「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To process a target surface of a wafer with processing liquid uniformly while suppressing an increase in processing time.例文帳に追加

処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。 - 特許庁

While ejecting antistatic processing liquid from a processing liquid supply nozzle 40 to a developed semiconductor wafer SW with an ejection width not narrower than the width dimension of the semiconductor wafer SW, the processing liquid supply nozzle 40 is moved relatively from one end side to the other end side of the semiconductor wafer SW and the antistatic processing liquid is supplied onto the semiconductor wafer SW.例文帳に追加

現像処理後の半導体ウエハＳＷに対して、処理液供給ノズル４０から半導体ウエハＳＷの幅寸法以上の吐出幅で帯電防止処理液を吐出しつつ、該処理液供給ノズル４０を半導体ウエハＳＷの一端側から他端側に向けて相対移動させて、半導体ウエハＳＷ上に帯電防止処理液を供給する。 - 特許庁

Based on a crystal number stored in a storage medium, a block ID given to a crystal block, and a wafer ID given to each semiconductor wafer, it is easy to trace which route a particular semiconductor wafer passes in respective processing processes and how the semiconductor wafer is processed in the respective processing processes on a one by one basis of semiconductor wafer.例文帳に追加

記憶媒体に記憶された結晶番号、結晶ブロックに付与されたブロックＩＤおよび１枚毎の半導体ウェーハに付与されたウェーハＩＤに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ１枚毎に簡単に追跡することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device to process the circumferential part of a wafer using a microwave discharge plasma.例文帳に追加

マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which occurrence of poor processing of a wafer can be prevented.例文帳に追加

基板への処理不良の発生を防止することが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer capable of simplifying processes and members.例文帳に追加

工程及び部材の簡略化が可能な半導体ウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of processing an optical device wafer for preventing luminance deterioration of an optical device.例文帳に追加

光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR OPTICALLY PROCESSING CIRCUMFERENTIAL EDGE OF SEMICONDUCTOR WAFER CONTAINED IN CARRIER例文帳に追加

キャリアに収納された半導体ウェハ周縁部の光学的処理方法及び同処理装置 - 特許庁

As the positioning of the wafer W and a contamination removal processing are simultaneously carried out, the throughput is enhanced.例文帳に追加

ウェハＷの位置合わせと汚染物除去処理を同時に行うので，スループットが向上する。 - 特許庁

To provide an apparatus for reducing particle residues in a semiconductor wafer processing system.例文帳に追加

半導体ウェーハ処理システムにおける残留粒子を減少させるための装置を提供する。 - 特許庁

To display stock information of each processing step of a semiconductor wafer on a customer-side terminal device.例文帳に追加

半導体ウェーハの処理工程毎の在庫情報を顧客側の端末装置に表示する。 - 特許庁

To provide a gaseous diffusion plate which can make substrate processing uniformly in a wafer surface.例文帳に追加

基板処理をウエハ面内で均一に行わせることができるガス拡散プレートを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that can manage fluids on wafer surfaces, while reducing contamination.例文帳に追加

ウエーハ表面で流体を管理すると同時に汚染を低減できる基板処理装置の提供。 - 特許庁

FIXED APPLIANCE, REMOVING METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE AND WAFER PROCESSING METHOD例文帳に追加

固定器具及び該固定器具の取り外し方法、並びに半導体製造装置及びウェハの処理方法 - 特許庁

The exposure result of the exposure processing conducted to the wafer is also associated with these objects.例文帳に追加

また、これらのオブジェクトにはウェハに対して行った露光処理の露光結果も関連付けられる。 - 特許庁

To provide a polishing composition for semiconductor wafer which has superior polishing characteristics, and a polishing processing method.例文帳に追加

研磨特性に優れた半導体ウエハ研磨用組成物と研磨加工方法を提供すること。 - 特許庁

This cycle of processing is executed for the obverse and reverse surfaces of the wafer W.例文帳に追加

そして、このような加工を半導体ウェーハＷの表裏面についてそれぞれ遂行する。 - 特許庁

An insulating film is formed on front and rear surfaces of a wafer for an active layer subjected to RTA processing.例文帳に追加

