「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The slow evacuation of the wafer processing container through a gas outlet 8 is started with the wafer kept vacuum-adsorbed for avoiding the adverse effect of fluctuation in pressure in the wafer processing container, and the wafer is released from adsorption thereafter (S23).例文帳に追加

ウェハー加工容器内のガス排出部８からスロー排気を始める際、加工容器内の圧力変動の影響を避けるためウェハーを真空吸着状態で開始、その後ウェハーの吸着解除する（Ｓ２３）。 - 特許庁

While retaining the side circumference of the wafer with a weak and uniform pressing force using a wheel tape 4, the wafer is turned to change the wheel tape thus processing the wafer.例文帳に追加

砥石テープ４を用いてウエハの側周を弱くて均一な押圧力で抑えながらウエハを回転させ砥石テープを変えて加工する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus capable of controlling edge etching width of a wafer accurately and uniformly over the full periphery of the wafer.例文帳に追加

基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A polishing object H provided in a state in which a dummy wafer D is laminated on a wafer mirror surface processing surface W2 of a sample wafer W is manufactured.例文帳に追加

試料ウェハＷのウェハ鏡面加工面Ｗ２に、ダミーウェハＤを積層する状態で設けた被研磨体Ｈを作製している。 - 特許庁

To provide a method of processing the rear of a semiconductor wafer, which thins a semiconductor wafer to 100 μm or below, useful for prevention of the breakdown of the wafer.例文帳に追加

ウエハの破損を防止に有用な、半導体ウエハを１００μｍ以下に薄層化する半導体ウエハの裏面加工方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER BACK PROCESSING, METHOD OF SUBSTRATE BACK PROCESSING, AND RADIATION-CURABLE PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET例文帳に追加

半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート - 特許庁

After the rinse processing, spin drying processing for drying the wafer W while rotating it at a high speed is executed.例文帳に追加

リンス処理後は、ウエハＷを高速回転させて乾燥させるスピンドライ処理が行われる。 - 特許庁

To increase uniformity of processing when a substrate, e.g. a wafer is processed by development processing, etc.例文帳に追加

基板例えばウエハに対して現像処理を行う場合に、処理の均一性を高めること。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus capable of uniformly feeding processing liquid over the whole surface of a wafer.例文帳に追加

ウェハ表面全体に均一に処理液を供給できる液処理装置を提供する。 - 特許庁

When a pump is started, a processing for the lower portion of a wafer W is advanced, and when the pump is stopped, the heat of a processing liquid is elevated to advance processing for the upper portion of the wafer W.例文帳に追加

ポンプの作動を行うと基板Ｗの下部の処理が進み、ポンプの停止を行うと処理液の熱が上昇して基板Ｗの上部の処理が進む。 - 特許庁

The wafer alignment method carries out positioning of the wafers in continuously and alternately processing a plurality of wafers by a processing function same as that of the processing of the wafer alignment device.例文帳に追加

ウェハアライメント方法は、ウェハアライメント装置の処理と同様の処理機能によって、複数のウェハを連続的に入れ替えて処理する際に当該ウェハの位置決めを行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method that can cool not only a wafer, but also a tray during plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The processing base 70 is disposed below the processing head 12 and supplies liquid or gas jet for processing the wafer.例文帳に追加

処理ベース７０は、処理ヘッド１２の下方に配置され、液体又はガスのジェットをウエーハの処理のために供給する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of efficiently performing production processing and dummy processing by appropriately using a dummy wafer.例文帳に追加

ダミーウェハを適切に使用することで生産処理とダミー処理とを効率よく実行する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus in which processing can be uniformly performed all over a wafer by devising rotational driving of the wafer, and further, time for the treatment can be shortened.例文帳に追加

ウエハの回転駆動を工夫することにより、ウエハの全面にわたって均一に処理を行うことができ、しかも処理の短時間化を図ることができるウエハ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a wafer capable of preventing the quality of processing on the wafer from becoming worse without sticking any sticking matter on the wafer while preventing the cutting capability of a cutting blade from deteriorating.例文帳に追加

切削ブレードの切削能力の低下を防止しつつ、ウエーハに付着物を付着させることなく、ウエーハの加工品質の悪化を防止可能なウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To enhance throughput by shortening wafer switching time by two-sheet unit processing.例文帳に追加

２枚単位処理でのウエハ切替時間を短縮し、スループットを高める。 - 特許庁

Then, the wafer is exposed and baked in a second processing system (Q3).例文帳に追加

その後、第２の処理システムにおいてウェハは露光後ベークされるＱ３。 - 特許庁

The first film 3 on the wafer W is etched back by the plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、ウエハＷ上の第１膜３をエッチバックする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD, AND DOUBLE-FACED ADHESIVE SHEET例文帳に追加

半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シート - 特許庁

METHOD FOR PROCESSING WAFER, AND PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP USING THE METHOD例文帳に追加

ウエハ加工方法及びそれを用いた半導体チップの製造方法 - 特許庁

To keep the rigidity of a wafer after dicing processing by a simplified method.例文帳に追加

簡単な方法でダイシング処理の後にウェハの剛性を維持すること。 - 特許庁

To obtain a wafer boat for thermal processing which can prevent the wafer from getting a slip line, without increasing manufacture cost or requiring a large thermal processing furnace.例文帳に追加

製造コストの増大や熱処理炉の大型化を来すことなくウエハにスリップラインが入るのを防止できる熱処理用ウエハボートを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE PROVIDED WITH WAFER-DETECTING MECHANISM, AND METHOD OF PROCESSING WAFERS例文帳に追加

