「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

When a decision is made that the concentration of chemical contaminants measured by the contaminant concentration sensor 17 exceeds the specified level, the controller 21 supplies clean air stored in the clean air storage tank 19 to the wafer processing chamber 11.例文帳に追加

また、制御装置２１は、汚染物質濃度センサ１７が測定した化学汚染物質の濃度が所定値を超えていると判定すると、清浄空気貯留タンク１９に貯留されている清浄な空気をウェハ処理室１１に供給する。 - 特許庁

A plurality of wafer storages 3, 3 and so on, each corresponding to wafers 1, 1 and so on are made by partitioning the interior, by plural sheets of baffle plates 4, 4 and so on inside a processing tank 2 which accommodates plural sheets of the wafers 1, 1 and so on lined up in the thickness direction without using a carrier.例文帳に追加

複数枚のウエーハ１，１・・をキャリヤを使用せずに厚み方向に整列させて収容する処理槽２内を、複数枚の邪魔板４，４・・により仕切って、ウエーハ１，１・・に各対応した複数のウエーハ収容室３，３・・を形成する。 - 特許庁

In the atmospheric pressure plasma etching apparatus, blowing-off holes 52a of the processing gas are made in a small diameter or in thin width to the extent that the non-objective part of the wafer is not directly blown out.例文帳に追加

常圧プラズマエッチング装置の処理ガス吹出し孔５２ａは、孔軸Ｌがウェハー９０と交差するとともに吹出し流がウェハーの外縁より内側の処理対象外の部分に直接吹き付けられない程度に小径ないしは幅細になっている。 - 特許庁

To facilitate processing without limiting a number of LED elements produced from a wafer and a binder of a phosphor layer while improving the accuracy of the phosphor layer form with machine work in a manufacturing method of an LED device including the phosphor layer only around the LED element.例文帳に追加

ＬＥＤ素子の周囲だけに蛍光体層を備えるＬＥＤ装置の製造方法において、機械加工で蛍光体層の形状を精度良くしながら、ウェハーからの取り個数や蛍光体層のバインダを制限せず加工を容易にする。 - 特許庁

To obtain a manufacturing sequence for a semiconductor wafer and a novel processing step that suppress disadvantages of fine grinding used so far and disadvantages of conventional rough grinding steps (PPG, DDG) and lapping, and are suitable to silicon wafers of 450 mm diameter simultaneously.例文帳に追加

今まで使用されていた微細研削の欠点及び慣用の粗大研削工程（ＰＰＧ、ＤＤＧ）及びラッピングの欠点を抑え、かつ同時に４５０ｍｍに適している、半導体ウェハの製造シーケンスと新規の加工工程を獲得する。 - 特許庁

The adhesive film for processing a semiconductor wafer in which a bump electrode is formed to protrude from a main surface contains a separation layer and an adhesive layer on a base material tape in this order.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same.例文帳に追加

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film-shaped semiconductor chip adhesive agent which can be easily divided into a chip size by an expand process after being adhered to an adherend such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip, or a semiconductor processing adhesive sheet including an adhesive agent layer.例文帳に追加

半導体ウエハや半導体チップなどの被着体に貼着された後、エキスパンド工程により、容易にチップサイズに分割できる半導体チップ用フィルム状接着剤あるいは接着剤層を有する半導体加工用接着シートを提供する。 - 特許庁

The electrodes E (E1-E6) for capacitor connection are electrically connected to an inner layer electrode of an uppermost wiring layer at a wafer processing process completion stage of the IC chip 12 through rewiring RL formed in a WPP process.例文帳に追加

このコンデンサ接続用の電極Ｅ（Ｅ１〜Ｅ６）は、ＷＰＰ工程により形成された再配線ＲＬを通じて、ＩＣチップ１２のウエハプロセス工程終了段階での最上の配線層の内層電極に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a silicon wafer processing method which is capable of cutting out silicon blocks or silicon stacks in vertical and horizontal directions efficiently without leaving a residual stress, chippings or the like on the surfaces of the silicon blocks or the silicon stacks.例文帳に追加

