「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent contamination of a side face in forming a resist film, to reduce processes and to improve a yield, in relation to a device for forming a resist film for forming the resist film on a surface in a processing process of a photomask or a wafer.例文帳に追加

本発明は、フォトマスクやウエハの加工工程で表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置に関し、ジスト膜形成に側面の汚染を防止し、工程の削減、歩留りの向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

An etch resistant heater for use in a wafer processing assembly has a superior ramp rate of at least 20°C per minute, maximum temperature difference across the surface (for example, >100°C over 300 mm), and at least one electrode.例文帳に追加

ウェーハ処理アセンブリ中で使用され、少なくとも１分につき２０℃の優れた温度上昇率と、表面にわたる最大温度差（例えば＞３００ｍｍにわたり１００℃）と、少なくとも１個の電極とを有する耐腐食性ヒータ。 - 特許庁

To provide a processing system for a wafer or the like which performs process steps from a wet process to a supercritical drying process, and is highly versatile, stable, and highly productive, satisfying economical requirements in production of semiconductor wafers, liquid crystal substrates, or the like.例文帳に追加

半導体ウェハ、液晶基板等の生産において、湿式処理から超臨界乾燥の工程を、汎用性が高く、安定で生産性が高く、経済的要望を満足しうる、ウェハ等の処理システムを提供することにある。 - 特許庁

To provide a production management method which reduces the number of times and processing time of a dummy run, improves the operating speed of a device, shortens lead time of a lot, and reduces the cost by reducing dummy wafer used for the dummy run.例文帳に追加

ダミーランの回数と処理時間を削減し、装置の稼動率を向上でき、ひいてはロットのリードタイムを短縮できるとともに、ダミーランに使用するダミーウエハを削減することでコストを削減できる生産管理方法を提供する。 - 特許庁

In the single-wafer processing apparatus, having an electrically insulative mount 3 for mounting a work w in a process chamber 2, the mount 3 has a conductive film 10 on the surface for relieving charged static electricity.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０を形成してなる。 - 特許庁

Accordingly, even when a starting point of micro cracking is generated during working or processing of a substrate, the compression stress suppresses the cracking so that the cracking does not expand, permitting a structure wherein no wafer breakage occurs and the outer periphery of a substrate is substantially reinforced.例文帳に追加

このために、基板加工中または、プロセス中に、微小な割れの起点が発生しても、圧縮応力で抑えられて割れが広がらないために、ウエハ割れが発生せず、実質的に基板外周部が強化された構成となる。 - 特許庁

To provide a surface machining method and a surface machining device of a substrate for finishing a surface of the substrate such as a wafer into a mirror surface, capable of efficiently and accurately carrying out surface processing of the substrate even with small energy.例文帳に追加

本発明はウェハ等の基板の表面を鏡面に仕上げる基板の表面加工方法及び表面加工装置に関し、小さなエネルギーでありながら高効率で精度の高い基板の表面処理を行うことを課題とする。 - 特許庁

To solve problems of not meeting future requirements of edge shape and nano-topography and not suited for processing of a wafer of 450 mm in substrate diameter of a double-sided polishing method known in this technical field and performed before a finish CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing.例文帳に追加

当該技術分野で公知の仕上げのＣＭＰ研磨の前の両面研磨法は、エッジ形状およびナノトポグラフィーの将来的な要求を満たさず、且つ基板直径４５０ｍｍを有するウェハの加工に適していない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing angular-velocity sensors allowing desired polarization processing to be applied to a piezoelectric layer of a non-defective angular-velocity sensor on a wafer, even if an angular-velocity sensor having a piezoelectric layer including a defect exists.例文帳に追加

欠陥が存在する圧電層を有する角速度センサが存在しても、ウエハ上の他の良品の角速度センサの圧電層に所望の分極処理を施すことが可能な角速度センサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the measured line width in a peripheral portion of the wafer is larger than a targeted line width, an amount of a developing fluid to be supplied to the peripheral portion is corrected to be increased in development processing (Step S4).例文帳に追加

外周部の線幅測定結果が目標線幅より大きい場合には、現像処理においてウェハの外周部に供給する現像液の供給量を増加させ、当該現像液の供給量を補正する（ステップＳ４）。 - 特許庁

To improve the within-wafer uniformity of the density of active species and ions supplied to the surface of a substrate and increase the amount of the active species and ions supplied to the surface of the substrate, when carrying out a substrate processing step by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。 - 特許庁

Both of the laser output and the wafer rotational speed are determined based on the resist sensitivity, and the periphery portion exposure processing proceeds according to them, so that this device can flexibly respond the sensitivity of the resist in use.例文帳に追加

