The first transistor and the second transistor are connected in series between the n-th bit line and the (n+1)th bit line.例文帳に追加

前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターは、ｎ番目のビットラインとｎ＋１番目のビットラインとの間に直列に連結される。 - 特許庁

The n pieces of memory modules is subjected to striping for every predetermined size.例文帳に追加

ｎ個のメモリモジュールが所定のサイズ毎にストライピングされる。 - 特許庁

A stripe trench 123 is made in an n silicon substrate 101.例文帳に追加

ｎシリコン基板１０１にストライプ状のトレンチ１２３を形成する。 - 特許庁

An image gathering device scans the calibration plate, calculates (102) the position of the N pieces of the black stripes, compares the calculated image position with the physical position of the N pieces of the black stripes and calculates (106) deformation amounts to the respective black stripes.例文帳に追加

画像収集デバイスは較正板を走査し、N個のブラックストライプの位置を計算し（１０２）、計算された画像位置を、N個のブラックストライプの物理的位置と比較し、そして各ブラックストライプに対する変形量を計算する（１０６）。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

When the barcode label BCLn and the striker Sn can not be detected, it is judged that the reading of the barcode label BCLn has failed.例文帳に追加

バーコードラベルＢＣＬ_n と補正ストライカＳ_n とを検出できなかった場合は、バーコードラベルＢＣＬ_n の読み取りに失敗したと判定する。 - 特許庁

Thereafter, heat treatment is performed to cause shrinkage of the contact liner 513 in the N-channel region 201 to form an n-channel contact liner 518, and to cause expansion of the contact liner 513 in the P-channel region 202 to form a p-channel contact liner 519.例文帳に追加

その後、熱処理を加えてＮチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３を収縮させてｎチャネルコンタクトライナー５１８を形成し、Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３を膨張させてｐチャネルコンタクトライナー５１９を形成する。 - 特許庁

A main cell array section 71 consists of a plurality of sub array sections 71 1, 71 2,.... Global bit lines BLG n, BLG n+1,... are connected to a main bit controller 75 and reference global bit lines BLRG 1, BLRG 2,... are connected to a reference bit line controller 77.例文帳に追加

複数のサブセルアレイで構成させ、メイングローバルビットライン及び少なくとも一対の参照グローバルビットラインとを用意し、サブアレイ内でそれぞれのメイングローバルビットライン及び参照グローバルビットラインに接続されるメインローカルビットライン及び参照ローカルビットラインをグループ分けして接続した。 - 特許庁

When the positive electrode layer is applied with drawing the intermittent pattern of a stripe, the following formula is satisfied: W1>n×W2 (where n (n≥2) is the number of stripes).例文帳に追加

正極層をストライプの間欠パターンで塗布形成する場合には、ストライプの条数をｎ（ｎ≧２）としたとき、Ｗ１＞ｎ×Ｗ２を満たすように構成する。 - 特許庁

ONE-BIT COMPARISON FULL ADDER, n-BIT COMPARISON FULL ADDER, SEMICONDUCTOR ARITHMETIC UNIT AND LAYOUT LIBRARY例文帳に追加

１ビット比較全加算器、ｎビット比較全加算器、半導体演算装置、およびレイアウトライブラリ - 特許庁

An n-type current constriction layer 6 is formed on the side surfaces of the ridge stripe 30.例文帳に追加

リッジストライプ３０の側面には、ｎ型電流狭窄層６が形成されている。 - 特許庁

The third antenna group comprises 6 triangle arrays each comprising (N-M)(N-M-1)/2 antennas arranged in a regular triangle shape.例文帳に追加

第３のアンテナグループは、夫々、（Ｎ−Ｍ）（Ｎ−Ｍ−１）／２個のアンテナを正三角形状に配置してなる６個のトライアングルアレイで構成する。 - 特許庁

The plurality of recording sections Cc, Cm can be arranged at an interval Fs equal to n stripes S (n is an integer of 1 or above).例文帳に追加

この場合、複数の記録部Ｃｃ，Ｃｍ，Ｃｙは、ｎストライプ（ｎは１以上の整数）Ｓ分の間隔Ｆｓを空けて配列させることができる。 - 特許庁

A calibration plate provided with N pieces of interleaved black stripes distributed along an X axis orthogonal to the moving path is scanned first.例文帳に追加

