「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To increase uniformity of processing, when a substrate, e.g. a wafer is subjected to development processing, etc.例文帳に追加

基板例えばウエハに対して現像処理等の基板処理を行う場合に、処理の均一性を高めること。 - 特許庁

The processing liquid supplied onto the wafer W is discharged from the wafer W by a centrifugal force and is received by the cup 5.例文帳に追加

ウエハＷに供給された処理液は、遠心力によりウエハＷから排出され、カップ５により受け止められる。 - 特許庁

To provide a method for processing semiconductor wafer in which complicatedness of subsequent operations after change in size of semiconductor wafer has been eliminated.例文帳に追加

半導体ウェーハのサイズ変更に伴う以後の操作の煩雑さを解消した半導体ウェーハの処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer for forming an etching surface perpendicular to a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon tower for wafer processing which reduces shadowing and contamination while correctly keeping the wafer in a stable state.例文帳に追加

ウェーハを安定状態で正確に保持しながら、シャドーイングおよび汚染を低減するウェーハ処理用シリコン・タワーを提供する。 - 特許庁

To effectively use a processing device for a semiconductor wafer for grinding a tabular article different in shape from the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハとは異なる形状の板状物を研削するにあたり、半導体ウェーハ用の加工装置を有効利用する。 - 特許庁

WAFER DRYING DEVICE, WAFER PROCESSING SYSTEM EQUIPPED THEREWITH, ELECTROOPTIC DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

基板乾燥装置、およびこれを備えた基板処理システム、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - 特許庁

The substrate processor is provided with a processing chamber 225 for a wafer 200, a lamp 501 for heating the wafer 200, and an electrode 224 for holding the lamp 501.例文帳に追加

ウエハ２００の処理チャンバ２２５と、ウエハ２００を加熱するランプ５０１と、ランプ５０１を保持する電極２２４とを有する。 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer by which a perpendicular etching is performed on a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is vertically stood and rolled among respective processing processes for the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの各加工工程において、工程間を半導体ウェーハを鉛直に立てて転動させることにより搬送する。 - 特許庁

To provide a wafer holder in which uniform heating of a wafer holding surface is enhanced by suppressing local dissipation of heat when a wafer is heated while being held, and to provide an apparatus for producing a semiconductor suitable for processing even a large diameter wafer using that wafer holder.例文帳に追加

ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

This substrate processing apparatus 1 is provided with a wafer chuck 2 which holds and rotates a wafer W, a cup 3 which holds the wafer chuck 2, and a chemical supply nozzle 4 which is positioned above the wafer chuck 2 and supplies chemical to the wafer W.例文帳に追加

本発明の基板処理装置１は、ウェーハＷを保持して回転させるウェーハチャック２と、ウェーハチャック２を収容するカップ３と、ウェーハチャック２の上方にあってウェーハＷに薬液を供給する薬液供給ノズル４を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing tape sticking device capable of sticking a semiconductor wafer processing tape to a semiconductor wafer in an optimal condition, based on read-out processing data after reading the processing data written in data carrier material, without accessing to a host computer as usual.例文帳に追加

従来のようにホストコンピュータにアクセスすることなく、データキャリア部材に書き込まれた処理データを読み取り、読み取られた処理データに基づいて、半導体ウエハ処理テープを、最適条件で、半導体ウエハに貼着することが可能な半導体ウエハ処理テープ貼着装置を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes the steps of: carrying-in a wafer 200 into a processing chamber 201; forming an HfO_2 film on the wafer 200 by alternately supplying TEMAH and O_3 into the processing chamber 201 while they are heated; and carrying-out the wafer 200 from the inside of the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device including processing of a silicon wafer, wherein the processing conditions for the silicon wafer are set based on the data corresponding to a pattern of a mask to be used in a before process of the processing of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエーハの加工工程を含む半導体装置の製造方法において、前記加工工程の前工程において用いられるマスクのパターンに対応するデータに基づき、前記加工工程の加工条件を設定することを特徴とする。 - 特許庁

