「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a substrate processing equipment, facilitated in the estimation of a wafer temperature and capable of reducing overshoot in the wafer by the estimated temperature of the wafer, and capable of stabilizing a temperature in the surface of the wafer at a predetermined temperature with an excellent accuracy within a short period of time.例文帳に追加

ウェーハ温度の推定が容易であり、ウェーハの推定温度によりウェーハでのオーバーシュートが軽減でき、ウェーハ面内の温度を精度良く、短期間で所定の温度に安定させることができる基板処理装置を得る。 - 特許庁

In a substrate-cleaning processing method, where a semiconductor wafer W is dipped into a processing solution and a cleaning solution for cleaning and processing, the lower part of the wafer W is stopped once, when it comes into contact with the liquid level of pure water L when the semiconductor wafer W subjected to processing with a processing solution is immersed into an overflowing pure water L.例文帳に追加

半導体ウエハＷを垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する基板洗浄処理方法において、処理液での処理が終わった半導体ウエハＷを、オーバーフローする純水Ｌに浸漬する際、純水Ｌの液面と半導体ウエハＷの下部とを接触させ一旦停止する。 - 特許庁

The system control device 40 is stored with data on correlation between a processing condition of the etching processing and a removal amount of the pattern structure on the wafer surface by the etching processing, and sets the processing condition of the etching processing based upon the measurement result of the size of the pattern structure on the wafer surface and the data on the correlation, so that the pattern structure on the wafer surface after the etching processing has a desired size.例文帳に追加

システム制御装置４０は、エッチング処理時の処理条件とエッチング処理によるウェハ表面のパターン構造の削れ量との相関データが記憶され、ウェハ表面のパターン構造の寸法の測定結果と相関データに基づいて、エッチング処理後のウェハ表面のパターン構造が所望の寸法になるように、エッチング処理時の処理条件を設定する。 - 特許庁

In the wafer surface processing method involving chemical processing, the chemical processing is characterized by including a reaction controlling processing step, and a diffusion controlling processing step following the reaction controlling processing step.例文帳に追加

化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 - 特許庁

When the processing is completed, the processing chamber is evacuated in a state where the processing gas is introduced in the processing chamber (step 106), and the wafer is exchanged in a state where the processing gas is introduced in the processing chamber (steps 107 to 109).例文帳に追加

処理が終了したならば、処理室に処理ガスを導入した状態で処理室を真空排気し（ステップ１０６）、さらに処理室に処理ガスを導入した状態でウエハの交換を行なう（ステップ１０７〜１０９）。 - 特許庁

Coating/developing equipment 1 provided with a development processing unit for subjecting development processing to a wafer W is provided with an inspection device 48 for detecting a defect generated in the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニットを具備した塗布現像処理装置１に，ウエハＷに生じた欠陥を検出する検査装置４８を備える。 - 特許庁

Furthermore, the outer periphery of the laminated wafer is ground, an SOI layer 15 is formed by thin film processing, and bevel faces 16 and 17 are formed around the outer periphery of the wafer by bevel processing, mirror-polishing, etc.例文帳に追加

以下、貼り合わせたウェーハの外周研削、薄膜化加工によるＳＯＩ層１５の形成、ベベル加工、鏡面研磨等を行いウェーハ外周部にベベル面１６，１７を形成する。 - 特許庁

To provide a Si(100) wafer which increases the obtained number of device chips, and which is not destructed with a notch as a starting point in a process for processing the wafer or a process for processing the device.例文帳に追加

デバイスチップの取得個数が増加し、かつウェーハの加工プロセスあるいはデバイスの加工プロセスにおいて、ノッチを起点としてウェーハが破壊されることがないＳｉ（１００）ウェーハが実現する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, wherein the method reduces chipping occurring to an annular projection and efficiently discharges a processing liquid, such as an etchant and a resist liquid, to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエーハ外に排出可能なウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, wherein the method reduces chipping occurring to an annular projection and efficiently discharges a processing liquid, such as an etchant and a resist liquid, to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエーハ外に排出可能なウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, wherein the method reduces chipping occurring to an annular projection and efficiently discharges a processing liquid, such as an etchant and a resist liquid, to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状凸部に発生する欠けを減少させるとともに、エッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエハ外に排出可能なウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer that has less remains of an adhesive caused by an adhesive tape for semiconductor processing even when a semiconductor wafer having a circuit formed thereon is processed.例文帳に追加

