「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

A shutter mechanism control part 14 controls the motor 13b of a shutter mechanism 13 in correspondence to the polishing termination point detection signals from the signal processing part 11 to advance the light shielding member 13a into an optical path for the measurement light so as to shield the wafer 2 from the measurement light.例文帳に追加

シャッタ機構制御部１４は、信号処理部１１からの研磨終点検出信号に応答して、シャッタ機構１３のモータ１３ｂを制御して、遮光部材１３ａを測定光の光路に進出させ、測定光をウエハ２に対して遮断する。 - 特許庁

The finishing work is performed such that the brush 11 is traveled by the traveling mechanism 15 toward the rotating table 41 with the brush being rotated while holding the rotating table 41 at a standstill, through which the brush hairs 13, 13, etc., of the brush 11 touche the processing face of the wafer W to finish the face.例文帳に追加

回転テーブル４１を停止させた状態でブラシ１１を回転させながら移動機構１５でブラシ１１を回転テーブル４１の方向に移動させて、ブラシ１１のブラシ毛１３，１３…がウェーハＷの加工面に当接して仕上加工を行う。 - 特許庁

To provide a 300 mm test wafer, in which the evaluation of a performance data for a semiconductor manufacturing apparatus, and an evaluation apparatus, etc. is ensured, and the design specification inhibits layer peeling within a laser mark, and the damage to the surface is not produced after a CMP processing.例文帳に追加

半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハであり、レーザマーク内で膜剥離が生じない設計仕様とし、ＣＭＰ処理後に表面の傷が生じない３００ｍｍテストウエハを提供する。 - 特許庁

The aqueous washing composition is used for the wafer having copper wiring after the treatment by the chemical mechanical planarization in integrated circuit processing and the composition comprises 0.1-15 wt.% nitrogen-containing heterocyclic organic base, 0.1-35 wt.% alcoholamine and water.例文帳に追加

本発明は、集積回路プロセシングにおける化学機械平坦化処理後の、銅配線を有するウェハーに使用される水性洗浄組成物に関し、該組成物は０．１〜１５重量％の含窒素複素環有機塩基と、０．１〜３５重量％のアルコールアミンと、水とを含む。 - 特許庁

To solve such a problem that, when wafers are stored and processed in a library development table in a semiconductor manufacturing equipment according to a recipe library number indicated by a scheduling device, they are analyzed and developed one by one and the start time of wafer processing is delayed as a result.例文帳に追加

スケジュール装置より指示されるレシピライブラリ番号に基づき、半導体製造装置にてライブラリ展開テーブルに格納しながらウエハ処理を実行するとき、ウエハ１枚毎に解析／展開処理を行っているため、ウエハ処理の開始時間に遅れがでている。 - 特許庁

A first transfer chamber 122 and a second transfer chamber 133 of an apparatus for processing 100 have a volume capacity capable of containing only one wafer W, respectively, and are connected with each other through a first and second load lock chambers 130 and 132 including cooling plates and heating lamps.例文帳に追加

処理装置１００の第１搬送室１２２と第２搬送室１３３は，一のウェハＷのみを収容可能な容積に設定され，かつ冷却プレート１３６と加熱ランプ１４２を備えた第１および第２ロードロック室１３０，１３２で接続される。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which can fix a substrate such as a semiconductor wafer tentatively on a support uniformly at an optional pasting thickness, exhibiting good heat resistance and adhesivity at the time of processing the substrate, can remove the substrate easily from the support after processing and can neatly remove the adhesive adhered on the substrate.例文帳に追加

半導体ウエハーなどの基板を、支持体に任意の貼り合わせ厚みで均一に仮止めすることができる接着剤組成物であって、基板の加工処理時には、良好な耐熱性および接着性を示し、加工処理後には、支持体から基板を容易に剥離することができ、基板に付着した接着剤をきれいに除去することができる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To avoid the facilities from becoming enormous, when a plurality of types of surface processes are effected by a plasma surface processor, in which a semiconductor substrate such as a silicon wafer, etc., fed into a core chamber is mounted in the surface processor of a plasma processing unit connected to this core chamber via a gate value, and the surface processing is effected by plasma therein.例文帳に追加

コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。 - 特許庁

A pattern data conversion method is configured to input the image of the pattern data of a photo-mask or wafer, extract the outline of the input pattern data, perform deformation processing so as to more smoothly deform the outline of the pattern data, and extract coordinate data necessary for reproducing the pattern data from the outline, in which the deformation processing is performed, to generate polygon coordinate data.例文帳に追加

フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a substrate processing method which can suppress formation of a water mark in a surface of a substrate to be processed and corrosion of a copper interconnection exposed in a surface of the substrate to be processed when the substrate to be processed such as a semiconductor wafer is subjected to cleaning treatment by cleaning liquid containing hydrofluoro ether.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The processing tray 12 is provided with a one-side fixing/holding part 13 on its one side to hold at least one semiconductor wafer W, and anther-side fixing/holding part 14 on another side that is engaged with the one-side fixing/holding part 13 of the other processing tray 12 to be segregated from the external environment and to form a housing space for fixing and holding the sheet.例文帳に追加

処理トレイ１２は、その一側面に少なくとも１枚の半導体ウエハＷを保持する一側固定保持部１３を備えると共に他側面に他の処理トレイ１２の上記一側固定保持部１３と互いに嵌合することで外部環境と隔離して上記薄板を固定して保持する収納空間を形成する他側固定保持部１４を備えた。 - 特許庁

To provide a cup-like grinding stone for semiconductor wafer rear surface rough grinding which can enhance the grinding efficiency by improving sharpness without requiring specially complicated manufacturing process and restrain generation of grinding damage which is an obstacle in finishing grinding in a following process, and to provide a suitable grinding processing method that uses rough grinding processing by such a rough grinding cup-like grinding stone.例文帳に追加

特別複雑な製造加工を要することなく、切れ味を向上させることで研削能率を高め、かつ次工程の仕上げ研削での障害になるような研削ダメージの発生を抑制できる半導体ウェーハ裏面粗研削用のカップ型砥石、及びそのような粗研削用カップ型砥石による粗研削加工を利用した好適な研削加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion type acrylic adhesive sheet for repeeling which comprises an aqueous dispersion type adhesive enabling to coat it in an aqueous type, can suitably be used for particularly the adhesive sheet for a semiconducting wafer processing, and causes a little stain on a surface of an adherend.例文帳に追加

水系で塗工できる水分散型の粘着剤を実現し、特に半導体ウエハ加工用粘着シートとして好適に用いることのできる被着体表面への汚染が少ない再剥離用水分散型アクリル系粘着シートを提供することを目的とする - 特許庁

To provide a temperature measuring method and a measurement device, capable of precise measuring the surface temperature of an object to be measured and the like and of continuously supervising the measured temperature, concerning the thermometry of an object to be measured, such as a semiconductor wafer under the special environment in a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内等の特殊な環境下にある半導体ウェハー等の被測定物の温度測定に関し、被測定物の表面温度等の温度を正確に測定し、その測定温度を連続的に監視できる温度測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The data processing unit comprises semiconductor treatment equipment 1 that performs treatment to a wafer, a data collection unit 2 that collects treatment data generated by the treatment, and a data copy unit 4a that extracts, the treatment data collected in the data collection unit and creates a copy of the treatment data.例文帳に追加

ウエハに加工処理を施す半導体処理装置１と、前記加工処理に伴い生成される処理データを収集するデータ収集装置２と、前記データ収集装置に収集した前記処理データを抽出して前記処理データの複製を作成するデータ複製装置４ａを備えた。 - 特許庁

To provide a backing material for a polishing pad for providing a product superior in finish accuracy, by stably and quickly performing polishing processing of a member requiring surface flatness to a high degree, such as a base board or an information recording base board such as a silicon wafer and a hard disk.例文帳に追加

シリコンウェーハ、ハードディスク等の基板あるいは情報記録用基板等の高度に表面平坦性が要求される部材の研磨処理を、安定、かつ、高速で行うことのでき、また、仕上がり精度の優れた製品を得ることできる研磨パッド用下地材の提供。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

Processing gas flows into the main pipe part 16 of a nozzle 15 in a reaction tube 11 flows into a plurality of forward end pipe parts 17 branched at a right angle from the main pipe part 16 and ejected horizontally from an ejection port 17a toward a semiconductor wafer 12.例文帳に追加

