「wafer diameter」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DOUBLE SIDE MACHINING METHOD AND DEVICE FOR LARGE DIAMETER WAFER例文帳に追加

大口径ウェーハの両面加工方法及び装置 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer device for preventing crack of semiconductor wafer which causes lowering of wafer yield and hindering of enlargement of wafer diameter.例文帳に追加

ウエハ歩留まりの低下や大口径化の妨げとなる半導体ウエハの割れを防止する半導体ウエハ装置を提供する。 - 特許庁

The wafer supporting glass GP is a wafer supporting glass which is bonded to a semiconductor wafer having a prescribed diameter and has a diameter L larger than the prescribed diameter and supports the semiconductor wafer, the wafer supporting glass GP is provided with shock resistance at least on the end face of the wafer supporting glass.例文帳に追加

ウエハ支持ガラスＧＰは、所定直径を有する半導体ウエハに接着してこの半導体ウエハを支持する所定直径よりも大きな直径Ｌを有するウエハ支持ガラスであって、ウエハ支持ガラスの少なくとも端面に耐衝撃性を備える。 - 特許庁

To provide a heat treating boat for giving a small loss to a wafer when a large-diameter wafer is heat treated.例文帳に追加

大径のウェハの熱処理時にウェハに損失を与えることの少ない熱処理用ボートの提供。 - 特許庁

To provide a boat for heat treatment which will not inflict loss on a wafer at the heat-treating of a large-diameter wafer.例文帳に追加

大径のウェハの熱処理時にウェハに損失を与えることの少ない熱処理用ボートの提供。 - 特許庁

The diameter of the susceptor 721 is smaller than the diameter of the mounted semiconductor wafer W.例文帳に追加

サセプタ７２１の直径は載置している半導体ウェハーＷの直径よりも小さい。 - 特許庁

The major surface of the protruded part 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W.例文帳に追加

また、凸部２０ａの主面は、ウェハＷの径の１．２〜１．５倍の径を有する。 - 特許庁

The target 2 for sputtering has a diameter equal to or below the diameter of a wafer.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット２として、ウエハの直径以下の直径を有するものである。 - 特許庁

The outside diameter B of the adhesion form 28 is smaller by 6-0.2 mm than the outside diameter A of the silicon wafer 11.例文帳に追加

密着フォーム２８の外径Ｂはシリコンウェーハ１１の外径Ａより６〜０．２ｍｍ小さい。 - 特許庁

The diameter of the effective polishing surface of the polishing cloth 20 is smaller than the diameter of a silicon wafer 1.例文帳に追加

研磨布２０の有効研磨面の直径はシリコンウェーハ１の直径と比べて小さい。 - 特許庁

The small-diameter semiconductor wafer or the semiconductor substrate is directly bonded on the large-diameter silicon wafer through the intermediary of the silicon oxide film.例文帳に追加

酸化シリコン膜を介して大口径シリコンウェハと小口径半導体ウェハ又は半導体基板をダイレクトボンディングする。 - 特許庁

In the above sticking process, a silicon oxide film is previously formed on the sticking surface of the large-diameter silicon wafer and/or small-diameter silicon wafer.例文帳に追加

前記貼り付け工程では、予め大口径シリコンウェハ及び／又は小口径半導体ウェハの貼り付け面に酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A small-diameter semiconductor wafer whose material is dissimilar from silicon is stuck on the surface of a large-diameter silicon wafer.例文帳に追加

大口径シリコンウェハの表面に、シリコンとは異種材料の小口径半導体ウェハを貼り付ける。 - 特許庁

A universal hand 1 has a sucking surface 1A capable of sucking and holding a small-diameter wafer 31 and a large-diameter wafer 32 which have a substantially circular shape.例文帳に追加

ユニバーサルハンド１は、略円形を有する小径ウェハ３１及び大径ウェハ３２を吸着して保持可能な吸着面１Ａを有する。 - 特許庁

To allow a process line for a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm to process a semiconductor wafer having a diameter smaller than 300 mm.例文帳に追加

直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインでそれよりも小径の半導体ウエハの加工を行うことができるようにする。 - 特許庁

In the method of polishing the semiconductor wafer 5, it is preferred that the diameter of the semiconductor wafer is ≥30% of the diameter of the table.例文帳に追加

本発明の半導体ウェーハ５の研磨方法では、半導体ウェーハの直径を、テーブル直径の３０％以上とするのが好ましい。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor wafer 21 having the diameter of 200 mm can be processed through the process line for the semiconductor wafer having the diameter of 300 mm.例文帳に追加

これにより、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインで直径２００ｍｍの半導体ウエハ２１の加工を行うことができる。 - 特許庁

