「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A wafer bevel processing section 2 is provided with a spray head 11, a valve 13, a valve 15, a valve 17, a valve 19, valves 25-28, a chemical collecting section 20, a chemical supply pump 21, a chemical supply pump 22, and a chemical supply tank 23.例文帳に追加

ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。 - 特許庁

In contrast, when the measured line width in the peripheral portion is smaller than the targeted line width, a treatment liquid must be supplied to the peripheral portion of the wafer after the development processing, and an amount of the treatment liquid to be supplied is set (Step S5).例文帳に追加

外周部の線幅測定結果が目標線幅より小さい場合には、現像処理後においてウェハの外周部に処理液を供給させ、当該処理液の供給量を設定する（ステップＳ５）。 - 特許庁

To provide a semiconductor production system in which process gas flow can be controlled such that a sufficiently good temperature uniformity can be realized in the plane of a wafer loaded in a processing container.例文帳に追加

本発明は、処理容器内に装填したウェーハ面内の十分に良好な温度均一性が実現されるようにプロセスガスの流れを制御することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the wafer on which the elements 3 are formed is cut for every head block, and slider shape processing of a plane 20 opposed to a magnetic recording medium constituted of cut planes of the head block is performed by etching.例文帳に追加

そして、素子３が表面に形成されたウェハ３１を各ヘッドブロック３２毎に切断し、該ヘッドブロック３２の切断面により構成される磁気記録媒体との対向面２０に、エッチングによるスライダ形状加工を施す。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape, along with a method for manufacturing it, of which sensor recognition performance is good even if an adhesive layer is thin (10 μm or less, especially 5 μm or less), with productivity and inspection precision being good.例文帳に追加

接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus including a substrate conveyance function correcting positional displacement of a wafer in an FOUP (Front Opening Unified Pod) loaded in a semiconductor manufacturing apparatus only by altering a conveyance method without providing an expensive device mechanism.例文帳に追加

半導体製造装置に投入されたＦＯＵＰ内のウェハ位置ずれを、高価な装置機構を装備せずに、搬送方式を改造するだけで補正することができる基板搬送機能を備えた基板処理装置 - 特許庁

In the film forming method, there is performed the film forming processing of a film forming recipe 1 wherein many sheets of wafers W are carried in a reaction container 2 by holding the wafers by a wafer boat 25, and e.g., Si_2 Cl_2 gas and NH_3 gas are used as film forming gases.例文帳に追加

多数枚のウエハＷをウエハボート２５に保持させて、反応容器２内に搬入し、例えばＳｉ_２Ｃｌ_２ガスとＮＨ_３ガスとを成膜ガスとして用いた成膜レシピ１の成膜処理を行う。 - 特許庁

To provide a work sizing device for a polishing device to polish one side of a plate-form work such as a silicon wafer, a glass plate, etc., capable of measuring accurately a work thickness during processing by removing an influence of heat, vibration, etc. which is generated.例文帳に追加

シリコンウエハやガラス板等の板状ワークの片面を研磨する研磨装置で、加工時のワーク厚みを発生する熱や振動等の影響を排除し、正確な計測可能とするワーク定寸装置の提供する。 - 特許庁

To enhance intra-plane uniformity in laser processing, in an apparatus in which a cup with a chuck arranged is horizontally moved and in which for example dicing is performed by a laser beam with a liquid interposed on the surface of a wafer.例文帳に追加

チャックが配置されたカップを水平方向に移動させ、ウエハの表面に液体を介在させてレーザー光により例えばダイシングを行う装置において、レーザー処理の面内均一性を向上させること。 - 特許庁

To provide a protective coating for protecting a dielectric material used for electrostatic clamping of a semiconductor wafer use in an integrated circuit processing apparatus, which can strongly protect the protective coating physically and chemically.例文帳に追加

