「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

For depositing a gate oxide film 8, such as tantalum oxide film, etc., on the surface of a work W such as semiconductor wafer, etc., a raw material of tantalum pentachloride solid at room temperature is dissolved in a solvent, e.g. diethyl sulfur in a coordinate bond condition, and it is vaporized and fed into a processing chamber.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理体Ｗの表面に、タンタル酸化膜などのゲート酸化膜８を堆積するに際して、原料として常温で固体の五塩化タンタルを溶媒、例えばジエチル硫黄に配位結合状態で溶解させて、これを気化して処理室へ供給する。 - 特許庁

In a step 424, a target dosage is changed, centering on the optimum dosage, in a plurality of steps at a finer step pitch and the pattern is transferred to the plurality of regions on the wafer through the projection optical system by exposure processing similar to that in the step 406.例文帳に追加

そして、ステップ４２４で、目標ドーズ量を、上記最適ドーズ量を中心としてより細かいステップピッチで複数段階で変化させて、ステップ４０６と同様の露光処理により前記パターンが投影光学系を介してウエハ上の複数の領域に転写される。 - 特許庁

This plating device is provided with a plating processing part 12 for executing plating onto a semiconductor wafer of a treating object, using the plating liquid, a main component control part 2 for analyzing the plating liquid to regulate a composition of the plating liquid based on a result therein, and a micro component control part 3.例文帳に追加

このめっき装置は、めっき液を用いて処理対象の半導体ウエハにめっきを施すめっき処理部１２と、めっき液を分析してその結果に基づいてめっき液の組成を調整する主成分管理部２および微量成分管理部３とを備えている。 - 特許庁

At the upper stage of the processing cup 25, a third opening 57 is formed as a first chemical solution capturing opening for capturing the first chemical solution, facing the edge face of a wafer W, in between the upper end part 38b of the second guide part 38 of a second component member 22 and the upper end part 23b of a third component member 23.例文帳に追加

処理カップ２５の上段には、第２構成部材２２の第２案内部３８の上端部３８ｂと第３構成部材２３の上端部２３ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向し、第１薬液を捕獲する第１薬液捕獲口としての第３開口５７が形成される。 - 特許庁

When a decision is made that the concentration of chemical contaminants measured by a contaminant concentration sensor 17 is not higher than a specified level, a controller 21 supplies clean air taken in from a clean room 10 to both a wafer processing chamber 11 and a clean air storage tank 19.例文帳に追加

制御装置２１は、汚染物質濃度センサ１７が測定した化学汚染物質の濃度が所定値以下であると判定すると、クリーンルーム１０から取り込んだ清浄な空気をウェハ処理室１１及び清浄空気貯留タンク１９の両方に供給する。 - 特許庁

The carrier 1 for wet processing includes a fixed part 4 fixed to an arm of a carrying device, and a suspension support part (chuck) 23 provided to the fixed part 4 so as to be hung from the fixed part 4, and supporting by suspension a wafer mounting instrument (boat) 6 where a plurality of wafers 10 are mounted.例文帳に追加

ウェット処理用キャリア１は、搬送装置のアームに固定される固定部４と、固定部４から垂下するように該固定部４に設けられ、複数のウェハ１０が搭載されるウェハ搭載器具（ボート）６を吊り下げ支持する吊り下げ支持部（チャック）２３とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing chip electronic components such as semiconductor chips at a high yield ratio, at a low cost and with a high degree of reliability while taking full advantage of processing of a wafer as a unit even when most advanced LSIs or bare chips are acquired, and to provide a method for manufacturing dummy wafers used in the process.例文帳に追加

ウェーハ一括処理の特徴を生かしつつ、最先端のＬＳＩやベアチップで入手した場合でも、高歩留り、低コストにして信頼性良く半導体チップ等のチップ状電子部品を製造する方法、及びその際に用いる疑似ウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The controller 90 keeps the carrier C judged as solution processible based on an inspection result of the wafer W in the carrier stock section 6, and controls the carrier transfer device 12 so as to start solution processing after completion of inspection of a predetermined number of carriers C.例文帳に追加

キャリア搬送装置制御部９０は、ウエハＷの検査結果に基づいて液処理が可能と判断されたキャリアＣをキャリアストック部６に保管し、所定数のキャリアＣについて検査が終了した後に液処理を開始するようにキャリア搬送装置１２を制御する。 - 特許庁