レジストの感度に基づいて、レーザ出力およびウェハ回転速度の双方が決定され、それらに従って周縁部露光処理が進行することとなるため、使用するレジストの感度に柔軟に対応することができる。 - 特許庁

After a Ti film 6 is formed on the semiconductor wafer 1, a first film-forming gas containing TiCl4 and NH3 as a main component is introduced into a processing chamber, a first TiN film 7 is formed on the Ti film by a thermal CVD method.例文帳に追加

半導体ウェハ１上にＴｉ膜６を成膜した後、処理チャンバ内にＴｉＣｌ_4とＮＨ_3を主成分とする第１の成膜ガスを導入し、Ｔｉ膜上に第１のＴｉＮ膜７を熱ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

To provide a device for saving gas in a semiconductor manufacture process, which enables reduction of the quantity of consumed gas by enabling the stop of the supply of processing gas while a semiconductor wafer is carried from a load lock chamber to a reactor chamber.例文帳に追加

半導体ウェハーがロードロックチャンバーからリアクターチャンバーに搬送される間、処理ガスの供給を停止できるようにして処理ガスの消費量削減を可能にした半導体製造プロセスにおける省ガス装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processor includes: an electrostatic chuck 5 for holding the object of processing (for example, a semiconductor wafer 4) by electrostatic chucking force; and a DC voltage application portion (DC power source 3) for applying a DC voltage for electrostatic chucking to the electrostatic chuck 5.例文帳に追加

処理対象物（例えば、半導体ウェハ４）を静電吸着力によって保持する静電チャック５と、静電チャック５に静電吸着用直流電圧を印加する直流電圧印可部（直流電源３）を備える。 - 特許庁

To provide a method for adjusting an active vibration insulation system for vibration insulation positioning particularly in a lithography device, a wafer processing system, and/or a microscope such as a scanning microscope, and also to provide the active vibration insulation system.例文帳に追加

特に、リソグラフィ・デバイス、ウェーハ処理システム、および／または走査顕微鏡などの顕微鏡の振動絶縁位置付けのための、能動振動絶縁システムを調整するための方法、および能動振動絶縁システムを提供すること。 - 特許庁

A lower heating element 4 which heats the semiconductor wafer W arranged in the processing chamber 2 from below is not area-divided and forms a single lower heating zone 41, and a lower heater 6 is arranged in the lower heating zone 41.例文帳に追加

処理室２に配置された半導体ウエハＷを下方から加熱する下加熱体４には、当該加熱体４を領域分割することなく単一の下加熱ゾーン４１を形成し、下加熱ゾーン４１に下ヒータ６を配置する。 - 特許庁

Plasma processing is performed while maintaining the temperature of the wafer W at 100°C or lower, and a silicon nitride film 404 having film stress of 100 MPa or less is deposited on the resist pattern 402 and an antireflection film pattern 403 (Fig. 10(c)).例文帳に追加

ウェハＷの温度を１００℃以下に維持した状態でプラズマ処理を行い、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３上に、１００ＭＰａ以下の膜ストレスを有するシリコン窒化膜４０４が成膜される（図１０（ｃ））。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape having an adhesive layer and an adhesive film on a release film, which enables sufficient suppression of transfer marks left on the adhesive layer when being taken up into a roll.例文帳に追加

離型フィルム上に、接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a ceramics cooling plate that has a heat emission property to keep a wafer at constant temperature and prevent thermal deformation during exposure as well as high rigidity and low thermal expansion factor for high processing accuracy.例文帳に追加

露光処理時などにおいて、ウェハの温度を一定にして熱歪みを防ぐための排熱性と、高い処理精度を実現するための高剛性および低熱膨張性をいずれも兼ね備えるセラミックス製冷却プレートを提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for semiconductor wafers whereby a semiconductor wafer (2) can be treated as required without damaging it even when its rear surface is ground remarkably thin.例文帳に追加

半導体ウエーハ（２）の裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする、半導体ウエーハの処理方法を提供する。 - 特許庁

When ozone processing of a wafer is performed in parallel or continuously in a plurality of resources, a branch resource under use at step S14 is used continuously at step S24.例文帳に追加

リソースを使用して基板に対してオゾン処理を行なう場合で、複数のリソースでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場合には、ステップＳ１４で既に使用されているブランチリソースをステップＳ２４で継続的に使用する。 - 特許庁

A thermal processing apparatus 1 comprises: a cylindrical reaction tube 3; a boat 5 for loading a wafer W to hold it; a heater 2 installed at an outer periphery of the reaction tube 3; and a vacuum insulating layer formation body 10 installed at an outer periphery of the heater 2.例文帳に追加

熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。 - 特許庁

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。 - 特許庁

Since chemical is directly discharged on a wafer W from a container 15, it is not necessary to arrange the units such as a pump, a filter and an air operation valve at every type of processing liquid, and the number of the units can be reduced.例文帳に追加

容器１５から直接ウェハＷ上にその薬液を吐出させるようにしているので、ポンプ、フィルタ、エアオペバルブ等の機器類を処理液の種類ごとに備える必要がなくなり機器点数を削減することができる。 - 特許庁

A cleaner 1 heats the wall part of a processing container 2 and the inside atmosphere to 80°C by means of rubber heaters 7-9, and heats the inside atmosphere and a wafer W to 80°C by the hot air discharged from a hot air supply means 10.例文帳に追加

洗浄装置１は，ラバーヒータ７〜９により処理容器２の壁部，内部雰囲気を８０℃に加熱し，ホットエア供給手段１０から吐出されたホットエア７１により，内部雰囲気及びウェハＷを８０℃に加熱する。 - 特許庁

The processing cup 12 includes waste chemical tanks 16A and 16B, chemicals collecting tanks 16C and 16D, and an operating mechanism 18 for alignment of openings of the chemical collecting tanks and waste chemical tanks with the wafer W.例文帳に追加

処理カップ１２は、廃液槽１６Ａ及び１６Ｂ並びに薬液回収槽１６Ｃ及び１６Ｄと、ウエハＷに所望の薬液回収槽又は廃液槽の開口部を位置合わせするための動作機構１８とを有する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic cleaning method capable of obtaining a sufficient cleaning effect in short processing time at a high yield for an object to be cleaned such as a hard disk and a semiconductor wafer in a planar shape provided with a through-hole passing through to the front and back.例文帳に追加

板状をなし、表裏を貫通した透孔を有するハードデイスクや半導体ウェーハなどの被洗浄物に対して、短い処理時間で十分な洗浄効果を得られ、歩留まりも良い超音波洗浄方法を開発する。 - 特許庁

With regard to two adjacent chips of a semiconductor wafer, image signal of a left chip is picked up, at first, by an image pickup means 8 with a specified inspection width and processed by a signal processing circuit 9 before being stored in an image storing section 10.例文帳に追加

半導体ウェハの隣接する２つのチップに対し、撮像手段８により、まず左側のチップの画像信号を所定の検査幅で取り込み、これを信号処理回路９による処理加工の後、画像記憶部１０へ格納する。 - 特許庁

To provide a focus ring capable of improving an in-surface uniformity of a surface and reducing the occurrence of deposition on a backside surface of a peripheral portion of a semiconductor wafer compared to a conventional case, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, the liquid processing apparatus 10 includes an air hood 31 shielding the wafer W from the cover mechanism 60 in the vertical direction when the cover mechanism 60 is positioned at the lifting position and generating down flow of a clean gas.例文帳に追加

また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にウエハＷをカバー機構６０から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード３１をさらに備えている。 - 特許庁

Further, the semiconductor wafer 1 is made thin in the state wherein the dicing tape 4 is stuck on the surface of the insulating layer 3, so grinding swarf in the dicing can be prevented from sticking on the insulating resin layer 3 without requiring any special processing.例文帳に追加

また、絶縁性樹脂層３の表面にダイシングテープ４を貼り付けた状態で半導体ウエハ１の薄化を行うので、特別な処理を要せずにダイシング時の研削屑が絶縁性樹脂層３に付着することを防止できる。 - 特許庁

To realize a dry-etching method capable of obtaining wafers having stable performance even if a plurality of the wafers are subjected to processing in a case of etching a laminated gate and ensuring the same result with a case of using actual wafer samples even when dummy wafers are used in a continuous test.例文帳に追加

積層ゲートをエッチングする場合において、複数枚処理しても安定な性能が得られ、また、連続試験を行う際にＳｉダミーウェーハを用いても実ウェーハサンプルを流す場合と同様な結果が得られるようにする。 - 特許庁

A holding section 7 for holding a semiconductor wafer in executing heating processing by irradiation of flash light from above is configured by mounting a quartz susceptor 72 on a metallic hot plate 71 having a built-in resistance heating wire 76 as a heater.例文帳に追加

上方からフラッシュ光を照射して加熱処理を行うときに半導体ウェハーを保持する保持部７はヒータたる抵抗加熱線７６を内蔵する金属製のホットプレート７１の上に石英のサセプタ７２を載置して構成される。 - 特許庁

To provide a polishing tool which can remove processing strain existing in backside of a semiconductor wafer by polishing it highly effectively with high polishing quality without generating substances to be disposed as industrial waste in large quantities.例文帳に追加

