「V region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the arrays 5A and 5B, each of HDD constituting arrays is divided into a region V and a region A recording video data and voice data respectively.例文帳に追加

アレイ５Ａ及び５Ｂは、アレイを構成するＨＤＤの各々が映像データ、音声データを夫々記録する領域Ｖと領域Ａとに分割される。 - 特許庁

The robot arm approaches a target position at a high speed using the speed control region V, and then the position of the robot arm is finely adjusted using the position control region P.例文帳に追加

ロボットアームは、速度制御領域Ｖを用いて高速で目標位置に接近し、その後、位置制御領域Ｐを用いてその位置が微調整される。 - 特許庁

A vibration suppression control part confirms whether an operating point exists in a maximum torque region, or in a throttling region, based on a q-axis current command value I_sq* and a filter capacitor voltage V_f.例文帳に追加

振動抑制制御部は、現在の、ｑ軸電流指令値Ｉ_sq^*及びフィルタコンデンサ電圧Ｖ_fに基づいて、動作点が最大トルク領域内に存在するか、絞り込み領域内に存在するかを確認する。 - 特許庁

A p-type channel well region 3 is formed in the surface layer part of an n-type epitaxial layer 2 on an n+-substrate 1 and a V-shaped groove 4 is formed in the region 3.例文帳に追加

ｎ^+ 型基板１の上のｎ型エピタキシャル層２の表層部にはチャネルｐウエル領域３が形成され、ｐウエル領域３にはＶ字型溝４が形成されている。 - 特許庁

When the liquid crystals 4 expand at a high temp., the liquid crystals 4 flow from the inside of the display region V into the auxiliary liquid crystal region 17, thereby preventing the occurrence of cell gap unevenness.例文帳に追加

高温時に液晶４が膨張するとき、その液晶４が表示領域Ｖ内から補助液晶領域１７内へと流れ込み、セルギャップバラツキが生じることを防止する。 - 特許庁

By rotating the pointer 6 in the entire region of the scale part 3 by nearly parallelizing it with the velocity V, the driver is surely prevented from sensing discomfort particularly in a low velocity region when viewing the velocimeter 1.例文帳に追加

また、目盛部３の全域において指針６を速度Ｖにほぼ対応させて回動させることで、運転者が速度計１を視認した時、特に低速域において違和感を感じることを確実の防止できる。 - 特許庁

To provide a friction object member having improved μ-V characteristic by improving a friction coefficient in a high speed region and additionally reducing a friction coefficient in a low speed region without receiving the influences of lubricating oil.例文帳に追加

高速領域の摩擦係数の向上に加えて、潤滑油の影響を受けずに低速領域の摩擦係数を低減させることにより、μ−Ｖ特性を向上させることが可能な摩擦相手材を提供すること。 - 特許庁

The polarization state of the ferroelectric region 26 is changed by a control signal V_c applied to the first control means 24, and as a result, the polarity of the channel region 16 can be changed.例文帳に追加

第１制御手段２４に印加される制御信号Ｖ_ｃにより、強誘電体領域２６の分極状態を変更し、その結果としてチャネル領域１６の極性を変更することができる。 - 特許庁

By increasing the gate width, V_CE(on) is reduced, and a depletion layer extending from each base region during application of reverse voltage is made to moderately continue by the first p-type impurity region to ensure withstand voltage.例文帳に追加

ゲート幅を広げることでＶ_ＣＥ（ｏｎ）を低減し、第１ｐ型不純物領域によって逆方向電圧印加時に各ベース領域から広がる空乏層を緩やかに連続させて耐圧を確保する。 - 特許庁

In the static induction thyristor 14, the impurity concentration or thickness in a base region and a buffer layer region is determined so that a peak voltage V_D attained by a peak current I_p in a punch-through status does not exceed a withstand voltage of the static induction thyristor 14.例文帳に追加

SIThy１４は、パンチスルー状態となるピーク電流Ｉ_ｐによって実現されるピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を超えないようにベース領域とバッファ層領域の不純物濃度や厚みが決定される。 - 特許庁

In addition, a speed control region V, in which the robot arm is turned at an angular speed proportional to the tilt angle of the control stick 3, is provided outside a position control region P with respect to the origin O.例文帳に追加

また、原点Ｏに対し位置制御領域Ｐの外側に、ロボットアームを操作桿３の傾倒角度に比例した速度で作動させる速度制御領域Ｖを設定する。 - 特許庁

This constitution can decrease the number of source lines 32 as compared with a comparison example wherein an effective display region V is all set as a display region of high resolution and then reduce the power consumption correspondingly.例文帳に追加