With this setup, the wafer W is transferred to the application unit C, accurately keeping it at a certain temperature, and then a resist liquid is applied on the wafer W, so that unevenness of processing caused by a temperature changed of the wafer W can be restrained, and a substrate processing device can be improved in processing uniformity.例文帳に追加

これによりウエハＷは温度を高精度に維持した状態で塗布ユニットＣに搬送され、レジスト液が塗布されるので、温度変化が原因となる処理ムラの発生が抑えられ、処理の均一性の向上を図ることができる。 - 特許庁

The substrate processing system 1 comprises: a first detection unit 40 which detects a wafer W in the state before processing; and a second detection unit 50 which detects a wafer W in the state after processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

This pressurization type lamp anneal device includes a processing chamber 55 for introducing a wafer 2 as a processing object substrate, a pressurization line (pressurization mechanism) 12 for pressurizing the inside of the processing chamber, and a lamp heater 5 for irradiating the wafer 2 with lamp light.例文帳に追加

被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。 - 特許庁

To provide an adhesive for fixation of a semiconductor wafer likely to be fixed with strong adhesiveness when processing and likely to be detached with weak adhesiveness after split-processing, when fixing and split-processing a semiconductor wafer using an adhesive.例文帳に追加

半導体ウェハーを粘着剤を用いて固定し分割加工する際に、加工時は粘着力が強く固定しやすく、かつ分割加工後は粘着力が弱く薄利し離し易いようにすること。 - 特許庁

The substrate processing furnace comprises a processing furnace 202A, and a susceptor 217 which is disposed in the processing furnace 202A to carry a wafer 200 and has a heater 218 capable of heating the wafer 200.例文帳に追加

基板処理炉は、処理炉２０２Ａと、この処理炉２０２Ａ内に配置され、ウェハ２００を載置するとともに、ウェハ２００を加熱可能なヒータ２１８を有するサセプタ（基板載置台）２１７とを備えている。 - 特許庁

The substrate processing system 1 includes a first detection part 40 for detecting a wafer W, in a state before processing and a second detection part 50 for detecting the wafer W, in a state after the processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

INSERT CARRIER AND PROCESSING METHOD FOR SIMULTANEOUSLY REMOVING MATERIAL FROM DOUBLE-SIDE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

挿入キャリアおよび半導体ウェハの同時両面材料除去処理方法 - 特許庁

To improve the uniformity of plasma processing condition within a wafer plane and between wafers.例文帳に追加

ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上する。 - 特許庁

To provide a single-wafer processing apparatus which is capable of enhancing the uniformity of processing within a wafer surface by keeping the uniformity of the temperature distribution high within a surface of a loading table.例文帳に追加

載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing which reduces imperfections and, at the same time, excels in resistance to chipping and prevents the scattering of chips on dicing in the semiconductor wafer processing.例文帳に追加

半導体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピング特性に優れダイシングの際のチップ飛びを防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

SILICON WAFER, METHOD FOR PROCESSING THE SAME, AND PROCESS FOR MANUFACTURING LIQUID INJECTION HEAD例文帳に追加

シリコンウェハの加工方法及びシリコンウェハ、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁

Due to this etching processing, unnecessary objects such as polymer or the like depositing on the wafer surface.例文帳に追加

このエッチング処理によりウェハ表面にはポリマ等の不要部位が付着する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for cleaning a semiconductor wafer processing system having a turbomolecular pump.例文帳に追加

ターボ分子ポンプを備えた半導体ウエーハ処理システムの洗浄方法と装置 - 特許庁

To provide a wafer processing method capable of reducing the clogging of a cutting blade.例文帳に追加

切削ブレードの目詰まりを低減できるウェーハの加工方法を提供すること。 - 特許庁

The processing liquid discharged from a nozzle 5 is supplied to the upper surface of a wafer W.例文帳に追加