産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成せしめることなく、半導体ウエーハの裏面を高効率及び高研磨品質で研磨し、そこに存在していた加工歪を除去することができる研磨工具を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid and a cleaning method for removing unnecessary solidified matter produced by antireflection agent applied during the processing process of a semiconductor wafer in manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の製造における半導体ウエハの加工工程で、塗布される反射防止剤によって生じる、不要な固化物を除去するために用いられる、洗浄液および洗浄方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a silicon wafer which is capable of suppressing worsening of surface roughness even when rapid thermal processing (RTP) is performed at a high temperature with a high void defect annihilation power and which is further capable of suppressing occurrence of a recessed pit.例文帳に追加

ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A substrate (wafer W) having a trench 100 formed on a porous insulating layer (SiOC film 11) containing absorbed moisture in the air is placed in a processing chamber, and the substrate is coated with a first base film (Ti film 13) made of a bubble metal.例文帳に追加

大気中の水分を吸収した多孔質の絶縁層（ＳｉＯＣ膜１１）にトレンチ１００の形成された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、バルブメタルからなる第１の下地膜（Ｔｉ膜１３）を被覆する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 comprises a spray nozzle 20, a nozzle movement mechanism 21 relatively moving the spray nozzle 20 with respect to a support member 12 in a height direction and a horizontal direction, and a revolution drive part 14 rotating a wafer W.例文帳に追加

基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。 - 特許庁

Alternatively, when there is a marking M at the outer circumference of the wafer 6 and exposure shot over the entire surface cannot be made, the HDP4, which is formed thick at the upper part of marking M, is deleted with the etching process as the other process, before the CMP processing.例文帳に追加

または、ウェーハ６外周部にマーキングＭがあり、全面に露光ショットできない場合は、マーキングＭ上方に厚く形成されるＨＤＰ４をＣＭＰ処理前の別工程のエッチングで除去を行ってＨＤＰ４を削除する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) device which can reduce a Cu dishing quantity while ensuring a high polishing rate, by maintaining a high temperature at an initial stage of CMP processing, and then intentionally lowering a wafer temperature immediately before the completion of polishing.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス初期においては高温を維持し、研磨終了直前にウエハ温度を意図的に下げることで、高い研磨レートを維持したままＣｕのディッシング量を低減することができるＣＭＰ研磨装置を提供する。 - 特許庁

Splitting grooves (S1a, S1b, S2a, S2b) of a wafer 800 are formed by half cut processing for stopping removing just before a removing portion by dicing, scribing, etching, laser irradiation or the like reaches a deformable space between positive and negative both electrodes.例文帳に追加

ダイシング、スクライビング、エッチング、又はレーザ照射等による削除加工部位が、正負量電極間の可変形空間に至る手前で、その削除加工を中止するハーフカット加工によりウエハ８００の分割溝（Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ）を形成する。 - 特許庁

The equipment for cleaning a semiconductor substrate such as a wafer (W) comprises a processing chamber 100, a rotatable supporting section 200 arranged in the processing chamber 100 and being arranged with the semiconductor substrate, a nozzle 400 for supplying organic solvent, and a dry gas supply nozzle 500 for supplying organic solvent in vapor state into the processing chamber.例文帳に追加

ウェーハ（Ｗ）などの半導体基板を洗浄する装置であって、処理室１００と、前記処理室内１００に配置され、前記半導体基板を配置するための回転可能な支持部２００と、有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ノズル４００と、前記処理室内に蒸気状態の有機溶剤を供給するための乾燥ガス供給ノズル５００と、を含むことを特徴とする洗浄装置。 - 特許庁

In the adhesive tape for processing wafer having a radiation curable adhesive layer on a base material resin film, the adhesive force of the adhesive layer in the adhesive tape to the silicon wafer mirror surface is 2.0-35 N/25 mm before radiation curing, and the pure water contact angle of the adhesive layer surface is 85° or more.例文帳に追加

基材樹脂フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層を有するウェハ加工用粘着テープであって、該粘着テープにおける粘着剤層のシリコンウェハミラー面に対する放射線硬化前の粘着力が２．０〜３５Ｎ／２５ｍｍで、かつ粘着剤層表面の純水接触角が８５°以上であることを特徴とする脆性ウェハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

A wafer support device 20 includes an electrostatic chuck 22 capable of adsorbing a silicon wafer W as an object of plasma processing, a guard ring 30 mounted on a step 26 of the electrostatic chuck 22, a cooling plate 40 placed on a backside of the electrostatic chuck 22 for cooling the electrostatic chuck 22, and a coolant gas flow path 50 arranged to supply a flow of coolant gas for cooling the guard ring 30.例文帳に追加

ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。 - 特許庁