「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a highly reliable semiconductor chip by preventing deterioration of mounting accuracy caused by sticking of dust or the like, during mounting in processing of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの加工工程において、マウンティング時にゴミなどの付着によりマウント精度が悪化することがなくなり、信頼性の高い半導体チップを提供することができる。 - 特許庁

The adhesive tape for processing the semiconductor wafer is characterized by comprising the film substrate and an adhesive layer disposed one side of the film substrate.例文帳に追加

また、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープは、上記に記載のフィルム基材と、該フィルム基材の一方の面側に設けられた粘着層とで構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, resist coating processing can be performed while maintaining high He gas concentration by supplying He gas discharged from the gas supply nozzle efficiently to the surface layer of the wafer.例文帳に追加

これにより、ガス供給ノズルから吐出されたＨｅガスをウエハの表面層に効率的に供給し、Ｈｅガス濃度を高く維持してレジスト塗布処理を行うことができる。 - 特許庁

Based on the wafer property information acquired at S14, processing conditions for achieving the thickness and the number of layers in a reforming region determined at S16 are selected from a database (S18).例文帳に追加

Ｓ１４で取得されたウェーハ性質情報に基づいて、Ｓ１６で決定された改質領域の厚さ・層数を実現するための加工条件がデータベースから選択される（Ｓ１８）。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer comprising the steps of chamfering, surface grinding, etching, and mirror surface polishing is characterized in that the etching step is performed as above.例文帳に追加

および面取り、平面研削、エッチング、鏡面研磨する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程を上記のように行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

Polishing sound generated through contact of the polishing pad 3 and the wafer 5 is detected by means of the acoustic measuring instrument 8, amplified through an amplifier 11 and delivered to a signal processing section 12.例文帳に追加

音響測定器８による研磨パッド３とウェハ５の接触による研磨音は、音響測定器８で検出され、アンプ１１で増幅の後、信号処理部１２へ送られる。 - 特許庁

A CCD detector 30 captures an image of a circular arc shape of the outer periphery of a semiconductor wafer W which is in a standby state at a standby position W1 adjacent to an inlet of a processing unit 1.例文帳に追加

ＣＣＤ検出器３０により、処理ユニット１の入口近傍の待機位置Ｗ１で待機している半導体ウエハＷの外周の円弧形状を撮像する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor devices wherein, even with the inferior flatness of a wafer on its outer peripheral side, its flatness is improved by its sucking method up to the extent of making its exposure processing possible to be able to support it horizontally when sucking it.例文帳に追加

外周側の平坦度の悪いウエハでも、露光処理可能な程度に吸着方法でその平坦度を改善し、吸着に際して水平支持ができるようにする。 - 特許庁

The second detection unit 50 detects collectively whether or not a wafer W in the state after processing has been housed in each housing part 82 of the housing container 80.例文帳に追加

第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 - 特許庁

In this manufacturing method, after washing a piezoelectric single crystal wafer for the surface acoustic wave substrate with weak acid liquid whose pH is in the range of 4.0-6.5, it is cleaned with pure water whose pH is in the range of 6.0-8.0 (pre-processing process).例文帳に追加

弾性表面波基板用圧電単結晶ウェーハをｐＨが 4.0〜 6.5の範囲の微弱酸液で洗浄した後、ｐＨが 6.0〜 8.0の範囲の純水で洗浄する（前処理工程）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package, which can increase the number of packages per unit wafer, improve the yield and reliability and reduce the number of necessary processing steps, and also to provide a structure of the package.例文帳に追加

単位ウエハ当たりの取り分が増大し、歩留りおよび信頼性が向上し、加工工程を削減した半導体パッケージの製造方法および構造を提供する。 - 特許庁

An acoustic radiation sample with respect to chemical and mechanical polishing processing is gathered and analyzed with the usage of Fourier transform in order to detect the vibration of the wafer showing the scratch, namely, the damage.例文帳に追加

化学的機械的研磨処理に対する音響放出サンプルを採取し且つフーリエ変換を使用して分析してスクラッチ即ち傷を表わすウエハの振動を検知する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrooptical device which suppresses an amount of a charge charged on a substrate in a wet process of a wafer-type substrate processing device.例文帳に追加

枚葉式の基板処理装置におけるウェット処理において、基板に帯電する電荷量を抑制することが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A processing station 1201 adaptable to standard cluster tools 1100 has a vertically-translatable pedestal 1215 having a wafer-support surface 1307 including a heater plate 1303.例文帳に追加

標準的なクラスタツール１１００に適用可能な処理ステーション１２０１が、ヒータプレート１３０３を含むウェーハ支持表面１３０７をもつ垂直移動可能なペデスタル１２１５を備える。 - 特許庁

A processing means 2 is provided for parallel discriminating the presence/absence of chipping in each region at a peripheral part 13p of the wafer on the basis of the image signal outputted by each of image detecting units Uij.例文帳に追加

