「V region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

There is also a way to divide the Yayoi period into five (or six) periods, which are I (pre I) to V, outside the northern Kyushu region. 例文帳に追加

また、北部九州以外の地域では（先I～）I～Vの5(6)期に分ける方法もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The part operating with 3 V (region A) and the part operating with 5 V (region B) are divided regularly.例文帳に追加

３Ｖで動作する部分（領域Ａ）と、３Ｖまたは５Ｖで動作する部分（領域Ｂ）とを規則的に分けている。 - 特許庁

This port is divided to a part (region A), to where the voltage of 3 V is applied to the gate electrode, and a part (region B) where the voltage of 3 V or 5 V is applied to the gate electrode.例文帳に追加

ポート１３を、ゲート電極に３Ｖの電圧が印加される部分（領域Ａ）と、ゲート電極に３Ｖまたは５Ｖの電圧が印加される部分（領域Ｂ）と、に分けている。 - 特許庁

A hysteresis region H for maintaining a preceding control manner is provided between the position control region P and the speed control region V.例文帳に追加

位置制御領域Ｐと速度制御領域Ｖとの間には、従前の制御形態を維持するヒステリシス領域Ｈを設ける。 - 特許庁

In this antibody, CDRs of V region of the human antibody is substituted with CDRs of the mouse monoclonal antibody to the human IL-6R.例文帳に追加

この抗体においては、ヒト抗体のV領域のCDRがヒトIL-6Rに対するマウスモノクローナル抗体のCDRにより置き換えられている。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

A region judging unit 13 judges whether a region that a target pixel belongs is an edge region, a texture region, or a flat region and outputs region information resting on the basis of the smoothed value LPF (V).例文帳に追加

領域判定部１３は、平滑化値LPF（Ｖ）に基づいて、注目画素が属する領域が、エッジ領域、テクスチャ領域、またはフラット領域のうちのいずれであるかを判定して領域情報を出力する。 - 特許庁

A pixel unit region deciding section 13 decides whether a region to which a target pixel belongs is an edge region, a texture region, or a flat region and outputs pixel unit region information on the basis of the smoothed value LPF (V).例文帳に追加

画素単位領域判定部１３は、平滑化値LPF（Ｖ）に基づいて、注目画素が属する領域が、エッジ領域、テクスチャ領域、またはフラット領域のうちのいずれであるかを判定して画素単位領域情報を出力する。 - 特許庁

The outer side of the display region V is provided with an auxiliary liquid crystal region 17 where the inflow of the liquid crystals 4 in the display region V is possible and portions 19 not contg. the liquid crystals are formed.例文帳に追加

表示領域Ｖの外側に、表示領域Ｖ内の液晶４が流入できると共に液晶未入部分１９が形成される補助液晶領域１７を設ける。 - 特許庁

The number of slits, the heights of the surfaces in which V-grooves are formed, or the angles of V-grooves in the first region 13a and second region 13b are differently formed, and the grooves of the second region 13b are provided with four inclined surfaces.例文帳に追加

例えば、第１領域１３ａと第２領域１３ｂのスリット本数又はＶ溝を形成する面の高さ又はＶ溝角度を異なるようにしたり、第２領域１３ｂの溝を４つの斜面を有する形状とする。 - 特許庁

A normally-off type transistor includes a first region of a III-V semiconductor material, a second region of the III-V semiconductor material on the first region, a third region of the III-V semiconductor material on the second region, and a gate electrode adjacent to at least one side wall of the third region.例文帳に追加

ノーマリーオフ型トランジスタは、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第１の領域、第１の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第２の領域、第２の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第３の領域、および第３の領域の少なくとも１つの側壁に隣接するゲート電極を含む。 - 特許庁

The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium.例文帳に追加

井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 7 is provided between the active region 5 and the group III nitride substrate 3.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層７は、活性領域５とIII族窒化物基板３との間に設けられている。 - 特許庁

The active region 5 is provided on the group III nitride substrate 3, and is made of a III-V compound semiconductor.例文帳に追加

活性領域５は、III族窒化物基板３上に設けられており、III−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The first conductive semiconductor region 13 consists of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

第１導電型半導体領域１３はIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

A specific region is provided in a V-attacker opened only during a jackpot game.例文帳に追加

大当たり遊技中にのみ開放されるＶアタッカーの内部には、特定領域が設けられている。 - 特許庁

The display region V has a plurality of regions Va, Vb, Vc having different light scattering characteristics.例文帳に追加

表示領域Ｖは異なる光散乱特性を有する複数の領域Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを有する。 - 特許庁