この構成によれば、有効表示領域Ｖ内を全て高解像度の表示領域に設定した比較例と比較してソース線３２の本数を減らすことができ、その分、消費電力を低減することができる。 - 特許庁

when the liquid crystals 4 shrink at a low temp., the liquid crystals 4 in the auxiliary liquid crystal region 17 flow into the display region V, thereby preventing the generation of air bubbles in the liquid crystals 4.例文帳に追加

低温時に液晶４が収縮するとき、補助液晶領域１７内の液晶４が表示領域Ｖ内へと流れ込み、液晶４の内部に気泡が発生することを防止する。 - 特許庁

The speed V_T of the carrier member 2 is set at first speed V_1 in a receiving region α_1 and at second speed V_2 in a delivering region α_3.例文帳に追加

搬送部材２を搬送軌道円上でそれぞれ独立して回転移動させ、搬送部材２の速度Ｖ_Tを、受取領域α_1では第１速度Ｖ_1に設定し、渡し領域α_3では第２速度Ｖ_2に設定する。 - 特許庁

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D.例文帳に追加

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。 - 特許庁

Therefore, the border region S3 is formed as overlapped with the interline region V and with a part of the reflection regions R on both sides of the region V.例文帳に追加

第１領域Ｓ１と第２領域Ｓ２とが互いに重なる領域、または、第１領域Ｓ１と第２領域Ｓ２との間の領域として規定される境界領域Ｓ３が、画素列のうち互いに隣接する画素列の間の列間領域の少なくとも一部を含む領域に形成されるように、第１および第２露光工程が実行される。 - 特許庁

A reverse bias voltage Vb which has a voltage value (0.8 to 1.0 V) between the source voltage Vs and the drain voltage Vd and turns on a diode formed by the n-type source region 8s, and a p-type body region 2 is applied to the body region 2.例文帳に追加

このときボディ領域２に対しては、ソース電圧Ｖｓとドレイン電圧Ｖｄの間の電圧値（０．８〜１．０Ｖ）を有し、Ｎ型のソース領域８ｓとＰ型のボディ領域２とにより形成されるダイオードをオンさせるバックバイアス電圧Ｖｂを印加する。 - 特許庁

To manufacture a silicon single crystal wafer with the CZ method under stable condition which is capable of improving in electric performance such as oxidation high withstanding voltage surely without belonging to a hole rich V region, an OSF region, and a between lattice silicon rich I region.例文帳に追加

空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁

An active region 120 and a passive region 110 of a semiconductor member 125 are formed by a II-V compound semiconductor, and the passive region 110 is formed with a thickness of 5 μm or more, and a reflecting mirror 130 and a partially transmitting mirror 100 are formed by a dichroic mirror, to thereby simplify a complicated process at the time of forming a mirror.例文帳に追加

半導体部材125の活性領域120及び受動領域110をII−VI族半導体化合物で形成し、受動領域110を５μｍ以上の厚さに形成し、反射ミラー130及び部分透過ミラー100をダイクロイックミラーで形成することにより、ミラー形成時の複雑な工程を単純化しうる。 - 特許庁

The active region 17 is provided between the first conductive semiconductor layer 13 and the second conductive semiconductor layer 15 while having a group III-V compound semiconductor layer 21 containing nitrogen (N) and arsenic (As) as V group.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。 - 特許庁

Such operations are performed for the whole wavelength output by the semiconductor tunable laser 12, the determined DC bias voltage V_Data, V_Bar are applied to the semiconductor optical modulator 14 and, thereby, the modulation at a constant Vm is materialized over the whole wavelength region.例文帳に追加

これらの操作を半導体波長可変レーザ１２が出力する全波長に対して行い半導体光変調器１４に求めたＤＣバイアス電圧Ｖ_Ｄａｔａ、Ｖ_Ｂａｒを印加することで、全波長領域で一定Ｖ_ｍでの変調が実現される。 - 特許庁

The semiconductor mesa 15 is provided on the first area 13a of the first distributed Bragg reflector 13 and, in the semiconductor mesa 15, an active region 29 exists between a first conductivity type III-V compound semiconductor layer 25 and a second conductivity type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第１のエリア１３ａ上に設けられており、半導体メサ１５では、活性領域２９は第１導電型III−Ｖ化合物半導体層２５と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層２７との間にある。 - 特許庁

That is, even in the case where light with a wavelength of 350 nm is irradiated at 1×10^13 photons/cm^2sec, a channel region of a transistor is formed using an oxide semiconductor in which an amount of variation in the threshold voltage is less than or equal to 0.65 V, preferably less than or equal to 0.55 V.例文帳に追加

すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

The space 1 having a large dimension of a vertical direction and formed in a frame F immediately below the movable region of the carrier base V is utilized as a wiring space 33 to lay the signal line C of the seat sensor 22 etc. arranged on the carrier base V, so that the signal line C becomes a drooping state on the wiring space 33.例文帳に追加