集積回路処理装置において使用される半導体ウエハの静電気的クランピングに使用される誘電材を保護する保護被覆に関し、物理的及び化学的に強固な保護被覆を実現することを目的とする。 - 特許庁

When divided into the radiation plates 3 of individual size by (d), a semiconductor device having one semiconductor chip and one radiation plate larger than the semiconductor chip can be manufactured in batch processing of a wafer unit.例文帳に追加

そして、（ｄ）で個々のサイズの放熱板３に分割すると、１個の半導体チップとその半導体チップより大きい１枚の放熱板とを有する半導体装置が、ウエハ単位の一括処理で製造できる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can shorten the etching time by equalizing the temperature of semiconductor wafers to attain uniform etching within a semiconductor wafer plane and by improving the temperature response of an electrostatic attracting electrode.例文帳に追加

半導体ウェハの温度を均一にして、エッチング特性を半導体ウェハ面内で均一にし、また、静電吸着電極の温度レスポンスを向上させて、エッチング時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus which can prevent the generation of damage at the time of thermal processing and improve soaking performance on the surface of a wafer by optimizing a distance between wirings of a resistive heat generator.例文帳に追加

抵抗発熱体の配線間距離を最適化することによって、加熱処理時に損傷が発生せず、しかもウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method that not only improves the process for obtaining multiple devices by thinning only a device area enclosed by an outer peripheral surplus area but also enables a device to be divided in a regular way.例文帳に追加

外周余剰領域に囲まれたデバイス領域のみを薄化して複数のデバイスを得る過程の効率化を図り、また、通常と同様にデバイスの分割作業を行うことができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided pressure-sensitive adhesive tape which prevents the breakage of a wafer even when its thickness is as very thin as about 50 μm or the like, improves handling properties, can perform good processing to IC chips, and furthermore is easy to remove.例文帳に追加

厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハであってもウエハの破損等を防止し、取扱い性を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行え、更に、剥離が容易である両面粘着テープを提供する。 - 特許庁

An increasing demand for processing an ever- enlarging wafer or LCD substrate and for imparting a higher level plasma uniformity challenges design of a latest ICP type antenna and promotes the development of a generation source.例文帳に追加

益々大きくなるウェハあるいはＬＣＤ基板を処理し、益々高度のプラズマ均一性を与えることに対する増大する要求は、最近のＩＣＰ形アンテナ設計に挑み、発生源の開発を推し進める。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor wafer, when manufacturing a semiconductor wafer having a thin film on one main surface of a substrate, a sacrificial layer is provided on the other surface of the substrate before forming the thin film, and processing with an acid or alkali solution is performed, to substantially dissolve and eliminate the sacrificial layer after forming the thin film.例文帳に追加

本発明による半導体ウエハの製造方法は、基板の一方の主面に薄膜を有する半導体ウエハを製造するにあたり、前記薄膜を形成する前に、前記基板の他方の主面に犠牲層を設け、前記薄膜を形成した後に、酸またはアルカリ溶液で処理して前記犠牲層を実質的に溶解・除去することを特徴とする。 - 特許庁

In this case, prior to real processing, a relationship between the characteristic change of the device formed on the wafer and a shape parameter of the suscepter 5 is previously acquired, and the suspecter 5 brought into contact with a contact density of, for example, 0.01-1.6% with the wafer in number of, for example, 3-200 pieces of dimples 5b is selectively used.例文帳に追加

この際、実処理に先立って、Ｓｉウェハ上に形成されるデバイスの特性変動と、サセプタ５の形状パラメータとの関係を予め取得しておき、その関係に基づいて、例えばディンプル５ｂの数が３〜２００個で、Ｓｉウェハに対して例えば０．０１〜１．６％の接触密度で接するようなサセプタ５を選択的に用いる。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, which has high storage stability under various kinds of environments; capability of preventing an adherend from contamination even after use; and excellent followability to a level difference formed by a circuit pattern and also great stability of a floating amount over time when attached on a surface where the circuit pattern of the semiconductor wafer is formed.例文帳に追加