回路が形成された半導体ウエハを加工した場合であっても、半導体加工用粘着テープに起因する粘着剤の糊残りがない半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of highly accurately controlling temperature distribution in a wafer surface, and extending the range of wafer temperatures allowed to be controlled.例文帳に追加

ウエハ面内の温度分布を高精度制御することができ、また制御できるウエハ温度の範囲を広くすることができるプラズマ処理装置および処理方法を供給する。 - 特許庁

The wafer rearranging device 103 rearranges the wafers w1-wn to be supplied to the manufacturing device 102 in the processing order outputted by the wafer processing order instruction part 104.例文帳に追加

ウエハ並び替え装置１０３によって、製造装置１０２に供給されるウエハｗ１〜ｗｎを、ウエハ処理順序指示部１０４によって出力された処理順序に並び替える。 - 特許庁

To provide a distortion detecting mechanism for reflection type projec tion aligner, capable of detecting distortion of projected image in real time, in wafer product processing to realize high accuracy wafer processing.例文帳に追加

ウェハ製品処理時に投影像の歪みに応じてリアルタイムに検知が可能で、高精度のウェハ加工を実現する反射投影露光装置の歪み検出機構を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet that is used in processing article such as a semiconductor wafer that causes neither contamination nor breakage of the semiconductor wafer during the processing.例文帳に追加

半導体ウエハ等の製品を加工する際に使用される粘着シートであり、加工中に半導体ウエハ等を汚染したり破損することがない粘着シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer that can form a processing trench at a boundary between a device region and an external circumferential extra region without giving any damage on a device region of wafer.例文帳に追加

ウエーハのデバイス領域を損傷させることなく、デバイス領域と外周余剰領域との境界部に加工溝を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a silicon oxide film by plasma CVD, which has good uniformity in film thickness in the wafer surface by processing the wafer surface with an alternate method instead of plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理に代わる方法によってウエハ表面を処理し、膜厚のウエハ面内均一性が良好なシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for supplying slurry, capable of completely processing a wafer in processing even when a slurry supply engine runs down, as is the case in a double supply system without disposing any double supply system, and capable of processing the wafer without damaging the wafer in processing while reducing initial investment costs.例文帳に追加

ダブルの供給系を設けることなく、ダブルの供給系と同様にスラリーの供給エンジンがダウンしても、処理中のウエハを完全に処理することができ、初期投資のコストを低減したまま、処理中のウエハの損害を出すことなく処理できるスラリー供給装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

The wafer case housing wafers is set in the processing chamber of the processing device after it is cooled, the pressure of the processing chamber is reduced so that the temperature of the wafer case may be transmitted to the wafer, and the processing chamber is heated in vacuum state.例文帳に追加

冷却が可能で熱源からの光エネルギーを透過するウエハーケースと減圧から加圧まで調整可能な処理室を用意し、ウエハーを収納したウエハーケースを冷却後熱処理装置の処理室にセットし、ウエハーケースの温度がウエハーに伝わらないよう処理室の圧力を下げ真空状態にして加熱する。 - 特許庁

Then, the transfer of the wafer W to the processing unit 11 of the upstream end from the load lock chamber 2a, transfer of the wafer W to the load lock chamber 2b from the processing unit 11 of the downstream end, and transfer of the wafer W to the processing unit of the downstream side from the processing unit 11a of the upstream side are performed simultaneously.例文帳に追加

