| 例文 |
wafer processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2476件
Fluoric acid is supplied to the nearly entire area on the top surface Wa of the wafer from the processing liquid nozzle 31, and liquid drops are supplied from the liquid drop nozzle 21 to the wafer top surface Wa.例文帳に追加
処理液ノズル31からウエハ上面Waのほぼ全域に弗酸が供給されつつ、液滴ノズル21からウエハ上面Waに向けて液滴が供給される。 - 特許庁
Further, as wax or the like is not coated for fixing the sample wafer W, it is unnecessary to remove deposits on a wafer mirror face processing face W2, and the check efficiency is not adversely influenced.例文帳に追加
また、試料ウェハWを固定するためにワックスなどを塗布しないので、ウェハ鏡面加工面W2の付着物を除去する必要がなく、検査効率に影響を与えることがない。 - 特許庁
To forbid conveyance of a wafer to a new conveyance place if processing being performed immediately before in the PM of a new conveyance place of a wafer which has been made to retreat upon occurrence of a fault has a predetermined content.例文帳に追加
異常発生時に退避させたウエハの新たな搬送先のPMにて直前に実行される処理の内容が所定の場合、新たな搬送先への搬送を禁止する。 - 特許庁
To provide a wafer processing apparatus that shortens a time needed for forming a resist pattern while keeping the wafer cleaning efficiency high, and also to provide a production method of a semiconductor device.例文帳に追加
基板の洗浄効率を高く維持しながら、レジストパターンの形成に要する時間を短縮することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加
ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing device capable of preventing damage of a wafer due to support by a support member when multiple times of heat treatment are executed to the wafer in a heat treatment module.例文帳に追加
ウエハに対して熱処理モジュールにて複数回の熱処理を行うにあたって、支持部材の支持に起因したウエハの損傷を防止することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus capable of making the temperature of a wafer on a susceptor uniform even in the case of applying precoat on the susceptor supporting the wafer, and provide the susceptor used for the same.例文帳に追加
ウエハを支持するサセプタにプリコートを施した場合でも、その上のウエハの温度を均一にすることができる基板処理装置およびそれに用いられるサセプタを提供する。 - 特許庁
To provide a method for efficiently manufacturing a semiconductor element, based on a thin-plate type semiconductor wafer accompanying plating process, by averting breakage of the thin-plate type wafer at plating processing.例文帳に追加
メッキ処理時における薄板型ウェハの破損を回避し、メッキ処理を伴う薄板型半導体ウェハをベースとする半導体素子を効率よく製造する方法を提供すること。 - 特許庁
The processing method for the wafer includes: a water repellency imparting process of making a surface of the semiconductor wafer repellent; and a hydrophilicity imparting process of making the surface hydrophilic using an oxidizing gas.例文帳に追加
半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。 - 特許庁
To appropriately manage a processor required for every semiconductor wafer and to prevent dispersion of a characteristic, when the semiconductor wafer is processed by parallel processing by means of plural processors (aligners).例文帳に追加
複数の処理装置(露光装置)による並行処理によって半導体ウェーハを処理する場合に、各半導体ウェーハ毎に必要な処理装置を適正に管理し、特性のバラツキを防止する。 - 特許庁
A wafer adhered to the dicing tape having an adhering property arranged to a dicing frame is held by a chuck table 41 and the wafer is processed by a laser processing means 50 in this state.例文帳に追加
ダイシングフレームに配設された粘着性を有するダイシングテープに貼着されたウェーハをチャックテーブル41で保持し、この状態でウェーハにレーザ加工手段50により加工を施す。 - 特許庁
The second control computer 4 controls a semiconductor treatment apparatus so that it treats the wafer held in the boat according to the wafer transfer parameters, according to the processing recipe.例文帳に追加
第2の制御用コンピュータ4は、ウエハ移載パラメータに従ってボートに収容されたウエハに対して、処理レシピに従った処理を行うように半導体処理装置を制御する。 - 特許庁
An ejection region of the nozzle 4 is selected in accordance with the region to be coated of the wafer W, and consequently the ejection to regions outside the wafer W is reduced to save the processing liquid.例文帳に追加
これによりウエハWの塗布領域に併せてノズル4の吐出領域が選択され、ウエハW以外の領域への吐出が少なくなるので、処理液の省量化が図られる。 - 特許庁
This allows the present invention to react rapidly to maintain rapidly changing desired conditions within a wafer processing chamber and to maintain a greater degree of uniformity of those conditions throughout the wafer.例文帳に追加