種々の環境下における保存安定性に優れ、使用後においても、被着体に対する汚染を防止することができ、また、半導体ウエハの回路パターン形成面に貼り合せた際に、回路パターンが形成する段差への追従性が優れており、かつ経時での浮き量安定性に優れた半導体ウエハ加工用粘着シートを提供する。 - 特許庁

To prevent cracks in splitting a large-area piezoelectric substrate wafer by sufficiently ensuring the thickness of a circular part surrounding a recess when employing batch processing of the wafer to mass-produce an ultra-small piezoelectric substrate having a vibration part formed by forming the recess by etching on a piezoelectric substrate surface made of an anisotropic piezoelectric crystal material.例文帳に追加

異方性圧電結晶材料から成る圧電基板面にエッチングによって凹陥部を形成することによって振動部を形成した超小型の圧電基板を、大面積の圧電基板ウェハを用いたバッチ処理により量産する場合に、凹陥部を包囲する環状部の肉厚を十分に確保して分割時のひび割れを防止する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 is equipped with: a spin chuck 4; a SC1 nozzle 5 for supplying SC1 having a high temperature (e.g. 80°C) toward a surface of a wafer W held by the spin chuck 4; a vapor nozzle 6 for supplying water vapor to the surface of the wafer W held by the spin chuck 4; and a cup 8 accommodating the spin chuck 4.例文帳に追加

この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。 - 特許庁

An upper heating element 3 which heats a single semiconductor wafer W arranged in a processing chamber 2 of the single wafer type heat treatment apparatus 1 from above is area-divided into a plurality of first to third upper heating zones 31a to 31c, and first to third upper heaters 5a to 5c which are brought individually under temperature control are arranged in the first to third upper heating zones 31a to 31c.例文帳に追加

枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。 - 特許庁

At the time of pretreatment preceding to nickel plating on a metal electrode, a chip or wafer fixed with an electrode is cleaned at least once with an organic solvent and then cleaned with UV ozone thus suppressing difference of processing in one electrode, between respective electrodes on one chip, and between electrodes on a wafer and between wafers.例文帳に追加

金属電極上にニッケルメッキを行う前の前処理を行うに際し、電極の付いたチップやウェハに対し、１回以上有機溶媒による洗浄を行うことと、UVオゾン洗浄を行うことにより、一つの電極内部・一つのチップ上の各電極間・ウェハ上及びウェハ間の電極間での処理の差を小さくすることが出来る。 - 特許庁

The small size liquid process equipment can secure the process safety by supplying liquids for processing in accordance with the sequence of the less damage liquid processes to a wafer W, pure water, H2O2, and NH4OH when the wafer W is processed by supplying the liquid mixed with a plurality of liquids (NH4OH, H2O2, pure water).例文帳に追加

ウエハＷに複数の処理液（ＮＨ4ＯＨ，Ｈ2Ｏ2，純水）を混合した混合液を供給して処理するに当たって、混合液を供給する際、ウエハＷに与えるダメージの少ない処理液順、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨに供給することことにより、ウエハＷにダメージを与えることなく、処理の安全性を図ることができる。 - 特許庁

To provide a composition for forming protective films, giving the protective films which are excellent in protective film characteristics for protecting wafer-holding surfaces on the processing of wafers and enable to easily peel off discarded protective films without a specific wafer-washing liquid, after used, and to provide a peeling method by which the protective film can be peeled without accompanying an environmental load.例文帳に追加

ウエーハの加工の際に、ウエーハ保持面を保護する保護膜特性が優れており、とくに使用後、不要になった保護膜を特定のウエーハ洗浄液を使用することなく、容易に剥離して除去できる保護膜が得られる保護膜形成用組成物および該保護膜を環境負荷が伴わず剥離除去できる剥離方法を提供すること。 - 特許庁

