The condition in which the all four spirits have grown well is called having 'all virtues.'発音を聞く 例文帳に追加

4つの魂全てが十分に発達した状態が「全徳」である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A first InGaAs well layer 404 is grown on the first barrier layer.例文帳に追加

該第１の障壁層上には、第１のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁

In 1896, he planted them at water inlets with lower temperature, then found one well-grown stump while others had insufficiently grown.発音を聞く 例文帳に追加

1896年（明治29年）に、水温が低い水口に植えたところ、多くは生育が不良であったが、1株だけ生育が良好な株があった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Traditional Kyoto vegetables such as potherb mustard and senryo eggplant as well as flowers such as poinsettia are widely grown.発音を聞く 例文帳に追加

京野菜の千両ナスやミズナにポインセチアなどの花き栽培も盛んである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The condition in which only one out of the four souls has grown well is called having 'a virtue.'発音を聞く 例文帳に追加

四魂のうち1つの魂が十分に発達した状態を「一徳」という。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The condition in which two souls have grown well is called having "two virtues."発音を聞く 例文帳に追加

二つの魂が十分に発達した状態を「二徳」といい、一徳の次は二徳を目指すことになる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The tumulus is well preserved, and its stage construction can be clearly observed since trees are not grown.発音を聞く 例文帳に追加

墳丘の保存状態は良く、樹木が生えていないため段築をはっきりと観察することができる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots.例文帳に追加

前記量子ドットを埋め込むために、前記InAs島上に第２のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁

A second AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is then grown to complete the quantum well.例文帳に追加

前記量子井戸を完成するために、第２のAlGaAsまたはGaAs障壁層４０２が成長させられる。 - 特許庁

To provide healthy and well-grown rice seedling without generating pests.例文帳に追加

病害虫の発生がなく、健全でよく生育した稲苗を作ることを課題とする。 - 特許庁

Subsequently, the well layer and the barrier layer are repeatedly grown without interruption of the growth.例文帳に追加

次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。 - 特許庁

The quantum well active layer 107 is grown by adding an impurity becoming a second conduction-type.例文帳に追加

量子井戸活性層１０７を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させる。 - 特許庁

Then, an SiGe layer is selectively epitaxially grown only on the n^- well 3n.例文帳に追加

続いて、Ｎ^−ウェル３ｎ上にのみＳｉＧｅ層を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

it seemed to fit him as well as if it had grown upon his own shoulders.発音を聞く 例文帳に追加

その頭はもともといなか者の肩から生えてきたかのようにぴったりくっついているように見えた。 - Charles and Mary Lamb『真夏の夜の夢』

After an n-type GaN layer is grown, a process 109 which supplies an Si source gas without supplying a group III material gas as well as a process to stop supplying the Si source gas are provided before a process 113 where a light-emitting layer is grown.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層を成長後、発光層を成長する工程１１３の前に、III族原料ガスを供給せずにＳｉ源ガスを供給する工程１０９およびＳｉ源ガスの供給を停止する工程を設ける。 - 特許庁

(i) The kind of aquatic animals and plants to be bred/grown as well as the method of breeding/growth and the outline of the breeding/growing facility;発音を聞く 例文帳に追加

一　増殖すべき水産動植物の種類並びにその増殖の方法及び増殖施設の概要 - 日本法令外国語訳データベースシステム

This is "Kameno-o", which he took out this well-grown stump, selected good seeds to plant, and succeeded in increasing yields over about three years.発音を聞く 例文帳に追加

この株を抜穂選種し、作付けして足掛け三年の歳月を費やし収量を増やしたものが「亀ノ尾」である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

They are grown in various areas in Tohoku region including Yamagata Prefecture and Hachinohe City, Aomori Prefecture, as well as in Chuetsu (middle) and Kaetsu (southern) regions of Niigata Prefecture.発音を聞く 例文帳に追加

山形県内各地、青森県八戸市など東北地方、新潟県の中越地方から下越地方などで栽培される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The original verse in the poem from Ise Monogatari is 'Tsutsuizutsu, to the izutsu, my stature, has well passed' – the last line has been changed to 'it has grown taller.'発音を聞く 例文帳に追加

伊勢物語では「筒井筒、井筒にかけしまろがたけ、過ぎにけらしな」と詠われていたところが「生(お)いしけりしな」に改編されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is said that Jo, who had grown accustomed to Western-style ladies-first customs, and Yae, who was a proactive woman, were a well-matched couple.発音を聞く 例文帳に追加

欧米流のレディファーストが身に付いていた襄と、男勝りの性格だった八重は似合いの夫婦であったという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The condition in which the three souls have grown well is called having 'three virtues' with a total of four combinations: courage/wisdom/love, courage/relation/love, courage/relation/wisdom, and relation/wisdom/love.発音を聞く 例文帳に追加

3つの魂が十分に発達した状態を「三徳」といい、勇智愛、勇親愛、勇親智、親智愛の4つの組合せがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加

また、ＭＯＶＰＥ法を用いて多重量子井戸活性層１５を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁

A well layer is formed of InGaAsP whose P composition is smaller than 0.55 but equal to 0.51, and spinodal decomposition is restrained from occurring when InGaAsP is grown.例文帳に追加

井戸層をＰ組成が０.５５よりも小さい０.５１のＩnＧaＡsＰで構成して、ＩnＧaＡsＰを成長時にスピノーダル分解が発生しないようにする。 - 特許庁

The sacrifice insulating film 5 is removed thereafter, and a silicon layer 7 is selectively epitaxially grown on the p^- well 3p and the strain SiGe layer 6.例文帳に追加

