「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The release-accelerating agent is included in the adhesive agent for fixing of a wafer during processing of the semiconductor wafer, and generates gas when receiving an electromagnetic wave or electron beam such as a visible ray, ultraviolet light or X ray to accelerate the release of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工時にウエハーを固定するための粘着剤に含有され、可視光線、紫外線、エックス線等の電磁波または電子線によってガスを発生し、半導体ウエハーの剥離を促す剥離促進剤。 - 特許庁

A wafer W is heated on a hot plate 45 to a predetermined temperature, and, in such condition, a hydrofluoric acid vapor is introduced to the surface of the wafer W, and the process for removing the film which removes an oxide on the wafer surface by vapor-phase processing is performed.例文帳に追加

ホットプレート４５上でウエハＷを所定温度に加熱し、その状態で、ウエハＷの表面にふっ酸蒸気を導き、気相エッチング処理によってウエハＷの表面の酸化膜を除去する膜除去工程を行う。 - 特許庁

The processing apparatus for partially cleaning the semiconductor wafer includes: a turntable 2 holding the semiconductor wafer; a nanobubble generator 17 which supplies processing liquid with mixed nanobubbles at least to a part to be cleaned of the semiconductor wafer held by the turntable; and an electron gun 12 which breaks nanobubbles contained in the processing liquid by irradiating the part to be cleaned of the semiconductor wafer with an electron beam.例文帳に追加

半導体ウエハを部分的に洗浄処理する処理装置であって、 半導体ウエハを保持する回転テーブル２と、回転テーブルによって保持された半導体ウエハの少なくとも洗浄処理される部分にナノバブルが混入された処理液を供給するナノバブル発生器１７と、半導体ウエハの洗浄処理される部分に電子ビームを照射して処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる電子銃１２を具備する。 - 特許庁

This substrate processing device is provided with a recipe setting part having a recipe setting screen for setting a processing condition in a processing recipe of a semiconductor wafer and the direction of the semiconductor wafer by relating them to each other; the direction of the semiconductor wafer is set on the recipe setting screen; and the direction of the semiconductor wafer is aligned to be set in the direction set on the recipe setting screen in a positioning module.例文帳に追加

基板処理装置は、半導体ウエハの処理レシピにおける処理条件と半導体ウエハの向きとを対応付けて設定するためのレシピ設定画面を備えたレシピ設定部を設けており、このレシピ設定画面上にて半導体ウエハの向きを設定し、位置合わせモジュールにおいて前記レシピ設定画面上で設定した向きになるように半導体ウエハの向きを合わせている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device; cracking and getting chipped of a substrate are prevented to perform surface processing in a desired shape by subjecting the holding substrate 11 (wafer 51) constructed with a substrate piece 12 to surface processing, e.g., polishing processing or blast processing, after a separation process of cutting, and separating a wafer 50 to the substrate pieces 12.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ウエハ５０を基板片１２に切断、分離する分離工程の後に、基板片１２で構成された保持基板１１（ウエハ５１）を表面処理加工、例えば研磨処理又はブラスト処理、することで、基板の割れ、欠けを防止して、所望の形状となるような表面加工が可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method which is capable of easily discriminating the front and rear of a wafer from one another without increasing man-hours and making the control of thickness of a film difficult after the polish of a semiconductor wafer is finished, and protecting the rear of the wafer against marks in transit after the polish of a semiconductor wafer is finished.例文帳に追加

工数を増加させることなく且つ膜厚の制御を困難にすることなく、ウエハの研磨終了後の搬送の際にウエハの裏表を容易に識別することができるとともに、ウエハの研磨終了後の搬送中にウエハの裏面にキズが付けられるのを防止することができる、半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a protection film of a semiconductor wafer which has a favorable adhesive property and tackiness to a semiconductor wafer, is excellent in chemical resistance, heat resistance and low moisture permeability, and easily strippable from the wafer surface without leaving a residue after use, and a method for protecting the semiconductor wafer surface and a method for processing the semiconductor wafer using the protection film.例文帳に追加