キャリアベースＶの可動領域の直下のフレームＦ内に形成される上下方向の寸法の大きな空間部１を配線空間３３として利用して、キャリアベースＶ上に配置された着座センサ２２等の信号線Ｃを前記配線空間３３に垂下状態で配線する。 - 特許庁

In the field-effect transistor, the thin layer portion 6a of an AlGaN barrier layer 6 is formed on the V defect 13 of a second GaN layer 4 and the non-growth region G1 of a third GaN layer 5 continuous with the V defect 13, and thereby made thinner than a flat portion 6b without performing etching.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。 - 特許庁

A matrix generation section 26 generates a similarity degree matrix MA in which a similar line GA corresponding to a region where a similarity degree SM of a feature amount F between a sound signal V and a time difference attached sound signal V is high, is arranged in a plane including a time axis T and a time difference axis D.例文帳に追加

マトリクス生成部２６は、音響信号Ｖと時間差を付与した音響信号Ｖとで特徴量Ｆの類似度ＳMが高い領域に対応した類似線分ＧAを、時間軸Ｔと時間差軸Ｄとを含む平面に配置した類似度マトリクスＭAを生成する。 - 特許庁

Further, in the case of a measurement condition where the temperature distribution in the coupler varies, a measured V (z) curve is utilized, the change in the wavenumber of the longitudinal wave in water at the propagation region of the ultrasonic waves is monitored, and the changes in the coupler temperature and longitudinal speed are obtained accurately.例文帳に追加

更に、カプラ内の温度分布が変動するような測定条件の場合は、測定したV(z)曲線を利用して、超音波の伝搬領域における水中の縦波の波数の変化をモニターし、カプラ温度及び縦波速度の変化を高精度に求める。 - 特許庁

A high-resistance III-V compound semiconductor layer is provided under a pedestal electrode, and it is preferable that a low-resistance III-V compound semiconductor layer be provided under the ohmic electrodes, by which an operating current is effectively distributed through an open light- emitting region.例文帳に追加

台座電極の直下に高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect region can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずにＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。 - 特許庁

A power source voltage V_cc, required for driving a driving transistor Tr_1 in a saturated region with a video signal 22B input from a video signal processing circuit 22, is derived by using a table that represents the relation between a video signal and the power source voltage V_cc required to drive the driving transistor Tr_1 in a saturated region.例文帳に追加

映像信号と、駆動トランジスタＴｒ_1を飽和領域で駆動させるのに必要な電源電圧Ｖ_ccとの関係を表したテーブルを用いて、映像信号処理回路２２から入力された映像信号２２Ｂにおいて駆動トランジスタＴｒ_1を飽和領域で駆動させるのに必要な電源電圧Ｖ_ccが導出される。 - 特許庁

To a video data signal outputted from a history information multiplexer of a video decoding system, an encoding parameter, above a picture layer, with a high degree of necessity for a number of applications is inserted into a V Blanking region and an encoding parameter, below a slice layer, is inserted into an H Blanking region after being converted into an ancillary packet.例文帳に追加

ビデオデコーディングシステムのヒストリ情報多重化装置から出力されたビデオデータ信号にたいして、多くのアプリケーションで必要度の高い、ピクチャ層以上の符号化パラメータがV Blanking領域に、全てのアプリケーションでは必要とされない、スライス層以下の符号化パラメータがH Blanking領域に、アンシラリパケットに変換されて挿入される。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

Respective boundary parts 83A of the plurality of the beltlike light emission regions 8a to 8f each have a V-shaped plane shape in which a first boundary constitution part 831 extending obliquely from one beltlike region to the other beltlike region and a second boundary constitution part extending obliquely from the other beltlike region to the one beltlike region are present successively in this order.例文帳に追加

複数の帯状発光領域８ａ〜８ｆの各境界部分８３Ａは、一方側の帯状領域から他方側の帯状領域に向かって斜めに延びた第１の境界構成部分８３１と、他方側の帯状領域から一方側の帯状領域に向かって斜めに延びた第２の境界構成部分８３２とがこの順に続くＶ字形の平面形状を有している。 - 特許庁

This is a mouse including a human heavy chain immunoglobulin variable region not rearranged where the variable region includes a plurality of human V_H gene segments, a plurality of human D gene segments and a plurality of human J_H gene segments and the B cells of the mouse express the chimeric antibody including the human immune globulin heavy chain variable region and the chimeric antibody including the mouse immune globulin heavy chain constant region.例文帳に追加

