「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the faster the plate 4 rotates, the more the amount of the air flow 50 increases the splashing of the processing liquid can be prevented surely from reaching the center region of the wafer W.例文帳に追加

この空気流５０の流量は、遮断板４の回転が速くなるほど増大するから、処理液の飛沫がウエハＷの中央領域に到達することを確実に防止できる。 - 特許庁

The processing stations are partitioned into a processing block B1 comprising a processing unit for applying and developing a resist as well as a second cooling part 3, and a transfer block B2 comprising a wafer transfer means MA, heating part, first cooling part, while the process block B1 is in a high-precision adjusted atmosphere for controlling a temperature.例文帳に追加

これら処理ステ−ションは、レジストの塗布処理や現像処理を行う処理ユニットＵと第２の冷却部３と備えた処理ブロックＢ１と、ウエハ搬送手段ＭＡと加熱部と第１の冷却部とを備えた搬送ブロックＢ２とに区画され、処理ブロックＢ１は温度の制御を行う高精度調整雰囲気となっている。 - 特許庁

The cleaning processing apparatus 1 has a cleaning processing unit 3 comprising a chamber room 3b in which a chamber 70 is arranged, a utility room 3c in which a solution supply mechanism supplying a processing solution to the chamber 70 and others are mainly arranged, and a wafer transfer room 3a in which a rotor 34 holding wafers is arranged.例文帳に追加

液処理装置の一実施形態である洗浄処理装置１は、チャンバ７０が配設されたチャンバ室３ｂと、チャンバ７０へ処理液を送液する送液機構等が主に配設されたユーティリティ室３ｃと、ウエハＷを保持するロータ３４が配設されたウエハ移載室３ａとからなる洗浄処理ユニット３を有する。 - 特許庁

The chamber 30 has a gas introduction port 34a for introducing the processing gas into the chamber so that the processing gas flows approximately in a horizontal direction and a gas ehxaut port 34b for exhausting the processing gas outward, and a stage 33 with proximity pins 44 for supporting the wafer W provided on its surface and an upright wall 33a formed on its rim.例文帳に追加

チャンバ３０は、処理ガスが略水平方向に流れるように処理ガスを内部に導入するガス導入口３４ａおよび処理ガスを外部へ排気するガス排出口３４ｂと、ウエハＷを支持するプロキシミティピン４４が表面に設けられ、周縁に立起壁３３ａが形成されたステージ３３を有する。 - 特許庁

Therefore, when a wafer W which is wet with a processing solution is carried to the high- pressure processing unit 26, even if the processing solution adhering to the substrate W or its evaporation material is moved to the main carrying path 21, the developing units 231, 232, and 243 exist before the main carrying path 21.例文帳に追加

したがって、処理液で濡れた基板Ｗを高圧処理ユニット２６に搬送している際に、基板Ｗに付着している処理液、またはその蒸発物が主搬送路２１側に移動しようとしても、主搬送路２１に至るまでに現像処理ユニット２３１，２３２，２４３が介在することとなる。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus in which a stage 11 having a placement plane 11a for placing a wafer W of the object of the plasma processing is provided, the placement plane 11a has a flatness with a difference of 100 μm or smaller in height after the stage 11 is deformed at a temperature at which the apparatus is used for the plasma processing and before the stage 11 is not deformed.例文帳に追加

プラズマ処理対象のウェハＷが載置される載置面１１ａを有するステージ１１を備えたプラズマ処理装置において、載置面１１ａは、プラズマ処理時の装置使用温度でステージ１１が変形した後とステージ１１が変形する前の高低差が１００μｍ以下の平坦度を有する。 - 特許庁

The wafer processing tape 10 is an expandable wafer processing tape used in dividing the adhesive layer 13 along a chip by its expansion, and has a base material film 11 having a plurality of resin layers 11a, 11b laminated so that the film forming directions (MD) may not coincide with each other, and an adhesive layer 12 provided on the base material film 11.例文帳に追加

本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、互いの製膜方向（ＭＤ）が一致しないようにして積層された複数の樹脂層１１ａ，１１ｂを有する基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric substrate by which the deviation expressed in terms of the thickness, of a diaphragm positioned within a number of recessed portions formed on a piezoelectric wafer by batch processing can be suppressed to the minimum when mass-producing the piezoelectric substrate having an extremely thin diaphragm capable of outputting a resonant frequency of 600 MHz or higher by the batch processing using the piezoelectric wafer.例文帳に追加