残留応力やチッピング等がシリコンブロックまたはシリコンスタック表面に残ることもなく、またシリコンブロックまたはシリコンスタックを縦横に効率よく切断することができるようにしたシリコンウエハの加工方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape which will not oversoften, in heat treatment which uses a thermosetting-type surface protective film, can be used in an expansion step for splitting an adhesive layer, and has uniform and isotropic expansion property.例文帳に追加

熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合の加熱処理において過剰軟化せず、しかも、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープを提供すること。 - 特許庁

For example, a wafer W having a part containing Si in its surface is put in the processing container 20 comprising a chamber 21 and a bell jar 22, and a natural oxide film formed on the surface of the part containing Si is removed by plasma etching.例文帳に追加

例えば、その表面部分にＳｉを含む部分を有するウエハＷを、チャンバ２１とベルジャ２２とからなる処理容器２０内に収容し、当該Ｓｉを含む部分の表面に形成された自然酸化膜をプラズマエッチングして除去する。 - 特許庁

To suppress a chipping surrounding an element when a laser processing rate is increased in the case where a laser process is adapted for, for example, cutting of a semiconductor wafer having an insulating film at a low inductivity, and to enhance the quality of a semiconductor element or a production yield.例文帳に追加

例えば低誘電率絶縁膜を有する半導体ウェーハの切断にレーザ加工を適用するにあたり、レーザ加工速度を高めた際の素子周囲のチッピングを抑制し、半導体素子の品質や製造歩留りの向上を図る。 - 特許庁

The group of rollers RG is comprised of pairs of rollers 117-117, 118-118 arranged at approximately symmetric positions with a line segment LS connecting the rotation center A0 of the wafer W and the turning axis A1 of a processing base 111 as a center.例文帳に追加

ローラ群ＲＧは基板Ｗの回転中心Ａ０と処理ベース１１１の回動軸Ａ１とを結ぶ線分ＬＳを中心として略対称位置に配置されたローラ対１１７−１１７，１１８−１１８から構成されている。 - 特許庁

The self-adhesive for a wafer-processing self-adhesive sheet comprises as a main component a base polymer having a weight-average molecular weight of at least 100,000 and a molecular weight distribution (weight- average molecular weight/number-average molecular weight) of 1-2.例文帳に追加

重量平均分子量が１０万以上であり、かつ分子量の分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１〜２のベースポリマーを主成分として含有してなることを特徴とするウエハ加工用粘着シート用粘着剤。 - 特許庁

When a test pattern is applied to a memory 101 after relieving processing from a test pattern generating section 105, a data input value is converted utilizing defective address information of a fail information storing section 108 in which fail information of a memory at a wafer test.例文帳に追加

テストパターン生成部１０５からテストパターンを救済処理後のメモリ１０１に印加する際に、ウエハテスト時のメモリのフェイル情報を格納したフェイル情報格納部１０８の不良アドレス情報を利用し、データ入力値を変換する。 - 特許庁

Then, an ultraviolet ray setting resin layer is arranged on a surface on the opposite side of the electrode formation surface of the cleaned piezoelectric single crystal wafer, an exposure and development processing is executed to the ultraviolet ray setting resin layer and a hole pattern corresponding to a desired recess is formed.例文帳に追加

次いで、洗浄後の圧電単結晶ウェーハの電極形成面と反対側の面に、紫外線硬化型樹脂層を配置し、この紫外線硬化型樹脂層に露光、現像処理を施して、所望の凹部に応じた穴パターンを形成する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for cutting processing that is available for both processes of a wafer or glass dicing step and a package dicing step, is suitable for dicing using a laser beam, and has a strong adhesive force.例文帳に追加

ウェハあるいはガラスのダイシング工程およびパッケージダイシング工程の両プロセスに使用可能である切削加工用粘着テープであって、レーザー光を用いたダイシングに好適であり、さらに、粘着力が強い切削加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