再配置されていないヒト重鎖免疫グロブリン可変領域を含むマウスであって、その可変領域は、複数のヒトＶ_Ｈ遺伝子セグメント、複数のヒトＤ遺伝子セグメント、および複数のヒトＪ_Ｈ遺伝子セグメントを含み、そのマウスのＢ細胞は、ヒト免疫グロブリン重鎖可変領域とマウス免疫グロブリン重鎖恒常領域を含むキメラ抗体を発現する、マウス。 - 特許庁

Continuous empty regions of ALLOCATION_UNIT (e.g.18 ECC blocks) out of the recording region of an optical disk are reserved as a reserved region, and multiplexed data of a packet (part shown as A annual ring or V annual ring in the figure) unit which can be recorded in the reserved region are recorded in the reserved region.例文帳に追加

光ディスクの記録領域のうちの、ＡＬＬＯＣＡＴＩＯＮ＿ＵＮＩＴ分（例えば、１８のＥＣＣブロック分）の連続した空き領域を、予約領域として予約し、その予約領域に対して、その予約領域に記録することができるパケット（図においてＡ年輪またはＶ年輪と記載してある部分）単位の多重化データを記録する。 - 特許庁

The present invention is featured by cloning VH and VL region genes constituting antibody molecules from mouse monoclonal antibody-producing cells which neutralize a botulinum neurotoxin, and producing various antibodies such as humanized antibodies and bispecific antibodies based on the genetic information of the V region.例文帳に追加

ボツリヌス神経毒素を中和するマウスモノクローナル抗体産生細胞より抗体分子を構成するＶＨ領域及びＶＬ領域遺伝子をクローニングし、このＶ領域の遺伝情報を元にしてヒト化抗体及び二重特異性抗体などの各種抗体を作製することを特徴とする。 - 特許庁

By cloning a VH region and VL region genes constituting the antibody molecule from the antibody producing cells and based on the gene information of the V regions, various antibodies such as a humanized antibody, bispecific antibody, etc., are prepared.例文帳に追加

当該抗体産生細胞より抗体分子を構成するＶＨ領域及びＶＬ領域遺伝子をクローニングし、このＶ領域の遺伝情報を元にしてヒト化抗体及び二重特異性抗体などの各種抗体を作製することを特徴とする。 - 特許庁

The problem is solved by using a transgenic mouse comprising an unrearranged human heavy chain immunoglobulin variable region, wherein the variable region comprises multiple human V_H gene segments, multiple human D gene segments and multiple human J_H gene segments.例文帳に追加

複数のヒトＶ_Ｈ遺伝子セグメント、複数のヒトＤ遺伝子セグメント、および複数のヒトＪ_Ｈ遺伝子セグメントを含む、再配列されていないヒト重鎖免疫グロブリン可変領域を含むトランスジェニックマウスを用いて、前記課題を解決する。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

A semiconductor structure with an electric field modulation section 444 includes a trench 436 surrounding an active region 434 of a group III-V power device formed in the semiconductor structure, and the electric field modulation section is formed in the trench and extends over a portion of the active region.例文帳に追加

電界変調部４４４を有する半導体構造体は、当該半導体構造体内に形成したIII-Ｖ族電力装置の能動領域４３４を囲む溝４３６を有し、前記電界変調部が溝内に形成されているとともに前記能動領域の一部の上に延在している。 - 特許庁

The number of rotations of target input NINT is defined by making a point of fuel consumption when accelerator opening PA is in the second region, while the number of rotations of target input NINT of a continuously variable transmission is defined so as to increase along with vehicle speed V when accelerator opening PA is in the first region.例文帳に追加

アクセル開度ＰＡが第２の領域にある場合には、燃費を重視して目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる一方で、アクセル開度ＰＡが第１の領域にある場合には、車速Ｖと共に増大するように無段変速機の目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる。 - 特許庁

In the route SR, the game balls flow out from a second game ball inlet region on the right side opposite from the direction of rotation of the transfer body, and the game balls are transferred by the transfer body via a second transfer route S3 to a second outlet region where the game balls can be guided toward a second V winning hole 33.例文帳に追加

ルートＳＲでは、移送体の回転方向の逆側の右側において、遊技球の第２流入部位から、遊技球を流出させて第２Ｖ入賞口３３側へ案内可能な第２流出部位まで、の第２移送ルートＳ３を、移送体で移送する。 - 特許庁

This map is set to a tendency to prevent demand driving force from being greatly changed even if opening of the accelerator is more or less changed in a high speed region when the vehicle speed Vtmp is high and a tendency to make the demand torque Tr* substantially a fixed value in a high speed region of vehicle speed V.例文帳に追加

また、車速Ｖｔｍｐが高いときには、高速領域でアクセル開度が多少変化しても要求駆動力が大きく変化しない傾向に、且つ車速Ｖの高速領域での要求トルクＴｒ＊が略一定値になる傾向に設定されている。 - 特許庁