これにより、本発明は、迅速な応答が可能になり、ウエハ処理チャンバ内で所望の条件の高速変化を維持し、またウエハ全体に対する条件の高い均一性を維持する。 - 特許庁
The problem is solved by a method of processing the silicon wafer comprising a step of flattening the fine irregularities present on the side of the silicon block or the silicon stack that is used to manufacture the silicon wafer.例文帳に追加
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁
To provide a substrate processing device suppressing deterioration of a device working rate resulting from performing a wafer recovery work or the like by performing retry processing even if predetermined processing stops due to a failure.例文帳に追加
異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Consequently, the exhaust pressure does not change large in acid-related processing in one processing chamber as compared with alkali-related processing to suppress sticking of particles onto the wafer due to change in exhaust pressure.例文帳に追加
これにより、1つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 - 特許庁
To provide a laser processing apparatus employing a polygon mirror capable of processing an object without exchanging arrangements, preventing a recast phenomenon, and processing the object, such as a wafer, with high precision dimension.例文帳に追加
装備の交換なしに加工物を加工することができ、リキャスト現象を防ぎ、高精密度でウェハーなどの対象物を加工することができるポリゴンミラーを利用するレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁
The interface part 4 and a processing part 3 are provided with a wafer carrying chuck 18 for holding the plural wafers W held by the holding tools 20, and for carrying the plural wafers W to each processing unit 51-53 of the processing part 3.例文帳に追加
インターフェース部4及び処理部3には、保持具20にて保持された複数のウエハWを保持して、処理部3の各処理ユニット51〜53内に搬送するウエハ搬送チャック18を配設する - 特許庁
According to such an arrangement, modifications on the latest processing conditions can be reflected in units of wafers, including wafers on which processing is already started, whereby accurate wafer processing control can be attained.例文帳に追加
この構成により、処理開始済みのウェハも含めてウェハ単位で最新の処理条件への変更を反映することが可能となり、高精度なウェハ処理の制御を実施することが可能となる。 - 特許庁
To provide a measuring device incorporating a substrate having sensors to measure processing conditions that a wafer may undergo during manufacturing.例文帳に追加
製造時にウェハが受け得る処理条件を測定するセンサを備える基板を組み込んだ測定デバイスを提供する。 - 特許庁
Therefore, a silicon wafer is not required to be previously rounded in a chamfering process, so that a processing load can be lessened in a chamfering process.例文帳に追加
よって面取り時に予め真円加工する必要がなく、面取り工程での加工作業の負担を軽減できる。 - 特許庁
To provide a new semiconductor packaging technique which can realize thinning without depending on a rear surface processing for a silicon wafer.例文帳に追加
シリコンウェーハの裏面加工に頼らずに薄型化が実現できる、新たな半導体実装技術を提供すること。 - 特許庁
A part of the fine abrasive grains of blast processing enter the gap and the crystal wafer surface opposite to the gap is also ground.例文帳に追加
この隙間にブラスト加工の微細砥粒の一部が入り込んで、該隙間に面する水晶ウエハ面をも研削する。 - 特許庁
To provide a long body of a tape for wafer processing, which prevents a transfer mark from being formed owing to a step of a joint part.例文帳に追加
継ぎ部の段差によって生じる転写痕の発生を防止するウエハ加工用テープの長尺体を提供する。 - 特許庁
After that, spinning dry processing is executed, thereby drying the wafer W while suppressing a water mark from occurring.例文帳に追加
その後、スピンドライ処理を実施することにより、ウォーターマークの発生を抑制しつつウエハWを乾燥させることができる。 - 特許庁
In this regard, circumferential edge of each wafer (111) is subjected to optical processing while sustaining the supporting stage by the rotary rollers (112).例文帳に追加
このとき、回転ローラ(112) による支持状態を維持したまま、各ウエハ(111) の周縁部に対する光学的処理を行う。 - 特許庁
The shock resistance is obtained by forming a compressive stress layer on the surface of the wafer supporting glass by chemical strengthening processing.例文帳に追加
耐衝撃性は化学強化処理によりウエハ支持ガラスの表面に圧縮応力層を形成することが好ましい。 - 特許庁
A wafer 50 for circuit chips is prepared which has a plurality of signal processing circuit parts 23 formed, and physical quantity sensors 10 are also prepared.例文帳に追加
信号処理回路部23が複数形成された回路チップ用ウェハ50を用意し、物理量センサ10を用意する。 - 特許庁
Therefore it is possible to perform the dicing-processing without damaging devices formed on the surface of the wafer W.例文帳に追加