The diameter of a holding surface 121a of a porous 121 holding the processed wafer W in the first holding part 110 is smaller than the diameter of the processed wafer W.例文帳に追加

第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 - 特許庁

To provide tweezers capable of stably holding large-diameter wafer.例文帳に追加

大径ウエハを安定した状態で保持できるウエハ用ピンセットを提供する。 - 特許庁

The diameter of the silicon carbide single crystal wafer is specified to 50 mm or more.例文帳に追加

炭化珪素単結晶ウェハの口径は５０ｍｍ以上とする。 - 特許庁

The diameter of the polish tool 3 is small in comparison with that of the wafer 1.例文帳に追加

研磨工具３の直径はウエーハ１の直径と比べて小さい。 - 特許庁

METHOD FOR HEAT TREATMENT OF LARGE-DIAMETER WAFER, AND JIG USED THEREIN例文帳に追加

大口径ウェーハの熱処理方法及び該方法に使用する治具 - 特許庁

To provide a wafer holding device that holds a semiconductor wafer with a different diameter without replacing operation for the wafer holding device.例文帳に追加

ウエハ保持装置の交換作業を行うことなく、異なる直径を有する半導体ウエハを保持することが可能なウエハ保持装置を提供する。 - 特許庁

To use a wafer holder even for a large-diameter wafer by making the wafer holder lightweight and low-cost and improving operability while holding large mechanical rigidity.例文帳に追加

大きな機械的剛性を保持しながら軽量化、低コスト化、作業性の向上を図り、大口径ウェーハ用としても好適に用いられる。 - 特許庁

After the small-diameter chips 3 are packaged on the wafer 1, inspections of packaging states of the small-diameter chips 3 and the large-diameter chips 1a on the wafer 1 are performed before thinning the wafer 1.例文帳に追加

ウェハ１上に小径チップ３を実装した後、ウェハ１を薄型化する前に、小径チップ３とウェハ１における大径チップ１ａとの実装状態の検査を行う。 - 特許庁

At the time of manufacturing the semiconductor package 1, the wiring boards 4 and small-diameter chips 3 are face-down connected to a wafer before the wafer is divided into large-diameter chips 3 and, thereafter, the wafer is divided into the large-diameter chips 3.例文帳に追加

このような半導体パッケージ１の製造においては、大径チップ３毎に分割する前のウェハに対して、配線基板４や小径チップ３をフェイスダウン接続し、その後ウェハを大径チップ３毎に分割する。 - 特許庁

To inspect both wafers with a large diameter and a small diameter and improve throughput when inspecting the wafer with a small diameter.例文帳に追加

大径および小径の両方のウエハが検査可能で、小径のウエハを検査する場合のスループットを向上する。 - 特許庁

To provide a hand for conveying a semiconductor wafer, the hand executing positioning of a notch of the wafer and aligning the center position of the wafer to a wafer processor even when a wafer with different diameter is conveyed.例文帳に追加

ウエーハのノッチの位置合せを実行することができ、かつ、径の異なるウエーハを搬送した場合でも、ウエーハ処理装置に対するウエーハの中心位置を位置合せすることができる半導体ウエーハ搬送用ハンドを提供する。 - 特許庁

To provide a tacky sheet for semiconductor wafer processing which enables grinding of the back side of a thin wafer or a large diameter wafer to yield an extremely thin wafer without warping the wafer and can be peeled off from the wafer without damaging the wafer.例文帳に追加

薄厚ウエハや大口径ウエハの裏面研削時に、ウエハを湾曲させずに極薄まで研削可能であり、ウエハから粘着シートを剥離する際にウエハを破損しない半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a wafer carrier having compatibility where, even if the latest Foup and the EFEM system are constructed as making a wafer diameter larger, a wafer of smaller diameter than its wafer diameter can be handled.例文帳に追加

ウェハーの大口径化に応じて、最新のＦｏｕｐ及び前記ＥＦＥＭシステムを構築した場合であっても、そのウェハーよりも小さな径のウェハーを処理することができる互換性あるウェハー搬送容器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The protrusion and retraction of inner regulating protrusions 64 are switched depending on the diameter of a wafer W, the inner regulating protrusions 64 are allowed to abut on a wafer W1 having a small diameter, and outer regulating protrusions 7 are allowed to abut on a wafer W2 having a large diameter, and thus both the wafer W1 and W2 are unfailingly supported.例文帳に追加

ウェハＷの径寸法に応じて内側規制突起６４の突没を切り替え、径小なウェハＷ１に対しては内側規制突起６４を当接させ、径大なウェハＷ２に対しては外側規制突起７を当接させることで、いずれのウェハＷ１，Ｗ２も確実に支持することができる。 - 特許庁