そして、ロードロック室２ａから上流端の処理ユニット１１へのウエハＷの移載と、下流端の処理ユニット１１からロードロック室２ｂへのウエハＷの移載と、上流側の処理ユニット１１ａから下流側の処理ユニット１１へのウエハＷの移載とを同時に行う。 - 特許庁

The respective wafer input to the aligner 10 is allocated to a plurality of processing stems of the aligner 10 so that the wafer processed by the same processing system of the CMP apparatus 20 may be processed by either of two processing systems 11 and 12 of the aligner 10, and the wafer is subjected to exposure in the respective processing system.例文帳に追加

露光装置１０に投入されたロットの各ウエハは、ＣＭＰ装置２０の同一の処理系で処理されたウエハは、露光装置１０の２つの処理系１１、１２のいずれか同一の処理系で処理されるように、露光装置１０の複数の処理系に割り振られ、各処理系において露光処理が行われる。 - 特許庁

The progress of the processing of the wafer of which defects have been detected (for example, a heat treatment process, such as rapid thermal anneal) is stopped to prevent damage to the wafer.例文帳に追加

欠陥が検知されたウェーハの処理（例えば、ラピッド・サーマル・アニールのような熱処理工程）の進行を停止し、ウェーハの破損を防止する。 - 特許庁

To provide a method of processing an optical device wafer which capable of dividing the wafer into individual optical devices without degrading the quality of the optical device.例文帳に追加

光デバイスの品質が低下させることなく個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method that reduces chip occurring at the outer periphery of a device chip and reduces a risk that a wafer is damaged.例文帳に追加

デバイスチップの外周に発生する欠けを低減するとともにウエーハを破損させるリスクを低減したウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer by which the wafer having a reinforcing portion at the outer circumference of a device formation region can be divided in a shorter period of time.例文帳に追加

素子形成領域の外周に補強部を形成したウェハーをより短時間で分割可能なウエハーの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology for efficiently removing particles from the surface of a wafer while the damage of the wafer is suppressed in a substrate processing apparatus.例文帳に追加

基板処理装置において、基板に対するダメージを抑制しつつ、基板の表面からパーティクルを効率よく除去できる技術を提供する。 - 特許庁

Then, it is determined whether the PL wavelength is good or not, and wafers meeting with predetermined standards are put into the wafer process to perform wafer process processing.例文帳に追加

そしてＰＬ波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, by which a wafer can accurately be divided along streets and the thickness of a device can be made thin.例文帳に追加

ウエーハをストリートに沿って正確に分割するとともにデバイスの厚みを薄く形成することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer with a substrate, wherein the method can remove a chamfered portion of a wafer outer periphery without damaging the substrate.例文帳に追加

サブストレートを損傷させることなくウエーハ外周の面取り部を除去することが可能なサブストレート付きウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer surface processing method capable of forming the surface shape of a silicon wafer freely, including improvement in the planarity level of the polished surface.例文帳に追加

研磨面の平坦度レベルの改善を含め、シリコンウェーハの表面形状を自由に造り込めるウェーハ表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus, capable of effectively eliminating charged static electricity in a short time, even for a wafer housed inside a cassette.例文帳に追加

カセット中に収容されたウエーハでも、帯電した静電気を短時間で効果的に除去可能なウエーハ加工装置を提供することである。 - 特許庁

To realize a uniform plasma processing (such as etching) within a wafer plane by increasing the uniformity of an incident ion energy distribution function within the wafer plane.例文帳に追加

ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for semiconductor wafer processing that is efficiently stuck on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ加工用接着テープを効率よく半導体ウエハに貼り付けることができる半導体ウエハ加工用接着テープを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling the wafer temperature such that uniform processing results can be attained by making thermal conduction constant between a wafer and a lower electrode.例文帳に追加

ウェハと下部電極との間の熱伝導を一定にし、均一なプロセス結果が得られるようなウェハ温度の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing wet treating apparatus capable of uniformly treating a central and outer portions of even a large wafer.例文帳に追加

