「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of processing an optical device wafer in which the optical device wafer is formed thin without cracking, and divided into individual optical devices.例文帳に追加

光デバイスウエーハを割れが発生することなく薄く形成することができるとともに、個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate SOI wafer manufacturing method in which the front and the back of a laminate SOI wafer both surfaces of which are subjected to a mirror surface polishing processing can be easily distinguished from each other.例文帳に追加

両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハの表裏識別を容易に行うことのできる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus and an exposure method that keep exposure precision in one wafer uniform by suitably processing fine vibration generated in a driving direction of a wafer stage.例文帳に追加

ウエハステージの駆動方向によって発生する微小振動を適切に処理し、１つのウエハ内の露光精度を均一に保つ露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing line of semiconductor device in which a wafer can be processed repeatedly by a processing device, and contamination of a wafer can be suppressed.例文帳に追加

加工装置でウエハに対して繰り返し加工を行うことができるとともに、ウエハの汚染を抑制することができる半導体装置の製造ラインを提供する。 - 特許庁

Coating of the wafer W with resist by using the processing recipe not including irradiation by means of an LED 41 is performed previously, and the in-plane film thickness distribution of the wafer W is determined.例文帳に追加

そこで、予めＬＥＤ４１の照射を含まない処理レシピを用いてウエハＷにレジスト塗布処理を行い、このウエハＷの面内の膜厚分布を求める。 - 特許庁

To provide an integrated inside cluster tool type wafer processor which is used for forming multilayer wiring structure of metallic wiring, and to provide a wafer processing method using it.例文帳に追加

多層配線構造の金属配線の形成に用いられる一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置及びこれを用いたウェーハ処理方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the clamp 11 is lowered to a wafer processing position (II) and the temperature of the wafer W is settled at a specified level before a thin film is formed on the filming surface thereof.例文帳に追加

その後、クランプ１１をウエハ処理位置（ＩＩ）に下降させてウエハＷの所定の温度に安定させてからウエハＷの被成膜面に薄膜を形成する。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

To minimize damages to peripheral members even when a wafer carrier falls down during movement or lifting/lowering operations of the wafer carrier on a substrate-processing apparatus.例文帳に追加

基板処理装置上でウェーハキャリアを移動、昇降させた場合にウェーハキャリアが落下した場合であっても周辺の部材に生じる損傷を最小限に抑える。 - 特許庁

To provide a cleaning device with a beveling function capable of efficiently cleaning and slicing a wafer, without causing defects or cracks on the wafer when processing the surface thereof.例文帳に追加

ウェーハを効率的に洗浄、枚葉化するとともに、ウェーハ表面の加工の際にウェーハに欠損や割れを生じさせない面取り機能つき洗浄装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a single wafer processing lamp heating arrangement with which a temperature of a wafer can correctly be controlled in a temperature region of a wide range from a low temperature region to a high temperature region.例文帳に追加

その目的は、低温領域から高温領域までの広範囲の温度領域で正確にウェーハの温度を制御することができる枚葉式ランプ加熱装置を得る。 - 特許庁

After the film formation, the wafer is taken out from the processing chamber to the vacuum transfer chamber (step 107), and the vacuum transfer chamber is restored to an atmosphere (step 108), the wafer is collected (step 109).例文帳に追加

成膜後、ウェハを処理室から真空搬送室へ取出し（ステップ１０７）、真空搬送室を大気に戻した後（ステップ１０８）、ウェハを回収する（ステップ１０９）。 - 特許庁

To provide a wafer processing system, in which a wafer can be dried surely, after removing reaction products originating from a resist and produced through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a tape for wafer processing by peeling an external adhesive layer of a wafer adhesion scheduled section without causing any trouble.例文帳に追加

ウェハ貼合予定部分の外側の接着剤層を剥離する際に問題なく剥離でき、これによりウェハ加工用テープを効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a lithographic process of a semiconductor wafer, the lithography processing of the semiconductor wafer is conducted by inline constitution by one application/development device A and two aligners devices B and C.例文帳に追加