ＲＴＡ処理を施した活性層用ウェーハの表裏面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The inspection wafer is subjected to a predetermined processing to form a monitor pattern in a workpiece film (S3 to S8).例文帳に追加

検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device improving throughput in processing by stably adsorbing a wafer.例文帳に追加

ウエハを安定して吸着し処理のスループットを向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A cup 67, which encircles a wafer W during processing, is placed in the cup which houses the portion 60.例文帳に追加

カップ収容部６０内には，処理時のウェハＷの外方を囲むカップ６７を設ける。 - 特許庁

Accommodation containers 1, each having a gallium-phosphor semiconductor wafer W held therein, are accommodated within a processing chamber 5.例文帳に追加

ガリウム燐半導体ウエハＷを保持した収容容器１は、処理室５に収容されている。 - 特許庁

The type of the photoresist applied to a semiconductor wafer is identified before the periphery exposure processing.例文帳に追加

周縁露光処理に先立って、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストの種類が識別される。 - 特許庁

Moreover, the thermal oxidation processing of the diffusion wafer may be performed by wet oxidization.例文帳に追加

また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 - 特許庁

This inspecting device inspects defects in the frame of a semiconductor wafer by processing its image information.例文帳に追加

本発明の検査装置は半導体ウェハーの枠のイメージ情報を処理して欠陥を検査する。 - 特許庁

As a result, cooling efficiency of the semiconductor wafer 150 can be enhanced during plasma processing.例文帳に追加

したがって、プラズマ処理中の半導体ウエハ１５０の冷却効率を向上させることができる。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING TOPOGRAPHY-DEPENDENT CHARGING EFFECTS IN PLASMA ENHANCED SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ強化半導体ウェハ処理システムにおいて外形による帯電効果を減少させる方法 - 特許庁

Subsequently, the tool input is given to the manufacturing tool, and the processing amount of a second wafer 1 is processed.例文帳に追加

次いでツール入力が製造ツールに与えられ、第２のウェハ１処理分が処理される。 - 特許庁

The method of processing the semiconductor wafer includes a step of sticking a surface protection tape to the pattern surface of the semiconductor wafer whose backside is stuck to a tape for wafer processing and which has the origins of dicing or cutting formed by a chip unit.例文帳に追加

裏面がウエハ加工用テープに貼合されており、チップ単位にダイシングあるいは切断の起点が形成された半導体ウエハのパターン面に、表面保護テープを貼合する工程を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法を用いる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for realizing monitoring of the suitable wafer processing conditions by accurately separating the data for each wafer which changes in accordance with the processing conditions of a processing object 4 as a thin film device such as semiconductor and liquid crystal.例文帳に追加

半導体や液晶などの薄膜デバイスである処理対象物４の処理状態に伴って変化する計測データを、１枚のウェハ毎に確実にデータを分離し、好適なウェハ処理状態の監視を実現するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent a wafer from being damaged during transportation, etc. by preventing adhesion of grinding waste to the front face of the wafer at grinding of the rear face thereof, in the processing the wafer formed with projections on the front face.例文帳に追加

表面に凸部が設けられたウェハの加工において，ウェハの裏面研削時にウェハの表面に研削屑が付着することを防止し，ウェハの搬送時等にウェハが破損することを防止する。 - 特許庁

To provide a wafer mounting base and a substrate processing device, capable of suppressing the occurrence of any slip by making a contacting portion between a wafer and a wafer holder large.例文帳に追加

本発明の目的は、上記事情を考慮し、ウエーハとウエーハ保持具との間の接触部分を大きく取り、スリップの発生を抑制するウエーハ置き台及び基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a regeneration processing method of a flaked wafer and a regenerated wafer of high quality and satisfactory yield without particles, even at heat treatment for the regenerated flaked wafer.例文帳に追加

再生処理した剥離ウエーハに熱処理を施してもパーティクルが発生せず、再生されたウエーハの品質が高く、歩留りが良い剥離ウエーハの再生処理方法及び再生されたウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of a wafer for allowing a reinforcement plate joined to a surface of the wafer to be easily removed after polishing a back surface of the wafer and embedding a through electrode in a device.例文帳に追加

