「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive tape for semiconductor wafer processing having an adhesive layer formed on a base film is characterized in that the base film has a nonhydrogenated resin layer containing a nonhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or nonhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記基材フィルムが、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物またはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物を含有する未水添樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

The apparatus for planarizing the electrode posts 14 of the wafer level package manufactured by screen printing is characterized in that the apparatus equalizes the heights of the electrode posts 14 made of the metal paste and planarizes the tip portions of the electrode posts 14 by using a planarization processing member 15.例文帳に追加

スクリーン印刷にて製造されるウェハレベルパッケージの電極ポスト１４を平坦化する平坦化装置であって、平坦化処理部材１５を用いて、金属ペーストで形成される電極ポスト１４の高さを均一化し且つ前記電極ポスト１４の先端部を平坦化することを特徴とする電極ポスト平坦化装置である。 - 特許庁

An image processing/defect detection part 300 receives image data acquired by scanning on a wafer W from an image input part 72, determines whether a defect exists by comparing the image data with reference image data, and outputs defect inspection result data, showing the result to a control part 401 of a PC terminal.例文帳に追加

画像処理／欠陥検出部３００は、ウエハＷ上の走査により得られた画像データを画像入力部７２から受け取り、該画像データを参照画像データと対比して欠陥が存在するか否かを判定し、それを表す欠陥検査結果データをＰＣ端末の制御部４０１に出力する。 - 特許庁

To provide a liquid chemical recycling method capable of simply adjusting components in a liquid chemical required in a process of treating a silicon wafer surface in an used liquid chemical used in the process and obtaining a process performance equal to that of an unused liquid chemical even with the liquid chemical after recycle processing, and a device used in the method.例文帳に追加

シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。 - 特許庁

A processing apparatus for surface cleaning having a jet nozzle 40 for supplying deionized water pressurized by a jet pump 46 for the cleaning process, is provided with, aside from the nozzle 40, a nozzle 41 for supplying aqueous solution of carbonic acid, which supplies aqueous solution of carbonic acid in a form of mist to a wafer.例文帳に追加

ジェットポンプ４７によって高圧に加圧された純水をウェハＷに供給して洗浄処理するジェットノズル４０を備えた表面洗浄処理装置７において，ウェハＷにミスト状の炭酸水溶液を供給する炭酸水溶液供給ノズル４１をジェットノズル４０と別に設けた。 - 特許庁

This apparatus 100 for processing wafers arranges wafers 7 loaded on a boat 6 an inner reaction tube 2 which is surrounded by an outer reaction tube 1, heats the wafers by a heater located outside the outer reaction tube 1, and measures the temperature of the wafers 7 by a thermocouple 11 arranged inside the reaction tube to optimally process the wafer with reaction gas.例文帳に追加

本発明の基板処理装置１００は、ボート６に装填したウェーハ７を外部反応管１に囲まれた内部反応管２の中に配置し、外部反応管１の外側に配置したヒータで加熱し、処理ガスで最適に処理するために、反応管の中に配置した熱電対１１でウェーハ７の温度を検出する。 - 特許庁

In the rear surface W2 of a wafer W, a portion other than the rear side of a street S formed in the front surface W1 is coated with a resist film R, and a portion which is not covered with the resist film R is etched to divide to individual devices D from a rear surface to a front surface by fluorine system stable gas which is subjected to plasma processing.例文帳に追加

ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１に形成されたストリートＳの裏側以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆し、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分について、プラズマ化したフッ素系安定ガスにより裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスＤに分割する。 - 特許庁

In the prober 11, a travel control stage 111 for placing a wafer WF and a probe card 112, and a circuit substrate 113 for signal relay are arranged to test a probe via a tester body 13 where a test system related to the generation and analysis of a test signal is constructed, and a test head 12 for processing the transmission of a signal.例文帳に追加

