SGSとは 意味・読み方・使い方

The control circuit AR2 is configured to boost the voltages of the source line SL and the source side selection gate line SGS in the erase operation, while keeping the voltage of the source line SL larger than the voltage of the source side selection gate line SGS by a predetermined potential difference.例文帳に追加

制御回路ＡＲ２は、消去動作時に、ソース線ＳＬの電圧をソース側選択ゲート線ＳＧＳの電圧よりも所定電位差だけ大きく保ちつつソース線ＳＬの電圧及びソース側選択ゲート線ＳＧＳを昇圧させる。 - 特許庁

However, the arbitral tribunal determined that it would not accept the admissibility of the case, and should not exercise its jurisdiction over the subject dispute, indicating that SGS entered into a contract with the Philippines government, agreeing to submit disputes concerning the contract only to domestic courts.例文帳に追加

そのうえで仲裁廷は、SGS 社が、まさに申し立ての根拠である契約に関する紛争について、フィリピン政府と国内法廷のみを選択することに契約上合意していることを指摘し、受理可能性を認めるべきでなく、仲裁廷は管轄権を行使するべきでないと判断した。 - 経済産業省

Simultaneously, the select gate transistor SGS-Tr of a source side is turned ON by a potential Vsg from the row control circuit to precharge the potential of the channel.例文帳に追加

これと同時に、ロウ制御回路からのＶｓｇ電位により、ソース側のセレクトゲートトランジスタＳＧＳ−Ｔｒをオンさせて、チャネルの電位をディスチャージさせる。 - 特許庁

Further, a drain side selection gate line SGD and a source side selection gate line SGS are charged to the second voltage Vs by the voltage generation circuit 10.例文帳に追加

さらに、電圧発生回路１０により、ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤおよびソース側選択ゲート線ＳＧＳを、第２の電圧Ｖｓに充電する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 9 having etching selectivity with the SOG film is formed so that the silicon oxide film 9 is along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD and an upper surface of the SOG film.例文帳に追加

次に、ゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面およびＳＯＧ膜の上面に沿うようにＳＯＧ膜との間でエッチング選択性を有するシリコン酸化膜９を形成する。 - 特許庁

U-shaped pillars 30 penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG, each having one end connected to a source line SL and the other end connected to a bit line BL are arranged in the laminate.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧを貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁

In the select gate transistor SGS, a part of a gate electrode portion GE2 is buried in a trench 12 provided in the surface of a silicon substrate 11.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＧＳは、ゲート電極部ＧＥ２の一部が、シリコン基板１１の表面部に設けられた溝部１２内に埋め込まれている。 - 特許庁

In the stack, U shape pillars 30 are arranged, penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG1-CG4 with one ends connected to a source line SL and the other ends connected to a bit line BL.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧ１〜ＣＧ４を貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