ウエーハの裏面を研削しデバイスに貫通電極を埋設した後に、ウエーハの表面に接合された補強プレートを容易に除去することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer, in which the wafer ground to a predetermined thickness is divided into devices without breaking the wafer, and the divided devices can be picked up without damaging their surfaces.例文帳に追加

所定の厚みに研削したウエーハを割ることなくデバイスに分割するとともに、分割されたデバイスの表面を損傷させることなくピックアップすることができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a holder for a semiconductor wafer and a method of processing the semiconductor wafer, which do not need transfer of the semiconductor wafer onto a dicing tape of a dicing frame, simplifying and speeding up the work.例文帳に追加

半導体ウェーハをダイシングフレームのダイシングテープに移し替える必要がなく、作業の簡素化や迅速化を図ることのできる半導体ウェーハ用保持具及び半導体ウェーハの処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for laser dicing capable of forming a modified layer in a wafer with high accuracy without damaging devices formed on a surface of the wafer, a method for laser dicing and a method for processing wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ウェーハの内部に改質層を精度良く形成することができるレーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法を提供する。 - 特許庁

The methods comprise bonding a device wafer to a carrier wafer or substrate only at their outer perimeters in order to assist in protecting the device wafer and its device sites during subsequent processing and handling.例文帳に追加

本方法はデバイスウェーハーをキャリヤーウェーハーまたは基板に、その外側周囲のみで接合しこれにより後続の処理工程およびハンドリング中のデバイスウェーハーおよびそのデバイス場所の保護を支援する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for semiconductor wafer processing, which can pick up a semiconductor wafer satisfactory, even if being stored for a long time after having the semiconductor wafer attached thereto.例文帳に追加

本発明の課題は、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer having a more "flat" and/or more "even" and/or more "unrough" surface than a surface wafer before processing, by modifying the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を改質して、処理前の表面ウェーハと比較して、より”平坦で”、および／またはより”均一で”、および／またはより”粗面でない”表面を有する半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that accurately measures the temperature of a wafer in non-contact manner regardless of plane condition and emissivity of a wafer when an electromagnetic wave method is used to heat a wafer.例文帳に追加

ウエハの加熱に電磁波加熱方法を使用する際に、ウエハの面状態や放射率によらずウエハの温度を非接触かつ正確に測定することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

When the number of remaining processing steps of the wafer W is at a predetermined set number and the cassette to which the wafer W is to be transferred when the processing is ended is not instructed, a warning is issued from the application and development processing apparatus 10.例文帳に追加

ウェハＷの残りの処理工程数が予め定められた設定数になったときに、そのウェハＷの処理終了時の搬送先のカセットが指示されていない場合には、塗布現像処理装置１０から警告が出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer handling apparatus which is capable of processing the front and back sides and the peripheral face of a semiconductor wafer by a single unit and superior in productivity and mass productivity, and holds the wafer in a clean state without adhesion of dust, etc., to the wafer surface.例文帳に追加

単一の装置でウェハの表裏面や周面を処理することを可能とし、 生産性及び量産性に優れ、しかもウェハ表面に塵などの付着がなく清浄な状態を保持する半導体ウェハのエッジハンドリング装置を提供する。 - 特許庁

The wafer processing apparatus is composed of a temperature measuring means 60 for measuring the temperature of a wafer 50, and a biasing means 62 for biasing the temperature measuring means 60 to the wafer 50 so that the temperature measuring means 60 contacts the surface of the wafer 50.例文帳に追加

ウエハ処理装置は、ウエハ５０の温度を測定する温度測定手段６０と、温度測定手段６０がウエハ５０表面に接触するように、温度測定手段６０をウエハ５０に向かって付勢する付勢手段６２から成る。 - 特許庁

In the regeneration processing method of flaked wafer as byproduct in an ion implantation flaking method, in which a joint wafer is obtained, the surface of the wafer is polished after an ion implantation layer of at least a chamfered part of the flaked wafer is removed.例文帳に追加

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。 - 特許庁