半導体ウェーハのリソグラフィ工程において、１つの塗布・現像装置Ａと２つ露光装置Ｂ、Ｃでインライン構成により半導体ウェーハのリソグラフィ処理を行う。 - 特許庁

To provide a wafer processing method free from chipping even when the wafer with a second semiconductor device joined on the backside is cut by a cutting blade along a street.例文帳に追加

裏面に第２の半導体デバイスを接合したウエーハを、ストリートに沿って切削ブレードによって切削してもチッピングが生じないウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of uniformizing a process result within a wafer face by minimizing ununiformity of a potential distribution around the outer circumference of the wafer.例文帳に追加

ウエハ外周付近の電位分布の不均一を最小限にとどめ、ウエハ面内のプロセス結果を均一にすることができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer containing loss impurity, having excellent chipping resistance and preventing the chip from defecting when dicing the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピング特性に優れダイシングの際のチップ飛びを防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

To obtain an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer capable of exhibiting excellent expandability with slight impurities and excellent in chipping resistance characteristics when the semiconductor wafer is processed.例文帳に追加

半導体ウエハ加工に際して、不純物の少ない優れたエキパンド性を示し、かつ耐チッピング特性に優れた半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

To separate a semiconductor wafer from a supporting substrate by a heating method in a short processing time without totally causing a flaw on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

加熱方式よる短時間処理で、半導体ウエハ表面に全くキズを生じさせることなく、支持基板から半導体ウエハを分離することを目的としている。 - 特許庁

To avoid deterioration in the throughput of protection tape peel processing while peeling a protection tape smoothly from a surface of a semiconductor wafer without causing damage of the semiconductor wafer.例文帳に追加

保護テープ剥離処理の処理能率の低下を回避させつつも、半導体ウエハの破損を招くことなく保護テープを半導体ウエハの表面から円滑に剥離してゆく。 - 特許庁

The wafer W is dried out (step 5), then the wafer W is processed with processing gas containing ozone and water vapor, whereby the uncured resist parts 79b are turned water-soluble (step 6).例文帳に追加

次いでウエハＷを乾燥し（ステップ５）、続いてウエハＷをオゾンと水蒸気を含む処理ガスで処理して、生レジスト部７９ｂを水溶性に変性させる（ステップ６）。 - 特許庁

To provide a method of thinning a semiconductor wafer which can reduce a processing cost by reusing a carrier plate in thinning the semiconductor wafer by spin etching.例文帳に追加

半導体ウエハにスピンエッチングにより薄型化加工を行う際に、キャリア板を再利用することで加工コストの軽減を図った、半導体ウエハの薄型加工方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a crack or chip of a semiconductor wafer, and to uniformize a shape of an end surface of each semiconductor wafer in continuously processing a plurality of semiconductor wafers.例文帳に追加

半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすること。 - 特許庁

To provide a wafer processing method which prevents the influence of debris generated when a street formed in a wafer is irradiated with a laser beam therealong.例文帳に追加

ウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide wafer processing equipment, wherewith mist of treatment liquid or the like is prevented from flying out of a cup and the thickness of films of resist applied to wafer surfaces is uniformized.例文帳に追加

カップ外部への処理液等のミストの飛散を防止することができ、ウエハ表面に塗布されるレジスト膜厚を均一にすることができるウエハ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a resinoid grinding wheel having a long dressing interval and good sharpness and durability in processing a silicone wafer without deteriorating sharpness even after grinding a silicon wafer many times.例文帳に追加

シリコンウエハー加工において切れ味、耐久性が良好でシリコンウエハーの研削を重ねても切れ味が低下しない、ドレスインターバルが長いレジノイド砥石を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method whereby a high degree of flatness is achieved for the wafer surfaces and whereby pollution by heavy metals, such as iron, nickel, chromium, and copper is prevented.例文帳に追加

ウェーハ表面の高い平坦度を確保するとともに鉄、ニッケル、クロム、銅、等の重金属による汚染を防止できる半導体ウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Since the carrying of the wafer W is conducted between the development processing unit and the inspection device 48 is conducted by the main carrying device 13, the wafer W can be prevented from being contaminated by man-made means.例文帳に追加