各画像検出ユニットＵ_ijが出力した画像信号に基づいて、ウエハ周辺部１３ｐの各区域毎に欠けの有無の判定を並列に実行する処理手段２を備える。 - 特許庁

A processing part 405 outputs the presence or absence of polishing residual films in the whole region of the surface to be polished of the wafer Wm as a monitoring result based on color image information obtained from the CCD 401.例文帳に追加

処理部４０５は、ＣＣＤ４０１から得られるカラー画像情報に基づいて、ウエハＷｍの被研磨面の全域における研磨残り膜の有無を、モニタ結果として出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus in which an abrasive cloth to be used at the time of CMP(chemical mechanical polishing) processing a wafer is surface-processed, and a wetness for a slurry and water on the surface is enhanced.例文帳に追加

ウェーハをＣＭＰ処理する時に使われる研磨布を表面処理し、その表面のスラリーや水に対する濡れ性を向上させる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multiple exposure method achieving a large throughput of wafer processing, and a microlithographic projection aligner which improves the productivity, at least with unchanging quality and low cost.例文帳に追加

高いウェーハ処理量を可能にする多重露光方法と、生産性の向上を少なくとも変わらぬ品質および低費用化を可能にするマイクロリソグラフィー投影露光装置を提供する。 - 特許庁

Measured values of a plurality of sample shots on the wafer are obtained by reflecting the obtained correction parameter, and they are informed to a central processing unit 4 with the correction parameter (data transfer 18).例文帳に追加

そして、得られた補正パラメータを反映させて、ウエハ上の複数のサンプルショットの各々の計測値を取得し、補正パラメータとともに中央処理装置４に通知する（データ転送１８）。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit manufacturing line 1, a wafer for each lot is polished at a unit of two pieces in sequence by first and second processing systems 21 and 22 of a CMP apparatus 20.例文帳に追加

半導体集積回路製造ライン１においては、ロットごとの各ウエハは、ＣＭＰ装置２０の第１の処理系２１及び第２の処理系２２において、２枚ずつ順に研磨される。 - 特許庁

The tape 10 for wafer processing has: a pressure-sensitive adhesive film 12 constituted of a base material film 12a and the pressure-sensitive adhesive layer 12b; and the adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive film 12.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂからなる粘着フィルム１２と、粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。 - 特許庁

To protect a semiconductor wafer against damages, while automating the processing thereof by correcting an offset load existing between two cradles automatically, thereby suppressing vibration during rotation.例文帳に追加

２つのクレイドル間に存在する偏荷重を自動的に補正して回転時の振動を抑制することにより、半導体ウェハの処理を自動化しつつ半導体ウェハの損傷を防止する。 - 特許庁

In the process of manufacturing a semiconductor device, treatment for changing the form of a film to be processed is applied in advance, to planarize it, prior to processing of the film to be processed made on a wafer.例文帳に追加

半導体装置の製造過程において、ウェハ上に形成された被加工膜を加工する前に、予め被加工膜の形状を変化させる処理を施して平坦化しておく。 - 特許庁

To perform dicing operation without reducing operation efficiency or processing accuracy when scribe lines defining chips in a wafer plane have different widths depending extension directions.例文帳に追加

ウエハ面内でチップを区画するスクライブラインが延在方向によって異なる幅を有する場合において、作業効率および加工精度を低下させることなくダイシング作業を行う。 - 特許庁

To provide methods of processing and displaying data of a semiconductor test device with which a region with good wafer evaluation and a region with poor evaluation can be known, and to provide the semiconductor test device.例文帳に追加

ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a test time by parallel processing of a plurality of chips when defect check of a bit line or a sense amplifier is performed in a wafer test of a NAND type flash-memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのウェハテストに際してビット線またはセンスアンプの不良チェックを行う場合に、テスト時間を短縮し、複数チップの並列処理によりテスト時間を大幅に縮める。 - 特許庁

The wafer processing tape 10 has a pressure-sensitive adhesive film 12 comprising a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b, and an adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂからなる粘着フィルム１２と、粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。 - 特許庁

1. Step and repeat method or step and scan method align and expose equipment for wafer processing using photo-optical or x-ray methods, that falls under any of the following 例文帳に追加

（一）　ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a marking method of a semiconductor wafer which can perform high-speed processing in a prober apparatus integrally equipped with a marking means, and to provide a prober apparatus.例文帳に追加

本発明は、マーキング手段が一体的に備えられたプローバ装置において、高速処理が可能な半導体ウェハのマーキング方法及びプローバ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A grinding means (82) and a polishing means (92) for working on a back side of the semiconductor wafer (12) can be selectively mounted on a rotary shaft (76) of the processing machine.例文帳に追加

加工機の回転軸（７６）に、半導体ウエーハ（１２）の裏面に作用せしめる研削手段（８２）と研磨手段（９２）とを選択的に装着することができるように構成する。 - 特許庁

