「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate processing device treats a surface of a wafer W by injecting the liquid drips formed by mixing gas and liquid on the surface of the wafer W.例文帳に追加

この基板処理装置は、気体と液体とが混合されて生成された液滴をウエハＷの表面に噴射してウエハＷの表面を処理する。 - 特許庁

A megasonic diaphragm 3 is formed in parallel with the wafer 2 surface outside the processing vessel 1, and the wafer 2 surface is irradiated vertically with mega sonic vibration.例文帳に追加

メガソニック振動板３はウエハ２面に対して平行に、処理槽１の外部に備えられており、ウエハ２面に対して垂直にメガソニック振動を照射する。 - 特許庁

A semiconductor wafer W is disposed within a processing chamber 1 facing down, so that a surface Wa of the wafer is counterposed to an inner bottom surface 1a of the container 1.例文帳に追加

半導体ウエハＷは、処理容器１内に下向きに配置され、表面Ｗａが処理容器１の内底面１ａに対向させられる。 - 特許庁

The mounting section 16 where the wafer frame F is fed is moved above the processing tank 40 of the etching section 14, and the wafer W is mounted on the mounting section 16 at this position.例文帳に追加

ウェーハフレームＦが供給されたマウント部１６は、エッチング部１４の処理槽４０の上方に移動し、この位置でウェーハＷをマウントする。 - 特許庁

After a wafer is subjected to a sintering processing, it is cooled down and taken out from the thermal treatment device, by which the wafer is capable of recovering from its damage on a MOS interface level in a preceding process.例文帳に追加

シンター処理後、いったん冷却してから取り出すことにより、ＭＯＳ界面準位などの前工程のダメージを短時間で回復させうる。 - 特許庁

To provide a method of performing separation or separation preparation of a sample for analysis from a wafer, without contaminating with an element, such as Ga, that becomes a problem, when processing the wafer.例文帳に追加

ウェーハをプロセスに問題となるＧａのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離または分離準備する方法を提供する。 - 特許庁

The in-plane film thickness distribution of a wafer W is determined according to a processing recipe including the type of resist liquid and the transition pattern of the number of revolutions of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの面内の膜厚分布は、レジスト液の種類及びウエハＷの回転数の推移パターンを含む処理レシピに応じて決まる。 - 特許庁

To provide a processing apparatus in which a wafer does not crack when carrying out the wafer, which is supported on an annular frame via a dicing tape, from a chuck table.例文帳に追加

ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハをチャックテーブルから搬出する際にウエーハが割れることのない加工装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a processing method and a grinding apparatus of a wafer capable of preventing intrusion of metal ions from a rear surface of the wafer ground and activated.例文帳に追加

研削され活性化されたウエーハの裏面から金属イオンの侵入を防止することができるウエーハの加工方法および研削装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method preventing chipping of the outer circumference of a wafer and also preventing a molten dicing tape from adhering to a chuck table.例文帳に追加

ウエーハの外周に欠けが生じさせないと共にダイシングテープが溶融してチャックテーブルに付着することを防止可能なウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

A wafer boat 161 having a dielectric precursor layer formed is loaded into the thermal processing apparatus 101 at a speed at which no defect is produced in wafer W.例文帳に追加

次に熱処理装置１０１内にウエハＷに不良が生じない速度で、誘電体前駆体層が形成されたウエハボート１６１をロードする。 - 特許庁

To provide reproduction processing equipment for a wafer ring capable of efficiently discriminating a dicing tape from a defective chip among wafer rings after a die bonding process.例文帳に追加

ダイボンディング工程終了後のウエーハリングからダイシングテープと不良チップとを効率よく分別することができるウエーハリングの再生処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mirror finishing method of a chamfered part of a semiconductor crystal wafer capable of batch processing without causing scratches nor chipping, and to provide the wafer obtained by the method.例文帳に追加

キズ、カケを発生させず、バッチ処理が可能な半導体結晶ウェハの面取部の鏡面加工方法およびその方法で得られるウェハを提供する。 - 特許庁

To indirectly measure amount of warpage which will be generated in a thinned semiconductor wafer, without actualling having to give thinning processing to the semiconductor wafer.例文帳に追加

