「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A wafer W is carried in a plasma processing apparatus and the surface of a silicon layer 501 of the wafer W is subjected to plasma oxidation processing to form a silicon oxide film 503 having a film thickness T_1 on the silicon layer 501.例文帳に追加

ウエハＷをプラズマ処理装置に搬入し、ウエハＷのシリコン層５０１の表面をプラズマ酸化処理してシリコン層５０１の上に膜厚Ｔ_１で酸化珪素膜５０３を形成する。 - 特許庁

The integrating apparatus includes a plurality of processing modules that process a wafer, a negative pressure transfer device and a positive pressure transfer device which transfer the wafer to the plurality of processing modules, and a control system which controls them.例文帳に追加

インテグレート装置はウエハを処理する複数の処理モジュールと、ウエハを複数の処理モジュールに搬送する負圧移載装置および正圧移載装置と、これらを制御する制御システムとを備えている。 - 特許庁

The processing liquid is supplied from the side upper part of the wafer W held by a spin chuck 1 to a predetermined processing liquid supply position on the upper surface of the wafer W at the same incident angle.例文帳に追加

スピンチャック１に保持されたウエハＷの斜め上方からウエハＷの上面の予め定める処理液供給位置に同じ入射角で処理液を供給できるようにされている。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape of high bonding performance capable of preventing void and warping that occur at the time when laminating the wafer processing tape in a step of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるウエハ加工用テープを貼合する際に発生するボイドや反りを防止することが可能な接着性能の高いウエハ加工用テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

To treat wastewater discharged from a semiconductor wafer processing process at a lower cost than ever by effectively utilizing peculiar discharged matters from the semiconductor wafer processing process in treatment reaction mutually to obtain water dischargeable to rivers.例文帳に追加

半導体ウェーハ加工工程で排出する特異な排出物を相互に有効利用して処理反応に使用し、従来よりも低コストで、河川に放流可能な水質に処理すること。 - 特許庁

With regard to a group of wafers planned to be processed by the devices 3, 4 for manufacturing a semiconductor, a wafer processing ratio for each of the processing paths is determined based on the acquired processing result for each of the processing paths.例文帳に追加

取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、半導体製造装置３、４により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a processing chamber 201 that supplies a plurality of processing gases alternately to process a wafer 200 as a substrate, and an exhaust system 250 to exhaust an atmosphere within the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理装置は、複数の処理ガスを交互に供給して基板としてのウェハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２５０とを備える。 - 特許庁

The wafer is heated from a first processing temperature to a second processing temperature during a heating time interval, and cooled from the second processing temperature to the first processing temperature during a cooling time interval.例文帳に追加

ウェーハは、加熱時間間隔の間、第１の処理温度から第２の処理温度まで加熱され、次に、冷却時間間隔の間、第２の処理温度から第１の処理温度まで冷却される。 - 特許庁

With regard to a wafer which has been processed in either of processing chambers 31, 32 of a device 3 for manufacturing a semiconductor and thereafter processed in any of processing chambers 41, 42, 43 of a device 4 for manufacturing a semiconductor, the processing results by the devices 3, 4 for processing a semiconductor are acquired by being related to the processing paths of the wafer.例文帳に追加

半導体製造装置３の処理室３１、３２のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置４の処理室４１、４２、４３のいずれかにおいて処理がなされたウェーハについて、半導体製造装置３、４による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する。 - 特許庁

A processing chamber 20 is formed by covering an upper side opening part of a container body 2 with a lid member 3 so that a processing gas is supplied from the central upper part of the processing chamber 20 to a wafer W on a placing table 4, and the gas in the processing chamber 20 is discharged from the outside of the wafer W to a processing gas discharging path.例文帳に追加

容器本体２の上部側開口部を蓋体３により覆うことによって処理室２０を形成し、前記処理室２０の中央上部から前記載置台４上のウエハＷに処理ガスを供給する一方、前記ウエハＷよりも外側から処理室２０内を処理ガス排気路により排気する。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a protection sheet for semiconductor wafer processing which has basic performance as a semiconductor wafer processing protection sheet such as a back grind sheet and further has heat resistance which resists heating process, and also can restrain warp of a wafer in cooling after heating process.例文帳に追加

バックグラインドシート等の半導体ウエハ加工用保護シートとしての基本性能を有し、しかも加熱工程に耐えうる耐熱性を有し、加熱工程後の冷却時におけるウエハの反りも抑えられる半導体ウエハ加工用保護シートを提供すること。 - 特許庁

The grinding work of the backside of a wafer 10, formed with an Al wiring layer and the like, is performed using a machine grinding unit and with process processing flaws 18 formed at the backside of the wafer 10 removed by grinding, and the wafer 10 is subjected to ultra-thin processing down to a thickness of 110 μm.例文帳に追加

機械研削装置を用いてＡｌ配線層１２等を形成したウェーハ１０の裏面研削加工を行い、ウェーハ１０の裏面に形成されていたプロセス加工キズ１８を研削除去すると共に厚さ１１０μｍにまで超薄型加工する。 - 特許庁