半導体ウエハへの良好な密着性、粘着性を有し、耐薬品性、耐熱性、低透湿性に優れ、かつ、使用後は半導体ウエハ表面に残存せずに容易に剥離できる半導体ウエハの保護膜、ならびに該保護膜を利用する半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

A spindle 2, a chuck 8 to which a wafer W supported by the spindle 2 is fixed, a solution nozzle 25 for supplying a wafer processing solution onto the wafer W, a gas supply path 4 for supplying gas to the rear surface of the wafer W, and a heater 30 for heating the gas supplied to the rear surface of the wafer W, are provided.例文帳に追加

回転軸２と、回転軸２によって支持されウェーハＷが固定されるチャック８と、ウェーハＷ上にウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズル２５、ウェーハＷの裏面にガスを供給するためのガス供給通路４及びウェーハＷの裏面に供給されるガスを加熱するためのヒータ３０を含めてなる。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer by which the protection of the surface of a semiconductor wafer and its warpage can be established when the semiconductor wafer is made small in thickness, a protective tape be peeled off without damaging the brittle semiconductor wafer, the breakage or cracking of the semiconductor wafer be suppressed to improve yield, and the yield can be improved as a result.例文帳に追加

半導体ウェーハの薄化処理においては、適正に半導体ウェーハの表面保護と反りを抑制することができるとともに、脆弱な半導体ウェーハへダメージを与えることなく、保護テープを剥離することができ、半導体ウェーハの割れや欠けを抑制して歩留を向上させることができる半導体ウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

The deposit apparatus 26 includes a processing container housing the wafer W, a holding table provided in the processing container for holding the wafer W, a resist film vapor deposition head 72 supplying vapor of a molecule resist of a low-molecular compound to the wafer W held by the holding table, and a vacuum mechanism depressurizing an atmosphere inside the processing container to a vacuum atmosphere.例文帳に追加

成膜装置２６は、ウェハＷを収容する処理容器と、処理容器内に設けられ、ウェハＷを保持する保持台と、保持台に保持されたウェハＷに対して、低分子化合物の分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッド７２と、処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有している。 - 特許庁

To provide a wafer processing tank made of quartz glass that is easily manufactured even when a large-sized type applicable to a large-diameter, and has a structure which withstands water pressure of a chemical solution reservoired in the processing tank, reduces the amount of the chemical solution, and supplies the chemical solution to a large-area wafer surface, and to provide a method of manufacturing the wafer processing tank.例文帳に追加

大口径のウエハーに対応可能な大型の処理槽であっても製作が容易であり、処理槽内に蓄えられる処理薬液による水圧にも耐え、薬液の量を削減できかつ効率よく薬液を大面積のウエハー表面に流れるような構造を有する石英ガラス製ウエハー処理槽及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, conveyance of wafer is performed only to the process chamber within the allowable range in conveying the wafer to the place before the process chamber, a second feedforward computation is performed by reflecting the result of the feedback computation based on the last processing in the process chamber, and wafer processing is carried out on the basis of the processing of the processed parameter computed thereby.例文帳に追加

そして，許容範囲内となる処理室にのみウエハの搬送を実行し，その処理室の手前までウエハを搬送し，その処理室での直前の処理に基づくフィードバック計算の結果を反映した第２回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果算出された処理パラメータ処理によってウエハの処理を実行する。 - 特許庁

The wet processing apparatus 1 is equipped with a chemical processing tank 4 containing chemicals 3 for wet-processing wafers 2, a wafer holder 5 holding the wafers 2 collectively in a vertical direction, holder chucks 6a and 6b chucking the upper part 5a of the wafer holder 5, and a transfer mechanism 7 transferring the wafer holder 5 through the intermediary of the holder chucks 6a and 6b.例文帳に追加

