「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

When a wafer is arranged in a chamber and subjected to the plasma processing while heated, the wafer is preheated (preliminary heating) prior to the processing while irradiated with plasma, and a processing gas is supplied into the chamber after preheating to perform the plasma processing on the wafer.例文帳に追加

チャンバー内にウエハを配置し、ウエハを加熱しながらウエハにプラズマ処理を施すにあたり、処理に先立ってウエハにプラズマを照射しつつウエハにプリヒート（予備加熱）を施し、プリヒート後にチャンバー内に処理ガスを供給してウエハに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of uniformly performing plasma processing of a wafer surface by overcoming the problem, wherein although a silicon wafer is mounted between electrodes and ac power of high frequency is applied between the electrodes to perform the plasma processing of wafer in a plasma processing apparatus, there is an wafer between the electrodes so that plasma is not uniform.例文帳に追加

プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The production management device 101 is provided with a wafer processing order calculation part 105 for determining or calculating the processing order of wafers w1-wn to be supplied to the manufacturing device 102 and a wafer processing order instruction part 104 for outputting wafer processing order to the wafer rearranging device 103.例文帳に追加

生産管理装置１０１には、複数の製造工程毎に、製造装置１０２に供給されるウエハｗ１〜ｗｎの処理順序を決定又は算出するウエハ処理順序算出部１０５と、ウエハの処理順序をウエハ並べ替え装置１０３に出力するウエハ処理順序指示部１０４とを備えておく。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus and a wafer processing method where atmosphere being generated from a supply means in standby does not affect a wafer that has been treated, and wafer processing atmosphere and atmosphere being generated from other supply means do not contaminate the supply means.例文帳に追加

待機中の供給手段から発生する雰囲気が処理後の基板に悪影響を及ぼす心配がなく，また，供給手段を基板処理雰囲気や他の供給手段から発生する雰囲気で汚染する心配のない基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The single wafer processing etching device 10 is constituted so as to apply etching on the upper surface 11a of the wafer 11 by supplying etching solution 14 onto the upper surface 11a of the wafer 11, while turning the wafer 11.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、ウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面１１ａをエッチングするように構成される。 - 特許庁

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.例文帳に追加

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁

To solve a problem that wafer processing is interrupted, wafer processing capability decreases, and operation costs of a substrate processing system increases in a removing apparatus which removes a film formed on a surface of the substrate by using processing liquid.例文帳に追加

処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。 - 特許庁

On the basis of these values, an optical energy absorption ratio of the processing object wafer to the plain wafer is calculated, and an optimum energy value to be irradiated to the processing object wafer is calculated from this optical energy absorption ratio and an optimum energy value of light irradiated to the plain wafer.例文帳に追加

これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 - 特許庁

A cluster semiconductor processing apparatus includes wafer handling chambers 5 and 6 having a polygonal base including multiple sides for wafer processing chambers and two adjacent sides for wafer loading/unloading chambers as viewed in a direction of an axis of the wafer handling chambers 5 and 6.例文帳に追加

クラスタ型半導体処理装置は、ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の隣接する２つの側面を含む多角形ベースを有するウエハ搬送チャンバを含む。 - 特許庁

To provide a plasma producing apparatus capable of high-speed wafer processing with no contamination.例文帳に追加

無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

RADIATION SENSITIVE ADHESIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PROCESSING WAFER USING THE SAME例文帳に追加

感放射線性接着剤組成物およびこれを用いたウェハーの加工方法 - 特許庁

A brush member 7 is disposed on a processing position above the circumferential edge portion of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの周縁部上の処理位置に刷毛部材７が配置される。 - 特許庁

To make a conveyance-teaching possible in a wafer processing environment with a simple structure.例文帳に追加

簡素な構成でウエハ処理環境における搬送ティーチングを可能とする。 - 特許庁

LASER DICING DEVICE AND METHOD, CLEAVING DEVICE AND METHOD, AND WAFER PROCESSING METHOD例文帳に追加

レーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びに、ウェーハ処理方法 - 特許庁

HIGH-PRESSURE DEVICE USED FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER AND THE LIKE AND HIGH-PRESSURE FACILITY例文帳に追加

半導体ウエハ等の処理に用いられる高圧装置及び高圧処理設備 - 特許庁

A wafer (substrate) 1 is transported into a processing chamber 52 using a transportation means 65.例文帳に追加

搬送手段６５を用いてウェハ（基板）１を処理室５２内に搬入する。 - 特許庁

To provide a plasma processing chamber which provides improved wafer area pressure control.例文帳に追加

ウェハ領域の圧力制御が改善されたプラズマ処理チャンバを提供する。 - 特許庁

A wafer processing operation, that can be conducted by a proximity head 106a, is illustrated.例文帳に追加

近接ヘッド１０６ａによって実行し得るウェーハ処理工程を例示する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable substrate processing system, by suppressing dust from being generated from its wafer carrier.例文帳に追加

ウェーハキャリアからの発塵を抑えて高信頼度の基板処理システムを得る。 - 特許庁

RADIATION SCANNING ARM AND COLLIMATOR FOR SERIES-PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER WITH RIBBON BEAM例文帳に追加

リボンビームで半導体ウエハのシリーズ処理するための放射走査アーム及びコリメータ - 特許庁

CHIP MOUNTING APPARATUS, ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING, AND CHIP MOUNTING METHOD例文帳に追加

チップ実装装置、半導体ウエハ加工用粘着シート、およびチップ実装方法 - 特許庁

Photography processing is performed on a wafer to be inspected to form resist patterns of different densities.例文帳に追加