実際に半導体ウエハに薄型化加工を施すことなく、薄型化された半導体ウエハに発生するであろう反り量を間接的に測定する。 - 特許庁

To detect and correct a wafer shift if the wafer shift is made in a chamber processing room of a plasma device used in a stage of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で使用されるプラズマ装置に際して、チャンバー処理室内でウエハズレが発生した場合に、それを検知して修正する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR BONDING TAPE ALSO SERVING FOR WAFER THINNING PROCESSING, AND METHOD FOR PASTING THE TAPE ONTO SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE例文帳に追加

ウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープ及びウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープの半導体ウエハ表面への貼り付け方法 - 特許庁

To provide a silicon carbide vertical wafer boat, which can improve operativity, prevent raising of much dust and improve the rate of rising and lowering of temperature inside a wafer processing furnace.例文帳に追加

操作性を高めると共に、多量の発塵を防止し、かつ、ウェーハ処理炉内の昇降温速度を向上し得る炭化珪素製縦型ウェーハボートの提供。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer capable of accurately dividing a wafer along streets and making the thickness of divided device chips thin.例文帳に追加

ウエーハをストリートに沿って正確に分割するとともに、分割されたデバイスの厚みを薄く形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

After the surface of a silicon wafer made of single crystal is ground and a processing altered layer is formed on a wafer surface layer, the altered layer is irradiated with high-energy light to be fused, and solidified.例文帳に追加

単結晶のシリコンウェーハの表面を研削し、ウェーハ表層に加工変質層を形成後、変質層を高エネルギ光の照射で溶融、固化する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for etching silicon by which the surface of a silicon wafer is capable of being processed with a simple method, and the cost for processing the surface of a silicon wafer is reduced.例文帳に追加

簡易な方法によってシリコンウェーハ表面を加工することができるようにし、シリコンウェーハ表面を加工するためのコストを低減する。 - 特許庁

Although a top surface 108a being processed is shown, it should be noted that wafer processing can be accomplished, in substantially the same way for a bottom surface 108b of a wafer 108.例文帳に追加

処理中の上面１０８ａを図示しているが、ウェーハ処理は、ウェーハ１０８の底面１０８ｂについて、実質的に同じ形で達成し得る。 - 特許庁

To provide a carrier for wet processing capable of suppressing dripping of a droplet on a wafer to suppress formation of a linear defect on the wafer.例文帳に追加

ウェハへの液滴の落下を抑制し、ウェハに直線状の欠陥が形成されてしまうことを抑制することが可能なウェット処理用キャリアを提供する。 - 特許庁

This equipment is configured in a way that two wafers, one unprocessed wafer and one processed wafer, can be carried together between the load lock chamber and processing chamber.例文帳に追加

この装置は、ロードロックチャンバと処理チャンバとの間で、二つのウエハ、即ち、一つの未処理ウエハ及び一つの処理済みウエハを同時に運ぶように適合される。 - 特許庁

To provide a method of processing an optical device wafer in which the optical device wafer is formed thin without cracking and divided into individual optical devices.例文帳に追加

割れが発生することなく薄く形成することができるとともに、個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and system (120) used for processing an object such as a wafer, and includes polishing and/or grinding of the wafer.例文帳に追加

本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, in which the wafer can be accurately divided along streets and the thickness of divided devices can be formed to a thin thickness.例文帳に追加

ウエーハをストリートに沿って正確に分割するとともに分割されたデバイスの厚みを薄く形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the wafer processing time can be stabilized in the resist application unit, resulting in preventing overheating of the wafer in a hot plate unit, etc.例文帳に追加

この結果、レジスト塗布ユニット内部でのウェハ処理時間を安定させ、結果として熱板ユニットなどにおけるウェハの過加熱を防止することができる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a spin chuck 2 having a plurality of holding members 7 for holding a wafer W horizontally with the wafer separated from a spin base 6.例文帳に追加

基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。 - 特許庁

Because of this, the insoluble substances are prevented from attaching to the wafer, therefore, the processing is carried out properly and a desired resist pattern is formed on the wafer.例文帳に追加

そして，当該不溶化物がウェハに付着することがなくなるので，現像処理が適正に行われ，ウェハ上に所望のレジストパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing device that can suppress or prevent the generation of crystal defect such as slip or the like of wafer or the like as a substrate, and can optimize the rotational frequency of the wafer.例文帳に追加

ウエハ等の基板のスリップ等の結晶欠陥の発生を抑制または防止でき、ウエハ回転数を最適化できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises: a step of forming a numbering part on a wafer surface by irradiating the wafer surface with a laser; a step of calculating the reference surface of the wafer by pressing the pressing part formed on a wafer disk claw against the wafer surface: and a step of processing the wafer surface referred to the reference surface.例文帳に追加