ノズル５から吐出された処理液は、ウエハＷの上面に供給される。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a wafer suited to pre-processing or post-processing for micro machining semiconductor device, using a single-tank wafer cleaning device.例文帳に追加

一槽式のウエハ洗浄装置を使って、半導体装置の微細加工を目的とするプロセスの前処理又は後処理に対応したウエハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The processing chamber cooling mechanism 17 introduces cooling gas into the processing chamber 11 while the semiconductor wafer Waf is moved by the loading/unloading mechanism 16 before or after the wafer Waf has been processed.例文帳に追加

処理室冷却機構１７は、搬入出機構１６による半導体ウェハＷａｆの処理前後の移動の間、処理室１１に冷却用のガスを導入する。 - 特許庁

This method further comprises a step of removing the first wafer and processing another wafer using the same process without cleaning the inside of the processing chamber between wafers.例文帳に追加

この方法は第１のウエハを除去し、かつウエハ間で処理室内を清掃することなく同じ工程を用いてさらなるウエハを処理する工程をさらに含む。 - 特許庁

METHOD FOR PROCESSING ADHESIVE SHEET AND SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法、半導体チップの製造方法 - 特許庁

A substrate processing device comprises plural PMs 400 for applying predetermined processing to a wafer W, and an LLM 500, in which a transportation mechanism for transporting the wafer W is built.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハＷに所定の処理を施す複数のＰＭ４００とウエハＷを搬送する搬送機構を内蔵するＬＬＭ５００とを備える。 - 特許庁

SINGLE-WAFER PROCESSING CLEANING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING PLATE PRODUCT BY USING APPARATUS例文帳に追加

枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer, capable of preventing the occurrence of cutting dusts including heavy metal by accidentally processing a columnar electrode when thining the wafer.例文帳に追加

ウエーハの薄化時に誤って柱状電極を加工して重金属を含む切削屑を発生させる恐れを抑制可能なウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

The reactor has a process chamber well suited to the single wafer processing of semiconductor wafers.例文帳に追加

このリアクタは、半導体ウェハの枚葉処理によく適合した処理チャンバを有する。 - 特許庁

To obtain superior surface roughness, by reducing the thermal processing temperature or shortening the time required for the thermal processing and by suppressing the occurrence of a slip, in a method of manufacturing a silicon wafer and a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、熱処理の低温化又は短時間化を図りスリップ発生を抑制し、良好な表面ラフネスを得ること。 - 特許庁

To prevent the damage of a wafer processing chamber in the case of ashing causing the generation of particles.例文帳に追加

アッシングの際のウェハ処理室のダメージ、それによるパーティクル発生を防止する。 - 特許庁

The wafer is sequentially subjected to a series of processings by a plurality of processing units of each processing tower T1 and T2, whereby the insulating film is formed on the wafer.例文帳に追加

各々の処理タワーＴ１，Ｔ２の複数の処理ユニットによりウエハに対して一連の処理を順次行うことにより、当該ウエハに絶縁膜が形成される。 - 特許庁

A semiconductor wafer W to be a processing object is held on a holder 7.例文帳に追加

処理対象となる半導体ウェハーＷは保持部７上に保持されている。 - 特許庁

To enhance throughput in a vacuum processing apparatus for vacuum-processing a wafer being a semiconductor substrate in a vacuum chamber after orienting the wafer in a predetermined direction.例文帳に追加

半導体基板であるウエハに対して、ウエハの向きを所定の向きに合わせた後、真空処理室にて真空処理を行うに装置において、スループットを高めること。 - 特許庁

To realize a plasma processing chamber which provides improved wafer area pressure control.例文帳に追加

改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。 - 特許庁

To address, in the present invention, a problem how to prevent contamination of a wafer and a chamber in a plasma processing apparatus and a plasma processing method suitable for usage, in the case of wafer plasma etching.例文帳に追加

本発明はウェハをプラズマエッチングする際に用いて好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、ウェハやチャンバの汚染を防止することを課題とする。 - 特許庁