本発明のウェット処理装置１は、ウェーハ２をウェット処理するための薬液３の入った薬液処理槽４と、ウェーハ２を一括して垂直方向に保持するウェーハホルダ５と、ウェーハホルダ５の上部５ａをチャッキングするホルダーチャック６ａ、６ｂと、ホルダーチャック６ａ、６ｂを介してウェーハホルダ５を搬送する搬送機構７を備える。 - 特許庁

To provide a cutting processing apparatus and a cutting processing method which can facilitate separation without damaging a device formed on a wafer surface, and can efficiently remove contamination remaining in a gap between a wafer and a protection member.例文帳に追加

ウェーハ表面に形成されたデバイスに傷を発生させずに分離を容易にし、ウェーハと保護部材との間の間隙に残留するコンタミを効率的に除去する切削加工装置及び切削加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a self-adhesive for a wafer-processing self-adhesive sheet hardly generating a transferred contaminant and to provide a wafer-processing self-adhesive sheet provided with a self-adhesive layer formed of the self-adhesive.例文帳に追加

転写汚染物の発生の少ないウエハ加工用粘着シート用粘着剤を提供すること、さらには当該粘着剤により形成された粘着剤層が設けられているウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing unit for removing a native oxide of a metal that is formed on the surface of the metal film on a wafer W and polishing units 16 and 17 for performing chemical mechanical polishing of the metal film of the wafer W.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェハＷ上の金属被膜の表面に形成された該金属の自然酸化膜を除去する処理ユニットと、ウェハＷの金属被膜を化学機械的研磨する研磨ユニット１６，１７とを備えている。 - 特許庁

To prevent a semiconductor wafer from damaging by stopping processing before abnormal processing such as breaking of a cutting tool such as a turning tool occurs when tips of bumps on a surface of the semiconductor wafer are ground by the cutting tool to be made uniform in height.例文帳に追加

バイト等の切削工具で半導体ウエーハ表面のバンプの先端を削り取って高さを揃えるにあたり、バイトの折損等による異常加工が起こる前に加工を停止して半導体ウエーハの損傷を未然に防止する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape element sufficiently suppressing generation of a transfer mark onto an adhesive layer when taking up in roll a wafer processing tape with the adhesive layer and a sticky film formed on a mold release film.例文帳に追加

離型フィルム上に接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写跡の発生を充分に抑制することができるウエハ加工用テープ体を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing method and a laser processing device for a wafer which have an altered layer formed inside along streets without causing abrasion even if a plurality of devices formed on a surface of the wafer have defective regions.例文帳に追加

ウエーハの表面に形成された複数のデバイスに欠陥領域が存在しても、アブレーションを起こすことなく内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing device in a chamfering machine which can stably supply a highly precise wafer by stabilizing a chamfering shape of the outer peripheral part of the wafer and reducing occurrence of fine chipping in a chamfering part.例文帳に追加

ウェハ外周部の面取形状の安定化と面取部の微細なカケの発生の低減化を図り、高精度ウェハを安定的に供給することができる面取機における加工方法及び加工装置を提供することにある。 - 特許庁

A processing system, based on previously loaded plasma, is provided with a preliminary reaction plasma processing chamber, a power source connected to the preliminary reaction plasma processing chamber so as to drive the chamber and a wafer plasma processing chamber connected to the preliminary reaction plasma processing chamber through fluid.例文帳に追加

事前ロードしたプラズマに基づく処理システムは、予備反応プラズマ処理チャンバと、この予備反応プラズマ処理チャンバと動作可能に連通して配置された電力源と、予備反応プラズマ処理チャンバと流体連通して配置されたウエハプラズマ処理チャンバとを具備する。 - 特許庁

In this substrate processing apparatus, on the rear stage side of a substrate carry-in block including a carry-in/out arm B for transferring a wafer to a carrier C, a first processing block 31, a second processing block 32, and a third processing block 33 are sequentially disposed.例文帳に追加

キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。 - 特許庁

To provide a device conveying samples in parallel to a plurality of processing chambers without impairing wafer throughput in a semiconductor processing apparatus while gas is not mixed, in a conventional semiconductor processing apparatus equipped with a plurality of processing chambers.例文帳に追加

