「wafer processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A vertical processing furnace 202 constituting the substrate processing device includes a processing chamber 201 for processing a wafer 200 with processing gas, and a boat 217 which serves as a holding unit that holds the wafer 200 in the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理装置を構成する縦型処理炉２０２は、処理ガスを用いてウェハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内でウェハ２００を保持する保持具となるボート２１７とを備える。 - 特許庁

Thereby, the peel strength between the wafer processing tape 1 and the wafer ring 14 can be improved, and peeling of the wafer processing tape 1 from the wafer ring 14 during processes can be suppressed.例文帳に追加

これにより、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離することを抑制できる。 - 特許庁

The low-pressure processing device 10 uses a resist pattern as a mask to carry out etching processing on a wafer.例文帳に追加

減圧処理装置１０は、レジストパターンをマスクとしてウェハにエッチング処理を施す。 - 特許庁

In SC1 processing or spin-dry processing, the wafer W is held in a substrate upper portion holding section 3.例文帳に追加

ＳＣ１処理時およびスピンドライ時には、基板上保持部３にウエハＷが保持される。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus improving intra-plane uniformity of processing.例文帳に追加

処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus which is capable of suppressing flow fluctuation of a processing liquid.例文帳に追加

処理液の流量変動を抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting device capable of singly performing circumferential processing and linear processing on a wafer.例文帳に追加

１台でウエーハの外周加工と直線加工を可能とする切削装置を提供する。 - 特許庁

When pressure in the processing chamber is stabilized, discharging processing of the wafer is performed (step 105).例文帳に追加

処理室の圧力が安定したならば、ウエハの放電処理を行なう（ステップ１０５）。 - 特許庁

WAFER CARRIER, SUBSTRATE PROCESSOR, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ウェーハキャリア、基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法および半導体装置 - 特許庁

To provide a wafer processing method and a wafer processing device attaining economic formation of a uniform-thickness adhesive film for die-bonding on the rear surface of a wafer.例文帳に追加

ウエーハの裏面に厚みが均一なダイボンディング用の接着剤被膜を経済的に形成することができるウエーハの処理方法およびウエーハの処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method capable of grinding a wafer without damaging the wafer even if a grinding feed rate is set at a high speed rate.例文帳に追加

研削送り速度を速くしてもウエーハを破損させることなく研削することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

The silicon wafer 62 has a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single-wafer processing etching.例文帳に追加

シリコンウェーハ６２は、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。 - 特許庁

To uniformly strip a resist on a wafer surface, while keeping the wafer temp. uniform at a low temp. in a single-wafer processing plasma ashing developing apparatus.例文帳に追加

枚葉式プラズマアッシング現像装置において、低温で均一にウェハ１０の温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離する。 - 特許庁

In a wafer processing method before cutting an outer periphery of a wafer 12, a test wafer 30 held by a test wafer holding means 40 is cut by a cutting blade 22.例文帳に追加

本発明のウェハ加工方法は，ウェハ１２外周部を切削する前に，切削ブレード２２により，テストウェハ保持手段４０に保持されたテストウェハ３０を切削する。 - 特許庁

The apparatus is provided with a processing chamber 1 for executing processing using the processing liquid for a wafer W, and a processing liquid cabinet 2 for supplying the processing liquid to the processing chamber 1.例文帳に追加

ウエハＷに対して処理液による処理を実施するための処理室１と、この処理室１に処理液を供給するための処理液キャビネット２とを備えている。 - 特許庁

To provide a single wafer processing device capable of elevating a processing performance of the wafer to be processed by minimizing a liquid spatter from the vicinity of a sandwiching member of the wafer to be processed and providing a high quality processing.例文帳に追加

被処理基板を挟持部材付近からの液跳ねを最少にして被処理基板の処理能力を上げると共に、高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

Consequently, poor processing where the end face of the wafer W is processed with processing liquid or wax bonding the wafer W to a substrate is corroded with the processing liquid to cause stripping of the wafer W can be prevented.例文帳に追加

よって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in which a reinforcement plate is easily peeled from a top surface of the wafer.例文帳に追加

ウエーハの表面から補強プレートが容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in which a reinforcement plate is easily peeled from a top surface of the wafer.例文帳に追加

ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Then, a surface detect inspecting device inspects a defect on a surface of a wafer after wafer processing.例文帳に追加

その後ウェハ処理が終了したウェハの表面の欠陥を表面欠陥検査装置により検査する。 - 特許庁

To reduce contamination and reduce wafer cleaning cost in semiconductor wafer processing.例文帳に追加