The effective region SLA-V is formed with at least an alignment mark.例文帳に追加

有用領域ＳＬＡ−Ｖには少なくともアライメントマークが形成される。 - 特許庁

In addition, a III-V compound semiconductor region 31 is located between a second region 21c of the second conductivity type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 19, and moreover, a tunnel semiconductor region 23 is embedded therein.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体領域３１は、第２導電型半導体領域２１の第２のエリア２１ｃと第１導電型半導体領域１９との間に位置し、またトンネル半導体領域２３を埋め込む。 - 特許庁

The trapezoidal voltage command generating section 11 generates the slant region of the trapezoidal voltage command signals V_r^*, V_s^*, V_t^* using a predetermined table.例文帳に追加

上記台形波状電圧指令生成部１１は、台形波状電圧指令信号Ｖ_r^*,Ｖ_s^*,Ｖ_t^*の傾斜領域を、所定のテーブルを用いて生成する。 - 特許庁

A V groove and the vicinity of the same are photographed for inspecting the V groove of the printed board (S1), and a predetermined inspection region is prepared including a part of the V groove (S2).例文帳に追加

プリント基板のＶ溝の検査のためにＶ溝およびその近傍を撮影し（Ｓ１）、その撮影した画像に対して、Ｖ溝の一部を含む所定の検査領域を作成する（Ｓ２）。 - 特許庁

A blue color laser diode comprising III-V group nitride in the short periodic table includes an amplification region 116 and a modulation region 118.例文帳に追加

短周期表ＩＩＩ−Ｖ族窒化物青色レーザダイオードは、増幅領域１１６と、変調領域１１８とを有する。 - 特許庁

Next, exposure with a laser is performed to the neighboring region of a position where a separation claw 48 comes into contact with the photoreceptor, and surface potential VT of the region is V_T.例文帳に追加

次に、剥離爪４８が感光体に接する位置の近傍領域にレーザー露光を行い、該領域の表面電位をＶ_Ｔとする。 - 特許庁

The base material 10 has a region 10a and regions 10b and 10c opposed to the region 10a across the V grooves 12 and 14.例文帳に追加

ベース材１０は、領域１０ａと、Ｖ溝１２，１４を挟んで領域１０ａと対向する領域１０ｂ，１０ｃとを有する。 - 特許庁

Furthermore, a voltage of, for example, 60 V is applied on the pattern of the transparent electrode of the region 4C to make the region 4C into a shading state.例文帳に追加

また、領域４Ｃの透明電極のパターンに例えば６０Ｖの電圧を印加して領域４Ｃを遮光状態にする。 - 特許庁

The voltage applied to the liquid crystals 4 sealed into the inside region of the sealing material 14 is controlled, by which the display is executed within a display region V.例文帳に追加

シール材１４の内部領域に封入された液晶４に印加する電圧を制御することによって表示領域Ｖ内に表示を行う。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery, plateaus are respectively present, by lithium reference potential, in a region of 2.6 to 3 V, a region of 2.2 to 2.6 V, a region of 2.1 to 2.5, and a region not higher than 2V in discharging and charging.例文帳に追加

この非水電解質に二次電池においては、放電時および充電時に、リチウム基準電位で２．６Ｖ以上３Ｖ以下の領域、２．２Ｖ以上２．６Ｖ以下の領域、２．１Ｖ以上２．５Ｖ以下の領域および２Ｖ以下の領域にそれぞれプラトーが存在する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

When the gate voltage is 0 V or lower, the overall on-resistance is controlled by the enhancement region 211, while when the gate voltage exceeds 0 V, the total on-resistance is controlled by the region 211.例文帳に追加

ゲート電圧が０Ｖ以下の場合は，デプレッション領域によって全体のオン抵抗が制御され，ゲート電圧が０Ｖを上まわる場合は，エンハンスメント領域によって全体のオン抵抗が制御されることになる。 - 特許庁

To provide, in a semiconductor device in which a group III-V compound semiconductor is utilized, particularly a semiconductor device where phenomena can effectively be controlled in which the p-type impurity included in a semiconductor region disperses into the adjacent other semiconductor region.例文帳に追加

III−V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるｐ型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).例文帳に追加

第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁

A nickel layer 17 is formed on a group III-V compound semiconductor layer 4, and by heating them using RTA treatment, a source region 5 and a drain region 6 composed of a nickel group III-V alloy (Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y alloy) are formed.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。 - 特許庁