従来の複数の処理室が設置された半導体処理装置において、ガスを混在させずに複数の処理室に、半導体処理装置のウェハ処理能力が損なわれることなく、並行して試料を搬送する装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing used for processing products such as a semiconductor wafer and the like, and bringing bending of products and warping of products caused by residual stress of the adhesive sheet to be small without spoiling the semiconductor wafer and the like during processing.例文帳に追加

半導体ウエハ等の製品を加工する際に使用される粘着シートであり、加工中に半導体ウエハ等を破損することなく、製品の撓みや粘着シートの残留応力による製品の反りを小さくすることができる加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

To efficiently manufacture a semiconductor wafer processing tape by applying an adhesive only to required portions and reducing cutting processes of an adhesive layer as far as possible, as for a method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape and the semiconductor processing tape manufactured by the method.例文帳に追加

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び当該製造方法により製造される半導体ウエハ加工用テープにおいて、必要な部分にのみ接着剤を塗布し、接着剤層のカット工程をできるだけ削減することで、該半導体ウエハ加工用テープを効率良く製造する。 - 特許庁

In the method of processing a semiconductor wafer using an adhesive tape for semiconductor processing, an adhesive caused by the semiconductor processing adhesive tape can be prevented from remaining by protecting a circuit formed on the semiconductor wafer with a protective layer made of water-soluble polymer.例文帳に追加

半導体加工用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法であって、水溶性ポリマーからなる保護層により前記半導体ウエハ上に形成された回路を保護することにより、半導体加工用粘着テープに起因する粘着剤の糊残りを防止する半導体ウエハの加工方法。 - 特許庁

To provide a transport device capable of preventing influence of contamination on a wafer, and surely transporting the wafer with an adhesive protective member applied to a processing object surface to a transport destination.例文帳に追加

ウェーハへのコンタミの影響を抑えるとともに、被加工面に粘着性の保護部材が塗布されたウェーハを搬送先へ確実に搬送させることのできる搬送装置を提供する。 - 特許庁

A recipe 155 is a set of instructions including wafer processing parameters, inspection parameters, or control parameters for telling an inspection/metrology system 150 how to inspect/measure a wafer 160.例文帳に追加

レシピ１５５は、検査/測定システム１５０に対して、ウエーハ１６０を検査/測定する方法を指示するためのウエーハ処理パラメータ、検査パラメータまたは制御パラメータを含む命令のセットである。 - 特許庁

To provide a method and device for isolation of a wafer, capable of safely, simply, certainly and quickly isolating ultrathin wafer, and with improved processing speed compared with former.例文帳に追加

極薄のウェーハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができ、かつ従来と比べて処理スピードが改善されたウェーハ単離方法及びウェーハ単離装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer achieving a desired thickness without generating a chip on an outer peripheral edge of the wafer and without forming a knife edge on the outer periphery.例文帳に追加

ウエハの表面側外周縁に欠けを生ずることなく又外周にナイフエッジを形成することなく所定の厚みに形成することができるウエハの加工方法の提供。 - 特許庁

To provide a processing method of wafer for making a silicon wafer having a precipitation of oxygen density optimal for a device by controlling increase/decrease in precipitation of oxygen density even in a low temperature process.例文帳に追加

低温プロセスにおいても酸素析出物密度の増大／減少を制御し、デバイスにとって最適の酸素析出密度を持つシリコンウェーハを作成するウェーハ処理方法を提供する。 - 特許庁

The carrier base 124 upon its downward movement is positioned in a transfer path for transfer of a wafer W to a first vacuum processing chamber 108 and exchange the wafer W with the arm 106.例文帳に追加

降下時の載置台１２４は，第１真空処理室１０８にウェハＷを搬送する搬送経路中に配置され，搬送アーム１０６との間でウェハＷの受け渡しが行われる。 - 特許庁

To enhance pattern measurements and the like that are the processing capabilities of wafers by permitting the pattern measurements and observation of wafers of several kinds of wafer sizes by use of one kind of wafer holder.例文帳に追加