検査用ウェハにフォトグラフィー処理を行い、疎密なレジストパターンを形成する。 - 特許庁

UV-CURABLE TACKY ADHESIVE COMPOSITION AND TACKY ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＵＶ硬化型粘着剤組成物及び半導体ウエハ加工用粘着テープ - 特許庁

PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER DICING LINE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

半導体ウェハのダイシングライン加工方法および半導体チップの製造方法 - 特許庁

PROTECTIVE FILM AGENT USED FOR LASER DICING AND METHOD OF PROCESSING WAFER USING THE SAME例文帳に追加

レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER, ITS PROCESSING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PASTING ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

接着シート貼付方法およびその装置並びに半導体ウエハ処理方法 - 特許庁

To provide a probe device and a processing apparatus capable of performing an effective wafer probe test.例文帳に追加

効率的なウェハプローブテストが可能なプローブ装置及び処理装置の提供。 - 特許庁

To provide a plasma-producing apparatus capable of processing a wafer at a high speed without contamination.例文帳に追加

無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

To reduce processing time of a heat treatment process of a substrate such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ等の基板の熱処理工程の処理時間を短縮する。 - 特許庁

The wafer delivery apparatus is installed outside the processing chamber, and is prevented from being carried into the processing chamber so that the processing chamber is restrained from being contaminated thereinside.例文帳に追加

ウエハ授受装置は処理室外に設置され、処理室内に搬入されないために、処理室内が汚染されるのを防止できる。 - 特許庁

To prevent processing abnormalities from being caused due to misalignment of a wafer, even if a continuous processing is conducted in a plurality of processing chambers.例文帳に追加

複数の処理室で連続処理を行ってもウエハの位置ずれによる処理異常が生じないウエハ搬送アームを提供する。 - 特許庁

A processing gas generation means 48 for supplying processing gas for processing a wafer 35 is provided in the down stream of the radical generation region 44.例文帳に追加

ラジカル生成領域４４の下流にウェハ３５を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段４８を設ける。 - 特許庁

To provide wafer holder including wafer stage on which the wafer is loaded and wafer stage outer-ring surrounding said wafer stage used in the plasma processing chamber for reducing edge exclusion (EE) while preventing wafer backside contamination.例文帳に追加

本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for processing a silicon block for preventing a wafer from being damaged when cutting the wafer out of the silicon block or when forming a power-generating layer on the cut-out wafer.例文帳に追加

シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。 - 特許庁

To improve the throughput of a substrate processing device by shortening the time needed to load a wafer, charge a boat, draw the boat out, and discharge the wafer; to reduce differences in conveyance wait time on the boat among individual wafers; and to suppress the sticking of water or impurities on the wafer.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、ウェーハの装填、ボートの装入、又、ボートの引出し、ウェーハの払出しに要する時間を短縮し、スループットを向上する。 - 特許庁

Also, since the curing can be made for a each wafer, the waiting time is not needed not like in a batch wafer processing system, and so the treatment time of the wafer W is made constant.例文帳に追加

また，当該硬化処理を枚葉式で行うことができるので，バッチ式のようにウェハＷの待ち時間が無くなり，ウェハＷの処理時間が一定になる。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer including a chamfer removing step such that when an outer periphery of the wafer is cut, a surface of the wafer is not contaminated.例文帳に追加

ウエーハの外周を切削する際にウエーハの表面を汚染することのない面取り部除去工程を有するウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

A wafer W on which a first film 3 is formed in advance over a particle 2 attached on the wafer W is transferred to a plasma processing apparatus for applying an etching treatment to the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマ処理装置に、パーティクル２が付着したウエハＷ上に第１膜３が予め成膜されたウエハＷを搬送する。 - 特許庁

To provide a flat processing method of a wafer that can efficiently remove waviness of a surface of the wafer in a manufacturing step of the wafer for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス用のウェーハの製造工程において、効率良くウェーハ表面のうねりを除去することができるウェーハの平坦化加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tool for a semiconductor wafer and a method of processing a semiconductor wafer, which improve the strength of the semiconductor wafer and achieve reduction of facilities and cost.例文帳に追加

半導体ウェーハの強度を向上させ、設備やコストの削減を図ることのできる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To realize efficient works of a wafer while beforehand preventing damage of the wafer during extraction, transportation and processing of the wafer in a closed pod of a mini-environment system.例文帳に追加

ミニエンバイロメント方式の密閉型ポッドに於けるウエハの取出し、搬送及び処理に際し、ウエハの破損を未然に防止しながら効率の良い作業の遂行を図る。 - 特許庁

The transporting part 1 transports the wafer W between processing parts including the loader/unloader part 6, to perform the processes for forming a metal layer on the wafer W and the heat treatments for the wafer W.例文帳に追加

搬送部１がローダ・アンローダ部６を含む各処理部間でウエハＷの搬送を行って、ウエハＷに金属層を形成する処理および熱処理が行われる。 - 特許庁

To form a stable modified layer inside a wafer even when a laser beam is radiated over a film stuck to a back surface of the wafer during laser processing of the wafer.例文帳に追加

ウェハのレーザー加工時において、該ウェハの裏面に貼付されたフィルム越しにレーザー光を照射しても、ウェハの内部に安定した改質層が形成できるようにする。 - 特許庁

This wafer processing apparatus 1 is provided with a susceptor 4 for loading a wafer W and an abrasive cloth 13 that polishes a plated surface of the wafer W loaded on the susceptor 4.例文帳に追加

本発明のウエハ処理装置１は、ウエハＷを載置するサセプタ４と、サセプタ４に載置されたウエハＷのメッキ表面を研磨する研磨布１３とを備えている。 - 特許庁