現像処理ユニットと検査装置４８との間におけるウエハＷの搬送を主搬送装置１３で行うために，ウエハＷが人為的に汚染されない。 - 特許庁

To provide a method and device for processing a wafer capable of economically forming an adhesive coating for die bonding uniform in thickness on the back face of the wafer.例文帳に追加

ウエーハの裏面に厚みが均一なダイボンディング用の接着剤被膜を経済的に形成することができるウエーハの処理方法およびウエーハの処理装置を提供する。 - 特許庁

In a hydrogen sintering processing, hydrogen is introduced into the thermal treatment device, the wafer is raised in temperature and kept at a constant temperature (step ST1), and when the wafer gets higher than a certain temperature, it is subjected to a hydrogen sintering processing (step ST2), and then the wafer is decreased to a prescribed temperature in the thermal treatment device (step ST3).例文帳に追加

水素シンター処理においては、水素を装置内に導入してウエハー温度を一定温度に上昇させ（ステップＳＴ１）、ウエハー温度が一定以上になったら水素シンター処理を行ない（ステップＳＴ２）、その後熱処理装置内で一定温度以下に温度を下げる（ステップＳＴ３）。 - 特許庁

An angle A between two adjacent sides of the multiple sides for wafer processing chambers is greater than an angle B which is calculated by dividing 360° by the number of the total sides consisting of the multiple sides for wafer processing chambers and the two adjacent sides for wafer loading/unloading chambers.例文帳に追加

ウエハ処理チャンバ用の複数の側面のうち隣接する２つの側面の間の角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の２つの隣接する側面から成る全側面数で３６０°を割り算して計算された角度Bより大きい。 - 特許庁

A wafer processing apparatus 42 comprises peripheral chambers 111, 112 for performing peripheral exposure processing, an inspection chamber 113 for inspecting defects of a wafer W, and a transportation chamber 114 provided with a transportation arm 130 for transporting the wafer W in a vertical direction.例文帳に追加

ウェハ処理装置４２は、周辺露光処理を行う周辺露光室１１１、１１２と、周辺露光処理後のウェハＷの欠陥を検査する検査室１１３と、ウェハＷを鉛直方向に搬送する搬送アーム１３０を備えた搬送室１１４とを有している。 - 特許庁

In this case, no robot is provided to the processing module, and the wafers are transferred to the processing chamber or to the cooling chamber or from the processing chamber to the cooling chamber by the robot provided to the wafer transfer module.例文帳に追加

但し、プロセス・モジュールでは、ロボットを設けず、ウェーハ搬送モジュールのロボットによって、ウェーハを処理室、冷却室に搬送する、或いは処理室から冷却室に搬送する。 - 特許庁

To provide a multiple-chamber semiconductor wafer processing system, which minimizes the foot print of a cluster tool for semiconductor processing, increases the processing output and enables maintenance access.例文帳に追加

半導体処理のためのクラスタツールのフットプリント（使用床面積）を最小限に押え、処理アウトプットを増大させ、メンテナンスのアクセスも可能にする多重チャンバ式半導体処理システムを提供する。 - 特許庁

The supply means supplies the processing liquid 3 into the processing tank 2 so that an upward jet flow 20 toward the target surface 4a of the wafer 4 is generated in the processing tank 2 and the processing liquid 3 overflows from an upper end 2a of the processing tank 2.例文帳に追加

供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。 - 特許庁

To provide a method capable of reducing time for centering a wafer and an inexpensive optical sensor for centering the wafer compared to the conventional centering method prior to a wafer processing wherein the conventional centering is performed using the optical sensor prior to a pre-alignment after taking out the wafer by tweezers.例文帳に追加

ウエハの処理に先立って行う従来のセンタリング方法の場合には、ピンセットを介してキャリアからウエハを取り出した後、プリアライメントに先立って光学センサを用いてセンタリングを行うため、ウエハのセンタリングに時間が掛かると共に、センタリング用の光学センサにコストが掛かる。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer which can eliminate the need of dismounting the wafer during cutting and also the need of re-alignment, and can efficiently process the wafer even if precutting becomes necessary due to the breakage of a cutting blade during the cutting of the wafer for the exchange of the broken blade for a new cutting blade.例文帳に追加

