「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF PROTECTING FRONT SURFACE AND HOLDING SEMICONDUCTOR WAFER DURING PROCESSING OF REAR SURFACE THEREOF例文帳に追加

半導体ウェハ裏面加工時の表面保護方法および半導体ウェハの保持方法 - 特許庁

To optimize polishing processing capability while vibration during wafer polishing is kept to the minimum.例文帳に追加

ウェハ研磨中の振動を最小限に抑えながら研磨処理能力を最適にする。 - 特許庁

To provide a method and device by which the plasma processing of a semiconductor wafer can be controlled precisely.例文帳に追加

半導体ウェーハのプラズマ処理を精密に制御する方法及び装置に関する。 - 特許庁

The tool output of a manufacturing tool is determined based on the processing amount of a first wafer 1.例文帳に追加

第１のウェハ１処理分に基づき製造ツールのツール出力が定められる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor wafer which is less likely to break during processing.例文帳に追加

加工の際に割れにくい化合物半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of plasma processing conditions within a wafer plane and between wafers.例文帳に追加

ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上させる。 - 特許庁

To process even one fractional wafer which is left unprocessed in the same manner with normal processing even in such a case.例文帳に追加

端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同様に処理する。 - 特許庁

TAPE FOR WAFER PROCESSING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ウエハ加工用テープおよびウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する方法 - 特許庁

After the deposition, the wafer 1 is transported out of the processing chamber 52 using the transportation means 65.例文帳に追加

堆積後、搬送手段６５を用いてウェハ１を処理室５２内から搬出する。 - 特許庁

To provide a processing method capable of reducing particles that stick to wafer surfaces.例文帳に追加

半導体ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減する処理方法を提供する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR ELECTROCHEMICAL PROCESSING OF THIN FILM ON RESISTIVE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

抵抗性半導体ウェハ上に薄膜を電気化学処理するための装置及び方法 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF SILICON WAFER AND THREE-DIMENSIONAL SILICON INTERPOSER AND CHIP SIZE PACKAGE例文帳に追加

シリコンウエハの加工方法及び貫通電極付３次元シリコンインターポーザ並びにチップサイズパッケージ - 特許庁

In an epitaxial processing process, an annular first wafer holder 2 and a ring plate 3 are used.例文帳に追加

エピタキシャル処理工程では、円環状の第１ウェーハホルダ２とリング板３を用いる。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus equipped with a dehumidification means of performing efficient dehumidification.例文帳に追加

効率的な除湿がなされる除湿手段を備えたウェーハ加工装置を提供する。 - 特許庁

ADHESIVE SHEET FOR WAFER PROCESSING, MARKING METHOD USING THAT SHEET AND MANUFACTURING METHOD OF MARKING CHIP例文帳に追加

ウエハ加工用粘着シート、該シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法 - 特許庁

Exposure processing is applied to the photoresist on the wafer surface adjusted in the surface position.例文帳に追加

そして、面位置が調整されたウエーハ表面上のフォトレジストに露光処理を行う。 - 特許庁

An opening 2c at the upper end 2b of the processing tank is formed at a diameter larger than the wafer 1.例文帳に追加

処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。 - 特許庁

A susceptor 13 is arranged inside the processing chamber 10 and serves as a base where the wafer Waf is arranged.例文帳に追加

サセプタ１３は、処理チャンバ１０内に配備され、ウェハＷａｆ配置の基礎となる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING ADHESIVE SHEET USED FOR IT例文帳に追加

半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シート - 特許庁

A sheet for processing semiconductor wafer has an adhesive layer on one side of the substrate film.例文帳に追加

基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ加工用シートである。 - 特許庁

WAFER PROCESSING HARDWARE FOR EPITAXIAL DEPOSITION WITH WHICH AUTO-DOPING AND BACK SURFACE DEFECT ARE DECREASED例文帳に追加

オートドープおよび裏面欠陥が減少したエピタキシャル堆積用のウェーハ処理ハードウェア - 特許庁

CHUCK TABLE CLEANING METHOD, CHUCK TABLE CLEANING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR WAFER PLANAR PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

チャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置 - 特許庁

When the heating is completed; the heater is stopped, the pressure of the processing chamber is increased, and low temperature kept by the wafer case is transmitted to the wafer, thereby quenching the wafer.例文帳に追加

また加熱終了後ヒーターを停止して処理室の圧力を上昇させると、ウエハーケースの保持している低い温度がウエハーに伝わり、ウエハーを急冷却させる事が出来る。 - 特許庁

Thus, the cutting state of the outer periphery of the wafer 12 can be checked indirectly by checking the cut of the test wafer 30, thereby improving processing accuracy of the wafer 12.例文帳に追加

これにより，ウェハ１２外周部の切削状態のチェックを，テストウェハ３０の切削部をチェックすることで間接的に実行できるので，ウェハ１２の加工精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a wafer processing method for manufacturing, with high throughput, a wafer having a chamfered surface with high surface quality by eliminating the crack of the edge and the collapse of the shape of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハ等のウェーハのエッジのクラック、形状崩れ等を除去し、高い面質の面取り面を有するウェーハを高いスループットで生産することのできるウェーハ加工方法を提供する。 - 特許庁

In this wafer processing method after the rear face of the wafer 10 which is formed with a plurality of projections on the front face is ground by a grinding stone 35, the wafer 10 is cut by a cutting blade.例文帳に追加

本発明は，表面に複数の凸部が設けられたウェハ１０の裏面を研削砥石３５で研削した後，ウェハ１０を切削ブレードで切削するウェハ加工方法である。 - 特許庁

To provide a wafer aligning jig and a wafer aligning device by a simple structure capable of correctly aligning orientation flats of a plurality of wafers stored in a cassette, and a wafer processing device.例文帳に追加

カセットに収納された複数のウェーハに対し、簡単な構造でオリフラ合わせを正確に行うことができるウェーハの整列冶具、ウェーハの整列装置およびウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which a product wafer is mounted adjacently to a dummy wafer on a board and that improves the uniformity of the film thickness between surfaces of the product wafer.例文帳に追加

ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pre-alignment method of a semiconductor wafer, capable of shortening the time required for pre-alignment, and shortening the time for transferring the semiconductor wafer to a processing section for the semiconductor wafer.例文帳に追加

プリアライメントに要する時間を短縮し、半導体ウエハの処理部への半導体ウエハの搬送時間を短縮することができる半導体ウエハのプリアライメント方法を提供する。 - 特許庁

Since the plasma generated between the pair of main electrodes passes through the center of the wafer, rotation of the wafer enables the plasma processing condition in the wafer surface to be uniformalized.例文帳に追加

主電極対間に生成されたプラズマはウエハ中心を貫通した状態になっているので、ウエハを回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device capable of improving handling property of a thinned wafer, polishing wheel of semiconductor wafer, and a processing apparatus of a semiconductor wafer.例文帳に追加

薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置を提供すること。 - 特許庁

The wafer edge and wafer reverse surface processing device 100 include: a rotary table 110 having four wafer holding portions 111-114; a grinding portion 120 for grinding a predetermined surface of a wafer 10; a polishing portion 130 for enhancing the smoothness of the ground surface of the wafer 10; and a blasting portion 140 for removing the crack of the wafer edge.例文帳に追加

ウェーハエッジ及びウェーハ裏面加工装置１００は、４つのウェーハ保持部１１１〜１１４を備えた回転盤１１０と、ウェーハ１０の所定の面を研削する研削部１２０と、ウェーハ１０の研削面の平滑度を高めるためのポリッシング部１３０と、ウェーハエッジのクラック除去するブラスト部１４０とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, a wafer transfer device 24 for transferring a wafer W from the upstream side is disposed in each processing unit 11, and the wafer transfer device 24 for transferring the wafer W to the load lock chamber 2b from the processing unit 11 on the downstream end is disposed in the transfer module 12.例文帳に追加

また、各々の処理ユニット１１内に上流側からウエハＷを移載するためのウエハ搬送装置２４を配置すると共に、下流端の処理ユニット１１からロードロック室２ｂにウエハＷの移載を行うためのウエハ搬送装置２４を搬送モジュール１２内に設ける。 - 特許庁