プローバー１１は、ウェハＷＦを載置する移動制御ステージ１１１及びプローブカード１１２、信号中継用の回路基材１１３を配備し、試験信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本体１３と、信号伝達を処理するテストヘッド１２を介してプローブ試験が行える。 - 特許庁

The solution processing apparatus comprises a cleaning vessel 102 for soaking a substrate 102 in the pure wafer 201, a bubble introducing section 104 for introducing bubbles 200 into the pure water 201 and a cassette 101 for inclining the substrate 102 for the specified angle θ so that the bubbles 200 move along the cleaning surface 102a of the substrate 102.例文帳に追加

基板１０２を純水２０１中に浸漬させる洗浄槽１０３と、純水２０１中に気泡２００を導入する気泡導入部１０４と、気泡２００が基板１０２の被洗浄面１０２ａに沿って移動するように基板１０２を所定角度θ傾けるカセット１０１とを有する。 - 特許庁

A CPU 31 in an image processing section 3 calculates variation in the brightness of image data, i.e. the device pattern of a semiconductor wafer picked up at an image pickup section 2, finds the distribution width D and the central value M of brightness, and corrects them to have specified distribution width D2 and central value M2, thus correcting variation in the brightness of the image data.例文帳に追加

画像処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの明るさのばらつきを計算し、明るさの分布幅Ｄと中央値Ｍを求め、所定の分布幅Ｄ２と中央値Ｍ２となるように補正し、画像データの明るさのばらつきを補正する。 - 特許庁

To prevent damages or cracks of a quartz substrate during processing or handling, to prevent warpage of a quartz substrate due to adhesion of the substrate and to decrease a separation width of an optical low-pass filter in an optical low-pass filter and its manufacturing method in which many pieces of optical low-pass filters are produced from a single wafer.例文帳に追加

１つのウエハから多数個の光学ローパスフィルタを製造する光学ローパスフィルタおよびその製造方法において、加工時や取り扱い時における水晶基板の破損や割れを無くすとともに水晶基板の接着による水晶基板の反りも無くし、かつ、光学ローパスフィルタの分離幅を小さくする。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system applying RF to both an upper electrode 14 and a lower electrode 18, a metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within the range of a specified area is placed between the upper electrode 14 and a wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

上部電極１４と下部電極１８との両方にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極１４と下部電極１８に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

The method for obtaining the stencil mask 100 comprises steps of forming an indium oxide thin film 11 on the supporting substrate 1 comprising a silicon wafer to manufacture the substrate 10 for the stencil mask, forming an opening 31 in the supporting substrate 1 by pattern-processing the supporting substrate 1 and the indium oxide thin film 11, and forming a charged beam transmitting hole 12 in the indium oxide thin film 11.例文帳に追加

シリコンウェハーからなる支持基板１上に酸化インジウム薄膜１１を形成してステンシルマスク用基板１０を作製し、支持基板１及び酸化インジウム薄膜１１をパターニング処理して支持基板１に開口部３１、酸化インジウム薄膜１１に荷電ビーム透過孔１２を形成してステンシルマスク１００を得る。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

To provide, by an easy and inexpensive method, an etching protective material having all of excellent durability against an etchant (alkali and acid), heat resistance in processing, excellent adhesiveness to a wafer subjected to an etching treatment, and removability after the etching treatment; and to provide a method of manufacturing a device substrate using the same.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

For an ECR plasma etching device D1, a mechanism is provided where a movable diaphragm 110 is lifted for a wafer processing vessel 100a to be shielded from a process gas exhaust port 106, and a switching valve 108 allows a gas inlet port 103 to communicate with a high-pressure gas inlet piping 105, while being shielded from a process gas inlet piping 104.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置Ｄ１の場合、可動式隔壁１１０を上昇させウェハ処理槽１００ａをプロセスガス排気口１０６から遮断し、切り替えバルブ１０８によりガス導入口１０３を高圧ガス導入配管１０５と導通させプロセスガス導入配管１０４から遮断する機構を備えている。 - 特許庁