The degasification processing is performed by performing heat treatment on the semiconductor wafer 21 under a predetermined condition and a time condition, under an atmosphere where a nitrogen concentration is increased, for example, and in a state of facing the top face side (device surface side) of the semiconductor wafer 21, on which wiring 15, an external connection electrode 16 and the like are formed, downward (reversed).例文帳に追加

脱ガス処理は、例えば、窒素濃度を高くした雰囲気下で、かつ、配線１５や外部接続用電極１６などが形成された半導体ウエハ２１の上面側（デバイス面側）を下方に向けた状態（裏返した状態）で、半導体ウエハ２１を所定の温度条件及び時間条件で加熱処理することにより行われる。 - 特許庁

When a teaching key is pressed after replacement of a wafer, a CPU controls a Y-axis driving motor and an X-axis driving motor to move a Y table 24 and an X table 25 at the center of a wafer of a die feeder table 27 below a recognition camera 17, and then fetches an image imaged by the recognition camera 17 and then recognized by a recognition processing device.例文帳に追加

ウエハ交換後に教示キーを押圧すると、ＣＰＵはＹ軸駆動モータ及びＸ軸駆動モータを制御してＹテーブル２４及びＸテーブル２５を移動させ、認識カメラ１７の下方にダイ供給テーブル２７のウエハの中心を位置させて、この認識カメラ１７が撮像して認識処理装置が撮像した画像を取り込む。 - 特許庁

The present polishing equipment of semiconductor wafer forms a processing chamber which is arranged extendedly in an aperture of head body and in partition from exterior between it and the head body, comprises a roughly circular membrane holding the semiconductor wafer with an inner circumference lower surface, and prepares an air temperature controlling means for controlling a temperature of air directly pressurizing the membrane with air pressure.例文帳に追加

本半導体ウェーハの研磨装置は、ヘッド本体の開口部に張設されてヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で半導体ウェーハを保持するほぼ円形のメンブレンとを有し、メンブレンを直接空気圧により加圧する空気の温度を制御する空気温度制御手段を備える。 - 特許庁

During laser material processing, the portions of the wafer 11 on the opposite sides of a scheduled cut line 5 mesh each because of these cracks, and thereby internal stress occurring in the direction parallel with the thickness direction of the wafer 11 and perpendicular to a plane including the line 5 can be reduced by forming the reform region.例文帳に追加

従って、レーザ加工時に、これらの割れにより、ウェハ１１における切断予定ライン５を挟んだ両側の部分がそれぞれ噛み合い、よって、改質領域が形成されることで発生するウェハ１１の厚さ方向に平行であり且つライン５を含む面に対して垂直な方向に生じる内部応力を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor wafer, wherein the necessity or the associated difficulty of eliminating defects accumulated by vacant lattice points is dispensed with and the presence of defects caused despite of the above consideration does not create a risk to a function of an electronic component formed by later treatments of a semiconductor wafer in the following processing steps.例文帳に追加

半導体ウェハの製造にあたり、凝集した空格子点欠陥を除去しなければならないという必要性ひいてはそれに付随する困難を回避し、それにもかかわらずこのような欠陥タイプの現存が、以降のプロセスステップで半導体ウェハを後続処理して形成される電子コンポーネントの機能に対しリスクとはならないようにする。 - 特許庁

The A/D converter 210 uses an operating voltage generated by the 5V power supply 220 for a reference voltage and converts the voltage of the wafer 41, the converted voltage and the voltage generated by the shunt regulator 230 into the digital values, and the arithmetic processing section calculates the voltage of the wafer 41 and the converted voltage on the basis of the digital values of the voltage generated by the shunt regulator 230.例文帳に追加

コンバータ２１０は、５Ｖ電源２２０で生成された作動電圧を基準電圧とすると共に、ウエハ４１の電圧、変換電圧及びシャントレギュレータ２３０で生成された電圧をデジタル値に変換し、演算処理部は、シャントレギュレータ２３０で生成された電圧のデジタル値を基準にウエハ４１の電圧、換算電圧を算出する。 - 特許庁