処理ガスは、反応管１１内のノズル１５の主管部１６に流入し、さらに、この主管部１６から直角に屈曲するように分岐する複数の先端管部１７に流入して、噴射口１７ａから半導体ウェーハ１２に向けて水平に噴出される。 - 特許庁

An upper electrode 3 and a lower electrode 4, used both for a mounting table, are arranged in a processing vessel 2, and an inside ring 6 is provided so as to surround a wafer W on the lower electrode 4 while an outside ring 7 made of quartz is provided so as to surround the inside ring 6.例文帳に追加

処理容器２の内部に上部電極３と載置台を兼用する下部電極４とを配置し、前記下部電極４上のウエハＷを取り囲むように内側リング６を設け、この内側リング６を取り囲むように石英製の外側リング７を設ける。 - 特許庁

In addition, the tape for processing semiconductor wafer includes an adhesive film comprising a base film and the adhesive layer provided on the base film and the adhesive layer provided on the tacky adhesive layer, in which the moisture permeability of the tacky adhesive film is ≤10.0 g/m^2/day.例文帳に追加

また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下である。 - 特許庁

To provide a coating film forming device and a curing apparatus which can highly controllably heat substrates which carry coating films formed on the surfaces of the substrates by performing single wafer processing using a hot plate, while the oxidation problem of the coating films is dissolved effectively at when curing the coating films.例文帳に追加

塗布膜を形成した基板に、硬化処理を施す際に、塗布膜の酸化の問題を有効に解消しつつ、ホットプレートを用いた枚葉処理により制御性良く基板の加熱を行うことができる塗布膜形成装置および硬化処理装置を提供すること。 - 特許庁

A protective member is a hollow member to protect a wafer up-down device provided inside a plasma processing device, and the hollow member is integrally formed of carbon material which is 1×10-2 Ω.cm or below in volume resistivity and 5 W/m.K or above in thermal conductivity.例文帳に追加

プラズマ処理装置内のウエハ昇降装置を保護する中空形状の部材であって、体積比抵抗が１×１０^-2Ω・cm以下、熱伝導率が５Ｗ／ m・Ｋ以上の特性を備えたガラス状カーボン材により一体型構造に形成されてなるウエハ昇降装置の保護部材。 - 特許庁

To provide a method of chamfering a wafer, where the same grinding stone is used both for grinding a circumferential part and for chamfering a pointed notch part, and a series of chamfering processing without replacing the grinding stone can be performed, and furthermore the same grinding stone can be used over a relatively long period.例文帳に追加

同じ砥石を、円周部の研削と先窄まりとなったノッチ部の面取りにも兼用して、砥石を取り換える事のない一連の面取り加工が行え、且つ同じ砥石を比較的長期間に亘って使用することができるウエーハの面取り方法の提供。 - 特許庁

A method of manufacturing the substrate of magnetic recording medium includes a process to cut a single crystal silicon wafer with diameter of ≥150 mm and ≤300 mm into a plurality of quadrangles, and a core removing process for obtaining a doughnut-like substrate with an outer diameter ≤65 mm by processing of core-removal to this quadrangle.例文帳に追加

直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハを複数の四角形に切断する工程と、該四角形をコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The wafer processing tape 10 is provided with a base material film 11, a pasty layer 12 provided on the base material film 11, and an adhesive layer 13 provided on the pasty layer 12, wherein the base material film 11 is made of a thermoplastic crosslinking resin having a thermal conductivity of ≥0.15 W/m K.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とから構成し、基材フィルム１１を熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂とする。 - 特許庁

This adhesive film includes a base material film, and a pressure sensitive adhesive layer formed on the base material film, and is used for processing a semiconductor wafer, wherein weight reduction in the pressure sensitive adhesive at a reflow temperature measured by differential thermal analysis is ≤1.5%.例文帳に追加

本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなり、半導体ウエハを加工するために用いる粘着フィルムであって、示差熱分析により測定した、リフロー温度における前記粘着剤層の重量減少が１．５％以下である。 - 特許庁