一種類のウェーハホールダで、ウェーハサイズが数種類のウェーハのパターン計測、及び観察を可能にし、ウェーハの処理能力であるパターンの計測等の向上を図ることにある。 - 特許庁

An epitaxial growth device is equipped with a wafer guide member 8, which has a passage 7 communicating with the wafer introduction port 5 of a processing chamber 2, and an opening and closing mechanism 8, which opens and closes the passage 7.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１は、処理チャンバ２のウェハ導入口５と連通された通路７を有するウェハガイド部材８と、通路７を開閉する開閉機構９とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of suppressing an occurrence of loading effect without reference to the shape of a circuit pattern formed on a wafer to improve uniformity in film thickness in a wafer surface.例文帳に追加

ウエハに形成された回路パターンの形状によらずにローディング効果の発生を抑制でき、ウエハ面内における膜厚の均一性を向上できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for measuring multiple locations on a wafer for controlling a subsequent semiconductor processing step to achieve greater dimensional uniformity across that wafer.例文帳に追加

ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A fixed relative positional relation between the wafer W and the wafer housing grooves 2 is broken off, so that replacement of a processing solution and removal of air bubbles can be accelerated in a narrow structure.例文帳に追加

ウェーハＷとウェーハ収容溝２との相対位置の固定関係が解消されるので、狭隘な構造部における処理溶液の交換や気泡の除去が促進される。 - 特許庁

An etching plastic is injected into a processing chamber in which the semiconductor wafer is accommodated, and a self-supporting type nano-structure part is exposed on the semiconductor wafer by etching the patterned layer.例文帳に追加

上記半導体ウェハーを収容した処理チャンバーに、エッチング化成品を注入し、パターン化された層をエッチングして、自立型ナノ構造部を半導体ウェハー上に露出させる。 - 特許庁

A method for processing the silicon wafer comprises the step of flattening the infinitesimal ruggedness existing on the side face of the silicon block or the silicon stack for manufacturing a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of positioning dot marks formed on a semiconductor wafer and a positioning unit, which is capable of accurately performing a precise optical processing on a desired marking region of the peripheral area of a wafer.例文帳に追加

ウェハ周面の所望のマーキング領域に光学的な微細な処理を正確に行うことのできる半導体ウェハのドットマーク形成位置の位置決め方法と、その装置を提供する。 - 特許庁

To reduce costs for a dummy wafer or the like by adjusting the state of a polishing surface to the optimum state for polishing and resuming polish processing without using the dummy wafer or the like.例文帳に追加

ダミーウエハ等を使用することなく、研磨面の状態を研磨に最適な状態に調整して研磨処理を再開できるようにして、ダミーウエハ等にかかるコストを削減できるようにする。 - 特許庁

Furthermore, when the wafer is vacuum-adsorbed simultaneously accompanied by the rise of the auxiliary table after the descent of the other table upon the completion of the wafer processing, it is confirmed that the evacuation of the other table has been completed (S24).例文帳に追加

また、ウェハーの加工を終了してテーブルが降下した後の予備テーブル上昇と同時にウェハーを真空吸着する際、他のテーブルの排気動作の完了を確認する（Ｓ２４）。 - 特許庁

To provide a processing method for a wafer by which a wafer whose center part is ground to be thin with a ring-shaped reinforcement part remaining in the outer circumference can be divided into individual devices without damaging the handleability at the time of a dicing process.例文帳に追加

外周にリング状の補強部を残して中央部分が薄く研削されたウェーハをダイシング加工時のハンドリング性を損なうことなく個々のデバイスに分割する。 - 特許庁

To provide a processing method of an optical device wafer capable of smoothly transferring an optical device layer to a transfer substrate without damaging the optical device layer laminated on a surface of an epitaxy substrate which constitutes the optical device wafer.例文帳に追加

光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変える。 - 特許庁