「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5.例文帳に追加

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

Before development processing on a wafer W, pure water as a diffusion assisting liquid for easily spreading a developer over the surface of the wafer W is discharged from a pure water nozzle 40 to a center part of the wafer W to form a liquid reservoir.例文帳に追加

ウエハＷの現像処理を行う前に、前工程として現像液をウエハＷの表面に拡げやすくするための拡散補助液である純水を純水ノズル４０よりウエハＷの中央部に吐出して液溜りを形成する。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

A dicing step of cutting a wafer (semiconductor wafer) 40 along a scribe region 40b to obtain a plurality of semiconductor chips includes a laser processing step of irradiating the scribe region 40b with a laser beam before cutting the wafer 40.例文帳に追加

ウエハ（半導体ウエハ）４０をスクライブ領域４０ｂに沿って切断して、複数の半導体チップを取得するダイシング工程において、ダイシング工程は、ウエハ４０を切断する前に、スクライブ領域４０ｂにレーザを照射するレーザ加工工程を含む。 - 特許庁

To provide a sheet polishing device of a semiconductor wafer, which is capable of reducing a time required for attaching/detaching a wafer to or from a polishing head so as to shorten a wafer processing time as a whole and to reduce a polishing cost.例文帳に追加

半導体ウエハの枚葉式研磨装置において、研磨ヘッドへのウエハの着脱にかかる時間を縮減し、全体としてのウエハの処理時間を短縮してコストを低減することが可能な半導体ウエハの枚様式研磨装置を提供する。 - 特許庁

A plasma source electrode and a wafer, which are processed, are disposed opposite to each other in a chamber and means for supplying etching gas is disposed between the plasma source electrode and the wafer being processed in order to plasma processing, e.g. plasma etching, the wafer being processed.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマソース電極と被処理基板とを対向配置するとともに、これらプラズマソース電極と被処理基板との間にエッチングガスを導入するためのガス供給手段を配置し、被処理基板をプラズマ処理、例えばプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a wafer positional deviation detecting device and a wafer positional deviation detecting method capable of certainly detecting positional deviation even in which direction the positional deviation occurs to a normal position in a wafer processing device, and detecting the positional deviation by using a small number of optical sensors.例文帳に追加

ウェハ処理装置で正常位置に対してどの方向に位置ずれが生じても確実に位置ずれを検出でき、少数の光学的センサを用いて検出できるウェハ位置ずれ検出装置およびウェハ位置ずれ検出方法を提供する。 - 特許庁

The wafer appearance inspection device 201 includes: a measuring stage 205; a monitor camera 203 for imaging a surface shape of a wafer 204 placed on the stage; and a control computer 202 for executing detection processing of surface shape defect of the wafer 204.例文帳に追加

ウェーハ外観検査装置２０１は、測定ステージ２０５と、その上に載置されたウェーハ２０４の表面形状を撮像するモニタカメラ２０３と、ウェーハ２０４の表面形状欠陥の検出処理を実行する制御用コンピュータ２０２を備える。 - 特許庁

The substrate processing system 1 is provided with a process module 2 to apply plasma to a wafer W, an atmosphere conveyance apparatus 3 to take out a wafer W from a hoop 5, and a load lock module 4 as an intermediate conveyance chamber to ship in/out the wafer W.例文帳に追加

基板処理システム１は、ウエハＷにプラズマ処理を施すプロセスモジュール２と、フープ５からウエハＷを取り出す大気系搬送装置３と、ウエハＷを搬出入する中間搬送室としてのロード・ロックモジュール４とを備える。 - 特許庁

In the method for processing the test data of the semiconductor which detects the abnormality in the fabricating process of a semiconductor wafer by processing the test data of the semiconductor wafer, a concentrating degree of defected regions on the semiconductor wafer is obtained and an index of a degree of the abnormality in the fabricating process of the semiconductor wafer is obtained from the concentrating degree of the defected regions.例文帳に追加

半導体ウエハの試験データを処理することにより、前記半導体ウエハの製造工程の異常を検出する半導体試験データ処理方法において、前記半導体ウエハの不良領域が集中している度合を求め、前記不良領域が集中している度合から、前記半導体ウエハの製造工程の異常の度合を示す指標を求めることを特徴とする。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

To provide processing methods for dividing a wafer into separate chips whose four corners are hardly chipped, for making the wafer very thin by grinding its rear side without forming a knife edge on its peripheral edge, and for chamfering the peripheral edge of the wafer in a shorter processing time at a lower running cost.例文帳に追加