To provide electronic equipment which enables packaging, reducing man-hours, such as a mount process, superior in reliability and easy at a low cost by utilizing the characteristic of wafer batch processing, dispensing with a mother board and the packaging using till now, and performing cutting after pseudo-wafers are collectively mounted in batch on a wiring board having the similar functions as this.例文帳に追加

ウエーハ一括処理の特徴を生かし、これまで用いていたマザーボードやパッケージングを不要として、これと同様の機能をなす配線基板に疑似ウエーハを一括マウントした後に切断することにより、パッケージングを可能とし、マウント工程などの工数を減らし、信頼性良く、容易かつ低コストに電子機器を得ること。 - 特許庁

By this setup, a wafer W subjected to an exposure processing can be transferred from the exposure system S4 to the heating section 31 in a state of restraining resolution reaction from proceeding in resist, so that resist can be kept almost at the same level of resolution reaction, and a developed line can be improved in uniformity of width, by preventing unevenness from occurring in its width.例文帳に追加

このようにすると露光後のウエハＷをレジストの解像反応の進行を抑えた状態で露光装置Ｓ４→加熱部３１に搬送でき、現像処理を行うときのレジストの解像反応の進行の程度が揃えられるので、現像線幅のムラの発生が抑えられ、均一性の向上を図ることができる。 - 特許庁

In order to remove metal impurities having adhered during cutting in forming this silicon part of a semiconductor processing apparatus, a treatment and a heat treatment are executed to at least a cut surface of a silicon plate with a solution, and the silicon part reduces metal contamination of a wafer when the silicon part is processed in a plasma atmosphere.例文帳に追加

半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing for improving a pickup success ratio of a semiconductor chip in a pickup process by facilitating removal between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer, and for preventing the break of the thin semiconductor chip when enlarging a pin push-up force or a push-up height.例文帳に追加

粘着剤層と接着剤層との間の剥離を容易にすることで、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率を向上させるとともに、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることによる薄い半導体チップの破損を防止することが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

The adhesive tape for processing a semiconductor wafer is such that an intermediate resin layer and an adhesive layer are laminated on a base film, in this order, the intermediate resin layer is formed by curing an intermediate resin layer composition containing an adhesive component and a curing component, and the curing component contains an isocyanurate-type isocyanate curing agent.例文帳に追加

基材フィルム上に中間樹脂層および粘着剤層がこの順に積層されており、前記中間樹脂層が、粘着成分と硬化成分とを含む中間樹脂層組成物が硬化して形成されており、前記硬化成分が、イソシアヌレート型イソシアネート硬化剤を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。 - 特許庁

The electro-chemical deposition system comprises a mainframe 214 having a mainframe wafer transfer robot, a loading station 210 disposed connecting with the mainframe 214, a rapid thermal anneal chamber 211 disposed adjacent to the station 210, one or more processing cells 240 disposed relating to the mainframe 214, and an electrolyte supply fluidly coupled to the cells 240.例文帳に追加

電気化学堆積システムは、メインフレームウェハ移送ロボットを有するメインフレームと、メインフレームと接続して配置されたローディングステーションと、ローディングステーションに隣接して配置された急速熱アニールチャンバと、メインフレームと関連付けて配置された１つ又はそれ以上の処理セルと、１つ又はそれ以上の処理セルと流体接続した電解質供給源とを備える。 - 特許庁

An adhesive layer is formed on a substrate and then a layer coated with adhesive, an intermediate layer, and an expand ring contact layer are formed sequentially thereon to produce a semiconductor wafer processing tape wherein the layer coated with adhesive is composed of resin composition containing 10-25 mass% of styrene-butadiene copolymer added with hydrogen.例文帳に追加

基材上に粘着剤層が形成され、該粘着剤被塗布層と、中間層と、エキスパンドリング接触層とがこの順に積層された半導体ウエハ加工用テープであって、前記粘着剤被塗布層が水素添加したスチレン−ブタジエン共重合体を１０〜２５質量％以上含む樹脂組成物からなることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。 - 特許庁