There is provided an adhesive tape for processing a semiconductor wafer, in which an adhesive agent layer is stacked on a base material which is formed of two or more layers including a polyester layer and a polyolefin layer, and the outermost layer of the base material is a polyolefin layer.例文帳に追加

基材上に粘着剤層が積層されており、前記基材が、ポリエステル層および、ポリオレフィン層を含む２層以上からなり、前記基材の最外層がポリオレフィン層であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

The base film of a film for processing a semiconductor wafer includes the base film and an adhesive layer formed on the base film, and the softening point of the base film is equal to or less than 60°C.例文帳に追加

本発明の半導体ウエハ加工用フィルムの基材フィルムは、前記基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有する半導体ウエハ加工用フィルムの基材フィルムであって、前記基材フィルムの軟化点が６０℃以下である。 - 特許庁

To provide a processing device capable of reducing its installation space even though an oxide film forming means is added, efficiently forming an oxide film in a short period of time, and preventing a damage of a semiconductor wafer involved in its conveyance.例文帳に追加

酸化膜形成手段を増設しても加工装置の設置スペースを低減できるとともに，短時間で効率的に酸化膜を形成でき，さらに，搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止することが可能な加工装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a wafer processing system for forming silicon germanium film excellent in film thickness and germanium ratio in-plane and plane-to-plane uniformity by a low-pressure CVD method by using mono-silane and mono-germanium.例文帳に追加

モノシランとモノゲルマンとを使用して、減圧ＣＶＤ法によって、膜厚およびゲルマニウム比率の面内・面間均一性が良好なシリコンゲルマニウム膜を基板上に形成する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

In such a rounding processing, the tip of the nozzle 4 on the front side of the semiconductor wafer 1 is reciprocated to/from the rear side to cause the abrasive liquid, to make it wraparound the rear side, from the front side or to the front side from the rear side.例文帳に追加

このような丸め処理は、例えば、半導体ウエーハ１の表面側にあるノズル４の先端を裏面側との間で往復させて、砥液を表面側から裏面側へ、或いは裏面側から表面側へ回り込ませることにより行う。 - 特許庁

To provide a coating processing device capable of recovering a coating liquid excessively supplied, for example, at the time of forming a coating film using the coating liquid such as a resist liquid on the surface of a glass substrate for liquid crystal display or a substrate such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板の表面にレジスト液等の塗布液を用いて塗布膜を形成する際、余剰に供給された塗布液の回収を可能とする塗布処理装置を提供する。 - 特許庁

In the planarization processing apparatus 10, a polishing stage 22 is mounted on a body 12 provided with a rough grinding stage 18 and a finishing grinding stage 20 so that a wafer 28 can be roughly ground, finely ground and polished in one planarization apparatus 10.例文帳に追加

本発明の平面加工装置１０によれば、粗研削ステージ１８、仕上げ研削ステージ２０が設置された本体１２に、研磨ステージ２２が設置され、ウェーハ２８の粗研削、精研削、及び研磨を同一の平面加工装置１０内で実施する。 - 特許庁

This electrostatic attraction member 60 is detachably mounted to the pick 31b of a transport module for transporting a wafer W between a load lock module for transferring the substrate W between the inside of the atmosphere and the inside of vacuum, and a processing module for processing the substrate W in the vacuum, and electrostatically attracted to the substrate W transported by the pick 31b.例文帳に追加

静電吸着部材６０は、基板Ｗを大気中と真空中との間で受け渡すロードロックモジュールと、基板Ｗを真空中で処理する処理モジュールとの間で、基板Ｗを搬送する搬送モジュールのピック３１ｂに着脱可能に取り付けられ、ピック３１ｂが搬送する基板Ｗに静電吸着する。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