In a step 417, an optimum dosage for exposure for a measurement pattern for optical characteristic measurement of the projection optical system is temporarily determined on the basis of the detection result of a formation state of an image of the measurement pattern formed in a plurality of regions on a wafer through exposure processing in a step 406.例文帳に追加

ステップ４１７において、ステップ４０６の露光処理によってウエハ上の複数の領域に形成された計測用パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性計測のための前記パターンの露光の最適ドーズ量が仮に決定される。 - 特許庁

A nozzle holding member 45 is attached on the outer surface of a splash guard 4 so as to be extended to the upper part of the splash guard 4 and two processing liquid supply nozzles 5 and 6 are held at the upper and lower parts of the nozzle holding member 45 in the state of obliquely lowering respective tips to a wafer W.例文帳に追加

スプラッシュガード４の外周面には、スプラッシュガード４の上方に延びるようにノズル保持部材４５が取り付けられており、このノズル保持部材４５には、２つの処理液供給ノズル５，６が、それぞれの先端をウエハＷに向けて斜めに下げた状態で上下に保持されている。 - 特許庁

In a pixel data calibration part 30, the image data and the black flaw position data of the sample wafer are read out from the first storing part 20, and the averaging processing is conducted for the image data of a plurality of pixels adjacent to the pixel of the black flaw position, thereby calibrating the gradation of the pixel of the black flaw position.例文帳に追加

そして、画素データ較正部３０において、第１記憶部２０から試料ウエハの画像データ及び黒きず位置データを読み出し、黒きず位置の画素に隣接する複数の画素の画像データの加算平均処理を行うことによって、黒きず位置の画素の階調を較正する。 - 特許庁

To provide a chuck table cleaning method, a chuck table cleaning apparatus, and a semiconductor wafer planar processing apparatus for easily removing silicone dust adhered to an adsorption surface of a chuck table, and thereby recovering the adsorption surface of the chuck table in a non-contaminated condition.例文帳に追加

チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。 - 特許庁

By irradiation of microwave on a wafer W via a planar antenna member SPA under an existence of a processing gas containing oxygen and rare gas, plasma is formed containing the oxygen and rare gas (or plasma containing nitrogen and rare gas, or plasma containing nitrogen, rare gas, and hydrogen).例文帳に追加

酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition and an adhesive sheet that have excellent antistatic properties or excellent electric conductivity and have excellent removability, specifically to provide an adhesive composition and an adhesive sheet that are used for processing a semiconductor wafer and have antistatic properties, electric conductivity, and removability.例文帳に追加

優れた帯電防止性または導電性ならびに再剥離性を有する粘着剤組成物、及び粘着シート、詳しくは半導体ウエハ加工などに用いられる帯電防止性または導電性ならびに再剥離性を有する粘着剤組成物及び粘着シートを提供する。 - 特許庁

In the processing method, change of grinding resistance in grinding for chamfering is detected by change of the power amount of a grinding stone rotary motor 4, and grinding velocity, that is, the number of rotations of a wafer rotary motor 3 is controlled on the basis of detected change of the power amount of the grinding stone rotary motor 4.例文帳に追加

本発明の加工方法では、面取のため研削中の研削抵抗の変化を、砥石回転モータ４の電力量の変化により検出し、検出された砥石回転モータ４の電力量の変化に基づいて、研削速度、即ち、ウェハ回転モータ３の回転数を制御する。 - 特許庁

During a process, in which the boat unit 300 holding the wafers is transferred into the processing chamber 201, the ring unit 400 is scooped up at the boat unit 300 and integrated, thus the ring-shaped plate 413 is provided, substantially horizontally at a predetermined space from the wafer 200 held in the boat unit 300.例文帳に追加

ウェハを保持したボート部３００を処理室２０１内に搬入する過程で、ボート部３００でリング部４００をすくい上げて一体化することで、リング状プレート４１３がボート部３００に保持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer transferring device having simplified constitution and mechanism capable of facilitating processing and assembly, capable of simplifying a manufacturing process and reducing a manufacturing cost by minimizing the use of precision components, and capable of making an interval between each finger adjustable by an adjustment of a cum.例文帳に追加

構成と構造が単純化され、加工及び組み立てが容易で、精密部品の使用を最小化して製作過程の簡素化と原価低減をすることができ、カムの調整によって各フィンガーの間隔を調節可能にすることができる半導体ウエハ移送装置を提供すること。 - 特許庁