大型のウエハにおいても中心部分と外側部分で均一な処理を行うことが可能な枚葉型のウエット処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for grinding a wafer, capable of reducing a grinding processing time and the risk of damage to a wafer during handling thereof.例文帳に追加

研削加工時間を短縮するとともにハンドリング中にウエーハの破損する恐れを低減が可能なウエーハの研削方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus such as a grinding apparatus which positions a semiconductor wafer in a predetermined direction, then carries the semiconductor wafer out to a next process.例文帳に追加

半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後、次工程へ搬出可能な研削装置等の加工装置を提供することである。 - 特許庁

METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF EXECUTING LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY, AND EDGE BEAD ELIMINATING DEVICE USED TOGETHER WITH LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY PROCESSING例文帳に追加

半導体ウェハの処理方法，半導体ウェハ，液浸リソグラフィの実施方法，および液浸リソグラフィ処理と共に使用するエッジビード除去装置 - 特許庁

To provide a wet type process station for a semiconductor wafer which prevents an etchant or a processing solution from reaching the reverse side of the wafer.例文帳に追加

エッチング液又は処理溶液がウェーハの裏側に達することを防止する半導体ウェーハのための湿式プロセス・ステーションを提供する。 - 特許庁

To easily separate a wafer from a support substrate while preventing the cracking of the wafer, after processing the rear face of the wafer in such a state that the support substrate is bonded to the front face of the wafer, in manufacturing a semiconductor device such as an IGBT which has a thin thickness by back-grinding the rear face of the wafer.例文帳に追加

ウエハ裏面をバックグラインドしてデバイス厚の薄いＩＧＢＴ等の半導体素子を製造するにあたり、ウエハ表面に支持基板を接合した状態でウエハ裏面の加工をした後、ウエハが割れるのを防ぎながら、支持基板からウエハを容易に離脱させること。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing wafer which is laminated on the wafer surface in order to protect the luminous layer or the circuit surface and to allow for grinding the backside of the wafer to a predetermined finish thickness with no problem, in a process of grinding the backside of a brittle wafer, especially a sapphire wafer.例文帳に追加

本発明は、脆性ウェハ、特にサファイアウェハの裏面を研削する工程において、該ウェハ表面に貼合することにより発光層や回路面を保護するとともに、該ウェハの裏面を所定の仕上げ厚さまで問題なく研削することを可能とする、ウェハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

This substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 1 for rotating a wafer W while holding it, a processing liquid nozzle 2 for supplying a processing liquid to the wafer W, a scrubbing brush 3 for scrubbing the wafer W, a nozzle transfer mechanism 4 for transferring this scrubbing brush 3, and a standby pot 5.例文帳に追加

この基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャック１と、ウエハＷに処理液を供給する処理液ノズル２と、ウエハＷをスクラブするスクラブブラシ３と、このスクラブブラシ３を移動させるノズル移動機構４と、待機ポット５とを備えている。 - 特許庁

This substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 1 for rotating a wafer W while holding it, a processing liquid nozzle 2 for supplying a processing liquid to the wafer W, a scrubbing brush 3 for scrubbing the wafer W, a nozzle transfer mechanism 4 for transferring this scrubbing brush 3, and a standby pot 5.例文帳に追加

この基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャック１と、ウエハＷにアルカリ性処理液を供給する処理液ノズル２と、ウエハＷをスクラブするスクラブブラシ３と、このスクラブブラシ３を移動させるノズル移動機構４と、待機ポット５とを備えている。 - 特許庁

To provide a wafer support and an electrostatic wafer support in which reproducibility of processing characteristics is sustained while enhancing uniformity in the temperature distribution on the surface of a semiconductor wafer in processing by enhancing the cooling effect thereof and production efficiency is enhanced by reducing the processing time.例文帳に追加

処理中の半導体ウエハの冷却効果を高めることにより、半導体ウエハ表面上の温度分布の均一性を高めて処理特性の再現性を維持し、処理時間が減少して生産効率が高くなるウエハ支持装置及びウエハ静電支持装置を提供する。 - 特許庁