The plasma processing system comprising a vacuum processing chamber 101, a means for supplying gas into the vacuum processing chamber 101, a plasma generating means 107, and an electrode 103 for mounting a wafer 104 is further provided with a supporting shaft 121 having a structure for making the electrode 103 movable, a structure for supplying a bias power to the electrode, and a structure for transporting a temperature conditioning medium of the electrode.例文帳に追加

真空処理室１０１と、真空処理室１０１内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段１０７と、ウエハ１０４を載置する電極１０３とを備えるプラズマ処理装置において、電極１０３の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸１２１を備える。 - 特許庁

The lithography apparatus comprises a resist processing device 1, the immersion aligner 2, a transfer device 3 coupled to the resist processing device 1 and aligner 2 for transferring a wafer 5 between the resist processing device 1 and aligner 2, and a temperature and moisture control unit 4 for controlling the temperature and moisture within the transfer device 3 based on the temperature and moisture within the aligner 2.例文帳に追加

リソグラフィー装置は、レジスト処理装置１と、液浸型の露光装置２と、レジスト処理装置１および露光装置２に連結され、レジスト処理装置１と露光装置２との間におけるウエハ５の搬送を行うための搬送装置３と、露光装置２内の温度および湿度に基づいて、搬送装置３の内部の温度および湿度を制御する温湿度制御ユニット４とを備えている。 - 特許庁

To provide a wafer alignment mark for image-processing alignment that improves deterioration in alignment accuracy caused by processes without increasing the occupation area of the alignment mark, can greatly improve overlapping accuracy, and further can increase throughput, and to provide an image-processing alignment method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

アライメントマークの占有面積を増加させることなく、プロセス起因のアライメント精度劣化を改善し、重ね合せ精度を格段に向上でき、さらにスループットを向上させることのできる画像処理アライメント用ウェハアライメントマーク及び画像処理アライメント方法並びに半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

On the basis of the result of a defect examination to be performed each time the layer of a wafer is formed, processing 41 is performed for making correspondent defect coordinates between respective examinations to recognize the defect and further, processing 43 is performed for deciding the size of that defect for each recognized defect to unify the defect sizes different for each examination of the defect.例文帳に追加

ウェーハの層形成毎に行われる欠陥検査の結果を元に、各検査間の欠陥座標を対応付ける処理４１を行って、同一欠陥を認識し、さらに、認識した同一欠陥毎に、その欠陥サイズを判定する処理４３を行って、同一欠陥の検査毎に異なる欠陥サイズを統一する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus is provided with a reaction tube 30 to form a substrate processing region to process a wafer W, a furnace flange 4 to support the reaction tube 30, a gas supply pipe 7 provided to the furnace flange 4 to supply the gas to the reaction tube 30, and a plasma generating means 32 to generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管４内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成するプラズマ生成手段３２とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon boat for supporting a semiconductor wafer W during thermal process comprises: a process of forming a silicon material into a boat by mechanical processing; and a process of removing or thinning a damaged layer D on the surface of the silicon material created by the mechanical processing.例文帳に追加

半導体ウェーハＷの熱処理時に半導体ウェーハを支持するシリコン製のボートの製造方法であって、機械加工によりシリコン材料をボートの形状に成形する工程と、前記機械加工で生じた前記シリコン材料の表面のダメージ層Ｄを除去又は薄くする工程とを有する。 - 特許庁

The initial pressure is found by processing the wafer W having a coverage ratio (of an area of an SiO2 divided by an area of an Si film layer) varying depending on the flow rate of Cl2, finding a difference between internal pressures of the chamber 104 before and after plasma generation, and adding a value obtained from the coverage ratio and pressure difference to a processing pressure value.例文帳に追加