To equalize heating temperature in the peripheral direction of a substrate to be processed, and effect uniform processing for the substrate to be processed by a method wherein, in a single wafer heater, a container housing to be processed is made to have the same degree of insertion port of the substrate as the inner peripheral face, excluding it in the degree of heat absorption.例文帳に追加

枚葉式の加熱装置において、被処理基板を収納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周面との熱吸収度を同程度にすることによって、被処理基板の周方向での加熱温度を等しくし、被処理基板に対して均一な処理を行うこと。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a quartz, capable of forming a highly precise electrode pattern by washing with an acid before etching a quartz wafer for preventing the etching unevenness from its generation, and a method for producing a quartz device.例文帳に追加

水晶ウェハをエッチングする前に、酸によって洗浄することによって、エッチングの際に生じるエッチングムラの発生を防止して、高精度な電極パターンの形成を行うことができる水晶の表面加工方法及び水晶デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

After processing to form a plurality of semiconductor chips on each semiconductor wafer and test each semiconductor chip by a lot constituted of a plurality of semiconductor wafers, common data through each semiconductor wafer within the same lot is stored in one characteristic data file f1, and characteristic data of each semiconductor chip obtained by a test is stored in a semiconductor chip characteristic data file f2 classified by measurement terms of characteristics.例文帳に追加

複数の半導体ウェーハで構成されるロット単位で、各半導体ウェーハそれぞれに複数の半導体チップを形成する処理、及び各半導体チップそれぞれの検査を行い、同じロット内の各半導体ウェーハに共通するデータを１つのロット特性データファイルｆ１に格納し、検査によって得られる各半導体チップの特性データを、特性の測定項目ごとに分けて１つの半導体チップ特性データファイルｆ２に格納する。 - 特許庁

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer.例文帳に追加

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 特許庁

An expanding apparatus 10 that processes a semiconductor wafer W including a plurality of chips C integrated with an inner circumferential side of a ring frame RF via an adhesive sheet S as a processing target object W1, includes a supporting means 12 for supporting the processing target object W1, an abutting means 13 capable of abutting on the undersurface side of the adhesive sheet S, and a driving means 14 for lifting and lowering the supporting means 12.例文帳に追加

リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４とを含む。 - 特許庁

A protective film 107 of a carbon polymer is formed on a sidewall of a polysilicon film 105 with plasma containing carbon after the polysilicon film 105 is etched to prevent side etching and sidewall roughening of the polysilicon film 105 even when the metal material 104 forming a lower-layer film is subjected to etching processing with plasma of halogen-based gas under etching conditions of volatility increased by keeping a wafer at higher temperature and processing pressure lower.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。 - 特許庁

The plasma processing device which has a chamber and generates plasma of gas introduced in the chamber to perform plasma processing on a semiconductor wafer (an object to be processed) installed in the chamber is characterized in that a connection portion between an upper member 2 and a side wall member 3 provided above and peripherally outside the chamber is formed in a curved shape having its center of curvature set inside the chamber.例文帳に追加

チャンバーを有し、チャンバーの内部に導入したガスのプラズマを発生させて、チャンバーの内部に設置された半導体ウェハ（被処理物）に対して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、チャンバーの上方及び外周外方にそれぞれ設けられた上部部材２及び側壁部材３の接合部の形状を、曲率中心がチャンバーの内部に設定された湾曲状に形成した。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing which does not contain a surfactant and an organic tin compound as curing accelerator in a pressure-sensitive adhesive layer, exhibits superior prevention performance concerning the surface adhesive deposit and the lateral surface adhesive deposit and further exhibits superior prevention performance concerning the LM (Laser Mark) adhesive deposit.例文帳に追加

本発明により、粘着剤層に、界面活性剤や、硬化促進剤としての有機スズ化合物を含まず、表面糊残り、側面糊残りにおいて優れた防止性能を発揮し、かつ、ＬＭ糊残りについても優れた防止性能を発揮する半導体ウエハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

In the wafer processing 100, the number of cycles for repeating the supply and stop of pure water for maintaining the state that the etching rate of phosphoric acid 10 is high is calculated within the prescribed time for each lot, and when the number of cycles is out of the range of the preset number of times, it is reported.例文帳に追加