This immersion exposure device includes: a stage for mounting a substrate to be subjected to exposure processing thereon; a projection lens located above the substrate; a shower head for supplying an immersion liquid between the substrate mounted on the stage and the projection lens; and a dummy wafer W1 mounted on the stage for cleaning the immersion liquid.例文帳に追加

液浸露光装置は、露光処理を行う基板を戴置するステージと、基板の上方に位置する投影レンズと、ステージに戴置された基板と投影レンズとの間に液浸液を供給するシャワーヘッドと、ステージに戴置され、液浸液を洗浄するダミーウェハＷ１と、を有する。 - 特許庁

The heater plate is formed by ceramics, and the baking system is constituted including a base plate on which the wafer for baking processing is placed, and a heater formed by a metal plated layer on a bottom face of the base plate.例文帳に追加

密閉空間を形成するチャンバーと、前記チャンバー内に設置されるヒータープレートと、を含み、前記ヒータープレートは、セラミックで形成され、ベーク加工のためのウェハーが載置されるベースプレートと、前記ベースプレートの底面に金属メッキ層で形成されたヒーターと、を含んでベーク装置を構成する。 - 特許庁

In the laminate of the protective film formed on the wafer and the die attach film, the protective film is formed by executing plasma processing using a reactive gas to the surface of a resin film formed from a resin composition containing two or more kinds of resins of different etching rates.例文帳に追加

ウエハ上に形成された保護膜とダイアタッチフィルムとの積層体であって、前記保護膜が、エッチングレートの異なる２種以上の樹脂を含む樹脂組成物から形成される樹脂膜の表面に反応性ガスを用いたプラズマ処理を施して成ることを特徴とする積層体。 - 特許庁

To provide a device for and a method for analyzing the signal data of a semiconductor-manufacturing device that can execute abnormality detection processing in real time in parallel with semiconductor wafer treatment by the semiconductor-manufacturing device, and at the same time can automatically set abnormality detection conditions.例文帳に追加

半導体製造装置による半導体ウェーハ処理と並行してリアルタイムに異常検出処理を実行することができ、かつ、その異常検出条件も自動的に設定される構成の半導体製造装置の信号データ解析装置及び解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet which has an excellent expanding property and high resistance against chipping in a wafer processing step to simplify the step and reduce the cost in a semiconductor assembling step, and to provide a die attach film which can be used as a die attach film in an IC chip bonding step.例文帳に追加

半導体組立工程に際して、工程簡略化及びコスト削減のためウェハー加工工程では、優れたエキスパンド性を示し、かつ耐チッピング特性に優れた粘着シートを提供し、ＩＣチップ接着工程でダイアタッチフィルムとして使用できるダイアタッチフィルムを提供する。 - 特許庁

This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加

面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that prevents an electric discharge from being generated between a substrate such as a semiconductor wafer and a base of a lower electrode or its neighboring structure, and improves a yield to improve productivity, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control part 100 controls the heating heater 16 to heat the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature, and controls the MFC control part to supply ethylene into the heated reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17, whereby an amorphous carbon film is formed on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator that enables collective processing in a wafer state while ensuring the flexibility in designing a wiring pattern provided inside a multilayer structure, thereby improving the efficiency of manufacture, to provide a method of manufacturing the piezoelectric vibrator, and to provide an oscillator.例文帳に追加

本発明は、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、ウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる圧電振動子及びその製造方法並びに発振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the thermal processing apparatus, the semiconductor wafers are conveyed in the heating furnace and individual semiconductors never stay only at a specified position, so even when the temperature distribution in the heating furnace is not uniform, all the semiconductor wafer can be given the same thermal hysteresis.例文帳に追加

この熱処理装置にでは、半導体ウエハが搬入口から搬出口まで加熱炉内を搬送され、各々の半導体が特定の位置のみに留まることがないので、加熱炉内の温度分布が均一でなくとも、全ての半導体ウエハに同じ熱履歴を与えることができる。 - 特許庁

To provide a wafer body structure in which post-processing such as packaging can be performed upon a part of a semiconductor substrate with an integrated circuit formed therein, using a manufacturing facility designed for semiconductor substrates whose size is smaller than that of the semiconductor substrate, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