Thus, a difference in the quantity of group III and group V raw materials to be supplied between the edge part of the device forming region D and the central part is suppressed and the central part of the device region D is not recessed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域Ｄのエッジ部分と中央部とでIII族及びV族の原料の供給量の差が抑制され、素子領域Ｄ中央部が凹部となることがない - 特許庁

At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.例文帳に追加

この際、第５のステップは、Ｖ族原料とIII族原料のフラックス比（Ｖ／III比）を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁

The pneumatic classifier 1 is provided with a dispersion region V having a dispersion part 30 for dispersing crushed materials pneumatically carried from the upstream side, and the casing 6 incorporating a classifying region S having a classifying blade 8, 9 installed successively to the dispersion region V and for centrifugally classifying the crushed materials pneumatically carried from the dispersion region V.例文帳に追加

この気流式分級機１は、上流側から気流搬送される粉砕物を分散するための分散部３０を有する分散領域Ｖと、その分散領域Ｖに連続して設けられて分散領域Ｖから気流搬送される粉砕物を遠心分級するための分級翼８、９を有する分級領域Ｓとを内部に有するケーシング６を備えている。 - 特許庁

The exposure process is carried out in such a manner that the border region S3 where the first region S1 and the second region S2 are overlapped with each other is formed in the region (interline region V) including a part of the region between adjacent pixel lines.例文帳に追加

凹凸状の表面を有する絶縁層１２を形成する工程は、感光性樹脂膜の第１領域Ｓ１を第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、第２領域Ｓ２を第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、露光された感光性樹脂膜を現像する工程とを包含する。 - 特許庁

In the dispersing region V, powder supplied together with the rotating air stream RA from the pneumatic pulverizer 2 is dispersed, and in the second classifying region S2, the powder pneumatically carried from the dispersing region V is secondarily classified by centrifugal classification into fine powder and coarse powder.例文帳に追加

そして、分散領域Ｖでは、気流式粉砕機２から旋回気流ＲＡと共に供給される粉末を分散し、第二の分級領域Ｓ２では、分散領域Ｖから気流搬送される粉末を微粉末と粗粉末とに遠心分級による第二の分級をするようになっている。 - 特許庁

This electro-optic device is the electro-optic device for displaying images within a display region V by arranging electro-optic materials, for example, liquid crystals, between a pair of substrates 4a and 4b having electrodes 8a and 8b in the display region V and electrode wiring 15a, 15b and 17 within a non-display region X.例文帳に追加

表示領域Ｖ内に電極８ａ，８ｂを備え非表示領域Ｘ内に電極配線１５ａ，１５ｂ，１７を備えた一対の基板４ａ，４ｂの間に電気光学物質、例えば液晶を配置して表示領域Ｖ内に像を表示する電気光学装置である。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide an immunoglobulin (Ig) light chain transgene formation containing DNA sequence coding human variable (V) region, joining (J) region and constant region of human immunoglobulin (Ig) protein.例文帳に追加

ヒト免疫グロブリン（Ｉｇ）タンパク質のヒト可変（Ｖ）領域、連結（Ｊ）領域、および定常領域をコードするＤＮＡ配列を含む、免疫グロブリン（Ｉｇ）軽鎖トランスジェン構成物を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor laser 11 is provided with an n-type InP semiconductor region 13, a p-type group III-V compound semiconductor layer 15, an AlGaInAs layer 17, an AlInAsP region 19 and an active region 21.例文帳に追加

半導体レーザ１１は、ｎ型ＩｎＰ半導体領域１３と、ｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５と、ＡｌＧａＩｎＡｓ層１７と、ＡｌＩｎＡｓＰ領域１９と、活性領域２１とを備える。 - 特許庁

Furthermore, an effective region SLA-V having a width w2 is provided in the region SLA inside of the overlapping region OLA, only with respect to prescribed adjacent two sides of the four sides in the outermost periphery of the pattern PTN.例文帳に追加

さらに、上記パターンＰＴＮ４辺の外周のうち、所定の隣接する２辺のみに対してオーバーラップ用領域ＯＬＡの内側の領域ＳＬＡ内に幅ｗ２の有用領域ＳＬＡ−Ｖが設けられる。 - 特許庁

The liquid crystal device has a first display region Es of low resolution suitable to display of characters etc., and a second display region Ep of high resolution suitable to high-definition display of a scene etc., in an effective display region V.例文帳に追加

液晶装置は、有効表示領域Ｖ内に、文字等の表示に適した低解像度の第１表示領域Ｅｓと、風景等の高精細な表示に適した高解像度の第２表示領域Ｅｐとを有する。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