To provide a non-solvent type under-filling material, having a sufficiently close adhesion with a polyimide film together with a silicon wafer, and a mold-processing property (having a low viscosity and possibility of invasion in a relatively short time), and applicable for a flexible base substrate consisting of a thin copper layer and a polyimide film layer, and an electronic part applied with the above under-filling material.例文帳に追加

シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、成形加工性（低粘度、比較的短時間での侵入可能性）を有し、薄い銅層とポリイミドフィルム層とからなるフレキシブル基板に適用可能である無溶剤型のアンダ−フィル材料及びこのアンダ−フィル材を適用した電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive having excellent adhesive force between a semiconductor chip and a lead frame, a package board or the like, and capturing ionic impurities in an adhesive layer, to provide a tape for processing a wafer, the tape produced by using the sheet type adhesive, and to provide a semiconductor device manufactured by using the sheet type adhesive.例文帳に追加

半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁

While a semiconductor wafer W in which a carbon thin film 12 is formed on a surface of a silicon substrate 11 implanted with impurities is preheated, its surface is supplied with an oxygen gas more at a peripheral edge portion than at a center portion to perform processing such that a film thickness of the carbon thin film 12 decreases from the center portion to the peripheral edge portion.例文帳に追加

不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素の薄膜１２を形成してなる半導体ウェハーＷを予備加熱しつつ、その表面に中心部よりも周縁部に多量の酸素ガスを供給することによって、炭素の薄膜１２の膜厚が中心部から周縁部に向けて薄くなるような加工を行う。 - 特許庁

This tape for processing a semiconductor wafer includes an adhesive film composed of a base material film and a pressure sensitive adhesive layer formed on the base material film, and an adhesive layer formed on the pressure sensitive adhesive layer, wherein weight reduction in the pressure sensitive adhesive layer at the reflow temperature measured by differential thermal analysis is ≤1.5%.例文帳に追加

また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、示差熱分析により測定した、リフロー温度における前記粘着剤層の重量減少が１．５％以下である。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The adhesive sheet for processing a semiconductor wafer includes an adhesive layer on at least one side of a substrate, where a polyester based plasticizer and a surfactant are added to a base polymer of the adhesive layer and the solubility parameters (SP values) of the plasticizer and the surfactant satisfy the relation of 0.9≤[SP value of the plasticizer]/[SP value of the surfactant]≤1.0.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に粘着剤層を備えており、前記粘着剤層がベースポリマーにポリエステル系の可塑剤及び界面活性剤が添加され、前記可塑剤及び界面活性剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）が０．９≦［可塑剤のＳＰ値］／［界面活性剤のＳＰ値］≦１．０の関係を満たすことを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シート。 - 特許庁

In the method for processing the silicon block prior to forming the silicon wafer by slicing the polycrystal or single crystal silicon block 1, the silicon block is formed in a square pillar shape having rectangular end faces.例文帳に追加

多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。 - 特許庁

This micro movable element X1 is provided by processing the wafer, and is furnished with: a structural part 62A molded on a first layer; and a structural part 61 molded on a second layer having a portion to face the structural part 62A through a cavity and free to relatively displace against the structural part 62A.例文帳に追加

本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、例えば前記のウエハに加工を施すことによって得られたものであって、第１層において成形された構造部６２Ａと、構造部６２Ａに空隙を介して対向する部位を有して構造部６２Ａに対して相対変位可能な、第２層において成形された構造部６１とを備える。 - 特許庁

Wastewater containing hardly decomposable organic matter among various wastewaters from the semiconductor wafer processing process is controlled in pH in the presence of a ferrous salt by a strong acidic waste liquid discharged from a separate system and further treated with hydrogen peroxide-containing wastewater discharged from a separate system to perform synthetic treatment such as the oxidative decomposition of hardly discomposable organic matter by hydrogen peroxide or the like.例文帳に追加