移動路と直角のX軸に沿って配分されたN個のインターリーブされたブラックストライプを有する較正板が最初に走査される。 - 特許庁

Thus, (n) segment lines are put in one group for the number (n) of common lines and (n) pixels are driven to illuminate in the group, so that only the (n) specified pixels are made to illuminate.例文帳に追加

単純ドットマトリックス型の液晶表示器２１を例えば１／８デューティで駆動する場合は、８本のセグメントラインＳ１〜Ｓ８を１つのグループとし、そのグループ内で各セグメントラインＳ１〜Ｓ８毎にそれぞれコモンラインＣ１〜Ｃ８が異なる１つの画素Ｇ１１，Ｇ２２，…，Ｇ８８を点灯させる。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

The nonvolatile storage device includes a first transistor connected to an n-th bit line and a second transistor connected to a (n+1)th bit line.例文帳に追加

本発明の装置は、ｎ番目のビットラインに連結された第１トランジスターと、ｎ＋１番目のビットラインに連結された第２トランジスターとを含む。 - 特許庁

A cutout part N is formed in a part opposing a fore end of the belt line inner seal 10 or the belt line outer seal of the inner lip 22 or the outer lip, and the fore end of the upper lip 12 is inserted in the cutout part N.例文帳に追加

内側リップ２２又は外側リップの、ベルトラインインナーシール１０又はベルトラインアウターシールの先端部に対向する部分に切欠部Ｎを形成し、上側リップ１２の先端部を切欠部Ｎに挿入する。 - 特許庁

Distance B_1 between the laser stripe 42A and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less, and distance B_2 between the laser stripe 42D and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less.例文帳に追加

レーザストライプ４２Ａとｎ側電極５２Ｂのレーザ側端部との距離Ｂ_1 は、１５０μｍ以下であり、レーザストライプ４２Ｄとｎ側電極５２Ａのレーザ側端部との距離Ｂ_2 は、１５０μｍ以下である。 - 特許庁

In a data writing period of an n+1-th row, the n+1-th gate line turns on the second semiconductor switch to supply electric power to the first pixel and second pixel, and to give a third voltage to the first pixel and second pixel.例文帳に追加

第n+1行のデータ書き込み期間内に、前記第n+1ゲートラインが前記第2半導体スイッチをオンにして、前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルを通電させ、前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルに第3電圧をもたらす。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

The triac is formed by selectively forming n-layers 41 and 43 within a p-layer of a semiconductor substrate in which an n-layer is held by the p-layers and also selectively forming an n-layer 42 within the p-layer.例文帳に追加

ｐ層がｎ層を挟み込む半導体基板のｐ層内にｎ層４１及び４３が選択的に形成され、ｐ層内にｎ層４２が選択的に形成され、トライアックが形成される。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

A channel formation region 12 in stripe structure of which a planar shape is band-like, an n^+-source region 13, an n^+-drain region 20, and a gate electrode, are formed on a top layer of n well layers on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板でのＮウェル層の表層部に、平面形状が帯状をなすストライプ構造のチャネル形成領域１２、Ｎ^＋ソース領域１３、Ｎ^＋ドレイン領域２０、ゲート電極が形成されている。 - 特許庁

When the plurality of stripes are stored in the N+M pieces of disks, the disks at the storage destinations of the data strips and the parity strips included in each stripe are decided so that the parity strips can be prevented from being continuously stored in the same disk between the continuous two stripes.例文帳に追加

Ｎ＋Ｍ個のディスクが複数のストライプを格納する際、連続する２つのストライプ間で同じディスクにパリティストリップが連続して格納されないように、各ストライプに含まれるデータストリップとパリティストリップの格納先のディスクを決定する。 - 特許庁

A buffer control section 105 makes all the try-state buffers 104-1 to 104-n a signal output state at the time of writing data, makes only a part of (n) pieces of the try-state buffers a signal output state selectively at the time of bit processing, and makes the other try-state buffers high impedance.例文帳に追加

バッファ制御部１０５は、データの書き込み時にはトライステートバッファ１０４−１〜１０４−ｎをすべて信号出力状態にし、ビット処理時にはｎ個のトライステートバッファの一部のみを選択的に信号出力状態にして他のトライステートバッファをハイインピーダンスにする。 - 特許庁