６００ＭＨｚ以上の共振周波数を出力可能な極薄の振動板を備えた圧電基板を圧電ウェハを用いてバッチ処理によって量産する際に、圧電ウェハ上にバッチ処理により形成される多数の凹陥部内に位置する振動板の板厚換算偏差を最小に抑えることができる圧電基板の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The inspection method is constituted so as to inspect the wafer on the way of a processing process and has an analyzing process (step S101) for analyzing the material of foreign matter in the vicinity of the peripheral edge part of the wafer and a judging process (step S102) for judging whether the foreign matter exerts an effect on the processing process on and after the analyzing process.例文帳に追加

本発明に係る検査方法は、加工工程の途中でウェハに対して行う検査方法であって、ウェハの周縁部近傍で異物の材質を分析する分析工程（ステップＳ１０１）と、分析工程における分析の結果に基づいて、異物が分析工程以降の加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程（ステップＳ１０２）とを有している。 - 特許庁

When the etching step is completed, before execution of the ashing step, a pressure control valve 134 provided at an exhaust port 130 of a processing room 102 is fully opened and the inside of the processing room is vacuumed for a specified time, thereby continuously executing a residual gas removal step of exhausting the etching gas remained in the processing room after the etching step, without taking out a wafer W from the inside of the processing room.例文帳に追加

エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 - 特許庁

Consequently, when an excess portion 12 of the film 1 for processing which protrudes from the circuit surface 10a of the semiconductor wafer 10 is removed, operation efficiency is held excellent, and formation of burrs of a cut portion of the film 1 for processing and cutting wastes is suppressed.例文帳に追加

これにより、半導体ウェハ１０の回路面１０ａからはみ出ている加工用フィルム１の余剰部分１２を除去する際、作業効率を良好に保つことができると共に、加工用フィルム１の切断部分のバリや、切断屑の発生を抑制できる。 - 特許庁

To provide a reduced pressure drying device, which performs drying processing on a coating film formed on a substrate to be processed, reduces within-wafer nonuniformity of the coating film after the drying processing, and improves uniformity of the remaining film thickness and line width of the coating film in a wiring pattern forming process.例文帳に追加

被処理基板に形成された塗布膜に乾燥処理を施す減圧乾燥装置において、乾燥処理後の塗布膜の面内均一性を向上し、配線パターン形成過程における前記塗布膜の残膜厚及び線幅の均一性を向上する。 - 特許庁

The quartz oscillator 32 of a metal-contaminated substance measuring apparatus 30 and a condenser 40 for cooling any substance in contact with the quartz oscillator 32 are installed on a sampling pipe 25a connected to an exhaust pipe 25 for exhausting a processing chamber for processing a wafer.例文帳に追加

ウエハを処理する処理室を排気する排気管２５に接続されたサンプリング管２５ａには、金属汚染物質計測装置３０の水晶振動子３２と、水晶振動子３２に接触する物質を冷却する冷却器４０とが設置されている。 - 特許庁

A part of introduced processing gas 10 of low temp. flowing down through holes 26 in a top plate 21 is heated by contacting with an insulating board 25 disposed between the top plate 21 and the wafer 1 at an uppermost part of the boat and the heated processing gas flows through respective wafers 1.例文帳に追加

導入された低温のプロセスガス１０の一部は、天板２１の穴２６を通過して流下するが、天板２１とボート最上部のウェーハ１と間に設けた断熱板２５と接触して温められ、この温められたプロセスガスが各ウェーハ１に流通する。 - 特許庁

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing.例文帳に追加

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。 - 特許庁

Moreover, changes of plasma conditions and wafer processing conditions generated by the process of the processing object 4 can be monitored also by providing a means for calculating the electric conductivity Rc of plasma using current and voltage measured with a sensor 7.例文帳に追加

また、センサー７で計測された電流と電圧とを用いてプラズマの電気伝導性Ｒｃを算出する手段を備えたことにより、処理対象物４が処理されることによって生じるプラズマ状態やウェハ処理状態の変化をモニタすることが可能となる。 - 特許庁

Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.例文帳に追加

このようにしてチャンバ下側壁６２の内壁６４と基板移動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くすることにより、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガスの回り込みを防止する。 - 特許庁

This method of manufacturing IC chips is provided for processing a silicon wafer under the condition in which a thin film of a reinforced silicon wafer is glued to a tape for grinding or for dicing in at least a grinding step or a dicing step, wherein the thin film of the reinforced silicon wafer is reinforced by a supporting member via an adhesive layer whose adhesive strength degrades by applying energy.例文帳に追加