半導体ウェーハ加工工程排水のうち、難分解性有機物系排水を第一鉄塩の存在下で、別の系から排出する強酸性排液にてＰＨを調節して、更に別の系から排出する過酸化水素含有排水の過酸化水素で前記難分解性有機物を酸化分解するなどの総合的な処理を行う。 - 特許庁

A processed groove 210 and a shallow groove 211 are formed continuously by alternately setting, with respect to a street 4 of a wafer 1, a processed region G where the processed groove 210 is formed and a processing starting region H where a shallower groove 211 than the processed groove 210 is formed, and by scanning an irradiation point P of a laser beam along the street 4.例文帳に追加

ウエーハ１のストリート４に対して加工溝２１０が形成される加工領域Ｇと加工溝２１０より浅い浅溝２１１が形成される加工起点領域Ｈとを交互に設定し、ストリート４に沿ってレーザビームの照射点Ｐを走査させて加工溝２１０と浅溝２１１とを連続的に形成するようにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing device controlling method that avoids acquiring wrong recipe IDs (data related to manufacturing/processing conditions) for a manufacturing device or setting up wrong recipe IDs for a manufacturing device so as to improve the manufacturing device in manufacturing yield, which is suitable for controlling the manufacturing device (e.g., a semiconductor manufacturing apparatus used in a wafer process).例文帳に追加

レシピＩＤ（製造処理条件に関するデータ）を必要とする製造装置（例えば、ウエハ工程で使用する半導体製造装置）を管理する場合に使用して好適な製造装置管理方法に関し、レシピＩＤの取得ミスや製造装置へのレシピＩＤの設定ミスという事態を避け、歩留まりの向上を図ることができるようにする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with a focus ring optimized for the purpose of the process and configured with a dielectric body, a conductor or a semiconductor to which a high frequency is applied by clarifying physical conditions that a sheath-plasma boundary 74 on a wafer 72 and a sheath-plasma boundary on the focus ring 80 are flat so as to establish the design method of its concrete structure.例文帳に追加

ウエハ７２上のシース・プラズマ界面７４とフォーカスリング８０上のシース・プラズマ界面が平坦であるための物理的条件を明らかにし、その具体的構造の設計手法を確立することによって、プロセスの目的に最適化された、高周波を印加した誘電体あるいは導体や半導体で構成されたフォーカスリングを装備する。 - 特許庁

With this sort of parallel processing, throughput can be secured that is equal to or more than that of an exposure system, or the like of a twin wafer stage, and the measurement section and the exposure system body are separated easily in terms of vibration, thus reliably reducing vibration factors to the exposure system body caused by the operation of the measurement section.例文帳に追加

このような並行処理により、ツインウエハステージタイプの露光装置などと同等以上のスループットを確保することができるとともに、測定部と露光装置本体部とを振動に関して分離することが容易なので、測定部の動作に起因する露光装置本体部に対する振動要因を確実に低減させることができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a wafer processing apparatus comprises: a step of depositing a film electrode onto the surface of a base substrate; and a step of overcoating the structure with a protective coating film layer comprising at least one of a nitride, a carbide, a carbonitride, and an oxynitride of elements selected from a group consisting of B, Al, Si, Ga, refractory hard metals, transition metals, and combinations thereof.例文帳に追加

ウェーハ加工装置の製造に当たり、ベース基板の表面上にフィルム電極を堆積し、この構造を次にＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる保護コーティングフィルム層で被覆する。 - 特許庁

A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.例文帳に追加

水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁

To provide, in a working process of a substrate in MEMS manufacturing, a coating composition used for forming an organic film for protecting the substrate, a composition applied by evenly plugging silicon wafer steps especially having a high step shape, and also to provide a coating composition available for a protective film in etching processing of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＥＭＳの製造における基板の加工工程において、基板保護用の有機膜を形成するのに用いる塗布組成物、特に高段差形状を有するシリコンウエハの段差を平坦に埋め込み塗布することができる組成物、またシリコン酸化膜のエッチング加工時の保護膜としても使用できる塗布組成物を提供しようとするものである。 - 特許庁