A fluctuation detecting means 4 detects fluctuation of processing liquid flowing through a passage 31 for supplying the coating liquid to a nozzle 3 which supplies the processing liquid, e.g. the coating liquid, to the surface of a substrate, e.g. a wafer W, held on a substrate holding section, i.e. a spin chuck 2.例文帳に追加

基板保持部であるスピンチャック２に保持した基板例えばウエハＷの表面に処理液例えば塗布成膜用の塗布液を供給するための塗布液ノズル３に、この塗布液を供給する処理液供給路３１内を通流する処理液に揺らぎが有るか否かを揺らぎ検出手段４により検出する構成とする。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

The simulation system 1 is provided with: a control device 3 for controlling a processing device equipped with semiconductor manufacturing equipment; a simulation device 2 which simulates a conveying operation executed by a conveying robot for conveying a semiconductor wafer to the processing device according to an operation instruction; and a serial communication cable 4 for communicating the control device 3 with the simulation device 2.例文帳に追加

シミュレーションシステム１は、半導体製造設備に備わる処理装置を制御する制御装置３と、処理装置に半導体ウェハを搬送する搬送ロボットが動作指令に応じて実行する搬送動作をシミュレーションするシミュレーション装置２と、制御装置３と前記シミュレーション装置２とを通信させるシリアル通信ケーブル４とを備える。 - 特許庁

The device processing method for improving the bending strength of devices formed by dividing a semiconductor wafer includes irradiating the outer circumference of a device with a pulsed-laser beam having a pulsewidth of ≤2 ns and a peak energy density of 5-200 GW/cm^2 and having absorbability to the device to apply chamfering processing.例文帳に追加

半導体ウエーハを分割することで形成されたデバイスの抗折強度を向上させるデバイスの加工方法であって、デバイスの外周にパルス幅が２ｎｓ以下であり、ピークエネルギー密度が５ＧＷ／ｃｍ^２〜２００ＧＷ／ｃｍ^２のデバイスに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して面取り加工を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing a fragile member capable of stably holding the fragile member when conveying the fragile member such as a semiconductor wafer and applying a processing such as rear surface grinding to the fragile member, and desirably used for a method of treating the fragile member by which, after a predetermined treatment is completed, the fragile member can be peeled off without being damaged.例文帳に追加

半導体ウエハ等の脆質部材の搬送や裏面研削等の加工を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく剥離することができる脆質部材の処理方法に好ましく用いられる脆質部材加工用粘着シートを提供する。 - 特許庁

To determine actual position of a semiconductor wafer in a circular pocket of a rotation susceptor and if a error occurs, to detect and resolve the error and its cause, in a method of identifying improper position of the semiconductor wafer located in the pocket of the susceptor while heat treatment is performed in a processing chamber which is heated by a source of near infrared ray and which is penetrable to near infrared ray emission.例文帳に追加

近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。 - 特許庁

Stress relief processing is lightened by changing a plurality of contact conditions or/and performing grinding in parallel such that grinding marks occurring in correspondence with contact conditions of the rotating grinder and a rotating semiconductor wafer are compounded in different directions or/and in two types or more of pattern when the rear surface of the semiconductor wafer is ground with the rotating grinder and then back ground.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削しバックグラインディング加工するのに、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することにより、上記の目的を達することができる。 - 特許庁

To provide a device that generates plasma on a whole inner wall of a processing pipe to improve uniformity and density of plasma and treats a substrate such as silicon wafer, glass substrate, etc. without any problems associated with the generation of plasma on the whole inner wall.例文帳に追加

処理管の内壁全面でプラズマを発生させる様にし、プラズマの均一性、プラズマ密度の向上を図ると共に、内壁全面でプラズマを発生させる様にした場合の不具合を解消し、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板を処理する装置を提供する。 - 特許庁

To provide a managing method for codes for management which can automatically and correctly process and install the codes for management like an ID number, etc., of a laser mark on a wafer and automate the verification and management of the codes for management by automatic comparison after the processing with high efficiency.例文帳に追加