集積回路が内部に形成された半導体基板の一部に対して、当該半導体基板より小さいサイズの半導体基板用に設計された製造設備を用いてパッケージング等の後処理を行うことを可能とするウェハー構造体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

Processing gas ejected in the horizontal direction from the ejection port 17a reaches the semiconductor wafer 12 surely and does not flow linearly from the ejection port 17a toward an exhaust port 18 but flows between the semiconductor wafers 12 along the upper and lower faces thereof.例文帳に追加

この噴射口１７ａから水平方向に噴射された処理ガスは、確実に半導体ウェーハ１２に到達すると共に、半導体ウェーハ１２の間を半導体ウェーハ１２の上下の面に沿って流れて、噴射口１７ａから排気口１８に向けて直線的に流れることがない。 - 特許庁

The member for the semiconductor manufacturing apparatus incorporated in the semiconductor manufacturing apparatus for processing a semiconductor wafer is made of a porous alumina substrate with a surface layer having a porosity of 20-60% and the depth of a pore of 10-100 μm.例文帳に追加

半導体ウエハを処理する半導体製造装置に配置される半導体製造装置用部材において、表層が２０％〜６０％の気孔率を持ち、気孔の深さが１０μｍ〜１００μｍの多孔質のアルミナ基材であることを特徴とする半導体製造装置用部材。 - 特許庁

To provide a gas jetting mechanism for uniformly jetting gas even for a comparatively wide plane and also provide a substrate processing apparatus for uniformly jetting a gas such as the gas mixing hexamethyldisilane to a semiconductor wafer and a substrate such as glass substrate by utilizing the gas jetting mechanism.例文帳に追加

比較的広い面に対しても均一に気体を噴射させることのできる気体噴出機構、および、この気体噴出機構を利用して、半導体ウェーハやガラス基板のような基板に、ヘキサメチルジシラン混入ガス等の気体を均一に噴射、処理することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The polishing method efficiently provides a surface of high quality with no deteriorated layer by processing that occurs after diamond mechanical polishing, by oxidizing the surface of silicon carbide single crystal wafer that has been rough-lapped in diamond mechanical polishing, and then removing an oxide film on the surface by finish polishing.例文帳に追加

ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 - 特許庁

While displacing the relative position between the optical axis of the irradiated laser beam and the wafer 1, the image processing unit 32 acquires a plurality of image signals corresponding to a plurality of areas on the waver 1, partially superimposed according to the displacement and synthesizes the dark filed image, with the speckle noise removed.例文帳に追加

照射されるレーザー光の光軸とウェーハ１との相対位置を変位させつつ、画像処理部３２は、変位に応じて一部が重複したウェーハ１上の複数領域に対応する複数の画像信号を取得して、スペックルノイズを除去した暗視野像を合成する。 - 特許庁

This protective sheet for processing a semiconductor wafer comprises a pressure-sensitive adhesive sheet made by laminating a radiation- curable pressure-sensitive adhesive layer on a base film, wherein the base film surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has an average roughness Ra (μm) greater than 0.01.例文帳に追加

基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａであることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。 - 特許庁

The standard deviation and the mean value of brightness of a picture element in image data forming a device pattern of a semiconductor wafer picked up by an image pickup part 2 are calculated by a CPU 31 in an image correction processing part 3, and the standard deviation and the mean value of brightness of the image data is corrected.例文帳に追加

画像補正処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの画素の明るさの標準偏差及び平均値を計算し、画像データの明るさの標準偏差及び平均値を補正する。 - 特許庁

An aging unit (DAC) 21 for processing a wafer W, where the coating film is formed, is provided with a setting plate 61, a temperature- circulating device 66 for adjusting the temperature of a setting plate 61, a chamber 62, a gas supply mechanism 70 to supply ammonium gas which includes vapor to the chamber 62 and a controller 60.例文帳に追加

塗布膜の形成されたウエハＷを処理するエージングユニット（ＤＡＣ）２１は、載置プレート６１と、載置プレート６１の温度を調節する温調循環装置６６と、チャンバ６２と、チャンバ６２に水蒸気を含むアンモニアガスを供給するガス供給機構７０と、制御装置６０を具備する。 - 特許庁