その後、犠牲絶縁膜５を除去し、Ｐ^−ウェル３ｐ上及び歪ＳｉＧｅ層６上にシリコン層７を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy sheet which is free from any abnormally grown grains and has reduced cavitation as well in high-temperature blow forming.例文帳に追加

高温ブロー成形において結晶粒の異常成長が生じず、かつキャビテーションも少ないアルミニウム合金板を提供する。 - 特許庁

Since this optical semiconductor is formed having many semiconductor layers, only the strained quantum well may be grown along the plane orientation with the lower piezoelectric field.例文帳に追加

半導体層を多層用いる本発明の光半導体素子では歪量子井戸のみを前記面方位で成長させてもよい。 - 特許庁

To provide a cocktail shaker, allowing the inexperienced children and grown-ups to stir and mix liquids well without spending much time.例文帳に追加

慣れない子供や大人であっても、時間を掛けずに上手く撹伴混合ができるようにしたカクテルシェーカーを提供する。 - 特許庁

Subsequent to the growth of the barrier layer 21a, a well layer 23a is grown on the substrate 11 without interruption of the growth.例文帳に追加

障壁層２１ａを成長した後に、成長中断を行うことなく基板１１上に井戸層２３ａを成長する。 - 特許庁

In fact, they seemed about as tall as Dorothy, who was a well-grown child for her age, although they were, so far as looks go, many years older.発音を聞く 例文帳に追加

実際、年のわりには大きいドロシーと同じくらいの背の高さなのに、見た目は何歳も年上のようでした。 - L. Frank Baum『オズの魔法使い』

A nitride semiconductor laser element 100 (the nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 with a grown main surface 10a, and an active layer 14 formed on the grown main surface 10a of the GaN substrate 10 and having a quantum well structure including a well layer 14a and a barrier wall layer 14b.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂとを含む量子井戸構造を有する活性層１４とを備えている。 - 特許庁

In a quantum well structure 12 with a quantum well layer 10 formed on an InP substrate, the quantum well layer 10 is crystal-grown at a temperature of ≥440°C and ≤510°C and the quantum well layer 10 has compression distortion of ≥2% and <10%.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上に量子井戸層１０が形成される量子井戸構造１２において、前記量子井戸層１０は４４０℃以上５１０℃以下の温度下で結晶成長し、該量子井戸層１０は２％以上１０％未満の圧縮歪を有した。 - 特許庁

A magnetic semiconductor device 10 is made up of a substrate 11, composed of InP, a quantum well layer 13 composed of ZnSnAs_2 to which Mn is added and crystal-grown onto the substrate 11, and a set of barrier layers 12 and 14 composed of InAlAs and/or InGaAs, crystal-grown on the substrate 11, and sandwiching the quantum well layers 13.例文帳に追加

磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。 - 特許庁

It differs from gyokuro (refined green tea) and kabusecha (covered tea), which are both made from the leaves of tea plants grown under covers to shutter the sunlight, as well as from bancha (coarse green tea), which is made from large-size leaves and stems.発音を聞く 例文帳に追加

玉露やかぶせ茶は栽培方法で日光を遮る点、また番茶は大きな葉や茎を使用する点において狭義の煎茶と異なる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By such the constitution, the hygienic state in the cattle chamber is kept good, and the cattle can be grown well without stress imparted to the cattle.例文帳に追加

このような構成によれば、畜房内の衛生状態を良好に保つことでき、家畜にストレスを与えることがなく良好に発育させることが可能になる。 - 特許庁

Thereafter, a well layer 39 composed of a second group III-V compound semiconductor containing indium is grown on the GaAs thin film 37b using molecular beam epitaxy.例文帳に追加

分子線エピタキシ法を用いて、インジウムを含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる井戸層３９をＧａＡｓ薄膜３７ｂ上に成長する。 - 特許庁

By heating the substrate as well as supplying a growth gas, the catalytic substance 30 develops directivity and as a result, carbon nanotubes 41 are grown in the direction shown as an arrow (A) perpendicular to the ridge lines 13A of the protruded ribs 13.例文帳に追加

そののち、加熱すると共に、成長ガスを供給することにより触媒物質３０に方向性が生じ、その結果、カーボンナノチューブ４１が、突条部１３の稜線１３Ａに対して垂直な矢印Ａの方向に成長する。 - 特許庁

To provide a p-type superlattice structure which has no surface deterioration and as-grown low resistance, and its manufacturing method, as well as a high-performance group III nitride semiconductor element and a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

表面劣化のない、ａｓ ｇｒｏｗｎで低抵抗な、ｐ型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor light emitting device having an active layer of quantum well structure containing In in which thermal damage due to growth temperature of a semiconductor layer being grown up after the active layer can be suppressed.例文帳に追加

Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるＧａＮ系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

Also, many projecting parts are formed, by which the semiconductor (semiconductor crystal A) of the gallium nitride system is grown in a transverse direction as well with the planar apexes of the projecting parts as start points.例文帳に追加

また、突起部を多数形成することにより、窒化ガリウム系の半導体（半導体結晶Ａ）は、突起部の平頂部を起点として横方向にも成長する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

A GaAs cap layer 47, which is formed of a second group III-V compound semiconductor comprising arsenic, is grown by molecular beam epitaxy, after the well layer 45 has been formed.例文帳に追加

井戸層４５を形成した後に、ヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＡｓキャップ層４７を分子線エピタキシ法で成長する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.例文帳に追加

基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され，経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