(2) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicon single crystal wafer which is doped with nitrogen and is grown so that the inner diameter of an OSF ring area is ≥85% of the diameter of the wafer.例文帳に追加

(2) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の内径がウェーハ径の85％以上の位置に存在するように育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminating substrate includes positioning a wafer 11 for a small-diameter supporting substrate to a wafer 12 for a large-diameter active layer by first pressing a pushing board 35 against the orientation flat part 12a, and moving the wafer 12 substantially horizontally.例文帳に追加

小径な支持基板用ウェーハ１１と大径な活性層用ウェーハ１２との位置合わせは、まず押圧板３５をオリフラ部１２ａに押し当て、ウェーハ１２を略水平に移動させる。 - 特許庁

First of all, the surface of the wafer W placed at a prescribed position is photographed while moving the wafer W in the positive X-axis direction, and, when the wafer W is moved just for the diameter thereof, the wafer is stopped.例文帳に追加

先ず，所定の位置に載置されたウェハＷをＸ軸正方向に移動させながら，ウェハＷ表面を撮影し，ウェハＷの直径分だけ移動させたところで停止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which has small wafer warpage and wafer cracking even when using a wafer which already has a large diameter and is thinned when fed to wafer processes.例文帳に追加

ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an economical ingot cutting method by preventing the occurrence of a wafer crack due to the vibration of the wafer itself during cutting, which has become increasingly conspicuous along with increase in wafer bore diameter, and keeping the yield of the wafer above a desired level.例文帳に追加

ウェハの大口径に伴い顕在化してきた切断時のウェハ自身の振動によるウェハ割れを防止し、ウェハの収率を所望とする水準以上に保持することにより、より経済的なインゴットの切断方法の提供。 - 特許庁

The SiC wafer 12 temporarily fixed to the Si wafer 18 is overlaid on an Si wafer 14 having the same diameter as that of the Si wafer 18 with an SOG film 16P interposed therebetween.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１８に仮留めされたＳｉＣウェハ１２を、ＳＯＧ膜１６Ｐを介してＳｉウェハ１８と同じ口径のＳｉウェハ１４に重ね合わせる。 - 特許庁

The wafer is etched, using dry etching equipment, in which the distance between the wafer and an opposite surface facing the wafer is set to be 1/2 or smaller than the diameter of the wafer.例文帳に追加

ウエハとウエハと対向する対向面との距離が、ウエハの直径の１／２以下としたドライエッチング装置を用いて、ウエハをエッチングする。 - 特許庁

To provide a wafer measuring apparatus capable of mounting a wafer on a measuring stage in a state of non-contact between a backside of the wafer and the measuring stage even if the wafer is of a large diameter or thin thickness.例文帳に追加

大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。 - 特許庁

After a base wafer 1A and a bond wafer 1B, having a diameter larger than that of a desired SOI wafer 1, are prepared, an oxidized silicon film 2 is formed on the surface of the bonded wafer 1B.例文帳に追加

所望のＳＯＩ基板１より径の大きいベース基板１Ａおよびボンド基板１Ｂを用意した後、ボンド基板１Ｂの表面に酸化シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a single-side wafer polishing technique achieving a high flatness wafer, even though the wafer has a diameter of 300 mm or more, by preventing edge rounding at the circumferential edge of the wafer.例文帳に追加

ウェーハ周縁部でのダレを防止し、直径300mm以上のウェーハであっても高平坦度ウェーハが実現可能なウェーハ片面研磨技術の提供。 - 特許庁

The semiconductor wafer 13 is formed to have an outside diameter D_1 smaller than that D_2 of the supporting wafer 14 by ≤4.0 mm.例文帳に追加

半導体ウェーハ１３の外径Ｄ_１が支持ウェーハ１４の外径Ｄ_２より小径に形成され、その差が４．０ｍｍ以下の所定の範囲である。 - 特許庁

To provide an inspection device for a semiconductor wafer which can save an installation space without enlarging the device for a wafer with a larger diameter.例文帳に追加

ウェハの大口径化に対しても、装置を大型化することなく、設置スペースを節約できる半導体ウェハのインスペクション装置を提供する。 - 特許庁

The slit 93a is arranged so as to cross the rotation axis of the wafer W and it is longer than the diameter of the wafer W.例文帳に追加

スリット孔９３ａはウエハＷの回転軸に交差するように配置されており、その長さはウエハＷの直径を覆う範囲となっている。 - 特許庁

A silicon wafer of a same diameter is placed on the adhesive layer, the adhesive is cured, and the silicon wafer is adhered on the glass substrate.例文帳に追加

接着剤層の上に同径のシリコンウェーハを載置し、接着剤を硬化させてガラス基板にシリコンウェーハを貼り合わせる。 - 特許庁