初期圧力値は，Ｃｌ_2の流量に応じて，被覆率（ＳｉＯ_2膜層の面積／Ｓｉ膜層の面積）が異なるウェハＷに処理を施し，プラズマ生成前後の処理室１０４内の圧力差を求め，それら被覆率と圧力差から求められた値を処理圧力値に加算して求める。 - 特許庁

This method for producing the wafers includes a BMD forming process for forming inner micro-defects (BMD) at the inside by subjecting a silicon single crystal in an ingot state to heat treatment and a wafer processing process for processing the ingot in which the inner micro-defects (BMD) are formed into wafers.例文帳に追加

ウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行ない内部に内部微小欠陥（ＢＭＤ）を形成するＢＭＤ形成工程と、前記内部微小欠陥（ＢＭＤ）を形成したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程を有するウエーハの製造方法。 - 特許庁

With this configuration, a wafer W which is temperature-controlled at high precision in the second cooling part 3 is transferred as far as the processing unit in a high-precision adjusted atmosphere, for suppressed temperature-change during transfer, so that a coating liquid is applied while the temperature of substrate is kept with high precision, resulting in improved processing yield.例文帳に追加

このような構成では、第２の冷却部３にて高精度に温度制御されたウエハＷは、高精度調整雰囲気内を処理ユニットＵまで搬送されるので、搬送中の温度変化が抑えられ、高精度に基板の温度を維持した状態で塗布液の塗布処理が行われるので、処理の歩留まりが向上する。 - 特許庁

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

The peeling device 1000 comprising a processing chamber 10 for peeling a film formed on a wafer 1, a water vapor generating unit 26a for generating water vapor which is supplied to the processing chamber 10, and a carrier gas supply unit 28 for supplying a carrier gas to the water vapor generating unit 26a.例文帳に追加

本発明の膜剥離装置１０００は、ウエハ１上に形成された膜の剥離処理を行なう処理室１０と、前記処理室１０に供給する水蒸気を発生させる水蒸気発生装置２６ａと、前記水蒸気発生装置２６ａに、キャリアガスを供給するキャリアガス供給装置２８と、を含む。 - 特許庁

The electro-chemical deposition system generally includes: a mainframe having a mainframe wafer transfer robot; a loading station disposed so as to contact with the mainframe; one or more processing cells disposed so as to contact with the mainframe; and an electrolyte supply connected to the one or more processing cells with fluid.例文帳に追加

電気化学堆積システムは、通常、メインフレーム・ウェーハ移送ロボットを有するメインフレームと、前記メインフレームに接するように配置されたローディング・ステーションと、前記メインフレームと接するように配置された一つ以上の処理セルと、および前記一つ以上の電気処理セルに流体で接続された電解液供給とを具備する。 - 特許庁

The computer 12 stores processing conditions per level and the machine number of each apparatus 14 as an experiment level master in the form of a matrix of experiment steps and wafer numbers, and supplies processing conditions to each apparatus 14 in accordance with the experiment level master via the section 13.例文帳に追加

ウエハベース管理ホストコンピュータ１２は、水準毎の処理条件と使用する半導体製造装置の号機を実験工程とウエハ番号のマトリクスの形で実験水準マスタとして保持し、この実験水準マスタに従って、変換条件指示部１３を介して半導体製造装置１４に処理条件を与える。 - 特許庁

The two-fluid nozzle 3 for supplying droplets of DIW to a wafer W has a circular processing liquid delivery port 28 for discharging the DIW, a first gas discharge port 29 surrounding the processing liquid discharge port 28, and a second gas delivery port 31 surrounding the first gas delivery port 29.例文帳に追加

ＤＩＷの液滴をウエハＷに供給するための二流体ノズル３には、ＤＩＷを吐出する円状の処理液吐出口２８と、処理液吐出口２８を取り囲む第１気体吐出口２９と、第１気体吐出口２９を取り囲む第２気体吐出口３１とが形成されている。 - 特許庁