The doping opening 5A of the mask member 5 exposes the partial area of the processing face of the wafer W to the plasma forming space P, and ions in the plasma are implanted only on the area.例文帳に追加

マスク部材５のドーピング用開口５Ａは、ウェーハＷの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Ｐに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。 - 特許庁

As a section for optically stimulating gas, a processing gas supply chamber 11 formed by a UV-ray transmitting window 5 is provided outside a reaction chamber 2 for containing a wafer W.例文帳に追加

処理ガスを光励起する光励起部として、紫外線透過窓５により画成される処理ガス供給室１１を、ウェハＷが収容される反応チャンバ２の外部に設ける。 - 特許庁

Since the wafer temperature variation in the lot can be lowered with simplified manipulations, the plasma processing ensuring very high reproducibility can be attained, even in processings which are particularly influenced by temperature.例文帳に追加

ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer, its processing method and a method of manufacturing a semiconductor device wherein the yield of a chip formed on the outermost region of chip regions can be enhanced.例文帳に追加

チップ領域の最外領域で形成される、チップの歩留まりを高くすることができる、半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for measuring the potential difference of plasma and current of plasma, generated on a wafer, which are important quantities in a semiconductor-surface processing apparatus using plasma, without modifying apparatus.例文帳に追加

プラズマを用いた半導体の表面処理装置で重要な量であるウエハ上に発生するプラズマ電位差及びプラズマ電流を装置の改造なしで測定する手段を提供する。 - 特許庁

Also, since the inspection region can be aligned by data processing after reading the entire image, the wafer needs not be aligned accurately and hence no device is required for the accurate alignment.例文帳に追加

また，全体画像を取り込んだ上で，データ処理によって検査領域の位置合わせを行うことができるため，ウェーハを厳密に位置合わせする必要がなく，そのための装置も不要である。 - 特許庁

At the time of lamination processing, the board S for reinfocing is held by the chuck 11, the wafer W is held by the chuck 12, and a solid-state liquid crystal wax is placed on the board S for reinfocing.例文帳に追加

貼り合せ処理の際には，下部チャック１１に補強用基板Ｓが保持され，上部チャック１２にウェハＷが保持され，その補強用基板Ｓ上に固体の液晶ワックスが置かれる。 - 特許庁

To provide a processing machine which can remove a low dielectric constant insulator laminated on the surface of a semiconductor wafer along a street without deteriorating a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面に積層されている低誘電率絶縁体を、半導体回路を劣化せしめることなく、ストリートに沿って除去することができる加工機を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus and method, in which a plurality of processes are performed using only one apparatus, process efficiency can be enhanced and the overall apparatus becomes compact.例文帳に追加

１つの装置でもって複数の処理を行うことができ、処理効率を高めることができ、処理装置全体がコンパクトなものとなるウェーハ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Further, dicing processing is carried out along scribe lines of the semiconductor wafer after a first rewiring layer 9, a second photosensitive polyimide resin layer 10, and a second rewiring layer 13 are formed.例文帳に追加

続いて、第１の再配線層９、第２の感光性ポリイミド樹脂層１０、第２の再配線層１３を形成した後に、半導体ウェーハのスクライブラインに沿ってダイシング処理を行なう。 - 特許庁

The magnetic filter devices are placed between the magnet or magnets and a target (typically a semiconductor wafer), and selected and configured to alter the magnetic field to obtain the desired processing results.例文帳に追加

磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。 - 特許庁

This substrate processing apparatus includes a spin chuck 30 which rotates while holding a wafer W nearly horizontally and a splash guard 3 which is arranged surrounding the spin chuck 30 in plane view.例文帳に追加

この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック３０と、平面視においてスピンチャック３０を取り囲むように配されたスプラッシュガード３とを含んでいる。 - 特許庁

The magnet arrangement is used in the plasma processing system having a top electrode 1 placed above a surface of the wafer 23 and an outer insulating member 3 for supporting the electrode 1.例文帳に追加

マグネット配列は、ウェハー２３の表面の上方に配置される上部電極１と上部電極１を支持するための外側絶縁部材３とを有するプラズマ処理装置に用いられる。 - 特許庁

This substrate processing apparatus comprises a heat treatment part for lighting a xenon flash lamp to perform flash heating, and an alignment part for turning the direction of a semiconductor wafer to a fixed direction before heating.例文帳に追加

基板処理装置は、キセノンフラッシュランプを点灯してフラッシュ加熱を行う加熱処理部と、加熱前に半導体ウェハーの向きを一定方向に向けるアライメント部とを備える。 - 特許庁

To provide an equipment to support a semiconductor wafer or a thin material plate for the purpose of performing installation and removal in the horizontal direction and processing or instrumentation in the vertical direction.例文帳に追加

搭載や取り外しが水平方向で行い、垂直方向において処理又は計測を行う為に半導体ウェーハ又は薄い材料のプレートを支持する装置を提供する。 - 特許庁