「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

A polymerized wafer is placed at a position in a processing space between a first holding part and a second holding part, which is not in contact with the first holding part and the second holding part, by a lifting mechanism and an inactive gas is supplied into the processing space from a gas supply pipe (Process A1).例文帳に追加

第１の保持部と前記第２の保持部との間の処理空間内であって、当該第１の保持部と第２の保持部に接触しない位置に、昇降機構によって重合ウェハを配置し、ガス供給管から処理空間内に不活性ガスを供給する（工程Ａ１）。 - 特許庁

To provide a processing apparatus capable of modifying an existing processing apparatus having a single loading port to one having dual loading ports by providing an additional loading port, without having to increase the foot print thereof, and also capable of realizing complete automation of a wafer transfer by utilizing an existing automatic transfer line.例文帳に追加

既設のシングルローダタイプの処理装置のフットプリントを増やすことなく、ロードポートを増設してデュアルローダタイプの処理装置に変更することができ、しかも既設の自動搬送ラインを利用してウエハ搬送の完全自動化を実現することができる処理装置を提供する。 - 特許庁

A surface treating implement 1 is equipped with a processing liquid collection section 13, which has an annular groove 10 formed on an opposed surface 1a opposed to the surface 50a of a semiconductor wafer to be treated and has a through-hole 11, formed so as to communicate with the groove 10 and collecting processing liquid.例文帳に追加

本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 - 特許庁

In a single-wafer processing apparatus 1, provided with a placing table 3 for placing the work W in a processing chamber 2, a plurality of grooves 30 are formed on the upper surface of the placing table 3, and a plurality of vents 31 piercing the placing table 3 so as to communicate with the grooves 30 are provided.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する載置台３を備えた枚葉式処理装置１において、前記載置台３の上面に複数の溝３０を形成すると共に、その溝３０と連通して載置台３を貫通する複数の通気孔３１を設けている。 - 特許庁

It is provided with processing trays 12 which are plurally stacked while they are individually holding at least one semiconductor wafer W, and joining mechanisms 18 and 19 which integrally join the processing trays while they are being stacked plurally and which divide them at an optional position.例文帳に追加

少なくとも１枚の半導体ウエハＷを個別に保持した状態で複数枚積層された処理トレイ１２と、この処理トレイ１２を複数枚積層した状態でこれらを一体的に結合すると共に任意の位置で分割する結合機構（１８，１９）とを備えた。 - 特許庁

This etching method for etching an org. film layer, formed on a wafer in a hermetic processing chamber with a process gas fed into the process chamber, uses a processing gas contg.例文帳に追加

気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置されたウェハＷに形成された有機膜層に対するエッチング方法において，処理ガスはＮ_２とＨ_２とを含み，真空処理室内の圧力は実質的に５００ｍＴｏｒｒ〜８００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする。 - 特許庁

Since the foreign matters adhered or sucked to the exhaust port and the exhaust pipes are prevented from flowing back to the processing chamber by supplying the nitrogen gas while evacuating and exhausting the processing chamber in the standby step, harmful effects such as re-adhesion of the foreign matters which flow back to the wafer can be prevented.例文帳に追加

待機ステップにおいて処理室を減圧排気しつつ窒素ガスを供給することで、排気口や排気管に付着ないし吸着した異物が処理室に逆流するのを防止できるため、逆流した異物のウエハへの再付着等の弊害を未然に防止できる。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

To produce a jig for the processing of a semiconductor wafer and made of a quartz glass having high etching resistance, causing little generation of dust such as particles and effective for stabilizing the surface treatment of the jig as a post-treatment process by completely removing stains such as oil attached to a quartz glass jig for the processing of a semiconductor.例文帳に追加

石英ガラス製の半導体処理用治具に付着した油分などの汚染物を完全に除去し、後工程である治具の表面処理の安定化を図り、パーティクルなどの発塵が少なく、耐エッチング性の高い石英ガラス製半導体処理用治具を製造する。 - 特許庁

In a cluster device including a negative pressure transfer chamber which a wafer is carried into and out of, a processing unit and an auxiliary chamber adjacent to the negative pressure transfer chamber, and a gate valve 40 installed between the negative pressure transfer chamber and the processing unit as well as the auxiliary chamber, the gate valve 40 is provided with a status detector 60.例文帳に追加