少なくとも研削工程又はダイシング工程において、補強シリコンウエハ薄膜を研削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた状態でシリコンウエハの加工を行うＩＣチップの製造方法であって、前記補強シリコンウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層を介してシリコンウエハが支持体により補強されてなるものであるＩＣチップの製造方法。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

This heat treatment equipment is equipped with halogen lamps 22 which preheat a semiconductor wafer W, xenon flash lamps 21, which heat the semiconductor wafer W preheated by the halogen lamps 22 up to a processing temperature by irradiating the wafer W with flashes, and a control unit 50 which controls the preheating temperature by the halogen lamps 22, according to the light volume of flashes radiated from the xenon flash lamps 21.例文帳に追加

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１と、キセノンフラッシュランプ２１から出射される閃光の光量に応じて対応するハロゲンランプ２２による予備加熱温度を制御する制御部５０とを備える。 - 特許庁

To provide a method and processing equipment including a wafer holder, which can constantly process more than 10,000 pieces of the wafers with high planarizing performance, scratch free, narrow edge exclusion, and high uniformity.例文帳に追加

高い平坦化性能，スクラッチフリー、エッジイクスクルージョンが狭く、高い均一性を被加工ウェハ１００００枚以上持続可能なウェハホルダを含む加工装置及び、加工方法を提供することである。 - 特許庁

The wafer exposed by using the correction parameter is inspected by an overlap inspection device 3, and inspection/measurement positions of a plurality of sample shots are informed to the central processing unit 4 (data transfer 19).例文帳に追加

上記補正パラメータを用いて露光処理されたウエハは、重ね合わせ検査装置３により検査され、複数のサンプルショットの検査計測位置が中央処理装置４に通知される（データ転送１９）。 - 特許庁

Further, the rotary body unit is positively provided with an opening to equalize the pressure in a processing furnace to that in the rotary body unit, thereby preventing the wafer from falling from the annular holder owing to a pressure difference.例文帳に追加

また、回転体ユニットに積極的に開口部を設けることにより、処理炉と回転体ユニット内の圧力を同一とし、圧力差によるウェハの前記環状ホルダーからの外れを防止する。 - 特許庁

To provide a support fixture which makes it possible to easily process or inspect small chip products such as a magnetic head slider utilizing existing production equipment for processing a work piece formed in a shape of a wafer.例文帳に追加

ウエハ状に形成されたワークを処理する既存の製造設備を利用して、磁気ヘッドスライダー等の小型のチップ製品を容易に加工あるいは検査することを可能にする支持治具を提供する。 - 特許庁

In a processing chamber, there is arranged inside a susceptor 11 on the anode side for holding a substrate Waf such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with at least a feeding system 12 and an exhaust system 13 of a discharge gas connected to it.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部に半導体ウェハ、ガラス基板など基板Ｗａｆを保持するアノード側のサセプタ１１を配し、少なくとも放電ガスの供給系１２及び排気系１３が繋がる。 - 特許庁

To provide a device for sticking an adhesive tape wherein a supporting adhesive tape is precisely stuck on the rear surface of a semiconductor wafer while reduced size is achieved and processing speed is improved, and to provide a method for sticking an adhesive tape.例文帳に追加

小型化で処理速度を向上させつつも支持用の粘着テープを半導体ウエハの裏面に精度よく貼付ける粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法を提供する。 - 特許庁

An imprint system 1 has a constitution in which a template carry-in/out station 2, a processing station 200, an interface station 201, an imprint unit 3, and a wafer carry-in/out station 4 are connected integrally with one another.例文帳に追加

インプリントシステム１は、テンプレート搬入出ステーション２、処理ステーション２００、インターフェイスステーション２０１、インプリントユニット３、ウェハ搬入出ステーション４とを一体に接続した構成を有している。 - 特許庁

To provide a treatment scheduling method for scheduling efficient treatment of all objects to be subjected to single wafer processing in an entire in-line system consisting of a plurality of treatment devices.例文帳に追加

複数の処理装置からなるインライン装置の全体において、枚葉処理される全ての被処理体を効率的に処理するスケジュールを作成する処理スケジュール作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technology for detecting a minus charged dust adhering onto a semiconductor wafer in semiconductor production equipment comprising a processing chamber, a carrying chamber and a load lock chamber.例文帳に追加

処理室、搬送室およびロードロック室を備えた半導体製造装置において半導体ウエハ上に付着するマイナス電荷に帯電した異物を検出することのできる技術を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, a method and a device are provided for processing data from a wafer manufacturing facility (1000) provided with plural tools respectively, having first data communication ports (1012-1018) and second data communication ports (1042-1048).例文帳に追加