After this, after opening a gate valve and carrying the wafer into a processing chamber (steps 102 and 103), the gate valve is closed, and processing gas is introduced to the processing chamber (step 104).例文帳に追加

その後、ゲートバルブを開いてウエハを処理室に搬入した後（ステップ１０２、１０３）、ゲートバルブを閉じて処理室に処理ガスを導入する（ステップ１０４）。 - 特許庁

The wafer W is cooled to predetermined temperature in the thermal processing apparatus 101 and then to room temperature in the processing apparatus 100, and carried out from the processing apparatus 100.例文帳に追加

熱処理装置１０１内で所定程度まで冷却させた後、処理装置１００内で室温程度まで冷却し、処理装置１００外に搬出する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and processing apparatus capable of remarkably decreasing an amount of foreign materials adhered to a wafer so as to improve the yield in plasma processing processes for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁

Dicing processing, laser processing, etching processing, or the like is adapted to the semiconductor wafer 2 having the film 1 formed to its surface part to form a groove 5 for cutting the film 1.例文帳に追加

表面部に膜１が形成された半導体ウェハ２に、ダイシング加工、レーザ加工、エッチング加工等を適用して、膜１を切断する溝５を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and an apparatus for processing a wafers with excellent reproducibility by suppressing variation in processing size of each wafer without reducing the throughput.例文帳に追加

プラズマを用いたウエハの処理において、スループットを低下させることなく、ウエハ毎の加工寸法の変動を抑え再現性良くウエハを加工する。 - 特許庁

Whenever each processing is performed on the wafer 9, the whole image of the wafer 9 is photographed by a camera 8, the presence of the cracks is judged on the wafer 9 by performing processing on the image photographed by a discriminating machine 10.例文帳に追加

ウェハ９に各処理が施される毎にカメラ８によりウェハ９の全体像を撮影し、識別機１０により撮影された画像に処理を施すことにより、ウェハ９における割れまたはクラックの有無を判別する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 has a treating chamber 12 housing a wafer W, a conveying arm 17 conveying the wafer W to the treating chamber 12 and a susceptor 45 being arranged in the processing chamber 12 and placing the conveyed wafer W.例文帳に追加

基板処理装置１は、ウエハＷを収容する処理チャンバ１２と、該処理チャンバ１２にウエハＷを搬送する搬送アーム１７と、当該処理チャンバ１２に配置され、搬送されたウエハＷを載置するサセプタ４５とを備える。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the amount of processing on a wafer, especially, in the inner area and the periphery of the wafer, while keeping high processing efficiency, concerning the planalizing technique of the surface pattern of the wafer used in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造工程で用いられるウェハの表面パターンの平坦化技術に関して、高い加工能率を維持したまま、ウェハ面内、特にウェハ周辺部での加工量の均一性を向上させる。 - 特許庁

An information on wafer showing which processing system of the first and second processing systems 21 and 22 processes the wafer is transmitted to the following processing device including an aligner 10 through a communication line 40.例文帳に追加

各ウエハが第１の処理系２１及び第２の処理系２２のいずれの処理系で処理されたかを示すウエハ処理情報は、露光装置１０を含む後段の処理装置に通信線４０を介して伝達される。 - 特許庁

To provide a batch type vacuum processing apparatus capable of efficiently performing surface processing such as removal of a natural oxide film of a wafer by using remote plasma processing process and capable of reducing deterioration in wafer yield, device loads and so on.例文帳に追加

遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。 - 特許庁

When plasma is generated in the processing vessel 2 and processing gas or etching gas is introduced thereinto to etch the resist mask on the surface of the wafer, the uniform etching rates in the surface of the wafer can be carried out and uniform processing can be effected.例文帳に追加

処理容器２内にプラズマを発生させ、ここに処理ガスであるエッチングガスを導入してウエハ表面のレジストマスクをエッチングすると、ウエハの面内のエッチングレートが揃えられ、均一な処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide single wafer substrate processing equipment and a method for achieving high efficiency drying when a substrate is processed by single wafer processing while preventing condensation of organic solvent used in dry processing.例文帳に追加

枚葉式で基板を乾燥させる際、乾燥処理に用いる有機溶剤の蒸気の結露を防止しながら高効率な乾燥を実現する枚葉式の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