本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、ウエハ表面にレーザ照射し該ウエハ表面にナンバリング部を形成する工程と、ウエハディスクの爪に形成された押し当て部を該ウエハ表面に押し当てて該ウエハの基準面を求める工程と、該基準面を基準として該ウエハ表面に処理を施す工程と、を備える。 - 特許庁

The protection film of the semiconductor wafer is formed of a cured film of a curable fluoropolyether elastomer composition, the method for protecting the semiconductor wafer surface includes a step of covering one or both surfaces of the semiconductor wafer, and the method for processing the semiconductor wafer includes a step (a) of coating one surface of the semiconductor wafer with the protection film to obtain a protection film coated semiconductor wafer.例文帳に追加

硬化性フルオロポリエーテルエラストマー組成物の硬化皮膜からなる半導体ウエハの保護膜；半導体ウエハの片面または両面を上記保護膜で被覆することを含む半導体ウエハ表面の保護方法；（ａ）半導体ウエハの片面を上記保護膜で被覆して保護膜被覆半導体ウエハを得る工程を有する半導体ウエハの加工方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer protection unit (10) which enables a semiconductor wafer to be handled as needed without breaking the semiconductor wafer even when the reverse surface of the semiconductor wafer (2) is grounded and then made greatly thin, and to provide a semiconductor wafer processing method which uses the semiconductor wafer protection unit.例文帳に追加

半導体ウエーハ（２）の裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする半導体ウエーハ保護ユニット（１０）を提供し、そしてまたかかる半導体ウエーハ保護ユニットを使用した半導体ウエーハ処理方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, scratches, cracks, and the like, can be prevented from occurring to the back side (lower side) of the processing object, when the processing object, such as, the semiconductor wafer is supported.例文帳に追加

これにより、半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止する。 - 特許庁

To provide a honing processing method for a single crystal wafer, which is capable of improving the processing yield and the yield in device process.例文帳に追加

加工歩留まりやデバイスプロセスの歩留まりを大幅に改善し得る単結晶ウエハのホーニング加工方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a processing technology capable of efficiently reducing the effect of heterogeneity by processing a semiconductor wafer in which the heterogeneity exists.例文帳に追加

不均質性が存在する半導体ウエハを処理して不均質性の影響を効率的に軽減できる処理技術を提供する。 - 特許庁

After the correction, photolithography processing and etching processing are carried out to form the predetermined pattern on the film to be processed on the wafer (steps S9, S10).例文帳に追加

補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ９、Ｓ１０）。 - 特許庁

To provide a method of processing a silicon wafer of which processing process is simplified by utilizing a thin film layer having different thicknesses.例文帳に追加

相異なる厚みを持つ薄膜層を利用することによって加工工程を単純化したシリコンウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the wafer W is carried to the processing chamber 8 from the UV processing chamber 7 to be supplied with a sulfuric anhydride on its surface.例文帳に追加

次いで、ウエハＷは、ＵＶ処理室７からレジスト剥離処理室８へと搬送され、その表面に無水硫酸の供給を受ける。 - 特許庁

Then, a processing solution 4 is injected into the processing tank 1, and sprayed from a hole 1b vertically with respect to over the whole surface of the wafer 2.例文帳に追加

処理槽１内に処理液４を注入し、穴１ｂよりウエハ２の表面全体に対して垂直に噴出する（４ｂ）。 - 特許庁

When a processing solution is discharged from a lower processing-solution outlet 37, the processing solution is supplied to the substrate side space S1a to process the lower surface of the wafer W.例文帳に追加

下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。 - 特許庁

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method.例文帳に追加

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, which can generate a uniform plasma in a processing container and thus can provide regular processing, even if a wafer has a large diameter.例文帳に追加

処理容器内に一様なプラズマを発生させることができ、従って大口径のウエハであっても一様な処理をおこなうことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, the substrate processing apparatus includes a holding unit 5 configured to hold the wafer 4 with the target surface 4a to a downward direction so that the target surface 4a is dipped in the processing liquid 3 in the processing tank 2.例文帳に追加

処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。 - 特許庁

According to the determined wafer processing ratio for each of the processing paths, processing to the group of wafers planned to be processed is executed in the devices 3, 4 for manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

そして、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、半導体製造装置３、４において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する。 - 特許庁