別の実施形態では、それぞれ第１データ通信ポート(1012〜1018)と第２データ通信ポート(1042〜1048)を有する複数のツールを含む、ウェーハ製造設備(1000)からのデータを処理するための、方法及び装置を提供する。 - 特許庁

As a result, it is possible to prevent the separation and position deviation of the wafer W from the substrate 11 as well as poor processing.例文帳に追加

したがって、ワックスＨＭによる接着性が低下するのを防止することができるので、ウエハＷの剥離や基盤１１に対する位置ずれが生じることを防止でき、処理不良を防止することができる。 - 特許庁

When the surface defect inspecting device detects the surface defect of the wafer and it is decided through the evaluation of the sensor data that the sensor data are abnormal, it is decided that the coating development processing equipment is abnormal.例文帳に追加

そして、表面欠陥検査装置によりウェハの表面欠陥が検出され、なおかつセンサデータの評価によりセンサデータが異常と判定された場合に、塗布現像処理装置を異常と判定する。 - 特許庁

Water such as pure water is supplied from a water supply nozzle to the surface of the wafer 1 returning to a loading/unloading position after processing, and then, a liquid such as water-soluble resist is dropped from a liquid supply nozzle.例文帳に追加

加工が終了し着脱位置に戻ってきたウエーハ１の表面に水供給ノズルから純水などの水を供給し、次いで、液体供給ノズルより水溶性レジストなどの液体を滴下する。 - 特許庁

To provide a method for processing an optical device wafer capable of grinding a back surface of a sapphire substrate to form the substrate having a predetermined thickness without causing damage to optical devices formed on a front surface of the sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板の表面に形成された光デバイスを損傷させることなく、サファイア基板の裏面を研削して所定の厚みに形成することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a position detector, with which the position information on an alignment mark for aligning a reticule and a wafer can be highly accurately detected by performing an edge emphasizing processing, and an exposure device using the same.例文帳に追加

レチクルとウエハとを位置合わせする為のアライメントマークの位置情報をエッジ強調処理を行って高精度に検出することができる位置検出装置及びそれを用いた露光装置を得ること。 - 特許庁

To assure airtightness between a reaction tube and a manifold without inserting an additional buffer even when the thickness of a flange in a reaction tube is reduced by chemical cleaning in a vertical type wafer processing apparatus.例文帳に追加

縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a wafer high in antistatic performance, suppressing generation of fibrous cut waste in a dicing process, and ensuring the antistatic performance even after completion of the dicing process.例文帳に追加

帯電防止性能が高く、さらにダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を抑制でき、ダイシング工程終了後でも帯電防止性能を確保できるウエハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a multi-exposure method which makes a large amount of wafer processing possible and a microlithography projection exposure apparatus which makes improvement of productivity, at least unchanged quality, and low cost possible.例文帳に追加

高いウェーハ処理量を可能にする多重露光方法と、生産性の向上を少なくとも変わらぬ品質および低費用化を可能にするマイクロリソグラフィー投影露光装置を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the system for analyzing integrated circuit layouts and designs by calculating variations of a number of objects to be created on a semiconductor wafer as a result of different processing conditions.例文帳に追加

異なる処理条件の結果として、半導体のウェハ上に作成された複数の対象物の変動を算出することによる集積回路のレイアウトおよび設計解析のためのシステム。 - 特許庁

To provide an adhesive tape sticking method and an adhesive tape sticking device that precisely stick an adhesive tape for support on a back surface of a semiconductor wafer although being compact and improved in processing speed.例文帳に追加

小型化で処理速度を向上させつつも支持用の粘着テープを半導体ウエハの裏面に精度よく貼り付ける粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing that has good sensor recognition properties, and also has good productivity and testing accuracy, even if an adhesive layer is thin (≤10 μm), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接着剤層が薄い（１０μｍ以下）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The tape for wafer processing 10 includes a long mold releasing film 11, the adhesive layer 12, a first adhesive film 13 of a radiation curing type, and a second adhesive film 14 of a non-radiation curing type.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２と、放射線硬化型の第１粘着フィルム１３と、非放射線硬化型の第２粘着フィルム１４とを備えている。 - 特許庁

The wafer processing tape 10 includes an adhesive film 12 comprising a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b formed thereupon, and an adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12.例文帳に追加

ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX wafer forming a highly reliable BOX, without introducing the process of an ITOX processing or epitaxial growth or the like, by implantation of for a low dose oxygen ions.例文帳に追加

低ドーズ量の酸素イオン注入で、ＩＴＯＸ処理やエピタキシャル成長等の工程を導入することなく、信頼性の高いＢＯＸを形成できるＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