To provide a wafer level package, a chip size package device, and a method of manufacturing a wafer level package capable of avoiding generation of cracks of a sealing frame at dicing, and suppressing generation of peeling in a wafer even through high-temperature processing after wet processing and liquid cleaning.例文帳に追加

ダイシング時におけるシール枠のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ、チップサイズパッケージデバイス及びウエハレベルパッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor sensor provided with a cover plate, which does not require detailed positioning of the cover wafer upon exposing an electrode pad by processing the cover wafer after mounting the cover wafer in a wafer state, and preventing damage to a wiring pattern and the electrode pad and occurrence of residues of the cover wafer.例文帳に追加

カバー板を備えた半導体センサの製造方法において、ウェハ状態でカバーウェハを搭載した後にカバーウェハを加工して電極パッドを露出させる際にカバーウェハの詳細な位置合わせを必要とせず、かつ、配線パターン及び電極パッドの損傷及びカバーウェハの残渣物の発生を防止する。 - 特許庁

The wafer processing device 100 includes: a rotary table 110 having four wafer holding portions 111-114; a grinding portion 120 for grinding a predetermined surface of a wafer 10; a polishing portion 130 for enhancing the smoothness of the ground surface of the wafer 10; and a blasting part 140 for forming mechanical distortion on the predetermined surface of the wafer 10.例文帳に追加

ウェーハ加工装置１００は、４つのウェーハ保持部１１１〜１１４を備えた回転盤１１０と、ウェーハ１０の所定の面を研削する研削部１２０と、ウェーハ１０の研削面の平滑度を高めるためのポリッシング部１３０と、ウェーハ１０の所定の面に機械的な歪みを形成するブラスト部１４０とを備えている。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor wafer includes steps of fixing the wafer with an adhesive agent containing a gas generating agent, dicing the wafer, and generating gas from the gas generating agent to peel off the wafer from the adhesive agent under a force of the gas generated between the wafer and adhesive agent.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工方法であって、ガス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定することと、ウエハーをダイシングすることと、ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと粘着剤との間に発生したガスによりウエハーを剥離させることを特徴とする半導体ウエハーの加工方法。 - 特許庁

The wafer W is completely cut by forming a ground groove G1 in the wafer W from the surface side of the wafer using a first dicing blade 10 and hereby incompletely cutting the wafer W to completely remove the TEG (first processing), and then by forming a ground groove G2 in a part of the wafer left behind by the incomplete cutting using a second dicing blade 11 (second processing).例文帳に追加

第１のダイシングブレード１０を用いてウェーハＷの表面側から研削溝Ｇ１を形成し、ウェーハＷを不完全切断してТＥＧを完全に取り去り（第１の加工）、次に第２のダイシングブレード１１を用い、不完全切断で切り残された部分に研削溝Ｇ２を形成（第２の加工）することによって、ウェーハＷを完全切断するようにした。 - 特許庁

A MMT (Modified Magnetron Type) device 100 includes: a processing chamber 201 for processing a wafer 200; a susceptor 300 provided in the processing chamber 201 and holding the wafer 200; a heater 310 provided in the susceptor 300 and heating the wafer 200; and a spacer 320 disposed forming a space between the susceptor 300 and heater 310.例文帳に追加

ＭＭＴ装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、ウエハ２００を保持するサセプタ３００と、サセプタ３００内に設けられ、ウエハ２００を加熱するヒータ３１０と、サセプタ３００とヒータ３１０との間に空間が形成されるように配置されたスペーサ３２０とを有する。 - 特許庁

The device is provided with a cassette loading stand 35 that loads a cassette 10 for accommodating a semiconductor wafer supported through a support frame with a protective tape, a processing means 7 that processes the semiconductor wafer transported into a processing region, and a transporting means 5 that transports the semiconductor wafer W between the cassette 10 and the processing region.例文帳に追加

支持フレームに保護テープを介して支持された半導体ウェハを収容するためのカセット１０を載置するカセット載置台３５と，加工領域に搬送された半導体ウェハを加工する加工手段７と，カセット１０と加工領域との間で半導体ウェハＷを搬送する搬送手段５と，を備える。 - 特許庁

The exposure apparatus EX executes exposure processing for projecting a pattern of a reticle onto a wafer by a projection optical system 13 by using a light supplied from a light source 1, thereby exposing the wafer, and a measurement processing for adjusting the positions of the reticle and wafer in the exposure processing, by using the light supplied from the light source 1.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、光源１から供給される光を使ってレチクルのパターンを投影光学系１３によってウエハに投影してウエハを露光する露光処理、および、光源１から供給される光を使って露光処理におけるレチクルとウエハとの位置合わせのための計測処理を実行する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device includes the steps of carrying-in a wafer 200 into a processing chamber 201, forming an HfO_2 film on the wafer 200 by alternately supplying TEMAH and O_3, under heating, into the processing chamber 201, and carrying-out the wafer 200 from the inside of the processing chamber 201.例文帳に追加