半導体ウエハ処理に関し、汚染を低減し、ウエハ洗浄コストを低下させる装置及び手法を提供する。 - 特許庁

FIXING IMPLEMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFER OR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER OR SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体ウエハ又は半導体素子の固定具及び半導体ウエハ又は半導体素子の加工方法 - 特許庁

A wafer processing device 100 included in the etching device etches the periphery of a wafer 200 selectively.例文帳に追加

エッチング装置に含まれるウェハ処理装置１００は、ウェハ２００の周辺部を選択的にエッチングする。 - 特許庁

OXIDE SINGLE-CRYSTAL WAFER PROCESSING/POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING THE OXIDE SINGLE- CRYSTAL WAFER例文帳に追加

酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法 - 特許庁

To provide a processing method of a silicon wafer, which can further reduce a crack rate of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの割れ率をさらに低下させることができるシリコンウエハの加工方法を提供すること。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a chamber for processing a wafer; a wafer holding boat provided in the processing chamber; a gas inlet section provided down below the wafer held by the boat for introducing a gas toward the backside of this wafer; and a waveguide part provided over the wafer held by the boat for introducing an electromagnetic wave.例文帳に追加

ウエハを処理する処理室と、処理室内に設けられウエハを保持するボートと、ボートに保持されたウエハよりも下方に設けられ、このウエハの裏面に向かってガスを導入するガス導入部と、ボートに保持されたウエハよりも上方に設けられ、電磁波を導入する導波口と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor wafer, which is capable of stably holding a semiconductor wafer when transporting the semiconductor wafer or subjecting the semiconductor wafer to processing like backside grinding and is capable of removing the semiconductor wafer without breakage after the end of required processing and has high thickness precision.例文帳に追加

半導体ウエハの搬送や裏面研削等の加工を施す際に、半導体ウエハを安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、半導体ウエハを破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い半導体ウエハの処理方法を提供する。 - 特許庁

The upper arm extends and carries the unprocessed wafer in a processing chamber 16.例文帳に追加

上アームが伸長し未処理ウエハを処理室１６に搬入する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING WORKPIECE SUCH AS SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置 - 特許庁

TOOL AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウェーハの処理用治具及び半導体ウェーハの処理方法 - 特許庁

METHOD FOR PROCESSING SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID JET HEAD例文帳に追加

シリコンウェハの処理方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁

LASER PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF REMOVING WAFER FROM CHUCK TABLE例文帳に追加

レーザー加工装置及びチャックテーブルからのウェーハの取り外し方法 - 特許庁

A pattern is formed on a processing film on a wafer for testing (Step S1).例文帳に追加

検査用ウェハの被処理膜にパターンを形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

ADHESIVE SHEET FOR WAFER PROCESSING, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING SEMICONDUCTOR WAFER CASSETTE AND OF ADJUSTING SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

半導体ウエハカセットおよび半導体処理装置の調整方法 - 特許庁

METHOD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

化学的機械的研磨方法および半導体ウエハの処理方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP AND PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体チップの製造方法及び半導体ウエハの処理方法 - 特許庁

PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET AND PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加

粘着シート及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, that is capable of adsorbing a semiconductor wafer in a stable manner from the start of the processing of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ処理開始時から、安定した半導体ウエハの吸着を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The wafer is heated to a processing temperature and then maintained at or near the processing temperature with a coating of phosphoric acid on the wafer.例文帳に追加

ウエハを、処理温度まで加熱した後に、ウエハ上にリン酸を被覆した状態で、処理温度で又は処理温度付近で維持する。 - 特許庁

To provide a wafer processing method which inhibits deterioration in processing quality of a wafer though bumps are formed and enables planarization.例文帳に追加

バンプが形成されたウエーハでも加工品質の悪化を防止し、平坦化を可能とするウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

A processing chamber can be configured as a thermal stack module within a wafer track cell for exposing a semiconductor wafer surface to a processing plasma.例文帳に追加

処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。 - 特許庁

To provide a method for performing electrode formation processing of small wafer by using a processor for processing wafer of a defined size.例文帳に追加

規定サイズのウェハを処理するための処理装置を用いて小型ウェハに対する電極形成処理を行う方法を提供する。 - 特許庁

A showerhead electrode and wafer chuck assembly may be positioned within the processing chamber for effecting plasma-enhanced processing of the semiconductor wafer.例文帳に追加

シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。 - 特許庁