ウエハが搬入搬出される負圧移載室と、負圧移載室に隣接する処理ユニットおよび予備室と、負圧移載室と処理ユニットおよび予備室との間に設置されたゲート弁４０とを具備するクラスタ装置において、ゲート弁４０に状態検出装置６０を設ける。 - 特許庁

Using an exclusive mask wherein test patterns having a same shape and a same size are plurally and repeatedly arranged in the mask blanks corresponding to the chip region, a resist pattern is formed by the processing procedure after the exposure processing of the photoresist on a product wafer changing a focal position for every shot.例文帳に追加

同一形状で且つ同一寸法のテストパターンがチップ領域に対応するマスクブランクス内で複数繰り返し配置された専用マスクを用いて、ショット毎にフォーカス位置を変えながら製品ウエーハ上のフォトレジストを露光処理し、現像処理してレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To materialize cross-section processing causing no rotational slippage in a lateral direction or a longitudinal direction so that patterns regularly arranged in an element are neatly exposed all together, when processing the cross section of a semiconductor wafer by using a focused ion beam.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、集束イオンビームを用いて半導体ウエハの断面を加工する際に、素子内に規則的に配列されたパターンが綺麗に揃って露出するように横方向にも縦方向にも回転ズレのない断面加工を実現させることにある。 - 特許庁

The first detection part 40 detects whether the wafer W, in the state before the processing, is stored in the respective storage parts 82 of a storage container 80, and detects the storage state of the respective wafers W, in the state before the processing stored in the respective storage parts 82.例文帳に追加

第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。 - 特許庁

To suppress that, in a vertical tube processing device, a reaction gas ejected from a gas supply port provided to an uppermost part of a gas supply nozzle flows into a space above an upper surface of a wafer boat, which causes the change in the flow rate and the flow quantity of the reaction gas in a processing chamber.例文帳に追加

縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。 - 特許庁

Under a state where a chamber cover 3 is mounted on a gas supply mechanism 2 mounted on a mounting base 1 provided with a surface 1a for mounting a wafer W, processing gas is supplied to a processing space 10 formed between the mounting surface 1a and the facing surface 3a of the chamber cover 3.例文帳に追加

ウエハＷを載置させる載置面１ａを備えた載置台１に設けられたガス供給機構２にチャンバ蓋部３を載置させた状態で、載置面１ａとチャンバ蓋部３の対向面３ａとの間に形成される処理空間１０に処理ガスを供給する。 - 特許庁

To obtain a single wafer cleaning apparatus and cleaning method in which the cost of chemical and the quantity of waste liquid are reduced while improving environmental issues by realizing in-plane uniformity of substrate processing process and shortening of processing time using a minimum necessary quantity of chemical.例文帳に追加

本発明は、基板加工プロセスの面内均一化および処理時間短縮化を必要最小限の薬液使用量で実現して薬液コスト・廃液量の低減化および環境問題の改善を図る枚葉式洗浄装置および枚葉式洗浄方法を得る。 - 特許庁

To provide a process and a device for manufacturing an integrated circuit element on a substrate (for example, a silicon wafer), which enable an FSG layer to be flattened by a CMP processing process, and besides keep the stability of this FSG layer in the subsequent processing.例文帳に追加

本発明は、ＦＳＧ層がＣＭＰ処理工程によって平滑化されることを可能にし、且つ後続の処理工程の時になお、これらＦＳＧ層の安定性を維持する、基板（例えばシリコンウェハ）上に集積回路素子を製造するためのプロセスと装置とを提供する。 - 特許庁

In accordance with completion of processing in a step 20a corresponding to a previous step between steps 20a and 20b of different contamination classes, the ID of a conveyer container 50 for conveying a semiconductor wafer 40a as an object to be processed after the end of processing to the next step is changed.例文帳に追加

汚染クラスの異なる工程２０ａ、２０ｂ間で、直前工程に該当する工程２０ａでの処理が終了したことに対応して、次工程に処理終了後の被処理物としての半導体ウエハ４０ａを搬送する搬送容器５０のＩＤを変更する。 - 特許庁

To suitably irradiate a wafer with a laser beam along streets by preventing the influence of slight expansion of the wafer in a direction orthogonal to the streets irradiated with the laser beam in a processing method of forming modified layers by irradiating the wafer, provided continuously with a plurality of first streets and also provided discontinuously with a plurality of second streets formed in a direction orthogonal to the first streets, with the laser beam.例文帳に追加