ウェハ検知機構付き半導体製造装置及びウェハの処理方法 - 特許庁

TAPE FOR PROCESSING WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体装置製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL WAFER AND LASER PROCESSING APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

半導体単結晶ウエハの製造方法とそのためのレーザ加工装置 - 特許庁

THICKNESS REDUCTION PROCESSING METHOD FOR WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

The processing solution 4 is allowed to flow through an output port to the wafer 2 back face.例文帳に追加

処理液４は投下口１３を通ってウエハ２裏面へ流れ込む。 - 特許庁

To prevent wasting in wafer feed without deteriorating throughput during continuous feeding and processing of a wafer.例文帳に追加

ウエハを連続して搬送して処理する際に，スループットを低下させることなく，ウエハの搬送の無駄を防止する。 - 特許庁

To shorten and fix time from the end of heating processing to a wafer to cooling of the wafer.例文帳に追加

基板の加熱処理が終了してから基板が冷却されるまでにかかる時間を短縮し，一定にする。 - 特許庁

Then the developer D is spread over the entire surface of the wafer W to perform the development processing on the wafer W (Fig.4(e)).例文帳に追加

そして、ウェハＷ全面に現像液Ｄを拡散させ、ウェハＷの現像処理を行う（図４（ｅ））。 - 特許庁

After the evacuation, the wafer is transferred from the vacuum transfer chamber to a processing chamber (step 105) to form a film on the wafer (step 106).例文帳に追加

この真空引き後、真空搬送室から処理室へウェハを搬送し（ステップ１０５）、成膜する（ステップ１０６）。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in which a reinforcement plate is easily peeled from a top surface of the wafer.例文帳に追加

ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor wafer making a processing damage of a chamfered part of the semiconductor wafer uniform.例文帳に追加

半導体ウェーハの面取り部の加工ダメージを均一化させる半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing device capable of integrally performing the polishing of a wafer and the formation of a gettering layer.例文帳に追加

ウェーハの研磨とゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供する。 - 特許庁

IG PROCESSING METHOD OF SILICON WAFER, IG WAFER FORMED THERETHROUGH, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT USED THEREFOR例文帳に追加

シリコンウェーハのＩＧ処理法及びこれにより作られたＩＧウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット - 特許庁

To provide a planarization processing apparatus for a wafer in which throughput is enhanced without damaging the wafer.例文帳に追加

ウェーハを破損させることなくスループットを向上させることができるウェーハの平面加工装置を提供する。 - 特許庁

To support a wafer which has been reduced in the thickness and also easily dismount a supporting member from a wafer, in the case where the wafer is supported with the supporting member at the time of processing the wafer.例文帳に追加

ウェーハの加工時に支持部材によってウェーハを支持する場合において、薄くなったウェーハを支持すると共に、ウェーハから支持部材を容易に取り外すことができるようにする。 - 特許庁

To provide a wafer chamfering device of a simple composition capable of processing a wafer with high accuracy and a method for an accuracy adjustment of a positioning mechanism of a wafer provided on the wafer chamfering device.例文帳に追加

シンプルな構成でウェーハを高精度に加工することができるウェーハ面取り装置及びそのウェーハ面取り装置に備えられたウェーハ位置決め機構の精度調整方法の提供。 - 特許庁

In the wafer processing for depositing a mold release agent on the surface of a wafer, the surface of the wafer is cleaned, at first, by subjecting the surface of the wafer to UV irradiation in a coating unit (step A2).例文帳に追加

ウェハの表面に離型剤を成膜するウェハ処理では、先ず、塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射し、当該ウェハの表面を洗浄する（工程Ａ２）。 - 特許庁

To provide an apparatus for protecting a wafer end surface and a wafer processor capable of preventing processing failures such as a peeled wafer from a base by structurally protecting the end surface of the wafer.例文帳に追加

ウエハの端面を構造的に保護することにより、基盤に対するウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method with which breakage of a wafer can be avoided, in a reversible way, without damaging a device on a front side of the wafer, even when making the wafer is extremely thin.例文帳に追加

ウェーハの表面側のデバイスを破損することなく、又ウェーハを極薄にする場合でもウェーハの破損を可逆的に回避することができるウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Also disclosed is the wafer processing method wherein a step of bonding a wafer to the adhesive sheet for bonding the wafer and a step of dicing the wafer are included, and a cut is not carried out to the base material film of the adhesive sheet.例文帳に追加

および、このウエハ貼着用粘着シートにウエハを貼合し、該ウエハのダイシングを行うウエハの加工方法であって、基材フィルムまで切り込みを行わないウエハの加工方法。 - 特許庁

This method for processing the quartz surface is to cut out a quartz wafer from a quartz block, grind the surface of the quartz wafer, wash the quartz wafer with the acid and then etch the surface of the quartz wafer.例文帳に追加

水晶ブロックから水晶ウェハを切り出し、前記水晶ウェハの表面を研磨し、前記水晶ウェハを酸により洗浄し、前記水晶ウェハの表面をエッチングする。 - 特許庁

To provide a display method in a semiconductor manufacturing apparatus, with which not only processing/non-processing of each wafer but also whether the processing is normally finished is displayed to clearly distinguish between a normal wafer and a defective wafer, so that the normal wafer and the defective wafer can be prevented from being mixed and the presence/absence of a wafer cassette is displayed to enable an operator to surely mount the wafer cassette, and the semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

各ウエハの処理／未処理だけでなく、処理が正常に終了したかどうかを表示して、正常ウエハと不良ウエハの区別を明確にし、正常ウエハと不良ウエハの混同を防ぐことができ、また、ウエハカセットの有無を表示してオペレータがウエハカセットを確実に搭載することができる半導体製造装置における表示方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