In a method of forming a marker MX for double-gate SOI processing on an SOI wafer, at least one marker has a diffracting structure in a first direction, and the diffracting structure is positioned so as to generate an asymmetrical diffraction pattern during use in an alignment and overlay detection system for detection in the first direction.例文帳に追加

ＳＯＩウエハ上でのダブルゲートＳＯＩ処理のためのマーカーＭＸの作成方法においては、少なくとも１つのマーカーは第１方向への回折構造を有し、回折構造は、第１方向における検出のために、配列及びオーバレイ検出システムで用いている間に、非対称的回折パターンを生成するよう配置される。 - 特許庁

The quartz process tube built in into a vertical heating furnace for processing a semiconductor wafer comprises the body of a process tube, constituted of a cylindrical quartz glass tube provided with a top plate in the upper end part, and a quartz reinforcing member provided on the upper surface of the top plate via a plurality of quartz columns and has a central part bent upward.例文帳に追加

半導体ウェーハを処理するための縦型加熱炉に内蔵される石英プロセスチューブであって、上端部に天板を設けた円筒形石英ガラス管で構成されるプロセスチューブ本体と、該天板の上面に複数本の石英支柱を介して設けられかつ中央部を上方に湾曲させた石英補強部材とを有するようにした。 - 特許庁

The substrate processing device comprises a substrate retaining mechanism 20 for retaining the processed substrate 10 such as a semiconductor wafer, a grinding head 30 capable of moving in a horizontal direction, a grinding tape 40 which is mounted on the grinding head 30 and is prepared for the grinding of the peripheral edge of the processed substrate, and a pure water supply nozzle 50 for supplying pure water onto the processed substrate 10.例文帳に追加

基板処理装置は、半導体ウェハ等の被処理基板１０を保持する基板保持機構２０と、水平方向に移動可能な研磨ヘッド３０と、研磨ヘッド３０に装着され、被処理基板の周縁部の研磨に供される研磨テープ４０と、被処理基板１０上に純水を供給するための純水供給ノズル５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a positive type resist processing liquid composition which prevents a contamination source such as polish waste from attaching to a positive type resist surface, by imparting hydrophilicity to the positive type resist surface in a manufacturing process, including applying resist as a surface protective film of a semiconductor wafer or the like and polishing the peripheral part of the substrate (such as, a beveled part, an edge part and a notch part).例文帳に追加

半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for measuring permeability of magnetic substance capable of measuring permeability of magnetic substance with any size and shape, directly evaluating permeability without applying cutting or processing to a wafer and the like on a production process line, and significantly improving productivity on-sites of a production line or material development.例文帳に追加

任意のサイズ、形状の磁性体の透磁率を計測でき、生産プロセスライン上のウエハ等において、切断や加工を施すことなく、透磁率を直接評価可能であり、生産ラインや材料開発の現場において、大きく生産性を向上させうる磁性体の透磁率計測装置および磁性体の透磁率計測方法を提供する。 - 特許庁

A very small amount of a first gas containing fluorine atoms in molecules and having a function to remove a dopant and a second gas restraining the first gas from corroding the surface of a wafer as an object of processing are added to an oxygen gas for obtaining a reactive gas to use, and the above reactive gas is excited into high-density plasma to remove an ashing retardant resist film by ashing.例文帳に追加

酸素ガスに、分子中にフッ素を含有し、前記ドーパントを除去する作用を有する第１のガス微量加えるとともに、前記第１のガスの非処理体であるウェハ表面に対する腐食を抑制する第２のガスを加えたものを反応ガスとして用い、高密度プラズマを励起して難灰化性レジスト膜を灰化・除去する。 - 特許庁