複数の第１のストリートが連続して設けられ、第１のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートが非連続に設けられたウエーハにレーザー光線を照射して変質層を形成する加工方法において、レーザー光線が照射されたストリートと直交する方向にウエーハが僅かに膨張する影響を防止し、ストリートに沿って適正にレーザー光線を照射することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。 - 特許庁

The wafer processing apparatus includes three or more non-contact suction heads each for floating and chucking the wafer by utilizing the reduced pressure of a Verneuil effect caused by an air jet, and a controller for controlling to rotate the wafer by selectively sequentially turning the air of at least one of the heads in an off state in a clockwise or counterclockwise direction or selectively sequentially increasing or decreasing a flow rate of the air.例文帳に追加

この発明は、エアー噴流によるベルヌーイ効果の減圧を利用してウエハを浮上させてチャックする３個以上の非接触吸引ヘッドと、これら非接触吸引ヘッドの少なくとも１つのエアーを時計方向あるいは反時計方向に選択的に順次ＯＦＦ状態にしてあるいは選択的に順次そのエアーの流量を増加または減少させてウエハを回転させる制御を行う制御装置とを備えるものである。 - 特許庁

An apparatus status monitoring section 102 is connected in series or in parallel within the semiconductor manufacturing apparatus 105 to monitor the input and output status of wafers in a plurality of processing sections forming a wafer carrying path.例文帳に追加

装置状態監視部１０２は、半導体製造装置１０５内で直列または並列に接続され、ウエーハの搬送経路を構成する複数の処理部において、ウエーハの搬入搬出状態を監視する。 - 特許庁

The tools 1 and 2 include sufficient 'information' (for example, computer mechanisms incorporated in the communication control 210 and/or 214 for making communication by processing the information on a wafer treated by means of the tools 1 and 2).例文帳に追加

ツールは、十分な「情報」（例えば、ツールが、ツールにより処理されるウェハに関する情報を処理し通信する為の通信制御２１０および／または２１４内部の組み込みコンピュータ機構を持つ）を包含する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape that makes it easy to peel between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer without thrusting a pin up in a step of picking up a semiconductor element with an adhesive layer in the form of an individual piece.例文帳に追加

個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、ピンの突き上げによることなく、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をし易くしたウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

After a shot is moved to a position where a focus correction processing is enabled when the shot is at a wafer outer circumference, and a portion overlapped with an adjacent exposure area is shielded from light by a reticle blind to expose only an opening area unshielded by the reticle blind.例文帳に追加

ウェハ外周部のショットの場合は焦点補正処理が可能な位置までショットを移動してから、隣り合う露光領域と重なる部分をレチクルブラインドで遮光し、レチクルブラインド開口領域のみを露光する。 - 特許庁

Then, in condition that the processing container 10c is shut off with a shutter 10h, the water at the surface of the semiconductor substrate wafer 100 is washed off by the steam of chemicals for drying in high concentration, for example, IPA steam 25.例文帳に追加

その後、処理槽１０ｃをシャッター１０ｈで遮断した状態で高濃度の乾燥用薬液の蒸気、例えばＩＰＡ蒸気２５により半導体基板ウェハ１００の表面の水を洗い落とす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a carrier for double-side polishing device capable of accurately processing a resin insert to have a desired inner circumferential shape by suppressing its distortion, and capable of suppressing peripheral sagging and nanotopological failures of a polished wafer.例文帳に追加

樹脂インサートの歪みを抑制して所望の内周面形状に精度良く加工でき、研磨ウェーハの外周ダレ及びナノトポロジー不良を抑制できる両面研磨装置用キャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet-like adhesive, materials of which are easily stored and which permits high production efficiency and hardly suffers from deterioration with time in adhesive force and is easily stored, and a tape for wafer processing prepared using the sheet-like adhesive.例文帳に追加

材料の保管が容易で生産効率が高く、接着力の経時劣化が少なく保管が容易なシート状接着剤、及び、このシート状接着剤を使用して作製したウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To obtain a work procedure for efficiently recovering a piezoelectric element plate of a wafer state from a polishing device, after polishing the thickness or processing a surface mirror surface, by using the polishing device.例文帳に追加

本発明は、研磨装置を用いて厚み研磨あるいは、表面鏡面加工を行った後に研磨装置からウエハー状態の圧電素板を効率良く回収するための作業手順を実現することを目的とする。 - 特許庁