ウエーハに対する切削途中で切削ブレードが破損して新たな切削ブレードに交換することでプリカット処理が必要となっても、切削途中のウエーハの取り外しを要せず再アライメントも不要で、効率よくウエーハを加工し得るウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing, by which a wafer warpage after a process of polishing the backside of a wafer is small, and adhesion of melted base material resin film to a chuck table is reduced in each heating process after termination of the polishing process, and that is less likely torn at the time of peeling from the wafer after the heating process.例文帳に追加

ウエハ裏面研削工程後のウエハ反りが小さく、研削工程終了後の各種加熱工程において、基材樹脂フィルムが溶融してチャックテーブルへの付着が低減され、加熱工程後にウエハから剥離する際に引き裂けにくいウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a wafer in which the thickness of an epitaxial layer is controlled during processing so that a region close to the edge of the wafer has a thickness larger or smaller than the thickness of a region close to the center of the wafer, and to provide a method for manufacturing the wafer.例文帳に追加

本発明は、ウェハの中央部に近接する領域における厚さと比較して前記ウェハのエッジに近接する領域の厚さが増大するか又は減少するようにエピタキシャル層の厚さが処理の間に制御されるウェハ、及び前記ウェハを製造する方法に関する。 - 特許庁

By bonding the solid state imaging element wafer 14 after processing the optical function-provided film 12 formed on a glass wafer 11, the glass wafer 11 is well bonded to the solid state imaging element wafer 14 with high airtightness without deteriorating characteristics of the optical function-provided film 12.例文帳に追加

ガラスウェーハ１１に形成された光学機能付与膜１２に対し加工を施してから固体撮像素子ウェーハ１４を接合することにより、光学特性付与膜１２の特性を劣化させず、高い機密性で良好にガラスウェーハ１１と固体撮像素子ウェーハ１４とを接合させる。 - 特許庁

To provide a processing apparatus by which not only the upsizing of the apparatus is prevented, but also a polishing step of a semiconductor wafer can be started immediately after the completion of a grinding step of a semiconductor wafer, so that the throughput of the apparatus can be improved; and a processing method utilizing the processing apparatus.例文帳に追加

装置の大型化を防止するとともに，半導体ウェハの研削工程が終了したらすぐに研磨工程を開始できるようにしてスループットを向上させることが可能な加工装置およびこれを利用した加工方法を提供する。 - 特許庁

To polish a wafer under a desired pressing load without applying a burden on a processing feed means when the wafer is polished by a plurality of types of polishing tools of individually different pressing loads attached to a spindle by processing feed by the processing feed means.例文帳に追加

個々に押圧荷重が異なる複数種類の研磨工具がスピンドルに装着され加工送り手段による加工送りの下でウェーハの研磨を行う場合において、加工送り手段に負担をかけることなく、所望の押圧荷重の下で研磨を行うようにする。 - 特許庁

A liquid processing apparatus for executing liquid processing while supplying a processing liquid to a wafer W is configured so that a rotary cup 4 is configured so as to rotate integrally with the wafer W, and a liquid exhaust cup 51 is provided so as to surround the external part of the rotary cup 4.例文帳に追加

回転カップ４をウエハＷと一体的に回転させるように構成するとともに回転カップ４の外側を囲繞するように排液カップ５１を設け、ウエハＷに処理液を供給しながら液処理を行う液処理装置を構成する。 - 特許庁

To prevent the steam of a processing liquid evaporating from a wafer from being attached to the wafer again and being particles in a semiconductor manufacturing equipment, which is used as an etching device of a semiconductor wafer, by quickly discharging a large amount of steam generated when a wafer is picked up from a processing tank or by preventing the generation of the steam itself.例文帳に追加

半導体ウェハーのエッチング処理装置等として使用される半導体製造装置において、処理槽よりウェハーを引き上げる際に発生する大量の蒸気を素早く排気したり、その蒸気自体の発生を防止したりすることにより、ウェハーから蒸発した処理液の蒸気がウェハーに再付着してパーティクルとして現れることを防止する。 - 特許庁