A ridge structure of a mesa-stripe shape is formed using a dielectric mask by etching, and an n-GaAs current block layer 110 is formed as a clag layer outside the mesa stripe.例文帳に追加

誘電体マスクを用いてメサストライプ状のリッジ構造をエッチングによって形成し、メサストライプ外のクラッド層状にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１１０を形成する。 - 特許庁

Etching is performed untile the n-GaN contact layer 7 is exposed leaving a stripe region and regions of 20 μm outside from the respective edges of a stripe.例文帳に追加

ストライプ領域とストライプのそれぞれの端から２０μｍ外側の領域を残して、ｎ−ＧａＮコンタクト層７が露出するまでエッチングを行う。 - 特許庁

Each of semiconductor laser elements is provided with a laser stripe 18 on a mesa 16 and has a p-side electrode 20, on a ridge stripe and an n-side electrode 22 on a contact layer by the side of the mesa.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、レーザストライプ１８をメサ１６上に備え、リッジストライプ上にｐ側電極２０を、メサ脇のコンタクト層上にｎ側電極２２を有する。 - 特許庁

A p-type cap layer 23 is formed on the stripe part, and an n-type AlGaAs embedded layer 24 is formed on parts other than the stripe part.例文帳に追加

ストライプ部上にはｐ型キャップ層２３が形成され、ストライプ部以外の部分の上にはｎ形ＡｌＧａＡｓ埋め込み層２４が形成されている。 - 特許庁

CPU bit line CPU-BL and RGB bit line RGB-BL are connected with a node N0 via N-type MOS transistors 154, 156, respectively.例文帳に追加

ノードＮ０にはＮ型ＭＯＳトランジスタ１５４、１５６を介してＣＰＵビットラインＣＰＵ−ＢＬ、ＲＧＢビットラインＲＧＢ−ＢＬと接続される。 - 特許庁

An element ion larger than Si is implanted to a contact liner 513 in an N-channel region 201 to break the connection of constituent atoms.例文帳に追加

Ｎチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断する。 - 特許庁

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.例文帳に追加

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁

While using logic coupling for comparing N alphas, a wide image processing effect including outlining of cartoon can be provided.例文帳に追加

Ｎ個のアルファ比較の論理結合を用いて、漫画のアウトライニングを含む幅広い画像処理効果を提供することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, n^+-type source regions 105 are formed in the gate trenches 110 formed in stripe shapes.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^＋型ソース領域１０５をストライプ状に形成されたゲートトレンチ１１０の内部に形成している。 - 特許庁

Then an n-type current blocking layer 7 having a stripe-like opening 8 is formed on the clad layer 6a.例文帳に追加

ｐ−第１クラッド層６ａ上にはストライプ状開口部８を有するｎ−電流ブロック層７が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。 - 特許庁

An n-current block layer 6 having a striped opening part 20 is formed on the p-first clad layer 5.例文帳に追加

ｐ−第１クラッド層５上にはストライプ状開口部２０を有するｎ−電流ブロック層６が形成される。 - 特許庁

The lamination structure is etched into a mesa stripe, at both ends of which p-n separated current constricting areas are formed.例文帳に追加

積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはｐｎ分離の電流狭窄領域が形成されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 7 of III nitride compound conductor, an active layer 9, and a p-type clad layer 11 are formed thereon.例文帳に追加

その上にＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなるｎ型クラッド層７，活性層９，ｐ型クラッド層１１などを積層する。 - 特許庁

To know the effective concentration of a p-layer and an n-lyer of a striped parallel pn layer provided in a vertical super junction semiconductor element.例文帳に追加

縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列ｐｎ層の各ｐ層およびｎ層の実効濃度を知ること。 - 特許庁

Memory cells M of (m×n) pieces are allocated to corresponding control lines CL and corresponding bit lines BL respectively.例文帳に追加

（ｍ×ｎ）個のメモリセルＭはそれぞれが対応する制御ラインＣＬおよび対応するビットラインＢＬに割り当てられている。 - 特許庁

In addition, a steel type reinforcing frame 15 to surround a reverse side of a strike plate N is fixed in the longitudinal frame 12.例文帳に追加

更に、ストライクプレートＮの背面周囲を囲むスチール型補強枠１５が縦枠１２内に固定されている。 - 特許庁