ウェーハを四隅が欠け難い個々のチップに分割する加工方法、ウェーハを裏面研削で極薄に加工してもウェーハの周縁にナイフエッジが形成されない加工方法、及び、ウェーハ周縁エッジ部の面取り加工において加工時間の短縮とランニングコストの低減とを図れる加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer polishing technique for accurately estimating a polishing-rate in-plane distribution in a polishing apparatus at the start of processing of a product wafer, estimating the thickness of a film accurately polished, determining such polishing conditions as to obtain the predetermined thickness of the polished film with respect to a management value, and preventing a failure of the wafer processing.例文帳に追加

製品ウェハの着工時の研磨装置での研磨レート面内分布を精度良く推定し、また精度良く研磨後膜厚を推定し、そして管理値に対して所定の研磨後膜厚が得られるような研磨条件を決定し、さらに着工の不良を防止するウェハの研磨技術を提供する。 - 特許庁

A semiconductor ingot is sliced using processing slurry to produce a semiconductor wafer (step S1), the processing slurry adhering to the surface of the semiconductor wafer is cleaned off and removed (step S2) and the surface of the semiconductor wafer for a solar cell substrate thus obtained is cleaned using oxidizing chemicals having only oxidizing action (step S3).例文帳に追加

加工用スラリーを用いて半導体インゴットをスライス加工して半導体ウェーハを切り出し（ステップＳ１）、半導体ウェーハの表面に付着した加工用スラリーを洗浄除去して（ステップＳ２）得た太陽電池基板用半導体ウェーハの表面を、酸化作用のみを有する酸化性薬液を用いて洗浄する（ステップＳ３）。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method and a double-faced adhesive sheet used for it, which are capable of protecting a semiconductor wafer against damages and warpage in a thinning process and easily restraining air bubbles from penetrating into an interface between the semiconductor wafer and a support wafer of a hard material.例文帳に追加

半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートに関し、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制することを目的とする。 - 特許庁

Then the semiconductor wafer 1W is carried to a dicing apparatus in the state that the tape 3a with the ring 3b is stuck to the main surface of the semiconductor wafer 1W without peeling off the tape 3a, dicing processing is applied to the semiconductor wafer 1W from the rear side to divide the semiconductor wafer 1W into semiconductor chips.例文帳に追加

その後、そのリング３ｂ付きのテープ３ａを剥がすことなく半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ１Ｗをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ１Ｗの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ１Ｗを半導体チップに分割する。 - 特許庁

To provide a wafer transfer robot equipped with a wafer alignment/orientation flat alignment mechanism, having a simple structure using a mechanism and a control system inherent to a general wafer transfer robot without the need to provide a sensor unit mounting part, and to provide a substrate processing apparatus equipped with the wafer transfer robot.例文帳に追加

ウェハーアライメント・オリフラ合わせ機構を備えるウェハー搬送ロボットであり、ウェハー搬送ロボットの本来有する機構および制御系を利用して当該機構を簡素に構成でき、センサユニット取付け部を配置する必要のないウェハー搬送ロボット、及び、ウェハー搬送ロボットを備えた基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The processing region T2 includes: a lower chuck 100 for placing the lower wafer W_L on an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer W_U on a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one edge of the lower wafer W_L to abut on one edge of the upper wafer W_U for pressing when the wafers W_U, W_L are joined.例文帳に追加

処理領域Ｔ２には、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して保持する下部チャック１００と、下面に上ウェハＷ_Ｕを保持する上部チャック１０１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの接合時に下ウェハＷ_Ｌの一端部と上ウェハＷ_Ｕの一端部とを当接させて押圧する押動部材１２０とが設けられている。 - 特許庁

As to a wafer W, of which a rear face is stuck on a wafer sheet S having an adhesive layer on one side, and which is mounted on a ring-shaped rigid fame F, the wafer sheet S is expanded to widen a space between each chip T in a dicing apparatus just after dicing processing, and the wafer W is transferred while the condition is held.例文帳に追加

片面に粘着層が形成されたウェーハシートＳに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームＦにマウントされたウェーハＷを、ダイシング加工直後にダイシング装置内で、ウェーハシートＳをエキスパンドして個々のチップＴ間の間隔を広げ、その状態を保持したままウェーハＷを搬送するようにした。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor wafer 1W is so carried to a dicing apparatus without peeling therefrom the tape 3a having the adhered ring 3b to it and in the state of keeping the tape 3a adhered to the principal surface of the semiconductor wafer 1W as to divide the semiconductor wafer 1W into semiconductor chips, by subjecting the semiconductor wafer 1W to a dicing processing from its rear-surface side.例文帳に追加