半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。 - 特許庁

After completion of control correction of the calculation mechanism 18, an actual wafer processing is activated.例文帳に追加

この算定機構１８の制御補正を実施した後、実際のウェハプロセスにおける処理を稼動させる。 - 特許庁

To provide a wafer soaking processor which has both the throughput property of a batch system and a leaf system in processing function.例文帳に追加

バッチ式のスループット性と枚葉式の処理性能を兼ね備えたウエーハ浸漬処理装置を提供する。 - 特許庁

Semiconductor processing apparatus is disclosed which provides for movement of a scanning arm 60 of the wafer holder 180, in two orthogonal directions (X and Y directions).例文帳に追加

ウエハホルダー１８０の走査アーム６０は直交する二方向（ＸＹ方向）に移動される。 - 特許庁

To provide a vacuum transfer apparatus that transfers a wafer in a short time and is enhanced in efficiency of processing.例文帳に追加

ウエハの搬送時間が短く処理の効率を向上させた真空搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method that prevents the occurrence of chipping in a thinly-ground device region.例文帳に追加

薄く研削されたデバイス領域に欠けを生じさせることのないウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, the plasma is generated in the plasma chamber 41 to apply the plasma processing on a semiconductor wafer W.例文帳に追加

これにより、プラズマ室４１内にプラズマを発生させ、半導体ウエハＷにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

Laser trimming processing S2 is performed in a wafer state in the manufacturing process, and rough trimming of the sensor section is performed.例文帳に追加

製造工程でウエハ状態でレーザトリミング処理Ｓ２を行い、センサ部の概略的なトリミングを行う。 - 特許庁

Next, in a heating processing apparatus, the wafer W is heated and the insulating film for coating is hardened half-way.例文帳に追加

次に、加熱処理装置において、ウェハＷが加熱され、塗布絶縁膜が途中まで硬化される。 - 特許庁

To provide a processing method of a wafer in which a gettering sink effect is sustained while ensuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク効果を維持し、抗折強度を確保することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer polishing device which is lessened in structure size and capable of carrying out continuous processing.例文帳に追加

装置構成を一層小型化でき、しかも、連続処理が可能なウエハの研磨装置を提供する。 - 特許庁

After the wafer within the cassette C in the lower step is finished processing, the cassette C is moved to the upper step.例文帳に追加

下段のカセットＣ内のウエハの処理が終了した後、そのカセットＣを上段に移動させる。 - 特許庁

An exposure condition (a processing condition) EC for the wafer is associated with these object data.例文帳に追加

これらオブジェクトデータに対して、ウェハに対して行う露光条件（処理条件）ＥＣが関連付けられている。 - 特許庁

The substrate processing apparatus, for example, for etching a wafer has a functional module, such as an orienter 4.例文帳に追加

ウエハにエッチング等の処理を行う基板処理装置は、例えばオリエンタ４等の機能モジュールを備えている。 - 特許庁

An overshoot voltage is applied to a lower electrode just before starting plasma processing to a wafer.例文帳に追加

ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for semiconductor wafer processing that reduces the occurrence of chipping caused during dicing.例文帳に追加

ダイシング時に発生するチッピングの発生を低減できる半導体ウェハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To stably deliver a thin paper-like processing target such as a semiconductor wafer or the like by using a robot hand.例文帳に追加

ロボットハンドにより半導体ウエーハなどの薄い紙状の処理対象物を安定して受け渡しする。 - 特許庁

The temperature of the processing liquid flowing on the upper surface of the wafer W is detected by a radiation thermometer 6.例文帳に追加

放射温度計６によって、ウエハＷの上面を流れる処理液の温度が検出される。 - 特許庁

In the chamber processing room 1, a wafer 2 is conveyed by a conveyance arm 2 and mounted on a lower electrode 3.例文帳に追加

チャンバー処理室１にて、搬送アーム４２によりウエハ２を搬送し、下部電極３上に載置する。 - 特許庁

To detect the completion of a reaction in a plasma apparatus which is used for processing of semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの処理に用いられるプラズマ装置の反応の終点を検出するようにすること。 - 特許庁

To measure the film thickness of a resist film coating a wafer by a peripheral exposure apparatus inside a substrate processing system.例文帳に追加

ウェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚を基板処理装置内の周辺露光装置で測定する。 - 特許庁

IG PROCESSING METHOD, IG WAFER PREPARED THEREBY, AND SINGLE-CRYSTAL SILICON INGOT USED THEREFOR例文帳に追加

ＩＧ処理法及びこの処理法で作られたＩＧウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット - 特許庁

The wafer W is held at a holding roller 80 (a to c) of holding hands 35a, 35b in the processing section 30.例文帳に追加

処理部３０ではウエハＷを保持ハンド３５ａ，３５ｂの保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method for suppressing generation of slip dislocations, in the RTP processing of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのＲＴＰ処理において、スリップ転位の発生を抑制する熱処理方法を提供する。 - 特許庁