本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 - 特許庁

To provide a simple and inexpensive semiconductor wafer cassette opening and closing device which dispenses with installation space in a clean room and can be used in common with processing units by eliminating a linear mechanism and an installation base for positioning and installing the device in a space of a processor or on an automatically guided vehicle(AGV), etc.例文帳に追加

リニア機構や位置決めを行うための設置台を不要とし、処理装置の一部のスペース若しくは無人搬送車（ＡＧＶ）等に設置することによりクリーンルーム内での無駄な設置スペースを省くと共に、複数の処理装置に対し１台の開閉装置で兼用できる簡易且つ安価な半導体ウエハカセット開閉装置を得る。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system not employing a magnetic field and applying RF to the lower electrode, microwaves are employed and the metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within a range of a specified area is placed between a microwave introduction window 26 and the wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

磁場を用いず、かつ下部電極にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置においては、マイクロ波を用い、マイクロ波導入窓２６と下部電極１８上に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

The insulating layer on the semiconductor wafer is polished in an interlevel insulating material processing by a water composite consisting of 0.001-1 wt% of quaternary ammonium compounds, 0.01-20 wt% of colloidal silica, 0-5 wt% of surfactants, 0-5 wt% of carboxylic acid polymer, and water as a residue.例文帳に追加

第四級アンモニウム化合物０．００１〜１重量％、コロイダルシリカ０．０１〜２０重量％、界面活性剤０〜５重量％、カルボン酸ポリマー０〜５重量％及び残余としての水を含む水性組成物によりインターレベル絶縁材加工において半導体ウェーハ上の絶縁層を研磨する。 - 特許庁

This resist pattern formation method includes a process for forming a lower-layer film (103) having polymer containing fluorine on a wafer substrate (101), a process for forming a resist film (104) on the lower-layer film, and a process for allowing the resist film to be subjected to pattern exposure and processing for obtaining the resist pattern (105).例文帳に追加

ウェハー基板（１０１）上に、フッ素含有ポリマーを含む下層膜（１０３）を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜（１０４）を形成する工程と、前記レジスト膜に対しパターン露光および現像処理を施して、レジストパターン（１０５）を得る工程とを具備するレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a strain silicon channel of high quality can easily be formed without sacrificing the processing capability of a wafer, and a method for manufacturing a semiconductor device which can improve the driving capability of not only NMOS, but also PMOS transistors.例文帳に追加

ウェハの処理能力を犠牲にすることなく、高品質の歪みシリコンチャネルを簡便に形成することができる半導体基板の製造方法を提供するとともに、ＮＭＯＳのみならず、ＰＭＯＳトランジスタの駆動能力をも向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a first manufacturing line 1, manufacturing apparatuses 10A-12A, 13, 14A and 15A are laid so that repeating processing units of a wafer process are configured, and one team A of operators takes charge of the first manufacturing line 1 composed of the manufacturing apparatuses 10A-12A, 13, 14A and 15A which are laid in an order of manufacturing processes.例文帳に追加

第１製造ライン１において、ウェハプロセスの反復処理単位を構成するように、製造装置１０Ａ〜１２Ａ、１３、１４Ａ、１５Ａをレイアウトし、製造工程順にレイアウトされた製造装置１０Ａ〜１２Ａ、１３、１４Ａ、１５Ａからなる第１製造ライン１を一つの作業者チームＡが担当するようにする。 - 特許庁

To provide a peeling device that can securely do peeling on a processing object composed of a first plate-like member such as a wafer and the like onto which a second plate-like member is pasted up using a double-sided adhesive sheet, wherein the second member is peeled off with no damages to both first and second plate-like members.例文帳に追加

ウエハ等の第１の板状部材に両面接着シートを介して第２の板状部材が接着された処理対象物から第２の板状部材を剥離する場合に、第１及び第２の各板状部材の破損を招来することなく、確実な剥離を行い得る剥離装置を提供する。 - 特許庁

To obtain long life by making a furnace opening section of non-metal to prevent metal contamination of a substrate under processing the substrate, by suppressing temperature rise of a sealing member provided to a seal section, especially suppressing temperature rise of the sealing member at the time of wafer charging, and by preventing deterioration and burning of the sealing member.例文帳に追加

炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。 - 特許庁

To provide a wafer lens laminate, a method of manufacturing an imaging lens, a method of manufacturing an imaging module, and a method of manufacturing an electronic apparatus, capable of preventing moisture absorption of lens parts with a functional film applied thereon and capable of minimizing deformation of the lens parts due to moisture absorption and occurrence of cracks or wrinkles in the functional film after high temperature reflow processing.例文帳に追加

機能膜を塗布したレンズ部の吸湿を防ぎ、吸湿によるレンズ部の変形や高温リフロー処理後の機能膜のひび割れや皺の発生を最小限に抑えることのできるウェハレンズ積層体、撮像レンズの製造方法、撮像モジュールの製造方法及び電子機器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of executing film deposition processing, while reducing the distance between a flow-straightening plate and a wafer without opening a reaction chamber and varying a space volume of the upper part of the flow straightening plate, thereby improving the productivity and uniformity of film thickness.例文帳に追加

反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching protective material, along with a manufacturing method of a device substrate that uses the material, which provides by a method of simple and low cost, all of high resistance with respect to an etchant (alkaline and acid), heat resistance during processing, proper adhesion to a wafer applied with etching process, and ease in removing, after etching process.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a base film 11 of the expandable wafer processing tape 10 used when splitting the adhesive layer 13 along a chip by expansion, a thermoplastic crosslinking resin with a Vicat softening point specified by JIS K7206 being ≥50°C and <90°C and an increase in stress due to the thermal contraction being 9 MPa or higher is used.例文帳に追加

エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なウエハ加工用テープ１０の基材フィルム１１として、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満であり、熱収縮による応力の増大が９ＭＰａ以上である熱可塑性架橋樹脂を用いる。 - 特許庁

In a susceptor 12 in which a heater unit 14, a refrigerant flow passage 15 and a refrigerant chamber 16 are incorporated and on which a wafer W to be subjected to plasma etching processing is mounted, a refrigerant flows in the refrigerant flow passage 15 and refrigerant chamber 16 and when the heater unit 14 generates heat, the refrigerant stops flowing in the refrigerant chamber 16.例文帳に追加

ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 - 特許庁

This prober device includes a cleaning chamber 5 including a mechanism for cleaning a probe of a probe unit 4 of the prober device by dry processing using ion or the like in vacuum, and a measuring mechanism (a preparation chamber 3, a conveyance device 12, a test wafer 13, and a gate valve 6) for confirming electrical measurement of the probe of the probe unit 4 in vacuum.例文帳に追加

真空中内で、イオン等を用いたドライ処理で、プローバ装置の探針ユニット４の探針をクリーニングする機構を備えたクリーニング室５と、真空中内で、探針ユニット４の探針の電気的測定を確認する測定機構（仕込み室３、搬送装置１２、試験ウエハ１３、ゲート弁６）を備える。 - 特許庁

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, disclosed is a tape for wafer processing having an intermediate resin layer and an adhesive layer laminated in this order on a base film, which is made of a resin composition containing at least one kind of polymer selected from a group of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyetherimide, and polyimide.例文帳に追加

また、基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層されているウエハ加工用テープであって、基材フィルムがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーを含有する樹脂組成物からなるウエハ加工用テープ - 特許庁

To provide an electrode embedding member for use of a plasma generator capable of uniformly processing silicon wafers by keeping a plasma density distribution constant in generating the plasma, by applying high frequency to a plasma generating electrode to process the silicon wafer and having high durability against halogen-based corrosive gas.例文帳に追加

プラズマ発生用電極に高周波を印可して、プラズマを発生させ、シリコンウエハを処理するに当たって、プラズマの密度分布を一定に保つことによってシリコンウエハを均一に処理できると共に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性の大きいプラズマ発生装置用電極埋設部材を提供すること。 - 特許庁

The die attach film which has tackiness required in the wafer processing step, adhesiveness required in die mounting, and adhesiveness durable under wet heat conditions is prepared by using a hardenable pressure-sensitive adhesive composition comprising a thermosetting pressure-sensitive adhesive component, an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive component, a flexible component, and an ultraviolet-screening inorganic filler.例文帳に追加

粘接着剤組成に熱硬化型粘着成分、紫外線硬化型粘着成分、可とう性成分と紫外線遮蔽無機フィラーを組み合わせることでウエア加工工程に必要な粘着性とダイマウント時での接着性及び湿熱条件にも耐えうる接着性を有することを特徴とするダイアタッチフィルム。 - 特許庁