レーザーマークによるＩＤナンバー等のごとき管理用コードを、該当ウェーハに正しく自動的に加工設置でき、加工後の自動照合によるこれら管理用コードの検証とその管理を高効率で自動化できる管理用コードの管理方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and a system suitable for sequentially performing a variety of optical processing of micro dimensions under the condition where a plurality of wafers are contained in a carrier without repeating the positioning operation of the wafer after it is positioned once.例文帳に追加

一回の位置決めがなされたのちは繰り返しウェハの位置決め操作を行うことなく、複数枚のウェハをキャリア内に収納した状態で順次微小寸法の光学的な各種処理を行うに適した処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

Signal processing is carried out based on the presumed noise information and an image pick-up signal obtained by imaging a reticle mark formed on the reticle R and a wafer reference mark formed on the reference board WFB, and consequently the position information of these marks is obtained.例文帳に追加

そして、推定したノイズ情報と、レチクルＲ上に形成されたレチクルマーク及び基準板ＷＦＢ上に形成されたウエハ基準マークを撮像して得られる撮像信号とに基づいて信号処理を行い、これらマークの位置情報を求める。 - 特許庁

Then etching processing is performed to form the cavity parts 12, 14 (refer to Fig.3 (a)), and an insulating layer 20 forming the bottom of the cavity part 14 is pierced by a piercing member such as a needle to form the hole part 70 in a dead space of the silicon wafer 100 (refer to Fig.3 (b)).例文帳に追加

そして、エッチング処理を行い空洞部１２，１４を形成し（図３（ａ）参照）、空洞部１４の底部をなす絶縁層２０を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ１００のデッドスペースに孔部７０を形成する（図３（ｂ）参照）。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape having a uniform expansion property suitable for a process of splitting an adhesive layer by expansion, presenting a sufficient contraction property in a thermal contraction process, and causing no failure due to slack after the thermal contraction process.例文帳に追加

エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、且つ、加熱収縮工程において十分な収縮性を示し、加熱収縮工程の後に弛みによる不具合を引き起こすことないウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To prepare a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, which is made by laminating a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer on a base film and maintains a good adhesive power between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer even after being subjected to radiation curing treatment.例文帳に追加

基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートであって、放射線硬化処理後においても基材フィルムと粘着層の間の良好な接着力を有するものを提供すること。 - 特許庁

In this manufacture, a polishing cloth 11 for use in CMP processing a semiconductor wafer is surface-processed with a chemical solution, a surface-active agent, or the like having oxidation action such as a hydrogen peroxide solution, a potassium permanganate, a nitric acid, a nitrous acid, ozone water, ion water, or the like, and the surface is made hydrophile.例文帳に追加

半導体ウェーハをＣＭＰ処理に用いられる研磨布１１に過酸化水素水、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜硝酸、オゾン水、イオン水などの酸化作用を有する薬液や界面活性剤等で表面処理を行い、その表面を親水化する。 - 特許庁

To provide a resist ashing method and a device, where a resist film that is loaded with a dopant and modified into an ashing retardant film is very efficiently removed by ashing without leaving any residues of the resist film, and corrosion or the like having an adverse effect on the surface of a wafer as an object of processing can be reduced to an irreducible minimum.例文帳に追加

ドーパントの混入により変質し難灰化性となったレジスト膜を残渣を残すことなく高効率に灰化除去することが可能であり、その際に被処理物であるウェハ表面への悪影響となる腐食等を最低限に抑制する。 - 特許庁

The tacky sheet for semiconductor wafer processing comprises a substrate prepared by laminating a film showing stress relaxation on a rigid film via a releasable adhesive layer, and an tacky layer established on the film showing stress relaxation of the substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シートは、剛性フィルムと、応力緩和性フィルムとが、剥離可能な接着剤層を介して積層されてなる基材と、該基材の応力緩和性フィルム上に設けられた粘着剤層とからなることを特徴としている。 - 特許庁