The wafer processing tape 10 includes a pressure-sensitive adhesive film 12 comprising a base film 12a and the pressure-sensitive adhesive layer 12b formed thereupon, and the adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。 - 特許庁

The sensing system 100 remotely controlled for processing a semiconductor substrate and loaded into a slot of a substrate holder is used to measure the alignment of the substrate holder such as a wafer boat in a batch reactor such as a furnace.例文帳に追加

半導体基板を処理するために、リモートコントロールされ、基板ホルダのスロット内に挿入されたセンサシステム１００が、リアクター等のバッチリアクター内において、ウェハボート等の基板ホルダのアライメントを測定するために用いられる。 - 特許庁

This processing stage 31 is rotated around a rotating axis z, and the points changing from time to time where the external circumference 90a of the wafer crosses for the first axis x crossing in orthogonal the rotating axis z, are calculated.例文帳に追加

この処理ステージ３１を回転軸ｚのまわりに回転させるとともに、この回転軸ｚと直交する第１軸ｘに対しウェハ外周部９０ａが横断する時々刻々の地点を算定する。 - 特許庁

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process.例文帳に追加

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective method of obtaining a surface of high quality by removing a layer deteriorated by processing from the surface of a silicon carbide single crystal wafer which has been rough-lapped for chemical stability, and then finish polishing.例文帳に追加

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive film capable of reducing occurrence of a reflow crack on a package even when it is picked up in a state that a pressure sensitive adhesive is adhered to an adhesive layer; and to provide a tape for processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

粘着剤が接着剤層に付着した状態でピックアップされた場合であっても、パッケージにリフロークラックが生じるのを低減することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a wafer carrying device capable of being adapted to high-speed separation processing, and securely separating and conveying wafers to following processes even if the wafers are partially put one over the other underwater to come into contact with each other.例文帳に追加

高速分離処理に対応でき、かつ、水中でウエハ同士が部分的に重なって密着してしまった場合であっても、確実に分離させて後工程へ搬送することのできるウエハ搬送装置を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film on a wafer W is subjected to modifying treatment by supplying a plasma gas as a processing gas to the film from an active gas injector 220 having a plurality of plasma generators 80 arranged on the circumferential direction of a turn-table 2.例文帳に追加

回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator and a piezoelectric oscillator capable of enabling collective processing in a wafer state, thereby improving manufacturing efficiency, while maintaining freedom in a routing pattern design.例文帳に追加

引回しパターンの設計の自由度を確保しつつ、ウェハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる圧電振動子及び発振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of processing even a plurality of wafers scarcely giving rise to air bubble mixing and wafer damage in an underfill scheme using a sheet-like thermosetting resin composition.例文帳に追加

シート状熱硬化性樹脂組成物を用いたアンダーフィル方式において、複数のウエハであっても、気泡の混入およびウエハ損傷をほとんど生じずに処理できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.例文帳に追加

枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁

The flow of gases can be regulated by a controller and a series of gas control valves to form and introduce the preselected gaseous mixture into the processing chamber as plasma to be exposed to the semiconductor wafer surface.例文帳に追加

ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。 - 特許庁

A holding section 7 for holding a semiconductor wafer W in a horizontal state in executing heating processing by flash light irradiation from a flash lamp FL is configured by mounting a susceptor 72 on a metallic hot plate 71 having a built-in heater.例文帳に追加

フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して加熱処理を行うときに半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７はヒータを内蔵するホットプレート７１の上にサセプタ７２を載置して構成される。 - 特許庁

To provide a means where a MEMS device and IC chip are easily integrated in wafer processing without forming a through electrode or side electrode, while securely sealing the MEMS device and IC chips integrally.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを一体にしかも機密封止も確保した上で、貫通電極とか側面電極を形成することなくウエハ処理工程の中で、容易に一体化形成する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus reducing a working labor involved in reducing the number of components and suppressing increase of a cost, by providing a vacuum chuck suction mechanism compatible with dicing frames of a plurality of sizes.例文帳に追加

複数のサイズのダイシングフレームに対応可能な真空チャック式の吸引機構を設けて、部品点数の低減に伴う作業手間の軽減ならびにコスト上昇が抑えられるウェーハ加工装置を提供する。 - 特許庁

The processing tape for the semiconductor wafer having bump electrodes projecting from its main surface includes a release layer, an adhesive material layer, a bonding material layer, and a base film that are stacked in increasing order on one surface of a carrier film.例文帳に追加

突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープ。 - 特許庁