その後、そのリング３ｂ付きのテープ３ａを剥がすことなく半導体ウエハ１Ｗの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ１Ｗをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ１Ｗの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ１Ｗを半導体チップに分割する。 - 特許庁

A baking unit equipped with a hot plate 2 which heats a semiconductor wafer, a dummy wafer 7 which recovers sublimates from chemicals applied to a processing target semiconductor wafer 7, and a cleaning unit which cleans the dummy wafer 5 from which sublimates are recovered to recycle it, are provided.例文帳に追加

半導体ウェーハを加熱するホットプレート２を備えたベークユニットと、このベークユニットに交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布された薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生するためのクリーニングユニットとを設ける。 - 特許庁

A first and a second cooling processing device groups, 70 and 80, each possessed of various cooling processing apparatuses that cool down a wafer W are arranged near a resist-applying apparatus group 20, and a first and a second heating processing apparatus group, 90 and 100, each possessed of various heating processing apparatus that heat a wafer W are arranged near to a development processing device group 30.例文帳に追加

レジスト塗布装置群２０近傍にウェハＷを冷却処理する各種の冷却系処理装置を有する第１冷却処理装置群７０及び第２冷却処理装置群８０を配置し，現像処理装置群３０近傍にウェハＷを加熱処理する各種の加熱系処理装置を有する第１加熱処理装置群９０及び第２加熱処理装置群１００を配置する。 - 特許庁

The plasma mixture is used to clean deposits from the interior surfaces of the processing chamber, or can be used to perform an etch step on a processed wafer within the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ混合物は、処理チャンバの内面から堆積物を洗浄するために用いられ、処理チャンバ内で処理ウェーハ上のエッチングステップを行うためにも使用し得る。 - 特許庁

To provide a wet processing apparatus which is capable of reducing foot prints and a dead space, carrying out wet processing uniformly, and protecting a wafer against damage caused by wrong chucking.例文帳に追加

ウェット処理装置のフットプリントやデッドスペースを低減するとともに、均一なウェット処理を可能にし、チャッキングミスによるウェーハの破損を防止したウェット処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus which efficiently processes a pattern formation surface of a wafer while preventing the diffusion of a chemical atmosphere that may occur during chemical processing.例文帳に追加

薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。 - 特許庁

Hence, a controller repeatedly starts and stops the pump, so that processing becomes uniform for the upper and lower portions in the wafer W, thereby improving intra-plane uniformity of processing.例文帳に追加

したがって、制御部がポンプの作動・停止を繰り返すことにより、基板Ｗにおける上部と下部の処理が均一になり、処理の面内均一性を向上できる。 - 特許庁

To suppress sticking of particles onto a wafer due to the variation in exhaust pressure while preventing large variation in exhaust pressure caused depending upon a processing state of one processing chamber.例文帳に追加

１つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 - 特許庁

To provide a system, a method, and a medium for controlling a wafer processing chamber using two or more processors (within one or more computer processing systems), wherein specified functions are assigned to each processor.例文帳に追加

それぞれに関数が割り当てられる２つ以上のプロセッサ（一つ以上のコンピュータ処理システム内）を用いてウエハ処理チャンバを制御するためのシステム、方法及び媒体。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer by which no adhesive agent paste remains in a device region even in the case that a heat treatment is performed at an additional processing step.例文帳に追加

追加加工ステップで熱処理を実施してもデバイス領域に接着剤の糊が残存することのない半導体ウエーハの加工方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, the etching gas EG discharged into a processing chamber 201 in an inner tube 230 can be prevented from reaching a wafer 200 disposed in the processing chamber 201.例文帳に追加

この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing apparatus which achieve an efficient working regulation without the occurrence of any deadlock in a single wafer processor for processing substrates in parallel.例文帳に追加

並列的に基板の処理を行う枚葉装置において、デッドロックを発生させることなく、効率的な運用規制を実現する半導体基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method in which burr formation itself can be suppressed without a special device nor processing stage as measures against burrs of a semiconductor chip with an adhesive film.例文帳に追加

接着フィルム付き半導体チップのバリ対策として，別途の装置や処理工程を必要とせず，バリの発生自体を抑制可能なウェハ加工方法を提供する。 - 特許庁

A temperature measuring apparatus monitors temperature of a semiconductor substrate, which is housed inside a processing chamber so as to supply gas to the process chamber of a wafer processing system.例文帳に追加

ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。 - 特許庁

Since processing for the wafers is not interrupted so long as the mark waveform pattern is not collapsed significantly, processing efficiency of the wafer can be enhanced.例文帳に追加

このようにすれば、マーク波形パターンが著しく崩れていない限りは、ウエハに対する処理を中断しないので、ウエハに対する処理効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a processing device used for processing a resist film formed on a substrate such as a liquid crystal display(LCD) glass substrate or a semiconductor wafer and its use.例文帳に追加

例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハのような基板に形成されたレジスト膜の処理に用いられる処理装置とその使用方法を提供する。 - 特許庁

Then, one sort of processing conditions in which the predicted flatness satisfies a required specification is selected, and an epitaxial layer is actually grown upon the substrate wafer under the processing conditions.例文帳に追加

そして、予測された平坦度が要求仕様を満たす１種類の加工条件を選択し、その加工条件で実際に素材ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させる。 - 特許庁

To provide the method of detecting abnormality of a substrate processing apparatus and the substrate processing apparatus, which can detect in real time or beforehand wafer temperature abonormality because of a susceptor failure.例文帳に追加

サセプタ異常によるウエーハ温度異常をリアルタイムまたは事前に検出することができる、基板処理装置の異常検出方法、および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus 1, micro bubbles are generated in a micro bubble generator 33, and pure water comprising the micro bubbles is supplied to the wafer W in a processing tank 10.例文帳に追加

基板処理装置１では、マイクロバブル発生部３３においてマイクロバブルを発生させ、マイクロバブルを含む純水を、処理槽１０内の基板Ｗへ供給する。 - 特許庁

A main gas nozzle 13 is provided for supplying Si system reaction gas and etching gas simultaneously from the upper part of a substrate processing region 203 for processing the mounted wafer 200.例文帳に追加

積載したウェハ２００を処理する基板処理領域２０３の上部から、Ｓｉ系反応ガス及びエッチングガスを同時に供給するメインガスノズル１３を備える。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 201 for processing a wafer 200, gas supply pipes 232a, 232b for supplying a processing gas into the processing chamber, a gas exhaust pipe 231 for exhausting the atmospheric gas in the processing chamber, and a first electrode 269 and a second electrode 270 to which high-frequency power is applied in order to bring the processing gas into an active state.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給するガス供給管２３２a、２３２bと、処理室内の雰囲気を排気するガス排気管２３１と、処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される第１の電極２６９及び２の電極２７０とを有する。 - 特許庁

The liquid processing system 1 comprises a tubular processing chamber 26, and a mechanism disposed in the processing chamber 26 and liquid processing an article, e.g. a wafer W held rotatably, while rotating by supplying a specific processing liquid thereto.例文帳に追加

液処理装置の一実施形態である洗浄処理装置１は、筒状の処理チャンバ２６と、処理チャンバ２６内に設けられ、回転自在に保持されたウエハＷ等の被処理体を回転させながら被処理体に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理機構とを具備する。 - 特許庁

To provide a lift off method and device capable of uniformly processing the lift off of all the surface of a large diameter wafer, requiring a few quantity of a parting liquid and a displacement liquid, causing no reattachment of an exfoliated metal film, and efficiently processing even a cracked wafer.例文帳に追加

大口径のウエーハでも全面を均一にリフトオフ処理でき、剥離液や置換液の量も少なく、剥離したメタル膜の再付着もなく、割れたウエーハでも効率よく処理できるようにしたリフトオフ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The etching method includes the steps of: placing the wafer having the APF layer in a processing chamber provided with a power supply operating at approximately 162 MHz; supplying a processing gas to the chamber; applying a source power with the use of the 162 MHz power supply; and applying a bias power to the wafer.例文帳に追加

ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing in which the need of placing a component for maintaining an expanded state is eliminated to reduce the manufacture cost and man-hour; and to provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus comprising manufacturing the semiconductor apparatus using the tape for wafer processing.例文帳に追加

エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus that divides the wafer into individual chips by irradiating the wafer with laser beam and thereafter performs etching process simultaneously and immediately inside an identical etching unit without transporting the divided wafers to another etching unit that is separately provided in order to remove processing distortions.例文帳に追加

ウェーハにレーザー光線を照射することにより個々のチップに分割した後、加工歪みを除去するため、別途設けたエッチング装置に搬送することなく同一装置内で直ちにエッチング処理ができるレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