to gradually reduce the target turning angle θ_W^* on the condition that the turning angle θ_W is a predetermined angle θ1 (for example, 70°) or more at starting or stopping from during traveling.例文帳に追加
発進するときまたは走行中から停車するときの転舵角θ_W が所定角度θ１（例えば７０°）以上であることを条件として、目標転舵角θ_W ^* を漸減するように減少補正する。 - 特許庁
W-SHAPED AIR LIFT PUMP PIPE AND SEPTIC TANK例文帳に追加
山の字状エアリフトポンプ管及び汚水浄化槽 - 特許庁
O/W-TYPE EMULSIFIED COMPOSITION OF LIPOSOLUBLE MATERIAL例文帳に追加
油溶性物質のＯ／Ｗ型乳化組成物 - 特許庁
W/O TYPE EMULSION INK FOR STENCIL PRINTING VIOLET例文帳に追加
孔版印刷紫用Ｗ／Ｏ型エマルションインキ - 特許庁
The portion of the wiring land 37 is sandwiched by the wiring round contact w by an energized force acting to tighten the above portion at the top and bottom of the wiring land contact point w.例文帳に追加
配線ラウンド37の部位は、配線ラウンド側接触部Wの上側部分と下側部分とにおいて生じる上記部位を締付ける方向に作用する付勢力により、配線ラウンド側接触部Wによって挟持される。 - 特許庁
SUPPORTING STRUCTURE OF W-TYPE RADIANT TUBE例文帳に追加
Ｗ型ラジアントチューブの支持構造 - 特許庁
A spore solution is injected into the intermediate disposable diaper W.例文帳に追加
中間部の紙おむつＷに芽胞液を注入した。 - 特許庁
The rectangular parallelopiped shape has a length L, width W and height H.例文帳に追加
直方体形状は、長さＬ、幅Ｗ、高さＨを持つ。 - 特許庁
W/O TYPE EMULSION INK FOR STENCIL PRINTING例文帳に追加
孔版印刷用Ｗ／Ｏ型エマルションインキ - 特許庁
A part W 1a of the first luminous flux W 1 and a portion W 2a of the second luminous flux W 2 are emitted by the lightguide section 24 as the luminous flux, connecting the light source lamps 20A and 20B to each other.例文帳に追加
この導光部２４によって、第１の光束Ｗ１の一部Ｗ１ａ及び第２の光束Ｗ２の一部Ｗ２ａは、光源ランプ２０Ａ、２０Ｂの間を繋ぐ光束として出射される。 - 特許庁
The conveying means 14 conveys a plurality of the workpieces W simultaneously so that the timing for the workpiece W to enter the tank and the timing for the workpiece W to exit the tank through the entrance 12c, 12d of the workpiece W are synchronized.例文帳に追加
搬送手段１４は、ワーク出入口１２ｃ，１２ｄを介したワークＷの入槽タイミングとワークＷの出槽タイミングとを同期させるようにしてワークＷを複数個同時に搬送する。 - 特許庁
In this method and device for controlling an R/W (a reader/writer) reading/writing the RF tag stuck to a moving body, the RF tag stuck to the moving body is detected by use of the R/W.例文帳に追加
移動体に貼付されたRFタグを読み書きするR/W（リーダ／ライタ）を制御する方法及び装置であって、R/Wを用いて移動体に貼付されたRFタグを検出する。 - 特許庁
This point becomes a true center point Q3 of the wafer W.例文帳に追加
これがウェーハＷの真の中心点Ｑ3となる。 - 特許庁
A control unit 25 allows substrates W to be treated while performing a partial liquid replacement once the number of substrates W corresponding to the substrate W having thick-film, among the number of substrates W counted by a counter 37, reaches a normal life count.例文帳に追加
制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。 - 特許庁
Between the substrate W and the holding base 12, a drip-proof plate 14 having almost the same shape as that of the substrate W is disposed in a position distant from the substrate W so as to cover the front surface (pattern surface) Sf of the substrate W from below.例文帳に追加
また、その基板Ｗと、保持基台１２との間には、基板Ｗとほぼ同一形状を有する防滴板１４が基板Ｗの表面（パターン面）Ｓｆを下方から覆うように基板Ｗから離間して配置されている。 - 特許庁
To provide a method for producing fine particles of an Ni-W alloy (or an Ni-W-based alloy), which can control a content of W in the fine particles of the Ni-W alloy to a desired value.例文帳に追加
Ｎｉ−Ｗ合金微粒子中におけるＷの含有量を所望の値にすることが可能であるＮｉ−Ｗ合金（もしくはＮｉ−Ｗ系合金）微粒子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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