したがって、ウェーハWの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ダイシング処理を行うことが可能となる。 - 特許庁
To provide a method for evaluating a single crystal silicon wafer in which defects caused by processing can be detected with high sensitivity.例文帳に追加
加工起因欠陥をより高感度に検出することが可能な単結晶シリコンウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁
The waveguide with tapered coupling elements or with beveled end can be fabricated by means of conventional wafer processing.例文帳に追加
テーパ状結合素子または面取りした端を有する導波管は、従来のウェハ処理によって製造可能である。 - 特許庁
The method further includes a constant speed rotation step of rotating the wafer 20 at the first rotation speed after the processing of the accelerated coating step.例文帳に追加
加速塗布工程の処理後に、ウエハ20を第1の回転速度で回転させる定速回転工程を更に含む。 - 特許庁
The method further includes a constant speed rotation step of rotating the wafer at the first rotation speed after the processing of the accelerated coating step.例文帳に追加
加速塗布工程の処理後に、ウエハを第1の回転速度で回転させる定速回転工程を更に含む。 - 特許庁
Then, processing such as etching is performed on the substrate from the side opposite from the side to which the carrier wafer is attached, and the MEMS device is fabricated.例文帳に追加
その後キャリアウエハを取り付けた反対側から基板にエッチングなどの加工を行いMEMSデバイスを作成する。 - 特許庁
The composition for cleaning a residue and a cleaning method in a semiconductor wafer processing step are provided.例文帳に追加
本発明は、半導体ウェハ加工工程において、残渣物を洗浄するための組成物及び洗浄方法に関する。 - 特許庁
The processing machine using a laser beam is provided with laser beam machining means (64, 164) to execute irradiation of the laser beam to a workpiece (the semiconductor wafer 34).例文帳に追加
被加工物(半導体ウエーハ34)にレーザビームを照射するレーザビーム加工手段(64、164)を具備する。 - 特許庁
The carrying of the wafer W between the development processing unit and the inspection device 48 is conducted by a main carrying device 13.例文帳に追加
現像処理ユニットと検査装置48との間におけるウエハWの搬送を主搬送装置13によって行う。 - 特許庁
To enable a wafer as a processing object introduced in a vertical oven to be improved in the uniformity of a time integral value of temperature through its surface.例文帳に追加
縦型炉において処理対象のウェーハ面内における温度の時間積分値の均一性を改善する。 - 特許庁
The wafer processing tape 10 includes a long release film 11, an adhesive layer 12 and an adhesive film 13.例文帳に追加
ウエハ加工用テープ10は、長尺の離型フィルム11と、接着剤層12と、粘着フィルム13とを備えている。 - 特許庁
To provide a spin processing apparatus which can preferably process the lower surface of a semiconductor wafer.例文帳に追加
この発明は半導体ウエハの下面を良好に処理できるようにしたスピン処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A second line 44 is branched from a first line 22 connected to a processing part 10 configured to process a wafer W.例文帳に追加
ウエハWの処理を行う処理部10に接続された第1のライン22から第2のライン44が分岐している。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus which can wash a semiconductor wafer with high cleanliness.例文帳に追加
この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。 - 特許庁
A substance for generating corrosive gas, or the like in contact with the atmosphere is adhered to the wafer by processing.例文帳に追加
処理を行うことによってウエハには、大気と接触して腐食性のガス等を生成する物質が付着している。 - 特許庁
An infrared radiating assembly above the processing chamber may project infrared radiation into the chamber to heat the wafer.例文帳に追加
処理チャンバの上にある赤外線放射組立体により、赤外線放射をチャンバに投じて、ウエハを加熱してもよい。 - 特許庁
To provide a processing apparatus capable of grinding and polishing a large-sized wafer without requiring any large-scaled system.例文帳に追加
大型の装置を必要とすることなく、大型のウエーハを研削・研磨できる加工装置を提供することである。 - 特許庁
The water pattern of a one-shot region is formed at a semiconductor wafer by executing exposure processing using the first mask 16.例文帳に追加
第1マスク16を使った露光処理を行うことで半導体ウェハに1ショット領域のウェハパターンを形成する。 - 特許庁
First, second, and third processing stations S2-S4 are connected to a cassette station S1 for delivery of a wafer cassette 22.例文帳に追加
ウエハカセット22を搬出入するカセットステ−ションS1に、第1,第2及び第3の処理ステ−ションS2〜4を接続する。 - 特許庁
After this removal processing, the wafer is rinsed with isopropyl alcohol and then dried without conducting rinsing with putified water.例文帳に追加
この除去処理の後、イソプロピルアルコールを用いてリンスを行い、次いで純水リンスを行うことなくウエハを乾燥する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|